JPH06206342A

JPH06206342A - マルチビーム記録装置

Info

Publication number: JPH06206342A
Application number: JP352193A
Authority: JP
Inventors: Yasuko Kamata; 泰子鎌田; Michio Doke; 教夫道家
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1993-01-12
Filing date: 1993-01-12
Publication date: 1994-07-26

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、ビーム位置検出信号を確実に得る
ことができて高精度で信頼性が高くなるようにすること
を目的とする。【構成】この発明は、画像情報信号に応じて独立に変
調されるｎ（ｎ≧２）個の発光部を有する記録用光源を
備え、この記録用光源の発光部から出射されるｎ本のビ
ームをｎ個の微小な光スポットに集光結像し、これらの
光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の記録を行
うマルチビーム記録装置において、前記光スポットの露
光走査範囲内に１個若しくは複数個が配置され各々前記
ｎ本のビームのうち少なくとも２本以上のビームを受光
する１つもしくは複数の受光部３１と、この受光部３１
の出力信号により前記ｎ本のビームを順次に検出して順
次に所定の時間消灯させる第１の手段とを具備し、前記
受光部３１の露光走査開始側エッジ３１ａが露光走査方
向と直交する方向に対して傾きを有するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は独立に変調可能な複数個
の発光部を有する記録用光源を用いて複数ラインを同時
に記録するマルチビーム記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術とレーザ走査技術とを組み
合わせたレーザプリンタ等の画像記録装置は、普通紙が
使用でき、高速で高品質な画像が得られるので、急速に
コンピュータの出力装置やデジタル複写機に用いられて
普及している。

【０００３】図３はレーザプリンタに用いられるレーザ
光学系の一例を示す。半導体レーザからなる光源１１が
駆動回路にて画像信号により変調され、この半導体レー
ザ１１からのレーザビームがレンズ１２を介して回転多
面鏡１３により偏向される。回転多面鏡１３からのレー
ザビームはｆθレンズからなる結像レンズ１４によりド
ラム状の感光体１５上に微小な光スポットとして結像さ
れる。この光スポットは回転多面鏡１３と感光体１５の
駆動機構による回転により感光体１５を走査露光し、画
像の静電潜像を形成する。この場合、感光体１５は帯電
器により均一に帯電された後に上記露光で静電潜像が形
成される。また、同期検知用受光素子１６は走査線上の
走査開始側の画像領域外で結像レンズ１４からのレーザ
ビームを検出する。この同期検知用受光素子１６の出力
信号はスレッショルドレベルで２値化されてビーム位置
検出信号となり、このビーム位置検出信号により主走査
方向の画像書き込み開始位置が制御される。

【０００４】このようなレーザ走査光学系を有するレー
ザプリンタにおいては１分間にＡ４サイズの画像を１０
０枚出力するようなレーザ走査光学系を実現するために
は、感光体の速度は５００mm／sec程度となり、回転多
面鏡の回転数ｒ(rpm)は次の式(1)式で与えられる。ｒ(rpm)＝Ｖ₀×ＤＰＩ×６０／(２５．４×Ｎ)・・・・・(1) ここに、Ｖ₀は感光体の速度（mm／sec)、ＤＰＩは１イ
ンチ当り記録できるドット数で、一般的には３００〜４
００であり、Ｎは回転多面鏡の反射面数で、一般的には
６〜１０である。Ｖ₀＝５００、ＤＰＩ＝３００，Ｎ＝
８を(1)式に代入すると、ｒは４４２９１(rpm)になる。

【０００５】回転多面鏡はこのような高い回転数では回
転軸を支える軸受として従来のボールベアリングを使用
できず、流体軸受，磁気軸受などの特殊な軸受が必要と
なってコストアップになる。また、光源である半導体レ
ーザの変調周波数が高くなり、レーザ制御回路およびホ
ストマシンからレーザ側へのデータ転送の高速化が必要
になって回路が複雑になると同時にコストアップにな
る。

【０００６】また、レーザプリンタにおいては、高速化
を計るために、複数の光源からの複数のレーザビームを
１個の回転多面鏡で偏向走査して同時に複数ラインを記
録するマルチビーム記録方式がある。このマルチビーム
記録方式では、光源からのレーザビームの本数をＭ本と
すれば回転多面鏡の回転数およびレーザの変調周波数が
１／Ｍとなり、高速な記録が可能となる。

【０００７】図４はマルチビーム記録方式で用いられる
複数の半導体レーザを光源としたレーザ走査光学系の一
例を示す。複数の独立した発光点を有するレーザダイオ
ードからなる光源１７₁，１７₂から発散して出射された
複数本のレーザビームはコリメートレンズ１８によりそ
れぞれ平行な光束とされ、シリンダレンズ１９により回
転多面鏡２０の反射面近傍へ副走査方向に絞り込まれ
る。シリンダレンズ１９からの複数本のレーザビームは
回転多面鏡２４により共通に偏向を受け、ｆθレンズか
らなる結像レンズ２１により感光体からなる記録媒体２
２上に微小なレーザビームとして、かつ、各レーザビー
ムが記録密度に応じたピッチとなるように絞り込まれて
静電潜像が記録媒体２６上に形成される。ここに、光源
１７₁，１７₂は駆動回路にて画像信号により変調され、
画像信号に応じた強度のレーザビームを出力する。記録
媒体２２はモータにより駆動されて副走査方向に回転
し、帯電器により均一に帯電された後に複数本のレーザ
ビームにより１主走査で複数ライン分の静電潜像が形成
される。

【０００８】結像レンズ２１は主走査方向（レーザビー
ムが回転多面鏡２０により走査される方向）と副走査方
向で焦点距離の異なるアナモフィックなレンズであり、
副走査方向には回転多面鏡２０の反射面と記録媒体２６
が幾何学的に共役な関係となるように設計されている。
これは回転多面鏡２０の各反射面の回転軸に対する角度
誤差（反射面倒れ）による走査線間のピッチの変動を低
減するための補正光学系を構成するためである。シリン
ダレンズ１９は記録媒体２２上での副走査方向のレーザ
ビーム径を適当な大きさとする機能を持つ。また、同期
検知用受光素子が結像レンズ２１からのレーザビームを
走査域内の画像走査記録範囲外で検出する。この同期検
知用受光素子の出力信号はスレッショルドレベルで２値
化されてその２値化信号が各レーザビーム毎に分離され
ることによりビーム位置検出信号が得られ、これらのビ
ーム位置検出信号により各レーザビームの主走査方向の
画像書き込み開始位置が制御される。

【０００９】マルチビーム記録方式において、複数本の
レーザビームを用いて１主走査で複数ライン分のデータ
を同時に記録する場合は、複数本のレーザビームの各発
光点の中心を結んだ直線が主走査方向（レーザビームが
走査される方向）に直交するようにすれば、各発光点の
レーザビームの走査のタイミングは同一となるので、そ
の位相同期を１個の発光点で行えばよい。あるいは、隣
接する各レーザビームのピッチ等が既知であれば、１つ
のレーザビームに対するビーム位置検出信号と各レーザ
ビームの変調クロック（以下変調クロックを画素クロッ
クと呼ぶ）との同期をとればよい。

【００１０】また、マルチビーム記録方式において、記
録用光源として１チップ内に複数の発光点を有する半導
体レーザアレイを用いた場合は、副走査方向（記録媒体
が送られる方向）のピッチ（間隔）が半導体レーザアレ
イの発光点のピッチに依存するので、記録密度に対応し
たピッチを得るためには、半導体レーザアレイをその各
発光点の中心を結んだ直線と主走査方向とがある角度を
なすように配置しなければならない。この場合、様々な
環境の変化等によるレーザビーム位置の変動やズレが生
ずるので、各レーザビームに対するビーム位置検出信号
と各レーザビームの画素クロックとの位相同期をそれぞ
れとる方が各レーザビーム毎の記録位置の変動が少なく
て望ましい。

【００１１】また、特開昭５７ー６４７１８号公報に
は、レーザビームプリンタにおいて、間隔が既知である
複数のレーザビームから出射された複数のレーザビーム
のうちの１本のレーザビームの偏向位置を検出する１個
の検出器と、この検出器の出力信号を用いて他のレーザ
ビームの同期等をとる手段とを設けたものが記載されて
いる。

