JPH06344591A

JPH06344591A - マルチビーム記録装置

Info

Publication number: JPH06344591A
Application number: JP13853393A
Authority: JP
Inventors: Yasuko Toyama; 泰子外山; Michio Doke; 教夫道家
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1993-06-10
Filing date: 1993-06-10
Publication date: 1994-12-20

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、ビーム位置検出を確実に行うこと
ができて高精度で信頼性が高くなるようにすることを目
的とする。【構成】この発明は、光スポットの露光走査範囲内に
おける非記録領域に配置されて主走査方向に配列された
ｎ個のスリットＳ１〜Ｓｎ及びこのｎ個のスリットＳ１
〜Ｓｎを通してｎ本のビームを受光する受光素子からな
る受光部３１を備え、ｎ個のスリットＳ１〜Ｓｎの各間
の遮光部の間隔が受光部３１で受光する全てのビームの
露光走査方向に対する間隔以上であるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は独立に変調可能な複数個
の発光部を有する記録用光源を用いて複数ラインを同時
に記録するマルチビーム記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術とレーザ走査技術とを組み
合わせたレーザプリンタ等の画像記録装置は、普通紙が
使用でき、高速で高品質な画像が得られるので、急速に
コンピュータの出力装置やデジタル複写機に用いられて
普及している。

【０００３】図４はレーザプリンタに用いられるレーザ
光学系の一例を示す。半導体レーザからなる記録用光源
１１が駆動回路にて画像信号により変調駆動され、この
半導体レーザ１１からのレーザビームがレンズ１２を通
して回転多面鏡１３により偏向される。回転多面鏡１３
からのレーザビームはｆθレンズからなる結像レンズ１
４によりドラム状の感光体１５上に微小な光スポットと
して結像される。この光スポットは回転多面鏡１３と感
光体１５が駆動機構により回転駆動されることによって
感光体１５を走査露光し、画像の静電潜像を形成する。
この場合、感光体１５は帯電器により均一に帯電された
後に上記露光で静電潜像が形成される。また、同期検知
用受光素子１６は、走査線上の走査開始側の画像領域外
に配置され、結像レンズ１４からのレーザビームを検出
する。この同期検知用受光素子１６の出力信号はスレッ
ショルドレベルで２値化されてビーム位置検出信号とな
り、このビーム位置検出信号により主走査方向の画像書
き込み開始位置が制御される。

【０００４】このようなレーザ走査光学系を有するレー
ザプリンタにおいては１分間にＡ４サイズの画像を１０
０枚出力するようなレーザ走査光学系を実現するために
は、感光体１５の速度は５００mm／sec程度となり、回
転多面鏡１３の回転数ｒ(rpm)は次の式(1)式で与えられ
る。ｒ(rpm)＝Ｖ₀×ＤＰＩ×６０／(２５．４×Ｎ)・・・・・(1) ここに、Ｖ₀は感光体１５の速度（mm／sec)、ＤＰＩは
１インチ当りに記録できるドット数で、一般的には３０
０〜４００であり、Ｎは回転多面鏡１３の反射面数で、
一般的には６〜１０である。Ｖ₀＝５００、ＤＰＩ＝３
００，Ｎ＝８を(1)式に代入すると、ｒは４４２９１(rp
m)になる。

【０００５】このような高い回転数では回転多面鏡１３
の回転軸を支える軸受としては従来のボールベアリング
を使用できず、流体軸受，磁気軸受などの特殊な軸受が
必要となってコストアップになる。また、記録用光源で
ある半導体レーザ１１の変調周波数が高くなり、レーザ
制御回路およびホストマシンから半導体レーザ側へのデ
ータ転送の高速化が必要になって回路が複雑になると同
時にコストアップになる。

【０００６】また、レーザプリンタにおいては、高速化
を計るために、複数の光源からの複数のレーザビームを
１個の回転多面鏡で偏向走査して同時に複数ラインを記
録するマルチビーム記録方式がある。このマルチビーム
記録方式では、光源からのレーザビームの本数をＭ本と
すれば回転多面鏡の回転数およびレーザの変調周波数が
１／Ｍとなり、高速な記録が可能となる。

【０００７】図５はマルチビーム記録方式で用いられる
複数の半導体レーザを記録用光源としたレーザ走査光学
系の一例を示す。複数の独立した発光点を有する半導体
レーザからなる光源１７₁，１７₂から発散して出射され
た複数本のレーザビームはコリメートレンズ１８により
それぞれ平行な光束とされ、シリンダレンズ１９により
回転多面鏡２０の反射面近傍へ副走査方向（記録媒体２
２が送られる方向）に絞り込まれる。シリンダレンズ１
９からの複数本のレーザビームは回転多面鏡２４により
共通に偏向を受け、ｆθレンズからなる結像レンズ２１
により感光体からなる記録媒体２２上に微小なレーザビ
ームとして、かつ、各レーザビームが記録密度に応じた
ピッチとなるように絞り込まれて静電潜像が記録媒体２
６上に形成される。ここに、光源１７₁，１７₂は駆動回
路にて画像信号により変調され、画像信号に応じた強度
のレーザビームを出力する。記録媒体２２はモータによ
り駆動されて副走査方向に回転し、帯電器により均一に
帯電された後に複数本のレーザビームにより１主走査で
複数ライン分の静電潜像が形成される。

【０００８】結像レンズ２１は主走査方向（レーザビー
ムが回転多面鏡２０により走査される方向）と副走査方
向で焦点距離の異なるアナモフィックなレンズであり、
副走査方向には回転多面鏡２０の反射面と記録媒体２６
が幾何学的に共役な関係となるように設計されている。
これは回転多面鏡２０の各反射面の回転軸に対する角度
誤差（反射面倒れ）による走査線間のピッチの変動を低
減するための補正光学系を構成するためである。シリン
ダレンズ１９は記録媒体２２上での副走査方向のレーザ
ビーム径を適当な大きさとする機能を持つ。また、同期
検知用受光素子は、走査域内の画像走査記録範囲外に配
置され、結像レンズ２１からのレーザビームを検出す
る。この同期検知用受光素子の出力信号はスレッショル
ドレベルで２値化されてその２値化信号が各レーザビー
ム毎に分離されることによりビーム位置検出信号が得ら
れ、これらのビーム位置検出信号により各レーザビーム
の主走査方向の画像書き込み開始位置が制御される。

【０００９】マルチビーム記録方式において、複数本の
レーザビームを用いて１主走査で複数ライン分のデータ
を同時に記録する場合は、複数本のレーザビームの各発
光点の中心を結んだ直線が主走査方向（レーザビームが
走査される方向）に直交するようにすれば、各発光点の
レーザビームの走査のタイミングは同一となるので、そ
の位相同期を１個の発光点で行えばよい。あるいは、隣
接する各レーザビームのピッチ等が既知であれば、１つ
のレーザビームに対するビーム位置検出信号と各レーザ
ビームの変調クロック（以下変調クロックを画素クロッ
クと呼ぶ）との同期をとればよい。

【００１０】また、マルチビーム記録方式において、記
録用光源として１チップ内に複数の発光点を有する半導
体レーザアレイを用いた場合は、副走査方向のピッチ
（間隔）が半導体レーザアレイの発光点のピッチに依存
するので、記録密度に対応したピッチを得るためには、
半導体レーザアレイをその各発光点の中心を結んだ直線
と主走査方向とがある角度をなすように配置しなければ
ならない。この場合、様々な環境の変化等によるレーザ
ビーム位置の変動やズレが生ずるので、各レーザビーム
に対するビーム位置検出信号と各レーザビームの画素ク
ロックとの位相同期をそれぞれとる方が各レーザビーム
毎の記録位置の変動が少なくて望ましい。