【００１２】特開平２ー４２４１３号公報には、デジタ
ル複写機において、ビーム検知手段に入射する複数のレ
ーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成する
ためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けたも
のが記載されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記マルチビーム記録
方式では、様々な環境の変化等によるレーザビーム位置
の変動やズレに対する対応が極めて困難である。また、
同期検知用受光素子は短い時間差をもって各レーザビー
ムが入射するが、図５はレーザビームａ，ｂが極端に重
なってしまった場合の同期検知用受光素子の出力信号の
様子を示す。この場合、同期検知用受光素子のレーザビ
ームａ，ｂに対する出力信号ａ₁，ｂ₁が合成されて合成
信号ｃ₁が得られ、この合成信号ｃ₁からレーザビーム
ａ，ｂを分割して検出することは不可能である。このた
め、各レーザビームに対する同期検知用受光素子の出力
信号と各レーザビームの画素クロックとの位相同期をそ
れぞれとることができない。

【００１４】図６はレーザビームａ，ｂが１／４ほど重
なった場合の信号の様子を示す。この場合は同期検知用
受光素子のレーザビームａ，ｂに対する出力信号ａ₂，
ｂ₂が合成されて合成信号ｃ₂が得られる。この合成信号
ｃ₂は領域Ｓ₂が狭いので、レーザビームａ，ｂを分割し
て検出するためのスレッュドレベルを持つことが困難で
あり、レーザビームａ，ｂの分割検出が不安定となる。

【００１５】図７はレーザビームａ，ｂが微小な時間だ
け重なり合った場合の信号の様子を示す。この場合は同
期検知用受光素子のレーザビームａ，ｂに対する出力信
号ａ₃，ｂ₃が合成されて合成信号ｃ₃が得られる。この
合成信号ｃ₃は領域Ｓ₃が広いので、レーザビームａ，ｂ
を分割して検出するためのスレッュドレベルの決定が容
易となり、レーザビームａ，ｂの分割検出を正確に行う
ことが可能となる。

【００１６】また、上記特開昭５７ー６４７１８号公報
記載のレーザビームプリンタでは、間隔が既知である複
数のレーザビームから出射された複数のレーザビームの
うちの１本のレーザビームの偏向位置を検出して他のレ
ーザビームの同期等をとるので、レーザビームの間隔が
変化してしまった場合には同期等が１本のレーザビーム
に対する偏向位置検出信号に依存することにより、誤差
やずれが生ずるおそれがあり、その補正も困難である。

【００１７】また、特開平２ー４２４１３号公報記載の
デジタル複写機では、ビーム検知手段に入射する複数の
レーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成す
るためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けた
ので、この分離手段のスレッシュドレベルの誤設定等に
よる信号の誤検出、あるいは回路の複雑化やこれによる
コストアップ等が生ずる欠点がある。

【００１８】本発明は、上記欠点を改善し、ビーム位置
検出信号を確実に得ることができて高精度で信頼性が高
いマルチビーム記録装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、画像情報信号に応じて独立
に変調されるｎ（ｎ≧２）個の発光部を有する記録用光
源を備え、この記録用光源の発光部から出射されるｎ本
のビームをｎ個の微小な光スポットに集光結像し、これ
らの光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の記録
を行うマルチビーム記録装置において、前記光スポット
の露光走査範囲内に１個若しくは複数個が配置され各々
前記ｎ本のビームのうち少なくとも２本以上のビームを
受光する１つもしくは複数の受光部と、この受光部の出
力信号により前記ｎ本のビームを順次に検出して順次に
所定の時間消灯させる第１の手段とを具備し、前記受光
部の露光走査開始側エッジが露光走査方向と直交する方
向に対して傾きを有するものである。

【００２０】請求項２記載の発明は、請求項１記載のマ
ルチビーム記録装置において、前記受光部が光電変換素
子を有し、この光電変換素子の露光走査開始側エッジに
露光走査方向と直交する方向に対して傾きを持たせたも
のである。

【００２１】請求項３記載の発明は、請求項１記載のマ
ルチビーム記録装置において、前記受光部が光電変換素
子を有し、この光電変換素子の前面に遮光用マスクを設
け、この遮光用マスクの露光走査開始側エッジに露光走
査方向と直交する方向に対して傾きを持たせたものであ
る。

【００２２】請求項４記載の発明は、請求項１，２また
は３記載のマルチビーム記録装置において、前記受光部
の露光走査開始側エッジと露光走査方向と直交する方向
との傾きの角度θと，前記ｎ本のビームの露光走査方向
と直交する方向のピッチの最小値Ｐsminと,記録密度Ｒ
と，１若しくは１以上の整数ｊとの関係が θ≧arctan(ｊ×25.4／Ｒ)／Ｐsmin なる条件を満足するものである。

【００２３】請求項５記載の発明では、請求項４記載の
マルチビーム記録装置において、前記ｎ本のビームによ
る露光走査方向の記録密度を独立に設定し、前記条件を
前記ｎ本のビームによる露光走査方向の記録密度のうち
の最小の記録密度によって決定するものである。

【００２４】請求項６記載の発明では、請求項１，２，
３，４または５記載のマルチビーム記録装置において、
前記第１の手段が前記受光部の出力信号により前記ｎ本
のビームを順次に検出して発生する複数のビーム位置検
出信号の位相と前記ｎ本のビームの各変調クロックの位
相とを略同期させる第２の手段と、前記複数のビーム位
置検出信号と前記ｎ本のビームの各変調クロックのうち
の１組を基準として画像記録領域の設定等の制御信号を
生成する第３の手段とを備えたものである。請求項７記
載の発明では、請求項６記載のマルチビーム記録装置に
おいて、前記複数のビーム位置検出信号に基づいて画像
領域の設定等の制御信号を生成する基準となるビーム位
置と，それ以外のビーム位置とのズレを検出する第４の
手段を備えたものである。

【００２５】請求項８記載の発明では、請求項１，２，
３，４，５，６または７記載のマルチビーム記録装置に
おいて、前記記録用光源を１チップ内に独立に変調可能
な複数の発光点を有する半導体レーザアレイで構成した
ものである。

【００２６】請求項９記載の発明では、画像情報信号に
応じて独立に変調されるｎ（ｎ≧２）個の発光部を有す
る記録用光源を備え、この記録用光源の発光部から出射
されるｎ本のビームを複数の微小な光スポットに集光結
像し、これらの光スポットによる記録媒体の露光走査で
画像の記録を行うマルチビーム記録装置において、前記
光スポットの露光走査範囲内に１個若しくは複数個が配
置され各々前記ｎ本のビームのうち少なくとも２本以上
のビームを受光する１つもしくは複数の受光部と、この
受光部の出力信号により前記ｎ本のビームを順次に検出
して順次に所定の時間消灯させる第５の手段とを具備
し、前記受光部の露光走査開始側エッジが露光走査方向
と直交する方向に対して階段状になっているものであ
る。

【００２７】請求項１０記載の発明では、請求項９記載
のマルチビーム記録装置において、前記受光部が光電変
換素子を有し、この光電変換素子の前面に遮光用マスク
を有し、この遮光用マスクの露光走査開始側エッジが露
光走査方向と直交する方向に対して階段状になっている
ものである。

【００２８】請求項１１記載の発明では、請求項９また
は１０記載のマルチビーム記録装置において、前記受光
部の露光走査開始側エッジの露光走査方向と直交する方
向に対する階段のピッチが前記ｎ本のビームの露光走査
方向と直交する方向のピッチと略等しいものである。

【００２９】請求項１２記載の発明では、請求項９また
は１０記載のマルチビーム記録装置において、前記受光
部の露光走査開始側エッジの露光走査方向と直交する方
向に対する階段のピッチＤmと,記録密度Ｒと，１若しく
は１以上の整数ｊとの関係がＤm≧ｊ×25.4／Ｒなる条件を満足するものである。

【００３０】請求項１３記載の発明では、請求項１２記
載のマルチビーム記録装置において、前記ｎ本のビーム
による露光走査方向の記録密度を独立に設定し、前記条
件を前記ｎ本のビームによる露光走査方向の記録密度の
うちの最小の記録密度によって決定するものである。