【００１１】また、特開昭５７ー６４７１８号公報に
は、レーザビームプリンタにおいて、間隔が既知である
複数のレーザビームから出射された複数のレーザビーム
のうちの１本のレーザビームの偏向位置を検出する１個
の検出器と、この検出器の出力信号を用いて他のレーザ
ビームの同期等をとる手段とを設けたものが記載されて
いる。

【００１２】特開平２ー４２４１３号公報には、デジタ
ル複写機において、ビーム検知手段に入射する複数のレ
ーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成する
ためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けたも
のが記載されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記マルチビーム記録
方式では、様々な環境の変化等によるレーザビーム位置
の変動やズレに対する対応が極めて困難である。また、
同期検知用受光素子は感光体２２と等価な位置に配置さ
れて各レーザビームが短い時間差をもって入射するが、
図６はレーザビームａ，ｂが極端に重なってしまった場
合の同期検知用受光素子の出力信号の様子を示す。この
場合、同期検知用受光素子のレーザビームａ，ｂに対す
る出力信号ａ₁，ｂ₁が合成されて合成信号ｃ₁が得ら
れ、この合成信号ｃ₁からレーザビームａ，ｂを分割し
て検出することは不可能である。このため、各レーザビ
ームに対する同期検知用受光素子の出力信号と各レーザ
ビームの画素クロックとの位相同期をそれぞれとること
ができない。

【００１４】図７はレーザビームａ，ｂが１／４ほど重
なった場合の信号の様子を示す。この場合は同期検知用
受光素子のレーザビームａ，ｂに対する出力信号ａ₂，
ｂ₂が合成されて合成信号ｃ₂が得られる。この合成信号
ｃ₂は領域Ｓ₂が狭いので、レーザビームａ，ｂを分割し
て検出するためのスレッュドレベルを持つことが困難で
あり、レーザビームａ，ｂの分割検出が不安定となる。

【００１５】図８はレーザビームａ，ｂが微小な時間だ
け重なり合った場合の信号の様子を示す。この場合は同
期検知用受光素子のレーザビームａ，ｂに対する出力信
号ａ₃，ｂ₃が合成されて合成信号ｃ₃が得られる。この
合成信号ｃ₃は領域Ｓ₃が広いので、レーザビームａ，ｂ
を分割して検出するためのスレッュドレベルの決定が容
易となり、レーザビームａ，ｂの分割検出を正確に行う
ことが可能となる。

【００１６】また、上記特開昭５７ー６４７１８号公報
記載のレーザビームプリンタでは、間隔が既知である複
数のレーザから出射された複数のレーザビームのうちの
１本のレーザビームの偏向位置を検出して他のレーザビ
ームの同期等をとるので、レーザビームの間隔が変化し
てしまった場合には同期等が１本のレーザビームに対す
る偏向位置検出信号に依存することにより、誤差やずれ
が生ずるおそれがあり、その補正も困難である。

【００１７】また、特開平２ー４２４１３号公報記載の
デジタル複写機では、ビーム検知手段に入射する複数の
レーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成す
るためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けた
ので、この分離手段のスレッシュドレベルの誤設定等に
よる信号の誤検出、あるいは回路の複雑化やこれによる
コストアップ等が生ずる欠点がある。

【００１８】本発明は、上記欠点を改善し、ビーム位置
検出を確実に行うことができて高精度で信頼性が高いマ
ルチビーム記録装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、画像情報信号に応じて独立
に変調されるｎ（ｎ≧２）個の発光部を有する記録用光
源を有し、この記録用光源の発光部から出射されるｎ本
のビームをｎ個の微小な光スポットに集光結像し、これ
らの光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の記録
を行うマルチビーム記録装置において、前記光スポット
の露光走査範囲内における非記録領域に配置されて主走
査方向に配列されたｎ個のスリット及びこのｎ個のスリ
ットを通して前記ｎ本のビームを受光する受光素子から
なる受光部を備え、前記ｎ個のスリットの各間の遮光部
の間隔が前記受光部で受光する全てのビームの露光走査
方向に対する間隔以上であるものである。

【００２０】請求項２記載の発明は、請求項１記載のマ
ルチビーム記録装置において、前記ｎ本のビームの露光
走査方向の記録密度を独立に設定する記録密度設定手段
を備えたものである。

【００２１】請求項３記載の発明は、請求項１記載のマ
ルチビーム記録装置において、前記記録用光源から出射
されるｎ本のビームのうちｋ(１≦ｋ≦ｎ−１)番目に出
射されるビームだけを点灯させてこのｋ番目に出射され
るビームが消灯した後にｋ＋１番目に出射されるビーム
を点灯させる第１の手段を備えたものである。

【００２２】請求項４記載の発明は、請求項１，２また
は３記載のマルチビーム記録装置において、露光走査範
囲内の非記録領域に配置された受光部からの前記ｎ本の
ビームに対するビーム位置検出信号に基づいて前記ｎ本
のビームの各変調クロックの位相と前記ｎ本のビームに
対するビーム位置検出信号の位相とを略同期させる第２
の手段と、この第２の手段により前記ｎ本のビームに対
するビーム位置検出信号と位相が略同期させられた変調
クロックのうちの１組を基準として画像記録領域の設定
等の制御信号を生成する第３の手段とを備えたものであ
る。

【００２３】請求項５記載の発明は、請求項４記載のマ
ルチビーム記録装置において、露光走査範囲内の非記録
領域に配置された前記受光部からの前記ｎ本のビームに
対するビーム位置検出信号に基づいて、画像記録領域の
設定等の制御信号を生成する基準となるビーム位置と，
それ以外のビーム位置とのズレを検出する第４の手段を
備えたものである。

【００２４】請求項６記載の発明は、請求項１，２，
３，４または５記載のマルチビーム記録装置において、
前記記録用光源を１チップ内に独立に変調可能な複数の
発光点を有する半導体レーザアレイで構成したものであ
る。

【００２５】

【作用】請求項１記載の発明では、記録用光源のｎ個の
発光部が画像情報信号に応じて独立に変調され、この記
録用光源の発光部から出射されるｎ本のビームがｎ個の
微小な光スポットに集光結像されてこれらの光スポット
による記録媒体の露光走査で画像の記録が行われる。光
スポットの露光走査範囲内における非記録領域に配置さ
れたｎ個のスリット及び受光素子からなる受光部はｎ個
のスリットの各間の遮光部の間隔が受光部で受光する全
てのビームの露光走査方向に対する間隔以上であってｎ
本のビームをｎ個のスリットを通して受光素子で受光す
る。

【００２６】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
マルチビーム記録装置において、ｎ本のビームの露光走
査方向の記録密度が記録密度設定手段により独立に設定
される。

【００２７】請求項３記載の発明では、請求項１記載の
マルチビーム記録装置において、第１の手段は記録用光
源から出射されるｎ本のビームのうちｋ(１≦ｋ≦ｎ−
１)番目に出射されるビームだけを点灯させてこのｋ番
目に出射されるビームが消灯した後にｋ＋１番目に出射
されるビームを点灯させる。

【００２８】請求項４記載の発明では、請求項１，２ま
たは３記載のマルチビーム記録装置において、第２の手
段が露光走査範囲内の非記録領域に配置された受光部か
らのｎ本のビームに対するビーム位置検出信号に基づい
てｎ本のビームの各変調クロックの位相とｎ本のビーム
に対するビーム位置検出信号の位相とを略同期させ、第
３の手段は第２の手段により前記ｎ本のビームに対する
ビーム位置検出信号と位相が略同期させられた変調クロ
ックのうちの１組を基準として画像記録領域の設定等の
制御信号を生成する。

【００２９】請求項５記載の発明では、請求項４記載の
マルチビーム記録装置において、第４の手段が露光走査
範囲内の非記録領域に配置された受光部からのｎ本のビ
ームに対するビーム位置検出信号に基づいて、画像記録
領域の設定等の制御信号を生成する基準となるビーム位
置と，それ以外のビーム位置とのズレを検出する。

【００３０】請求項６記載の発明では、請求項１，２，
３，４または５記載のマルチビーム記録装置において、
記録用光源が１チップ内に独立に変調可能な複数の発光
点を有する半導体レーザアレイで構成される。

【００３１】

【実施例】本発明の第１実施例では、画像情報信号に応
じて独立に変調されるｎ（ｎ≧２）個の発光部を有する
記録用光源を備え、この記録用光源の発光部から出射さ
れるｎ本のレーザビームをｎ個の微小な光スポットに集
光結像し、これらの光スポットによる記録媒体の露光走
査で画像の記録を行うマルチビーム記録装置、例えば前
述した図５に示すようなレーザ走査光学系を有するマル
チビーム記録装置において、図１に示すように同期検知
用受光部３１が前記光スポットの露光走査範囲内に配置
され、この受光部３１は記録用光源からのｎ本のレーザ
ビーム３０₁，３０₂・・・３０_nと同数のスリットＳ１，Ｓ
２・・・Ｓｎを有する遮光部材と、その下側に配置された
受光素子とで構成される。スリットＳ１，Ｓ２・・・Ｓｎ
は光スポットによる記録媒体の露光走査方向に所定の間
隔をおいて例えば露光走査方向とほぼ直角で互いに平行
に配置され、記録用光源からのｎ本のレーザビーム３０
₁，３０₂・・・３０_nはスリットＳ１，Ｓ２・・・Ｓｎを通し
て受光素子で受光される。ｎ個のスリットＳ１，Ｓ２・・
・Ｓｎの各間の遮光部の間隔Ｌｐは受光部３１で受光す
る全てのビーム３０₁，３０₂・・・３０_nの露光走査方向に
対する間隔Ｌｂ以上に設定されている。

【００３２】この第１実施例は請求項１記載の発明の実
施例であり、図９は第１実施例の回路構成を示す。受光
部３１からの光電変換信号は増幅回路３２により増幅さ
れて分離回路３３において予め設定されたスレッショル
ドレベルで２値化され、各レーザビーム３０₁，３０₂・・
・３０_nに対応したビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・
ＢＤ_nに分離される。

【００３３】第１実施例の各部を制御する記録装置制御
回路３４は分離回路３３からのビーム位置検出信号ＢＤ
₁，ＢＤ₂・・・を基準にして画素クロックの位相同期や記
録開始，記録領域の設定等の制御を行う。この場合、ｎ
個の半導体レーザからなる発光部はそれぞれ独立にｎ個
の駆動回路にて画像情報信号によりｎ個の画素クロック
に同期して変調駆動されて画像情報信号に応じた強度の
レーザビーム３０₁，３０₂・・・を出力する。

【００３４】図１０は第１実施例の動作例を示すタイミ
ングチャートである。この動作例はｎ＝３の場合の動作
例であり、光電変換信号ａは受光部３１からの光電変換
信号を増幅回路３２で増幅した信号である。信号ｃは光
電変換信号ａを分離回路３３において設定されたスレッ
ショルドレベルで２値化した信号（正論理）であり、信
号ｄ，信号ｅ及び信号ｆはそれぞれ信号ｃを分離回路３
３においてビーム３０₁，３０₂，３０₃に対するビーム
位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂，ＢＤ₃に分離するためのマ
スク信号（正論理）である。信号ｂは毎主走査に記録装
置制御回路３４から分離回路３３へ出力されるタイミン
グ信号（正論理）であり、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，
ＢＤ₂，ＢＤ₃は分離回路３３において信号ｃをマスク信
号ｄ，ｅ，ｆによりマスクして分離した信号（負論理）
である。

【００３５】分離回路３３は記録装置制御回路３４から
のタイミング信号ｂが低レベル(以下Ｌと呼ぶ)から高レ
ヘル(以下Ｈと呼ぶ)に遷移すると、その遷移を検知して
マスク信号ｄをＬからＨにし、レーザビーム３０₁の位
置検出を開始する。レーザビーム３０₁が受光部３１の
受光面を走査して２値化信号ｃがＬからＨになると、分
離回路３３はビーム位置検出信号ＢＤ₁をＨからＬにし
て記録装置制御回路３４にレーザビーム３０₁の位置検
出を通知する。

【００３６】次に、分離回路３３は２値化信号ｃがＨか
らＬに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号ｄを
ＨからＬにすると同時にビーム位置検出信号ＢＤ₁をＬ
からＨにすることによりレーザビーム３０₁の位置検出
を終了し、かつ、マスク信号ｅをＬからＨにしてレーザ
ビーム３０₂の位置検出を開始する。同様にレーザビー
ム３０₂が受光部３１の受光面を走査して２値化信号ｃ
がＬからＨになると、分離回路３３はビーム位置検出信
号ＢＤ₂をＨからＬにして記録装置制御回路３４にレー
ザビーム３０₂の位置検出を通知する。

【００３７】次に、分離回路３３は２値化信号ｃがＨか
らＬに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号ｅを
ＨからＬにすると同時にビーム位置検出信号ＢＤ₂をＬ
からＨにすることによりレーザビーム３０₂の位置検出
を終了し、かつ、マスク信号ｆをＬからＨにしてレーザ
ビーム３０₃の位置検出を開始する。レーザビーム３０₃
が受光素子３１の受光面を走査して２値化信号ｃがＬか
らＨになると、分離回路３３はビーム位置検出信号ＢＤ
₃をＨからＬにして記録装置制御回路３４にレーザビー
ム３０₃の位置検出を通知する。

【００３８】次に、分離回路３３は２値化信号ｃがＨか
らＬに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号ｆを
ＨからＬにすると同時にビーム位置検出信号ＢＤ₃をＬ
からＨにすることによりレーザビーム３０₃の位置検出
を終了する。以上の動作により、１主走査内の全てのビ
ーム位置検出が完了し、次の主走査のビーム位置検出を
記録装置制御回路３４から分離回路３３へのタイミング
信号ｂの入力まで待機する。

【００３９】第１実施例では図１に示すように記録用光
源からのｎ本のビーム３０₁，３０₂・・・３０_nは受光部３
１にてビーム３０₁，３０₂・・・３０_nと同数のスリットＳ
１，Ｓ２・・・Ｓｎを介して受光素子で受光される。記録
用光源からのｎ本のビーム３０₁，３０₂・・・３０_nのうち
最も早く受光部３１の始端部に到達するビーム３０₁は
スリットＳ１を通して受光素子によって受光された後に
消灯し、ｎ個のスリットＳ１，Ｓ２・・・Ｓｎの各間の遮
光部の間隔Ｌｐが受光部３１で受光する全てのビーム３
０₁，３０₂・・・３０_nの露光走査方向に対する間隔Ｌｂ以
上に設定されているから、ビーム３０₂以降のビームは
スリットＳ１とスリットＳ２との間の遮光部を走査す
る。