【００３１】請求項１４記載の発明では、請求項９，１
０，１１，１２または１３記載のマルチビーム記録装置
において、前記第５の手段が前記受光部の出力信号によ
り前記ｎ本のビームを順次に検出して発生する複数のビ
ーム位置検出信号の位相と前記ｎ本のビームの各変調ク
ロックの位相とを略同期させる第６の手段と、前記複数
のビーム位置検出信号と前記ｎ本のビームの各変調クロ
ックのうちの１組を基準として画像記録領域の設定等の
制御信号を生成する第７の手段とを備えたものである。

【００３２】請求項１５記載の発明では、請求項１４記
載のマルチビーム記録装置において、前記複数のビーム
位置検出信号に基づいて画像領域の設定等の制御信号を
生成する基準となるビーム位置と，それ以外のビーム位
置とのズレを検出する第８の手段を備えたものである。

【００３３】請求項１６記載の発明では、請求項９，１
０，１１，１２，１３，１４または１５記載のマルチビ
ーム記録装置において、前記記録用光源を１チップ内に
独立に変調可能な複数の発光点を有する半導体レーザア
レイで構成したものである。

【００３４】

【作用】請求項１記載の発明では、ｎ個の発光部が画像
情報信号に応じて独立に変調され、この記録用光源の発
光部から出射されるｎ本のビームがｎ個の微小な光スポ
ットに集光結像される。これらの光スポットによる記録
媒体の露光走査で画像の記録が行われる。受光部は露光
走査開始側エッジが露光走査方向と直交する方向に対し
て傾きを有し、光スポットの露光走査範囲内でｎ本のビ
ームのうち少なくとも２本以上のビームを受光する。こ
の受光部の出力信号により第１の手段がｎ本のビームを
順次に検出して順次に所定の時間消灯させる。従って、
ビーム位置検出信号が確実に得られ、比較的構成が簡単
で回路の複雑化を招かない。

【００３５】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
マルチビーム記録装置において、前記受光部が光電変換
素子を有し、この光電変換素子の露光走査開始側エッジ
に露光走査方向と直交する方向に対して傾きを持つ。従
って、ビーム位置検出信号が確実に得られ、非常に構成
が簡単かつ廉価で回路の複雑化を招かない。

【００３６】請求項３記載の発明では、請求項１記載の
マルチビーム記録装置において、前記受光部が光電変換
素子を有し、この光電変換素子の前面に遮光用マスクが
設けられ、この遮光用マスクの露光走査開始側エッジが
露光走査方向と直交する方向に対して傾きを持つ。従っ
て、受光部は遮光用マスクにより受光特性の良好な部分
を使用することが可能となり、受光面の形状の制限や受
光特性等の影響を受けなくて形状の変更，調整が容易で
大幅なコストダウンを計ることができ、ビーム位置検出
信号がより正確に得られて信頼性が高くなる。

【００３７】請求項４記載の発明では、請求項１，２ま
たは３記載のマルチビーム記録装置において、前記受光
部の露光走査開始側エッジと露光走査方向と直交する方
向との傾きの角度θと，前記ｎ本のビームの露光走査方
向と直交する方向のピッチの最小値Ｐsminと,記録密度
Ｒと，１若しくは１以上の整数ｊとの関係が θ≧arctan(ｊ×25.4／Ｒ)／Ｐsmin なる条件を満足する。従って、どのような場合でも確実
に誤差のないビーム位置検出信号が得られ、回路の簡素
化も計られる。

【００３８】請求項５記載の発明では、請求項４記載の
マルチビーム記録装置において、ｎ本のビームによる露
光走査方向の記録密度が独立に設定され、前記条件がｎ
本のビームによる露光走査方向の記録密度のうちの最小
の記録密度によって決定される。従って、各ビームの記
録密度の変化に影響されない汎用性の高いマルチビーム
記録装置の提供が可能となる。

【００３９】請求項６記載の発明では、請求項１，２，
３，４または５記載のマルチビーム記録装置において、
第１の手段が前記受光部の出力信号によりｎ本のビーム
を順次に検出して発生する複数のビーム位置検出信号の
位相とｎ本のビームの各変調クロックの位相とが第２の
手段により略同期させられ、第３の手段が複数のビーム
位置検出信号とｎ本のビームの各変調クロックのうちの
１組を基準として画像記録領域の設定等の制御信号を生
成する。従って、回路の簡略化が計られ、廉価で信頼性
が高くなる。

【００４０】請求項７記載の発明によれば、請求項６記
載のマルチビーム記録装置において、第４の手段が複数
のビーム位置検出信号に基づいて画像領域の設定等の制
御信号を生成する基準となるビーム位置と，それ以外の
ビーム位置とのズレを検出する。従って、温度上昇等の
諸々の要因によるビーム位置検出信号の変動に対応する
ことができ、信頼性が高くなる。

【００４１】請求項８記載の発明では、請求項１，２，
３，４，５，６または７記載のマルチビーム記録装置に
おいて、記録用光源が１チップ内に独立に変調可能な複
数の発光点を有する半導体レーザアレイで構成されてい
る。従って、高精度なマルチビーム記録装置の実現が可
能となる。

【００４２】請求項９記載の発明では、ｎ個の発光部が
画像情報信号に応じて独立に変調され、この発光部から
出射されるｎ本のビームが複数の微小な光スポットに集
光結像されてこれらの光スポットによる記録媒体の露光
走査で画像の記録が行われる。受光部は露光走査開始側
エッジが露光走査方向と直交する方向に対して階段状に
なっており、光スポットの露光走査範囲内でｎ本のビー
ムのうち少なくとも２本以上のビームを受光する。この
受光部の出力信号により第５の手段がｎ本のビームを順
次に検出して順次に所定の時間消灯させる。従って、ビ
ーム位置検出信号が確実に得られ、比較的構成が簡単で
回路の複雑化を招かない。

【００４３】請求項１０記載の発明では、請求項９記載
のマルチビーム記録装置において、前記受光部が光電変
換素子を有し、この光電変換素子の前面に遮光用マスク
を有する。この遮光用マスクの露光走査開始側エッジは
露光走査方向と直交する方向に対して階段状になってい
る。従って、受光部は遮光用マスクにより受光特性の良
好な部分を使用することが可能となり、受光面の形状の
制限や受光特性等の影響を受けなくて形状の変更，調整
が容易で大幅なコストダウンを計ることができ、ビーム
位置検出信号がより正確に得られて信頼性が高くなる。

【００４４】請求項１１記載の発明では、請求項９また
は１０記載のマルチビーム記録装置において、前記受光
部の露光走査開始側エッジの露光走査方向と直交する方
向に対する階段のピッチがｎ本のビームの露光走査方向
と直交する方向のピッチと略等しい。従って、どのよう
な場合でも確実に誤差のないビーム位置検出信号が得ら
れる。

【００４５】請求項１２記載の発明では、請求項９また
は１０記載のマルチビーム記録装置において、前記受光
部の露光走査開始側エッジの露光走査方向と直交する方
向に対する階段のピッチＤmと,記録密度Ｒと，１若しく
は１以上の整数ｊとの関係がＤm≧ｊ×25.4／Ｒなる条件を満足する。従って、どのような場合でも確実
に誤差のないビーム位置検出信号が得られ、回路の簡素
化が計れる。

【００４６】請求項１３記載の発明では、請求項１２記
載のマルチビーム記録装置において、ｎ本のビームによ
る露光走査方向の記録密度が独立に設定され、前記条件
がｎ本のビームによる露光走査方向の記録密度のうちの
最小の記録密度によって決定される。従って、各ビーム
の記録密度の変化に影響されない汎用性の高いマルチビ
ーム記録装置の提供が可能となる。

【００４７】請求項１４記載の発明では、請求項９，１
０，１１，１２または１３記載のマルチビーム記録装置
において、第５の手段が前記受光部の出力信号によりｎ
本のビームを順次に検出して複数のビーム位置検出信号
の位相とｎ本のビームの各変調クロックの位相とが第６
の手段により略同期させられ、第７の手段が複数のビー
ム位置検出信号とｎ本のビームの各変調クロックのうち
の１組を基準として画像記録領域の設定等の制御信号を
生成する。従って、回路の簡略化が計られ、廉価で信頼
性が高くなる。