【００４０】図２は第１実施例の動作（ｎ＝３の場合）
のタイミングチャートを示す。図２において、ＷＣＬＫ
は画素クロック、ＳＴは記録装置制御回路３４から分離
回路３３に入力される主走査の開始を指令するタイミン
グ信号、ＳＴ＿ｓは記録装置制御回路３４がタイミング
信号ＳＴの出力後に最初の光電変換信号ａをスレッショ
ルドレベルで２値化したビーム位置検出信号（負論理）
に同期して受光部３１のスリットとスリットとの間の遮
光部をビームが走査する時間ｔ毎に出力するタイミング
信号、ＰＤは受光部３１がスリットＳ１〜Ｓ３を通して
受光素子でレーザビーム３０₁〜３０₃を受光して出力す
る光電変換信号、／ＢＤ₁，／ＢＤ₂，／ＢＤ₃は受光部
３１からの光電変換信号を分離回路３３にてスレッショ
ルドレベルで２値化して分離したビーム位置検出信号
（負論理）、ＬＤ1on／off,ＬＤ2on／off,ＬＤ3on／off
は記録装置制御回路３４が各ビーム３０₁，３０₂，３０
₃の点灯／非点灯を制御するための点灯／非点灯制御信
号、ｍａｓｋ１,ｍａｓｋ２,ｍａｓｋ３は受光部３１の
各スリットＳ１，Ｓ２，Ｓ３にそれぞれ最初に入射する
ビームのみを有効にしてそれ以降のビームを検知しない
ためのマスク信号である。

【００４１】記録用光源から射出される複数のレーザビ
ームは受光部３１に入射する直前に記録装置制御回路３
４からのリセット信号ＳＴの立上りによってＬＤ1on／o
ff,ＬＤ2on／off,ＬＤ3on／offがＬとなって３個の半導
体レーザが点灯することにより点灯し、その後最初にビ
ーム３０₁がスリットＳ１を通して受光素子に入射して
光電変換信号ＰＤが出力される。

【００４２】レーザビーム３０₁が受光部３１のスリッ
トＳ１を通して受光素子に入射してその入射光量に対応
した光電変換信号ＰＤが分離回路３３の予め設定された
スレッショルドレベルを越えると、ビーム位置検出信号
ＢＤ₁が分離回路３３によりＨからＬに遷移してレーザ
ビーム３０₁の位置検出（検知１）が行われる。同時に
記録装置制御回路３４はタイミング信号ＳＴ＿ｓをビー
ム位置検出信号ＢＤ₁に同期して出力し、光電変換信号
をアクティブにするマスク信号ｍａｓｋ１がＬになる。

【００４３】さらに、記録走査制御回路３４はビーム位
置検出信号ＢＤ₁がＬになってから最初の画素クロック
ＷＣＬＫの立ち上がりに同期してＬＤ1on／offをＨとし
てレーザビーム３０₁を消灯させ（消灯１）、分離回路
３３はレーザビーム３０₁の消灯後の画素クロックＷＣ
ＬＫの立上りに同期してビーム位置検出信号ＢＤ₁をＨ
としてレーザビーム３０₁の位置検出を終了する。ま
た、分離回路３３は同時にｍａｓｋ１をＨとし、これ以
降にスリットＳ１に入射するビームについては同じ主走
査内で同じスリットＳ１ではビーム位置検出を行わな
い。

【００４４】その後、記録装置制御回路３４は、タイミ
ング信号ＳＴ＿ｓとして最初のパルスを出力してからｔ
時間後に再びタイミング信号ＳＴ＿ｓとしてパルスを出
力し、その立ち上がりに同期してマスク信号ｍａｓｋ２
がＬになる。受光部３１のスリットＳ２にビーム３０₂
が最初に入射し、ビーム３０₂の位置検出（検知２）が
ビーム３０₁の位置検出と同様に行われる。さらに、ビ
ーム３０₂が消灯（消灯２）してビーム３０₂の位置検出
を終了した後にｍａｓｋ２がＨとなり、これ以降にスリ
ットＳ２に入射するビームについては同じ主走査内で同
じスリットＳ２ではビーム位置検出が行われない。その
後、記録装置制御回路３４は、タイミング信号ＳＴ＿ｓ
として３つ目のパルスを出力し、その立ち上がりに同期
してマスク信号ｍａｓｋ３がＬになる。受光部３１のス
リットＳ３にビーム３０₃が最初に入射し、ビーム３０₃
の位置検出（検知３）がビーム３０₁の位置検出と同様
に行われる。

【００４５】そして、１主走査内のビーム位置検出が全
て終了した後に、記録走査制御回路３４からの次のＳＴ
の立上りエッジによって、ＬＤ1on／off,ＬＤ2on／off,
ＬＤ3on／offがＬになってレーザビーム３０₁，３０₂，
３０₃が全て点灯し、次の主走査のビーム位置検出を待
機する。また、第１実施例において、記録媒体は帯電器
により均一に帯電されてからレーザ走査光学系による露
光で静電潜像が形成され、この静電潜像が現像装置によ
り現像されて転写装置により転写紙へ転写される。

【００４６】このような第１実施例では、ｎ個のスリッ
トＳ１，Ｓ２・・・Ｓｎの各間の遮光部の間隔Ｌｐを受光
部３１で受光する全てのビーム３０₁，３０₂・・・３０_nの
露光走査方向に対する間隔Ｌｂ以上に設定して受光部３
１の各スリットＳ１〜Ｓｎを通して受光素子でｎ本のビ
ーム３０₁，３０₂・・・３０_nを検出するので、ｎ本のビー
ム３０₁，３０₂・・・３０_nの位置関係に依存せずに互いに
隣接するビームに対するビーム位置検出信号を分離する
ことが可能となり、光電変換素子の受光面の形状の制限
や、光電変換素子の受光面端部の受光特性等の影響を受
けることなく、個々のビームの位置検出を行うことがで
き、また、形状の変更、調整も容易となる。

【００４７】図１１は本発明の第２実施例に用いられる
位相同期回路を示し、図１２はそのタイミングチャート
である。この第２実施例は請求項２記載の発明の実施例
であり、上記第１実施例において、各レーザビーム３０
₁，３０₂・・・による主走査方向の記録密度を位相同期回
路により独立に設定するようにしたものである。すなわ
ち、レーザビーム３０₁に対するビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₁とレーザビーム３０₁に対する画素クロックＷＣＬＫ
₁との位相同期が図１１に示す回路で行われ、かつ、他
のレーザビーム３０₂・・・に対するビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₂・・・とレーザビーム３０₂・・・に対する画素クロックＷ
ＣＬＫ₂・・・との各位相同期がそれぞれ図１１に示す回路
と同様な回路で行われる。これらの回路は記録装置制御
回路３４内に設けられている。

【００４８】発振器３５は画素クロックの１／ｍの周期
の基準クロックＣＬＫを位相同期部３６へ出力し、位相
同期部３６は分離回路３３から入力されるビーム位置検
出信号ＢＤ₁（負論理）の直後に発振器３５からの基準
クロックＣＬＫの立ち上がりに同期して立ち上がるリセ
ット信号RESET（負論理）を分周器３７へ出力する。分
周器３７は位相同期部３６からのリセット信号RESETを
基準にして発振器３５からの基準クロックＣＬＫを分周
して画素クロックＷＣＬＫ₁として出力し、記録装置制
御回路３４は分周器３７からの画素クロックＷＣＬＫ₁
に同期してレーザビーム３０₁の上述のような点灯，消
灯制御や記録開始，記録領域の設定等の制御を行う。

【００４９】図１２はｎ＝４の場合のタイミングチャー
トである。位相同期部３６は、ビーム位置検出信号ＢＤ
₁がＬになると、その立ち下がりエッジに対して最も近
い発振器３５からの基準クロックＣＬＫの立ち上がりエ
ッジに同期してリセット信号RESETをＬにする。このリ
セット信号RESETは、図１２では基準クロックＣＬＫの
２クロック分になっているが、必ずしも基準クロックＣ
ＬＫの２クロック分である必要はなく、回路上の特別な
制約がない限り基準クロックＣＬＫの１クロック分以上
の時間幅を有していればよい。分周器３７は、位相同期
部３６からのリセット信号RESETがＬになると、リセッ
ト信号RESETがＬである区間の発振器３５からの基準ク
ロックＣＬＫの立ち上がりエッジに同期してリセットさ
れ、リセット信号RESETがＨになると、発振器３５から
の基準クロックＣＬＫの分周を開始して画素クロックＷ
ＣＬＫ₁として出力する。したがって、ビーム位置検出
信号ＢＤ₁に対する画素クロックＷＣＬＫ₁の位相同期を
その周期の１／ｍの誤差範囲内で行うことができる。

【００５０】この第２実施例においては、各レーザビー
ムによる露光走査方向の記録密度をそれぞれ上記回路に
より独立に設定するので、選択的に複数の記録密度で記
録を行うことが可能となり、比較的汎用性の高いマルチ
ビーム記録装置を比較的簡易な構成で提供することが可
能となる。

【００５１】図１３は本発明の第３実施例に用いられる
位相同期回路を示す。この第３実施例は請求項２記載の
発明の実施例である。位相同期回路は発振器３５及び位
相同期部３６が各レーザビーム３０₁，３０₂・・・で共通
に用いられ、ｎ個の分周器３７₁，３７₂・・・３７_nを有す
る。また、１主走査内でｎ本のレーザビーム３０₁，３
０₂・・・の位相同期を行うために、記録用光源の発光点
(半導体レーザ)からのレーザビーム３０₁，３０₂・・・に
対応する分周器３７₁，３７₂・・・にリセット信号を順次
に出力して各発光点の位相同期動作が互いに悪影響を及
ぼさないようにすべく発光点選択部３８が設けられてい
る。

【００５２】分離回路３３からのレーザビーム３０₁，
３０₂・・・に対応したビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・
・はオアゲート３９を通って位相同期部３６に入力さ
れ、位相同期部３６がオアゲート３９からの各ビーム位
置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の立ち下がりエッジの直後
に発振器３５からの基準クロックＣＬＫの立ち上がりに
同期して立ち上がるリセット信号RESETを発光点選択部
３８へ出力する。

【００５３】発光点選択部３８は分離回路３３からビー
ム位置検出信号ＢＤ₁が入力された時には位相同期部３
６から入力されたビーム位置検出信号ＢＤ₁に対応する
リセット信号RESETをリセット信号RESET₁として分周器
３７₁へ出力して他の分周器３７₂・・・にはリセット信号
の出力を禁止する機能を有し、以下同様に分離回路３３
からビーム位置検出信号ＢＤ₂・・・が入力された時にはそ
れぞれ位相同期部３６から入力されたビーム位置検出信
号ＢＤ₂・・・に対応するリセット信号RESETをリセット信
号RESET₂・・・として分周器３７₂・・・へ出力することによ
り、１主走査内にｎ個のビームの位相同期が行われる。

【００５４】分周器３７₁，３７₂・・・はそれぞれ発光点
選択部３８からのリセット信号RESET₁,RESET₂・・・を基準
にして発振器３５からの基準クロックＣＬＫを分周して
画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・を出力し、記録
装置制御回路３４は分周器３７₁，３７₂・・・からの画素
クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・に同期してレーザビ
ーム３０₁，３０₂・・・の上述のような点灯，消灯制御や
記録開始，記録領域の設定等の制御を行う。

【００５５】この第３実施例では、比較的簡素な構成で
複数のビームの位相同期が可能であり、また、全ての画
素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・を共通の発振器３
５からの基準クロックＣＬＫに基づいて生成するので、
各ビームの画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の間
の精度のバラツキが少ない高品位なマルチビーム記録装
置を提供することができる。また、各分周器３７₁，３
７₂・・・の分周比を変更することによって各レーザビーム
３０₁，３０₂・・・毎に画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ
₂・・・の周期を変えることが可能となり、各レーザビーム
３０₁，３０₂・・・毎に主走査方向の記録密度を独立に設
定することができて比較的汎用性の高いマルチビーム記
録装置を比較的簡易な構成で提供することが可能とな
る。

【００５６】上記第１実施例では、記録装置制御回路３
４は図２に示すようにＳＴに同期してＬＤ1on／off,Ｌ
Ｄ2on／off,ＬＤ3on／off・・・ＬＤnon／offをＨからＬに
遷移させてビーム３０₁，３０₂，３０₃・・・３０_nを点灯
させ、各ビーム３０₁，３０₂，３０₃・・・３０_nの位置検
出を行う場合、ビーム３０₁，３０₂，３０₃・・・３０_nに
対応する光電変換信号が受光部３１から出力される。こ
の場合、ビーム３０₁がスリットＳ１に入射したときに
は、ビーム３０₂，３０₃・・・３０_nがスリットＳ１に達し
ていないので、受光素子以外のものによりビーム３
０₂，３０₃・・・３０_nが散乱し、その散乱光が記録媒体の
記録面に達して記録画像の品質を劣化させてしまう可能
性がある。そこで、本発明の他の実施例では、上記実施
例において、記録装置制御回路３４はビーム位置検出を
行うビームのみを点灯させて他のビームの位置検出を待
機させ、ビーム位置検出が終了してビームを消灯してか
ら次のビームを点灯させて他のビームの位置検出を待機
させるように構成し、つまり、記録用光源から出射され
るｎ本のビームのうちｋ(１≦ｋ≦ｎ−１)番目に出射さ
れるビームだけを点灯させてこのｋ番目に出射されるビ
ームが消灯した後にｋ＋１番目に出射されるビームを点
灯させるように構成し、上記散乱光による記録画像の劣
化を防止した。

【００５７】この実施例は、請求項３記載の発明の実施
例であり、図３はそのタイミングチャートを示す。図３
において、ＷＣＬＫは画素クロック、ＳＴは記録装置制
御回路３４から分離回路３３に主走査毎に入力される主
走査の開始を指令するタイミングクロック、ＳＴ＿ｓは
ビームの各スリットＳ１〜Ｓ３への入射が開始される毎
に記録装置制御回路３４から出力されるタイミング信号
である。このタイミング信号ＳＴ＿ｓはＳＴが出力され
てから最初の光電変換信号が分離回路３３でスレッショ
ルドレベルで２値化されたビーム位置検出信号（負論
理）に同期して、スリットとスリットとの間の遮光部を
ビームが走査する時間ｔ毎に出力される。ＰＤ1out，Ｐ
Ｄ2out，ＰＤ3outはそれぞれ受光部３１の受光素子がス
リットＳ１〜Ｓ３を通してレーザビーム３０₁〜３０₃を
受光して出力する光電変換信号、／ＢＤ₁，／ＢＤ₂，／
ＢＤ₃は受光部３１からの光電変換信号を分離回路３３
でスレッショルドレベルで２値化して分離したビーム位
置検出信号（負論理）、ＬＤ1on／off,ＬＤ2on／off,Ｌ
Ｄ3on／offは記録装置制御回路３４が各ビーム３０₁,30
₂，３０₃の点灯／非点灯を制御するための点灯／非点灯
制御信号、ｍａｓｋ１,ｍａｓｋ２,ｍａｓｋ３は各スリ
ットＳ１，Ｓ２，Ｓ３に最初に入射するビームのみを有
効にし、それ以降のビームを検知しないためのマスク信
号である。