【００４８】請求項１５記載の発明では、請求項１４記
載のマルチビーム記録装置において、第８の手段が複数
のビーム位置検出信号に基づいて画像領域の設定等の制
御信号を生成する基準となるビーム位置と，それ以外の
ビーム位置とのズレを検出する。従って、温度上昇等の
諸々の要因によるビーム位置検出信号の変動に対応する
ことができ、信頼性が高くなる。

【００４９】請求項１６記載の発明では、請求項９，１
０，１１，１２，１３，１４または１５記載のマルチビ
ーム記録装置において、記録用光源が１チップ内に独立
に変調可能な複数の発光点を有する半導体レーザアレイ
で構成されている。従って、高精度なマルチビーム記録
装置の実現が可能となる。

【００５０】

【実施例】本発明の第１実施例は、画像情報信号に応じ
て独立に変調されるｎ（ｎ≧２）個の発光部を有する記
録用光源を備え、この記録用光源の発光部から出射され
るｎ本のレーザビームをｎ個の微小な光スポットに集光
結像し、これらの光スポットによる記録媒体の露光走査
で画像の記録を行うマルチビーム記録装置において、図
１に示すように前記光スポットの露光走査範囲内に配置
されて記録用光源からの２本以上のレーザビーム３
０₁，３０₂・・・３０_nを受光する同期検知用受光部３１を
有し、この受光部３１の露光走査開始側エッジ３１ａが
露光走査方向(主走査方向)と直交する方向に対してレー
ザビーム３０₁，３０₂・・・３０_nの各経路が順次に長くな
るような傾きを持つようにしたものである。この第１実
施例は請求項１記載の発明の実施例であり、受光部３１
は露光走査開始側エッジ３１ａが露光走査方向と直交す
る方向に対して傾きを持つことによりレーザビーム３０
₁，３０₂・・・３０_nをその発生間隔より大きな時間間隔で
順次に受光する。受光部３１は露光走査開始側エッジ３
１ａが露光走査方向と直交する方向に対してレーザビー
ム３０₁，３０₂・・・３０_nの各経路が順次に長くなるよう
な傾きを持つ受光素子を用いることができる。

【００５１】まず、１本のレーザビーム３０₁に対する
ビーム位置検出動作を図２のタイミングチャートを用い
て説明する。ここに、説明を簡単にするために仮にレー
ザビーム３０₂〜３０_nが無いものとする。図２におい
て、ｃｌｋは画素クロック、ＰＤoutは受光素子３１が
レーザビーム３０₁を受光して出力する光電変換信号、
ＢＤ₁は受光素子３１からの光電変換信号ＰＤoutを基に
生成されるビーム位置検出信号であって記録装置制御回
路へ出力される。

【００５２】レーザビーム３０₁が受光素子３１に入射
してその入射光量に対応した光電変換信号ＰＤoutが予
め設定されたスレッショルドレベルを越えると、ビーム
位置検出信号ＢＤ₁が高レベルから低レベルに遷移す
る。記録装置制御回路はビーム位置検出信号ＢＤ₁が高
レベルから低レベルに遷移すると、その立ち下がりエッ
ジに画素クロックｃｌｋの位相を同期させる(以下この
動作を位相同期と呼ぶ)。

【００５３】図２ではビーム位置検出信号ＢＤ₁の立ち
下がりエッジと画素クロックｃｌｋの立ち上がりエッジ
を位相同期させていることを示している。さらに、記録
走査制御回路はそのビーム位置検出信号ＢＤ₁の立ち下
がりエッジに位相同期した画素クロックｃｌｋを基準ク
ロツクとしてビーム位置検出時のレーザビーム３０₁の
点灯，消灯、記録開始、記録領域の設定等を行うための
制御信号を生成する。レーザビーム３０₁はビーム位置
検出信号ＢＤ₁が低レベルのときの位相同期した画素ク
ロックｃｌｋの最初の立ち上がりエッジに同期して消灯
され、ビーム位置検出信号ＢＤ₁はレーザビーム３０₁が
消灯されると画素クロックｃｌｋに同期して低レベルか
ら高レベルに遷移する。このように第１実施例ではレー
ザビームが受光素子３１に入射して消灯するまでには約
１クロックｃｌｋの期間を要する。

【００５４】第１実施例では、前述した図４に示す複数
の半導体レーザを光源としたレーザ走査光学系が用いら
れ、複数の半導体レーザは２個の半導体レーザに限られ
ずにn(ｎ≧２)個の半導体レーザ１７₁，１７₂・・・を用い
ることができる。また、同期検知用受光素子３１はレー
ザビーム３０₁，３０₂・・・３０_nを露光走査範囲内で受光
する。さらに、感光体２２は帯電器により均一に帯電さ
れてからレーザ走査光学系による露光で静電潜像が形成
された後に、この静電潜像が現像装置により現像されて
転写装置により転写紙へ転写される。

【００５５】半導体レーザ１７₁，１７₂・・・から出射さ
れたレーザビーム３０₁，３０₂・・・は露光走査開始側エ
ッジ３１ａが露光走査方向と直交する方向に対してレー
ザビーム３０₁，３０₂・・・３０_nの各経路が順次に長くな
るような傾きを持つ受光素子３１によって順次に受光さ
れる。このとき、先に１本のレーザビームが受光素子３
１で受光されてから次の１本のレーザビームが受光素子
３１で受光されるまでの時間は受光素子３１の露光走査
開始側エッジ３１ａが露光走査方向に対して垂直である
場合に比べて長くなる。

【００５６】従って、まず、例えばレーザビーム３０₁
が受光素子３１に入射してビーム位置検出信号ＢＤ₁が
出力され、記録装置制御回路がそのビーム位置検出信号
ＢＤ₁を検知してレーザビーム３０₁を消灯した後に次の
レーザビーム３０₂が受光素子３１に入射するように受
光素子３１の露光走査開始側エッジ３１ａと副走査方向
とのなす角度θを設定することにより、図１０に示すよ
うに受光素子３１から複数のレーザビーム３０₁，３０₂
・・・に対応して出力される光電変換信号ＰＤout₁，ＰＤo
ut₂・・・により複数のビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・
・が互いに分離して生成され、同一の受光素子３１によ
つて複数のレーザビーム３０₁，３０₂・・・に対するビー
ム位置検出を行うことができる。

【００５７】また、図１１に示すように受光素子３１か
ら複数のレーザビーム３０₁，３０₂・・・に対応して出力
される光電変換信号ＰＤout₁，ＰＤout₂・・・の一部が隣
接するレーザビームに対応するもの同志で互いに重なっ
た状態が生じた場合には、受光素子３１の露光走査開始
側エッジ３１ａの露光走査方向と直交する方向に対する
傾きθを光電変換信号ＰＤout₁，ＰＤout₂・・・が重なら
ないように設定するか、またはレーザビーム３０₁が消
灯した時に受光素子３１に入射しているレーザビーム３
０₂に対する光電変換信号ＰＤoutのレベルがスレッショ
ルドレベルよりも十分に小さくなるように傾きθを設定
すれば、複数のビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・が
互いに分離して生成される。

【００５８】図８は第１実施例の回路構成を示し、図９
はその動作例を示すタイミングチャートである。受光素
子３１からの光電変換信号ＰＤoutは増幅回路３２によ
り増幅され、分離回路３３において予め設定されたスレ
ッショルドレベルで２値化され、複数のレーザビーム３
０₁，３０₂・・・に対応して受光素子３１から出力される
光電変換信号ＰＤout₁，ＰＤout₂・・・に対して互いに分
離されたビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・となる。
第１実施例の各部を制御する記録装置制御回路３４は分
離回路３３からのビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・
を基準にして画素クロックｃｌｋの位相同期や記録開
始，記録領域の設定等の制御を行う。この場合、ｎ個の
半導体レーザ１７₁，１７₂・・・はそれぞれ独立にｎ個の
駆動回路にて画像情報信号によりｎ個の画素クロックに
同期して変調されて画像情報信号に応じた強度のレーザ
ビーム３０₁，３０₂・・・を出力し、記録装置制御回路３
４はそのｎ個の画素クロックの位相をビーム位置検出信
号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の立ち下がりエッジにそれぞれ上述
のように同期させる。

【００５９】分離回路３３は増幅回路２からの光電変換
信号ａをスレッショルドレベルで２値化し、その２値化
信号(正論理)ｃを記録装置制御回路３４から主走査毎に
入力されるタイミング信号ｂ(正論理)に基づいてマスク
信号ｄ，ｅ，ｆ・・・(正論理)によりレーザビーム３０₁，
３０₂・・・に対応するものが順次に分離されるようにマス
クされてレーザビーム３０₁，３０₂・・・に対応するビー
ム位置検出信号ＢＤ₁,BD₂・・・が分離される。ここに、２
値化信号ｃの間隔Δｔは受光素子３１がレーザビーム３
０₁，３０₂・・・のうちの１つのレーザビームの受光を終
了してから次のレーザビームの受光を開始するまでの時
間となる。

【００６０】分離回路３３は記録装置制御回路３４から
のタイミング信号ｂが低レベル(以下Ｌと呼ぶ)から高レ
ヘル(以下Ｈと呼ぶ)に遷移すると、その遷移を検知して
マスク信号ｄをＬからＨにし、レーザビーム３０₁の位
置検出を開始する。レーザビーム３０₁が受光素子３１
の受光面を走査して２値化信号ｃがＬからＨになると、
分離回路３３はビーム位置検出信号ＢＤ₁をＨからＬに
して記録装置制御回路３４にレーザビーム３０₁の位置
検出を通知する。

【００６１】次に、分離回路３３は２値化信号ｃがＨか
らＬに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号ｄを
ＨからＬにすると同時にビーム位置検出信号ＢＤ₁をＬ
からＨにすることによりレーザビーム３０₁の位置検出
を終了し、かつ、マスク信号ｅをＬからＨにしてレーザ
ビーム３０₂の位置検出を開始する。同様にレーザビー
ム３０₂が受光素子３１の受光面を走査して２値化信号
ｃがＬからＨになると、分離回路３３はビーム位置検出
信号ＢＤ₂をＨからＬにして記録装置制御回路３４にレ
ーザビーム３０₂の位置検出を通知する。

【００６２】次に、分離回路３３は２値化信号ｃがＨか
らＬに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号ｅを
ＨからＬにすると同時にビーム位置検出信号ＢＤ₂をＬ
からＨにすることによりレーザビーム３０₂の位置検出
を終了し、かつ、マスク信号ｆをＬからＨにしてレーザ
ビーム３０₃の位置検出を開始する。レーザビーム３０₃
が受光素子３１の受光面を走査して２値化信号ｃがＬか
らＨになると、分離回路３３はビーム位置検出信号ＢＤ
₃をＨからＬにして記録装置制御回路３４にレーザビー
ム３０₃の位置検出を通知する。以下同様にして他の各
レーザビームの位置検出が行われて１主走査内の全ての
ビーム位置検出が完了し、次の主走査のビーム位置検出
を記録装置制御回路３４から分離回路３３へタイミング
信号ｂが入力されるまで待機する。

【００６３】この第１実施例では、受光素子３１の露光
走査開始側エッジ３１ａが露光走査方向と直交する方向
に対してレーザビーム３０₁，３０₂・・・３０_nの各経路が
順次に長くなるような傾きを持つので、複数のレーザビ
ーム３０₁，３０₂・・・が受光素子３１の受光面で重なり
合うことがなく、各レーザビーム３０₁，３０₂・・・毎に
２値化信号ｃがＬ→Ｈ→Ｌ・・・と遷移して各レーザビー
ム３０₁，３０₂・・・が互いに接近して受光素子３１に入
射する場合の処理が不要となる。例えば、受光素子３１
に対する各レーザビーム３０₁，３０₂・・・の入射状態に
応じて２値化のスレッショルドレベルを変更したり、２
つのレーザビームが受光素子３１に同時に入射して２値
化信号ｃがＬ→Ｈ→Ｌの遷移を１回しかしない場合の各
ビーム位置検出信号の分離をしたりすること等が不要に
なる。このため、受光素子３１からの光電変換信号より
各ビーム位置検出信号を得るための回路が上述のように
簡素な回路で実現できて比較的構成が簡単で回路の複雑
化を招かず、ビーム位置検出信号を確実に得ることがで
きる。

【００６４】図１２は本発明の第２実施例の一部を示
す。この第２実施例は、請求項２記載の発明の実施例で
あり、上記第１実施例において、受光素子３１の代りに
受光素子(光電変換素子)３５を用いたものである。受光
素子３５は露光走査方向と直交する方向に対してレーザ
ビーム３０₁，３０₂・・・３０_nの各経路が順次に長くなる
ような傾きを持つように配置されたことにより露光走査
開始側エッジが露光走査方向と直交する方向に対して傾
きを持つように配置される。

【００６５】この第２実施例では、レーザビーム３
０₁，３０₂・・・３０_nを受光する受光部として露光走査方
向と直交する方向に対して傾きを持つ受光素子３５を用
いたので、受光部の構成要素数を低減することができ、
簡易な構成で複数のビーム位置検出を行うことができ
る。また、第１実施例と同様に比較的構成が簡単で回路
の複雑化を招かず、ビーム位置検出信号を確実に得るこ
とができる。なお、受光素子３５は受光面の露光走査開
始側エッジが露光走査方向と直交する方向に対してレー
ザビーム３０₁，３０₂・・・３０_nの各経路が順次に長くな
るような傾きを持つような受光素子であればどのような
ものでもよい。

【００６６】図１３は本発明の第３実施例の一部を示
す。この第３実施例は、請求項３記載の発明の実施例で
あり、上記第１実施例において、受光素子３１の代りに
受光素子(光電変換素子)３６を用いたものである。この
受光素子３６は前面に遮光用マスク３７が設けられてい
る。この遮光用マスク３７の露光走査開始側エッジ、つ
まり受光素子３６の受光面の露光走査開始側エッジ３６
ａは露光走査方向と直交する方向に対してレーザビーム
３０₁，３０₂・・・３０_nの各経路が順次に長くなるような
傾きを持つ。

【００６７】この第３実施例では、受光素子３６は受光
面端部３６ａから受光を開始することによる受光特性の
バラツキを軽減することができ、受光面の形状の制限を
受けることがなくて受光面の形状の変更，調整が容易で
大幅なコストダウンを計ることができ、ビーム位置検出
信号をより正確に得ることができて信頼性が高くなる。
また、受光素子３６は遮光用マスク３７により受光特性
のバラツキによる影響を受けることなく受光特性の良好
な部分を使用することが可能となる。

【００６８】ところで、上記第１実施例では、記録装置
制御回路３４は図２に示すように画素クロックに同期し
て制御を行うので、ビーム位置検出信号がＨからＬに遷
移したこと(ビーム位置を検出したこと)を検知するには
レーザビームが受光素子３１の受光面に入射してから最
低、画素クロックで１クロック分の期間が必要になる。
そこで、本発明の第４実施例では、上記第１実施例にお
いて、受光素子３１の受光面の露光走査開始側エッジ３
１ａと副走査方向との傾きθを次の条件式(2)を満足す
るように設定する。

【００６９】 θ≧arctan(ｊ×25.4／Ｒ)／Ｐsmin・・・・・(2) ここに、Ｐsminはレーザビーム３０₁，３０₂・・・の露光
走査方向と直交する方向のピッチの最小値、Ｒは記録密
度、ｊは１若しくは１以上の整数である。この第４実施
例は請求項４記載の発明の実施例であり、θが条件式
(2)を満足するので、受光素子３１に入射した１本のレ
ーザビームが検知されて消灯されてから次のレーザビー
ムに対する受光素子３１からの光電変換信号がスレッシ
ョルドレベルを越えるまでに画素クロックで最低１クロ
ックが確保される。このため、どのような場合でも確実
に誤差のないビーム位置検出信号を得ることができ、回
路の簡素化も計ることができる。