【００５８】記録用光源から射出される３本のレーザビ
ームは受光部３１に入射する直前に記録装置制御回路３
４からのＳＴの立上りエッジによってＬＤ1on／offがＬ
になって点灯する。その後、レーザビーム３０₁がスリ
ットＳ１に入射してその入射光量に対応した光電変換信
号ＰＤが出力され、この光電変換信号ＰＤがスレッショ
ルドレベルを越えると、ビーム位置検出信号ＢＤ₁が分
離回路３３によりＨからＬに遷移する。ビーム位置検出
信号ＢＤ₁がＨからＬに遷移すると、レーザビーム３０₁
の位置検出（検知１）が行われる。同時に各スリットへ
のビーム入射開始毎に出力されるべきタイミング信号Ｓ
Ｔ＿ｓが記録装置制御回路３４によりビーム位置検出信
号ＢＤ₁と同期して出力され、光電変換信号をアクティ
ブにするマスク信号ｍａｓｋ１がＬになる。

【００５９】さらに、記録装置制御回路３４はビーム位
置検出信号ＢＤ₁がＬになってから最初の画素クロック
ＷＣＬＫの立ち上がりに同期してＬＤ1on／offをＨとし
てレーザビーム３０₁を消灯させる。この時にｍａｓｋ1
がＨとなり、これ以降にスリットＳ１に入射するビーム
については同じ主走査内ではビーム位置検出を行わな
い。記録走査制御回路３４は同時にＬＤ2on／offをＬに
してビーム３０₂を点灯させ、レーザビーム３０₁の消灯
後の画素クロックＷＣＬＫの立上りに同期してビーム位
置検出信号ＢＤ₁が分離回路３３によりＨとなり、ビー
ム３０₁の位置検出が終了する。

【００６０】その後、記録装置制御回路３４は、タイミ
ング信号ＳＴ＿ｓとして最初のパルスを出力してからｔ
時間後に再びタイミング信号ＳＴ＿ｓとしてパルスを出
力し、その立ち上がりに同期してマスク信号ｍａｓｋ２
がＬになる。受光部３１のスリットＳ２にビーム３０₂
が最初に入射し、ビーム３０₂の位置検出（検知２）が
ビーム３０₁の位置検出と同様に行われる。さらに、ビ
ーム３０₂が消灯（消灯２）してビーム３０₂の位置検出
を終了した後にｍａｓｋ２がＨとなり、これ以降にスリ
ットＳ２に入射するビームについては同じ主走査内で同
じスリットＳ２ではビーム位置検出が行われない。その
後、記録装置制御回路３４は、タイミング信号ＳＴ＿ｓ
として３つ目のパルスを出力し、その立ち上がりに同期
してマスク信号ｍａｓｋ３がＬになる。受光部３１のス
リットＳ３にビーム３０₃が最初に入射し、ビーム３０₃
の位置検出（検知３）がビーム３０₁の位置検出と同様
に行われる。

【００６１】そして、１主走査内のビーム位置検出が全
て終了した後に、記録走査制御回路３４からの次のＳＴ
の立上りエッジによって、ＬＤ1on／offがＬになってレ
ーザビーム３０₁，３０₂，３０₃が全て点灯し、次の主
走査のビーム位置検出を待機する。

【００６２】本発明の第４実施例は、請求項４記載の発
明の実施例であり、上記第１実施例において、複数のビ
ーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画素クロ
ックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期させ、
かつ、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画素ク
ロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの１組を基準と
して画像記録領域の設定等の制御信号を生成するように
したものである。

【００６３】この第４実施例では、図１１に示す位相同
期回路(又は図１３に示す位相同期回路)で複数のビーム
位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画素クロック
ＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期させ、ま
た、記録装置制御回路３４によりビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₁，ＢＤ₂・・・と各画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・
・・のうちの１組を基準として画像記録領域の設定等の制
御信号を生成する。

【００６４】記録装置制御回路３４は画像記録領域の設
定等の制御信号を生成する基準となる１組のビーム位置
検出信号に対応する１つのレーザビームに対して他のレ
ーザビームのズレが既知である場合には記録開始位置等
のタイミングを容易に設定して画像記録領域の設定等の
制御信号を生成することが可能である。図１４は記録開
始位置のタイミングの設定例を示す。

【００６５】図１４は、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，Ｂ
Ｄ₂・・・に位相同期した画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬ
Ｋ₂・・・の周期が互いに等しく、レーザビーム３０₂のビ
ーム位置がレーザビーム３０₁のビーム位置に対して画
素クロックで２．５クロック分遅れ、レーザビーム３０
₃のビーム位置がレーザビーム３０₁のビーム位置に対し
て画素クロックで２．５クロック分進んでいる様子を示
す。記録装置制御回路３４はレーザビーム３０₁に対す
るビーム位置検出信号ＢＤ₁と画素クロックＷＣＬＫ₁を
基準として記録開始位置のタイミング設定を行う。

【００６６】すなわち、記録装置制御回路３４はレーザ
ビーム３０₁が検出されてから一定の期間が経過した後
の画素クロックＷＣＬＫ₁の立ち上がりエッジａ₁に同期
してレーザビーム３０₁による記録を開始させる。レー
ザビーム３０₂による記録開始位置をレーザビーム３０₁
による記録位置と一致させるには画素クロックＷＣＬＫ
₁の立ち上がりエッジａ₁に対して画素クロックＷＣＬＫ
₂を２．５クロック遅らせればよく、また、画素クロッ
クＷＣＬＫ₂は画素クロックＷＣＬＫ₁に対して位相が
０．５クロック遅れている。そこで、記録装置制御回路
３４は画素クロックＷＣＬＫ₁を基準として画素クロッ
クＷＣＬＫ₂を２クロック遅延させてその立ち下がりエ
ッジＰ₂にレーザビーム３０₂による記録開始位置を設定
し、レーザビーム３０₂による記録をレーザビーム３０₁
による記録位置より２．５遅れた画素クロックＷＣＬＫ
₂の立ち上がりエッジａ₂で開始させることでレーザビー
ム３０₁による記録位置とレーザビーム３０₂による記録
位置とを一致させる。

【００６７】同様にして、レーザビーム３０₃による記
録開始位置をレーザビーム３０₁による記録位置と一致
させるには画素クロックＷＣＬＫ₁の立ち上がりエッジ
ａ₁に対して画素クロックＷＣＬＫ₃を２．５クロック進
めればよく、また、画素クロックＷＣＬＫ₃は画素クロ
ックＷＣＬＫ₁に対して位相が０．５クロック遅れてい
る。そこで、記録装置制御回路３４は画素クロックＷＣ
ＬＫ₁を基準として画素クロックＷＣＬＫ₃を３クロック
分位相を進ませてその立ち下がりエッジＰ₃にレーザビ
ーム３０₃による記録開始位置を設定し、レーザビーム
３０₃による記録をレーザビーム３０₁による記録位置よ
り２．５進んだ画素クロックＷＣＬＫ₃の立ち上がりエ
ッジａ₃で開始させることでレーザビーム３０₁による記
録位置とレーザビーム３０₃による記録位置とを一致さ
せる。

【００６８】このようにすれば、１つのレーザビームの
位置を基準として複数のレーザビームによる記録位置を
一致させるように設定することができ、かつ、各画素ク
ロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・をビーム位置検出信号
ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と位相同期させていることにより記録
位置の誤差が小さくなる。

【００６９】記録装置制御回路３４は図１５に示すよう
に制御信号生成部４０を有し、この制御信号生成部４０
は上記位相同期回路４１からの画素クロックＷＣＬ
Ｋ₁，ＷＣＬＫ₂・・・と分離回路３３からのビーム位置検
出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・とから記録開始，画像記録領域
等を制御するための制御信号を生成する。ビデオ部４２
は制御信号生成部４０からの制御信号に応じて画素クロ
ックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・に同期して画像信号を出
力し、記録用光源の各半導体レーザがそれぞれ駆動回路
によりそれらの画像信号に応じて変調される。

【００７０】この第４実施例では、ビーム位置検出信号
ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画素クロックＷＣＬＫ₁，Ｗ
ＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期させるので、露光走査方向
の記録位置ズレが少なくなり、記録位置の誤差を位相同
期誤差内に抑えることができる。また、画素クロックを
全部用いずに１組だけ用いて記録開始，画像記録領域等
を制御するための制御信号を生成するので、記録開始，
画像記録領域等の制御をその精度を劣化させることなく
行うことが可能となり、制御回路の簡略化も計ることが
でき、廉価で信頼性の高いマルチビーム記録装置を実現
できる。

【００７１】本発明の第５実施例は請求項４記載の発明
の実施例であり、上記第４実施例において、記録装置制
御回路３４が制御信号生成部４０の代りに図１６に示す
ように制御信号生成部４３を有するものである。この制
御信号生成部４３は上記位相同期回路４１から出力され
る画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの１つ
の画素クロックＷＣＬＫ₁と分離回路３３からのビーム
位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・とから記録開始，画像記
録領域等を制御するための制御信号を生成してビデオ部
４２へ出力する。従って、第４実施例と同様な効果が得
られ、さらに第４実施例に比べて制御信号生成部を簡略
化することができる。

【００７２】図１７は本発明の第６実施例のビーム位置
ズレ検出回路を示し、図１８はそのタイミングチャート
を示す。この第６実施例は請求項５記載の発明の実施例
であり、上記実施例において、ビーム位置ズレ検出回路
が設けられている。この第６実施例はｎ＝３の場合であ
る。ビーム位置ズレ検出回路は主走査開始後の最初に検
出されるビーム位置を基準としてその他のビーム位置の
ズレを検出するものであり、ビーム数をカウントするた
めのカウンタ４４と、主走査開始後の最初のビーム位置
検出信号ＢＤ₁によって０にリセットされて主走査開始
後の最初のビーム位置検出信号ＢＤ₁に位相同期された
画素クロックＷＣＬＫ₁をカウントするためのカウンタ
４５と、２番目以降のレーザビーム３０₂・・・の位置検出
時のカウンタ４５のアドレスをビーム位置ズレデータと
して格納するバッファ４６と、カウンタ４４，４５およ
びバッファ４６の制御信号を生成するためのフリップフ
ロップ４７，４８，４９を有する。

【００７３】カウンタ４４にはフリップフロップ４９か
らカウント許可信号／ＥＮが入力され、バッファ４６に
はフリップフロップ４８から書き込み許可信号／ＷＥが
入力される。また、バッファ４６には記録装置制御回路
３４からデータ読み出し許可信号／ＲＥが入力される。
画素クロックＷＣＬＫ₁を除いた全ての信号は負論理で
ある。

【００７４】主走査開始後に分離回路３３からのビーム
位置検出信号ＢＤ₁がカウンタ４４，４５にリセット信
号として入力されてカウンタ４４，４５がリセットさ
れ、カウンタ４５が上記画素クロックＷＣＬＫ₁のカウ
ントを開始する。フリップフロップ４７は分離回路３３
からのビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂,ＢＤ₃がオア回
路５０を介して入力され、上記画素クロックＷＣＬＫ₁
の立ち上がりでオア回路５０の出力信号をラッチする。

【００７５】主走査開始後に分離回路３３からのビーム
位置検出信号ＢＤ₁がカウンタ４４，４５にリセット信
号として入力されてカウンタ４４，４５がリセットさ
れ、カウンタ４５が上記画素クロックＷＣＬＫ₁のカウ
ントを開始する。フリップフロップ４７は分離回路３３
からのビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂,ＢＤ₃がオア回
路５０を介して入力され、上記画素クロックＷＣＬＫ₁
の立ち上がりでオア回路５０の出力信号をラッチする。

【００７６】ノア回路５１はオア回路５０の出力信号及
びフリップフロップ４７の非反転出力信号が入力され、
オア回路５１の出力信号がＬでフリップフロップ４７の
非反転出力信号がＨのときに出力信号がＨとなる。フリ
ップフロップ４９は上記画素クロックＷＣＬＫ₁の立ち
上がりでノア回路５１の出力信号をラッチし、非反転出
力信号をカウント許可信号／ＥＮとしてカウンタ４４へ
出力する。したがって、カウント許可信号／ＥＮは各ビ
ーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂,ＢＤ₃がオア回路５１に
入力される度にＬとなってカウンタ４４のカウントを許
可し、カウンタ４４がレーザビーム３０₁，３０₂，３０
₃の位置検出が行われる度に画素クロックＷＣＬＫ₁によ
り１つづつインクリメントされて行く。

【００７７】また、フリップフロップ４７の反転出力信
号及びオア回路５１の出力信号がノア回路５２に入力さ
れ、フリップフロップ４８が上記画素クロックＷＣＬＫ
₁の立ち上がりでノア回路５２の出力信号をラッチす
る。カウント許可信号／ＥＮがＬになると、画素クロッ
クＷＣＬＫ₁で１クロック分遅延してフリップフロップ
４８からの書き込み許可信号／ＷＥがＬになり、バッフ
ァ４６がカウンタ４４により指定されるアドレス(レー
ザビーム３０₁，３０₂，３０₃に対応したアドレス)にカ
ウンタ４５のカウント内容、つまり画素クロックＷＣＬ
Ｋ₁を単位とした各レーザビームのビーム位置ズレデー
タが格納される。

【００７８】記録装置制御回路３４はバッファ４６から
それらの位置ズレデータを必要に応じて呼び出し、これ
らの位置ズレデータとビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂
・・・と各画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの
１組を基準として画像記録領域の設定等の制御信号を生
成する。この場合、記録装置制御回路３４はビーム位置
検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画素クロックＷＣＬＫ₁，
ＷＣＬＫ₂・・・(またはそのうちの１組)を基準としてこれ
を位置ズレデータで補正することによりビーム位置ズレ
の補正を行う。従って、画像記録領域等の制御信号の生
成基準となるビーム位置と、それ以外のビーム位置との
ズレの自動検出が可能となり、環境変動等による経時の
ビーム位置変動に影響されない信頼性の高いマルチビー
ム記録装置の実現が可能となる。

【００７９】この第６実施例では、ビーム位置ズレ検出
回路により各レーザビームの位置ズレを検出して記録装
置制御回路３４により各レーザビームの位置ズレを補正
するので、装置の温度上昇等の環境変動によりビーム位
置が変動した場合でも各レーザビームの位置ズレを補正
することができて信頼性の高い高精度なマルチビーム記
録装置の実現が可能となる。

【００８０】本発明の別の実施例では、上記各実施例に
おいて、記録用光源の複数の半導体レーザの代りに画像
信号に応じて独立に変調可能な複数の発光部を１チップ
内に有する半導体レーザアレイを用いた。この実施例で
は半導体レーザアレイはビームが一定のピッチで固定さ
れるので、比較的容易に高精度な複数ビーム位置検出を
行うことができる。