【００７０】次に、第４実施例について詳しく説明す
る。図１４及び図１５は第４実施例において、２つの隣
接するレーザビーム３０₁，３０₂のうち１つのレーザビ
ーム３０₁の位置検出を行う様子を模式的に示したもの
である。ここに、レーザビーム３０₁，３０₂の主走査方
向の大きさを25.4／Ｒ、レーザビーム３０₁，３０₂の副
走査方向の大きさをＰs₁とする。

【００７１】レーザビーム３０₁，３０₂が副走査方向に
対して等しい角度θで３０₁a，３０₂aのように互いに接
して副走査方向に配列される場合には、２つのレーザビ
ーム３０₁の中心が受光素子３１の走査開始側エッジ３
１aを通過する瞬間にはレーザビーム３０₁，３０₂の状
態が３０₁b，３０₂bのようになってレーザビーム３０₁
が検知される(ビーム位置検出信号ＢＤ₁がＬからＨにな
る)ものとする。そして、レーザビーム３０₁が検知され
てから消灯されるまでの約１画素クロックの後にはレー
ザビーム３０₁，３０₂が３０₁c，３０₂cのようになり、
レーザビーム３０₁が消灯される時にはレーザビーム３
０₂は検知される位置まで進んでしまう。この場合、図
１５に示すように受光素子３１からの光電変換信号はス
レッショルドレベルで２値化されて２値化信号ｃとな
り、この２値化信号ｃによりビーム検出信号ＢＤ₁が得
られる。

【００７２】ところで、レーザビーム３０₁，３０₂が副
走査方向に配列されているので、θ＝０の場合には受光
素子３１からの光電変換信号をスレッショルドレベルで
２値化すると、その２値化信号はレーザビーム３０₁，
３０₂に対応する部分が分離されない信号ｃ'となり、ビ
ーム位置検出信号ＢＤ₁がパルス幅の長いものＢＤ₁'に
なってビーム位置検出信号ＢＤ₂がＨのままのものＢ
Ｄ₂'になる。なお、レーザビーム３０₁，３０₂が副走査
方向と同じ方向に対してずれていなければ、同一のビー
ム位置検出信号ＢＤ₁'によりレーザビーム３０₁，３０₂
に対応する画素クロックの位相同期を行ってレーザビー
ム３０₁，３０₂による記録(静電潜像の形成)を同時に行
ってもよい。

【００７３】また、レーザビーム３０₁，３０₂が３０
₁a，３０₂a'のように副走査方向にずれている場合に
は、レーザビーム３０₁の中心が受光素子３１の走査開
始側エッジ３１aを通過する瞬間にはレーザビーム３
０₁，３０₂の状態が３０₁b，３０₂b'のようになってレ
ーザビーム３０₁が検知される。そして、レーザビーム
３０₁が検知されてから消灯されるまでの約１画素クロ
ックの後にはレーザビーム３０₁，３０₂の状態が３０
₁c，３０₂c'のようになり、レーザビーム３０₂はまだ受
光素子３１に入射していない。この場合、図１５に示す
ように受光素子３１からの光電変換信号をスレッショル
ドレベルで２値化すると、その２値化信号はレーザビー
ム３０₁，３０₂に対応する部分が分離された信号ｃとな
り、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂がレーザビーム３
０₁，３０₂を分離して検出したものとなる。

【００７４】また、２つのレーザビーム３０₁，３０₂の
配列の角度によってはレーザビーム３０₁の消灯時にレ
ーザビーム３０₂が受光素子３１に入射している場合も
あるが、その時は受光素子３１からの光電変換信号のレ
ベルが小さくてスレッショルドレベルにまで達する心配
がない。

【００７５】このように条件式(2)を満足するように設
定することで、どのような場合でも確実に誤差のないビ
ーム位置検出信号が得られ、レーザビームを検出した後
にそのレーザビームを消灯させるための制御信号を生成
するのに特別な基準信号が不要であり、回路の簡素化を
計ることもできる。また、記録ピッチに対してレーザビ
ームの径が大きい場合、或いは制御上制約を受けた場
合、θの微調節やｊを１以上に設定することで、より良
好に複数のレーザビームの位置検出を分離して行うこと
が可能となる。さらに、ｊを整数に設定することで記録
装置制御回路３４による制御を簡素にすることができ、
また、図２に示すような２値化信号ｃの間隔Δｔに制御
上画素クロックで１クロック分が必要であるという条件
を加えることによって更に確実にビーム位置検出と記録
装置制御回路３４による制御を行うことが可能となる。
なお、上記第２実施例及び第３実施例においてそれぞれ
上記条件式(2)を満足するように設定してもよい。

【００７６】図１６は本発明の第５実施例に用いられる
位相同期回路を示し、図１７はそのタイミングチャート
である。この第５実施例は請求項５記載の発明の実施例
であり、上記第１実施例において、各レーザビーム３０
₁，３０₂・・・による主走査方向の記録密度を位相同期回
路により独立に設定するようにしたものである。すなわ
ち、レーザビーム３０₁に対するビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₁と画素クロックＷＣＬＫ₁との位相同期が図１６に示
す回路で行われ、かつ、他のレーザビーム３０₂・・・に対
するビーム位置検出信号ＢＤ₂・・・と画素クロックＷＣＬ
Ｋ₂・・・との位相同期がそれぞれ図１６に示す回路と同様
な回路で行われる。これらの回路は記録装置制御回路３
４内に設けられている。

【００７７】発振器３８は画素クロックの１／ｍの周期
の基準クロックＣＬＫを位相同期部３９へ出力し、位相
同期部３９は分離回路３３から入力されるビーム位置検
出信号ＢＤ₁(負論理)の立ち下がりエッジの直後に発振
器３８からの基準クロックＣＬＫの立ち上がりに同期し
て立ち上がるリセット信号RESET(負論理)を分周器４０
へ出力する。分周器４０は位相同期部３９からのリセッ
ト信号RESETを基準にして発振器３８からの基準クロッ
クＣＬＫを分周して画素クロックＷＣＬＫ₁を出力し、
記録装置制御回路３４は分周器４０からの画素クロック
ＷＣＬＫ₁に同期してレーザビーム３０₁の上述のような
点灯，消灯制御や記録開始，記録領域の設定等の制御を
行う。

【００７８】位相同期部３９は、ビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₁がＬになると、その立ち下がりエッジに対して最も
近い発振器３８からの基準クロックＣＬＫに同期してリ
セット信号RESETをＬにする。このリセット信号RESET
は、図１７では基準クロックＣＬＫの２クロック分にな
っているが、必ずしも基準クロックＣＬＫの２クロック
分である必要はなく、回路上の特別な制約がない限り基
準クロックＣＬＫの１クロック分以上の時間幅を有して
いればよい。分周器４０は、位相同期部３９からのリセ
ット信号RESETがＬになると、リセット信号RESETがＬで
ある区間の発振器３８からの基準クロックＣＬＫの立ち
上がりエッジに同期してリセットされ、リセット信号RE
SETがＨになると、発振器３８からの基準クロックＣＬ
Ｋの分周を開始する。したがって、ビーム位置検出信号
ＢＤ₁に対する画素クロックＷＣＬＫ₁の位相同期をその
周期の１／ｍの誤差範囲内で行うことができる。

【００７９】この第５実施例においては、各レーザビー
ムによる露光走査方向の記録密度をそれぞれ上記回路に
より独立に設定し、ｎ本のレーザビームによる露光走査
方向の記録密度のうちの最小の記録密度を上記Ｒとして
条件式(2)を満たすように設定する。従って、各レーザ
ビームの記録密度の変化に影響されない汎用性の高いマ
ルチビーム記録装置の提供が可能となる。

【００８０】図１８は本発明の第６実施例に用いられる
位相同期回路を示す。この第６実施例は請求項５記載の
発明の実施例である。位相同期回路は発振器３８及び位
相同期部３９が各レーザビーム３０₁，３０₂・・・で共通
に用いられ、ｎ個の分周器４１₁，４１₂・・・４１_nを有す
る。また、１主走査内でｎ個の画素クロックＷＣＬ
Ｋ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の位相同期を行うために、発光点(半
導体レーザ１７₁，１７₂・・・)からのレーザビーム３
０₁，３０₂・・・に対応するビーム位置検出信号ＢＤ₁，Ｂ
Ｄ₂・・・に応じて分周器４１₁，４１₂・・・にリセット信号
を順次に出力して各画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂
・・・の位相同期で互いに悪影響を及ぼさないようにすべ
く発光点選択部４２が設けられている。

【００８１】分離回路３３からのレーザビーム３０₁，
３０₂・・・に対応したビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・
・はオアゲート１０を通って位相同期部３９に入力さ
れ、位相同期部３９がオアゲート１０からの各ビーム位
置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の立ち下がりエッジの直後
に発振器３８からの基準クロックＣＬＫの立ち上がりに
同期して立ち上がるリセット信号RESETを発光点選択部
４２へ出力する。

【００８２】発光点選択部４２は分離回路３３からビー
ム位置検出信号ＢＤ₁が入力された時には位相同期部３
９から入力されたビーム位置検出信号ＢＤ₁に対応する
リセット信号RESETをリセット信号RESET₁として分周器
４１₁へ出力し、分離回路３３からビーム位置検出信号
ＢＤ₂が入力された時には位相同期部３９から入力され
たビーム位置検出信号ＢＤ₂に対応するリセット信号RES
ETをリセット信号RESET₂として分周器４１₂へ出力し、
以下同様に各ビーム位置検出信号ＢＤ₃・・・が入力された
時に位相同期部３９からのリセット信号RESETをリセッ
ト信号RESET₃・・・として分周器４１₃・・・へ出力する。

【００８３】分周器４１₁，４１₂・・・はそれぞれ発光点
選択部４２からのリセット信号RESET₁,RESET₂・・・を基準
にして発振器３８からの基準クロックＣＬＫを分周して
画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・を出力し、記録
装置制御回路３４は分周器４１₁，４１₂・・・からの画素
クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・に同期してレーザビ
ーム３０₁，３０₂・・・の上述のような点灯，消灯制御や
記録開始，記録領域の設定等の制御を行う。また、ｎ本
のレーザビームによる露光走査方向の記録密度のうちの
最小の記録密度を上記Ｒとして条件式(2)を満たすよう
に設定している。

【００８４】この第６実施例では、全ての画素クロック
ＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・を共通の発振器３８からの基
準クロックＣＬＫに基づいて生成するので、画素クロッ
クＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の精度にバラツキが少ない
高品位なマルチビーム記録装置を提供することができ
る。また、各分周器４１₁，４１₂・・・の分周比を変更す
ることによって各レーザビーム３０₁，３０₂・・・毎に画
素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の周期を変えるこ
とが可能となり、各レーザビーム３０₁，３０₂・・・毎に
主走査方向の記録密度を独立に設定することができて各
レーザビームの記録密度の変化に影響されない汎用性の
高いマルチビーム記録装置の提供が可能となる。

【００８５】本発明の第７実施例は、請求項６記載の発
明の実施例であり、上記第１実施例において、複数のビ
ーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画素クロ
ックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期させ、
かつ、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画素ク
ロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの１組を基準と
して画像記録領域の設定等の制御信号を生成するように
したものである。

【００８６】この第７実施例では、第５実施例と同様な
位相同期回路(又は第６実施例と同様な位相同期回路)で
複数のビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各
画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の位相とを略同
期させ、また、記録装置制御回路３４によりビーム位置
検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画素クロックＷＣＬＫ₁，
ＷＣＬＫ₂・・・のうちの１組を基準として画像記録領域の
設定等の制御信号を生成する。

【００８７】記録装置制御回路３４は画像記録領域の設
定等の制御信号を生成する基準となる１組のビーム位置
検出信号に対応する１つのレーザビームに対して他のレ
ーザビームのズレが既知である場合には記録開始位置等
のタイミングを容易に設定して画像記録領域の設定等の
制御信号を生成することが可能である。図１９は記録開
始位置のタイミングの設定例を示す。

【００８８】図１９は、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，Ｂ
Ｄ₂・・・に位相同期した画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬ
Ｋ₂・・・の周期が等しく、レーザビーム３０₂のビーム位
置がレーザビーム３０₁のビーム位置に対して画素クロ
ックで２．５クロック分遅れ、レーザビーム３０₃のビ
ーム位置がレーザビーム３０₁のビーム位置に対して画
素クロックで２．５クロック分進んでいる様子を示す。
記録装置制御回路３４はレーザビーム３０₁に対するビ
ーム位置検出信号ＢＤ₁と画素クロックＷＣＬＫ₁を基準
として記録開始位置のタイミング設定を行う。

【００８９】すなわち、記録装置制御回路３４はレーザ
ビーム３０₁が検出されてから一定の期間が経過した後
の画素クロックＷＣＬＫ₁の立ち上がりエッジａ₁に同期
してレーザビーム３０₁による記録を開始させる。レー
ザビーム３０₂による記録開始位置をレーザビーム３０₁
による記録位置と一致させるには画素クロックＷＣＬＫ
₁の立ち上がりエッジａ₁に対して画素クロックＷＣＬＫ
₂を２．５クロック遅らせればよく、また、画素クロッ
クＷＣＬＫ₂は画素クロックＷＣＬＫ₁に対して位相が
０．５クロック遅れている。そこで、記録装置制御回路
３４は画素クロックＷＣＬＫ₁を基準として画素クロッ
クＷＣＬＫ₂を２クロック遅延させてその立ち下がりエ
ッジＰ₂にレーザビーム３０₂による記録開始位置を設定
し、レーザビーム３０₂による記録開始をレーザビーム
３０₁による記録位置より２．５遅れた画素クロックＷ
ＣＬＫ₂の立ち上がりエッジａ₂で開始させることでレー
ザビーム３０₁による記録位置とレーザビーム３０₂によ
る記録位置とを一致させる。

【００９０】また、レーザビーム３０₃による記録開始
位置をレーザビーム３０₁による記録位置と一致させる
には画素クロックＷＣＬＫ₁の立ち上がりエッジａ₁に対
して画素クロックＷＣＬＫ₃を２．５クロック進めれば
よく、また、画素クロックＷＣＬＫ₃は画素クロックＷ
ＣＬＫ₁に対して位相が０．５クロック遅れている。そ
こで、記録装置制御回路３４は画素クロックＷＣＬＫ₁
を基準として画素クロックＷＣＬＫ₃を３クロック位相
が進ませてその立ち下がりエッジＰ₃にレーザビーム３
０₃による記録開始位置を設定し、レーザビーム３０₃に
よる記録開始をレーザビーム３０₁による記録位置より
２．５進んだ画素クロックＷＣＬＫ₃の立ち上がりエッ
ジａ₃で開始させることでレーザビーム３０₁による記録
位置とレーザビーム３０₃による記録位置とを一致させ
る。

【００９１】このようにすれば、１つのレーザビームの
位置を基準として複数のレーザビームによる記録位置を
一致させることができ、かつ、各画素クロックＷＣＬＫ
₁，ＷＣＬＫ₂・・・をビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・
と位相同期させていることにより記録位置の誤差が小さ
くなる。

【００９２】記録装置制御回路３４は図２０に示すよう
に制御信号生成部４３を有し、この制御信号生成部４３
は上記位相同期回路４４からの画素クロックＷＣＬ
Ｋ₁，ＷＣＬＫ₂・・・と分離回路３３からのビーム位置検
出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・とから記録開始，画像記録領域
等を制御するための制御信号を生成する。ビデオ部４５
は制御信号生成部４３からの制御信号により制御されて
画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・に同期して画像
信号を出力し、半導体レーザ１７₁，１７₂・・・がそれぞ
れ駆動回路によりそれらの画像信号に応じて変調され
る。

【００９３】この第７実施例では、ビーム位置検出信号
ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画素クロックＷＣＬＫ₁，Ｗ
ＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期させるので、露光走査方向
の記録位置ズレが少なくなる。また、画素クロックを全
部用いずに１組だけ用いて記録開始，画像記録領域等を
制御するための制御信号を生成するので、回路の簡略化
を計ることができ、廉価で信頼性が高くなる。