【００８１】

【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明によれ
ば、画像情報信号に応じて独立に変調されるｎ（ｎ≧
２）個の発光部を有する記録用光源を有し、この記録用
光源の発光部から出射されるｎ本のビームをｎ個の微小
な光スポットに集光結像し、これらの光スポットによる
記録媒体の露光走査で画像の記録を行うマルチビーム記
録装置において、前記光スポットの露光走査範囲内にお
ける非記録領域に配置されて主走査方向に配列されたｎ
個のスリット及びこのｎ個のスリットを通して前記ｎ本
のビームを受光する受光素子からなる受光部を備え、前
記ｎ個のスリットの各間の遮光部の間隔が前記受光部で
受光する全てのビームの露光走査方向に対する間隔以上
であるので、ｎ本のビームの位置関係に依存せずに互い
に隣接するビームに対するビーム位置検出信号を分離す
ることが可能となり、受光素子の受光面の形状の制限
や、受光素子の受光面端部の受光特性等の影響を受ける
ことなく、個々のビームの位置検出を行うことができ、
また、形状の変更、調整も容易となる。

【００８２】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載のマルチビーム記録装置において、前記ｎ本のビーム
の露光走査方向の記録密度を独立に設定する記録密度設
定手段を備えたので、選択的に複数の記録密度で記録を
行うことが可能となり、比較的汎用性の高いマルチビー
ム記録装置の提供が可能となる。

【００８３】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載のマルチビーム記録装置において、前記記録用光源か
ら出射されるｎ本のビームのうちｋ(１≦ｋ≦ｎ−１)番
目に出射されるビームだけを点灯させてこのｋ番目に出
射されるビームが消灯した後にｋ＋１番目に出射される
ビームを点灯させる第１の手段を備えたので、画像品質
の劣化を防止することが可能となる。

【００８４】請求項４記載の発明によれば、請求項１，
２または３記載のマルチビーム記録装置において、露光
走査範囲内の非記録領域に配置された受光部からの前記
ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号に基づいて前
記ｎ本のビームの各変調クロックの位相と前記ｎ本のビ
ームに対するビーム位置検出信号の位相とを略同期させ
る第２の手段と、この第２の手段により前記ｎ本のビー
ムに対するビーム位置検出信号と位相が略同期させられ
た変調クロックのうちの１組を基準として画像記録領域
の設定等の制御信号を生成する第３の手段とを備えたの
で、ビーム位置検出信号の位相と各画素クロックの位相
とを略同期させることにより、露光走査方向の記録位置
ズレが少ないマルチビーム記録装置を実現できる。ま
た、画素クロックを全部用いずに１組だけ用いて記録開
始，画像記録領域等を制御するための制御信号を生成す
ることにより、記録開始，画像記録領域等の制御をその
精度を劣化させることなく行うことが可能となり、制御
回路の簡略化も計ることができ、廉価で信頼性の高いマ
ルチビーム記録装置を実現できる。

【００８５】請求項５記載の発明によれば、請求項４記
載のマルチビーム記録装置において、露光走査範囲内の
非記録領域に配置された前記受光部からの前記ｎ本のビ
ームに対するビーム位置検出信号に基づいて、画像記録
領域の設定等の制御信号を生成する基準となるビーム位
置と，それ以外のビーム位置とのズレを検出する第４の
手段を備えたので、装置の温度上昇等の環境変動により
ビーム位置が変動した場合でも各レーザビームの位置ズ
レを補正することが可能であり、信頼性の高い高精度な
マルチビーム記録装置の実現が可能となる。

【００８６】請求項６記載の発明によれば、請求項１，
２，３，４または５記載のマルチビーム記録装置におい
て、前記記録用光源を１チップ内に独立に変調可能な複
数の発光点を有する半導体レーザアレイで構成したの
で、比較的容易に高いビーム配列精度が得られ、高精度
なマルチビーム記録装置の実現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の受光部を示す図である。

【図２】同第１実施例における１本のレーザビームに対
するビーム位置検出動作を示すタイミングチャートであ
る。

【図３】本発明の他の実施例のタイミングチャートであ
る。

【図４】レーザプリンタに用いられるレーザ光学系の一
例を示す斜視図である。

【図５】マルチビーム記録方式で用いられる複数の半導
体レーザを光源としたレーザ走査光学系の一例を示す正
面図である。

【図６】同レーザ走査光学系でレーザビームが極端に重
なってしまった場合の同期検知用受光素子の出力信号の
様子を示す波形図である。

【図７】同レーザ走査光学系でレーザビームが１／４ほ
ど重なった場合の信号の様子を示す波形図である。

【図８】同レーザ走査光学系でレーザビームが微小な時
間だけ重なり合った場合の信号の様子を示す波形図であ
る。

【図９】上記第１実施例の回路構成を示すブロック図で
ある。

【図１０】同第１実施例の動作例を示すタイミングチャ
ートである。

【図１１】本発明の第２実施例に用いられる位相同期回
路を示すブロック図である。

【図１２】同位相同期回路のタイミングチャートであ
る。

【図１３】本発明の第３実施例に用いられる位相同期回
路を示すブロック図である。

【図１４】本発明の第４実施例における記録開始位置の
タイミングの設定例を示すタイミングチャートである。

【図１５】同第４実施例の一部を示すブロック図であ
る。

【図１６】本発明の第５実施例の一部を示すブロック図
である。

【図１７】本発明の第６実施例のビーム位置ズレ検出回
路を示すブロック図である。

【図１８】同ビーム位置ズレ検出回路のタイミングチャ
ートである。

【符号の説明】

３１受光部Ｓ１〜Ｓｎスリット３３分離回路３４制御回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画像情報信号に応じて独立に変調されるｎ
（ｎ≧２）個の発光部を有する記録用光源を有し、この
記録用光源の発光部から出射されるｎ本のビームをｎ個
の微小な光スポットに集光結像し、これらの光スポット
による記録媒体の露光走査で画像の記録を行うマルチビ
ーム記録装置において、前記光スポットの露光走査範囲
内における非記録領域に配置されて主走査方向に配列さ
れたｎ個のスリット及びこのｎ個のスリットを通して前
記ｎ本のビームを受光する受光素子からなる受光部を備
え、前記ｎ個のスリットの各間の遮光部の間隔が前記受
光部で受光する全てのビームの露光走査方向に対する間
隔以上であることを特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項２】請求項１記載のマルチビーム記録装置にお
いて、前記ｎ本のビームの露光走査方向の記録密度を独
立に設定する記録密度設定手段を備えたことを特徴とす
るマルチビーム記録装置。
【請求項３】請求項１記載のマルチビーム記録装置にお
いて、前記記録用光源から出射されるｎ本のビームのう
ちｋ(１≦ｋ≦ｎ−１)番目に出射されるビームだけを点
灯させてこのｋ番目に出射されるビームが消灯した後に
ｋ＋１番目に出射されるビームを点灯させる第１の手段
を備えたことを特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項４】請求項１，２または３記載のマルチビーム
記録装置において、露光走査範囲内の非記録領域に配置
された受光部からの前記ｎ本のビームに対するビーム位
置検出信号に基づいて前記ｎ本のビームの各変調クロッ
クの位相と前記ｎ本のビームに対するビーム位置検出信
号の位相とを略同期させる第２の手段と、この第２の手
段により前記ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号
と位相が略同期させられた変調クロックのうちの１組を
基準として画像記録領域の設定等の制御信号を生成する
第３の手段とを備えたことを特徴とするマルチビーム記
録装置。
【請求項５】請求項４記載のマルチビーム記録装置にお
いて、露光走査範囲内の非記録領域に配置された前記受
光部からの前記ｎ本のビームに対するビーム位置検出信
号に基づいて、画像記録領域の設定等の制御信号を生成
する基準となるビーム位置と，それ以外のビーム位置と
のズレを検出する第４の手段を備えたことを特徴とする
マルチビーム記録装置。
【請求項６】請求項１，２，３，４または５記載のマル
チビーム記録装置において、前記記録用光源を１チップ
内に独立に変調可能な複数の発光点を有する半導体レー
ザアレイで構成したことを特徴とするマルチビーム記録
装置。