【００９４】本発明の第８実施例は請求項６記載の発明
の実施例であり、上記第７実施例において、記録装置制
御回路３４が制御信号生成部４３の代りに図２１に示す
ように制御信号生成部４６を有するものである。この制
御信号生成部４６は上記位相同期回路４４から出力され
る画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの１つ
の画素クロックＷＣＬＫ₁と分離回路３３からのビーム
位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・とから記録開始，画像記
録領域等を制御するための制御信号を生成してビデオ部
４５へ出力する。従って、第７実施例と同様に露光走査
方向の記録位置ズレが少なく、回路の簡略化を計ること
ができて廉価で信頼性が高くなる。

【００９５】図２２は本発明の第９実施例のビーム位置
ズレ検出回路を示し、図２３はそのタイミングチャート
を示す。この第９実施例は請求項７記載の発明の実施例
であり、上記実施例において、ビーム位置ズレ検出回路
が設けられている。このビーム位置ズレ検出回路は主走
査開始後の最初に検出されるビーム位置を基準としてそ
の他のビーム位置のズレを検出するものであり、ビーム
数をカウントするためのカウンタ４７と、主走査開始後
の最初のビーム位置検出信号ＢＤ₁によって０にリセッ
トされて画素クロックＷＣＬＫ₁をカウントするための
カウンタ４８と、２番目以降のレーザビーム３０₂・・・の
位置検出時のカウンタ４８のアドレスをビーム位置ズレ
データとして格納するバッファ４９と、カウンタ４７，
４８およびバッファ４９の制御信号を生成するためのフ
リップフロップ５０，５１，５２を有する。

【００９６】カウンタ４７にはフリップフロップ５３か
らカウント許可信号／ＥＮが入力され、バッファ４９に
はフリップフロップ５１から書き込み許可信号／ＷＥが
入力される。また、バッファ４９には記録装置制御回路
３４からデータ読み出し許可信号／ＲＥが入力される。
画素クロックＷＣＬＫ₁を除いた全ての信号は負論理で
ある。

【００９７】主走査開始後に分離回路３３からのビーム
位置検出信号ＢＤ₁がカウンタ４７，４８にリセット信
号として入力されてカウンタ４７，４８がリセットさ
れ、カウンタ４８が上記画素クロックＷＣＬＫ₁のカウ
ントを開始する。フリップフロップ５０は分離回路３３
からのビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂,ＢＤ₃がオア回
路５４を介して入力され、上記画素クロックＷＣＬＫ₁
の立ち上がりでオア回路５４の出力信号をラッチする。

【００９８】ノア回路５５はオア回路５４の出力信号及
びフリップフロップ５０の非反転出力信号が入力され、
オア回路５４の出力信号がＬでフリップフロップ５０の
非反転出力信号がＨのときに出力信号がＨとなる。フリ
ップフロップ５３は上記画素クロックＷＣＬＫ₁の立ち
上がりでノア回路５５の出力信号をラッチし、非反転出
力信号をカウント許可信号／ＥＮとしてカウンタ４７へ
出力する。したがって、カウント許可信号／ＥＮは各ビ
ーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂,ＢＤ₃がオア回路５４に
入力される度にＬとなってカウンタ４７のカウントを許
可し、カウンタ４７がレーザビーム３０₁，３０₂，３０
₃の位置検出が行われる度に画素クロックＷＣＬＫ₁によ
り１つづつインクリメントされて行く。

【００９９】また、フリップフロップ５０の反転出力信
号及びオア回路５４の出力信号がノア回路５６に入力さ
れ、フリップフロップ５１が上記画素クロックＷＣＬＫ
₁の立ち上がりでノア回路５６の出力信号をラッチす
る。カウント許可信号／ＥＮがＬになると、画素クロッ
クＷＣＬＫ₁で１クロック分遅延してフリップフロップ
５１からの書き込み許可信号／ＷＥがＬになり、バッフ
ァ４９がカウンタ４７により指定されるアドレス(レー
ザビーム３０₁，３０₂，３０₃に対応したアドレス)にカ
ウンタ４８のカウント内容、つまり画素クロックＷＣＬ
Ｋ₁を単位とした各レーザビームのビーム位置ズレデー
タが格納される。

【０１００】記録装置制御回路３４はバッファ４９から
それらの位置ズレデータを必要に応じて呼び出し、これ
らの位置ズレデータとビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂
・・・と各画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・(または
そのうちの１組)を基準として画像記録領域の設定等の
制御信号を生成する。この場合、記録装置制御回路３４
はビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画素クロッ
クＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・(またはそのうちの１組)を
基準としてこれを位置ズレデータで補正することにより
ビーム位置ズレの補正を行う。従って、環境変動等によ
る経時のビーム位置変動に影響されなくなり、信頼性が
高くなる。

【０１０１】この第９実施例では、ビーム位置ズレ検出
回路により各レーザビームの位置ズレを検出して記録装
置制御回路３４により各レーザビームの位置ズレを補正
するので、温度上昇等の諸々の要因によるビーム位置検
出信号の変動に対応することができ、信頼性が高くな
る。

【０１０２】本発明の別の実施例では、上記各実施例に
おいて、複数の半導体レーザ１７₁，１７₂・・・の代りに
画像信号に応じて独立に変調可能な複数の発光部を１チ
ップ内に有する半導体レーザアレイを用いた。この実施
例では半導体レーザアレイはビームが一定のピッチで固
定されるので、高精度なマルチビーム記録装置の実現が
可能となる。

【０１０３】上記第１実施例では、受光素子３１の露光
走査開始側エッジ３１ａと副走査方向との傾きθが大き
い場合や、特にレーザビーム３０₁，３０₂・・・の副走査
方向のビーム径が大きい場合には、受光素子３１の受光
光量の時間的変化が小さくなり、受光素子３１からの光
電変換信号の立ち上がり波形がなまってしまう。図２５
は受光素子３１の露光走査開始側エッジが副走査方向と
平行なエッジ３２ｂである場合と、受光素子３１の露光
走査開始側エッジが副走査方向に対して角度θを持つエ
ッジ３１ａである場合の受光素子３１からの光電変換信
号の波形例を示す。

【０１０４】図２５において、ＰＤoutaはレーザビーム
が受光素子３１の露光走査開始側エッジ３２ａに入射し
た場合の受光素子３１からの光電変換信号の波形を示
し、ＰＤoutbはレーザビームが受光素子３１の露光走査
開始側エッジ３２ｂに入射した場合の受光素子３１から
の光電変換信号の波形を示す。上述のようにビーム位置
検出は受光素子３１からの光電変換信号をスレッショル
ドレベルで２値化した信号を基準として行うので、例え
ば図２５においてスレッショルドレベルがスレッショル
ドレベル１からスレッショルドレベル２に変動した場合
には、受光素子３１からの光電変換信号はＰＤoutaのよ
うに立ち上がり波形がなまっているときにはスレッショ
ルドレベルの変動によるビーム位置の誤差が生じやすく
なり、ビーム位置検出精度が低下してしまう。そこで、
本発明の第１０実施例は受光素子の露光走査開始側エッ
ジを階段状にすることにより位置検出精度を高めてい
る。

【０１０５】図２４は本発明の第１０実施例の一部を示
す。この第１０実施例は、上記第１実施例において、受
光素子３１の代りに受光素子５７を用いるようにしたも
のである。この第１０実施例は請求項９記載の発明の実
施例であり、受光素子５７は露光走査開始側エッジ５７
ａが露光走査方向(主走査方向)と直交する方向に対して
レーザビーム３０₁，３０₂・・・３０_nの各経路が順次に長
くなるように階段状に形成されている。受光素子５７は
露光走査開始側エッジ５７ａが露光走査方向と直交する
方向に対して階段状に形成されていることにより半導体
レーザ１７₁，１７₂・・・からのレーザビーム３０₁，３０
₂・・・３０_nをその発生間隔より大きな時間間隔で順次に
受光する。

【０１０６】このとき、先に１本のレーザビームが受光
素子５７で受光されてから次の１本のレーザビームが受
光素子５７で受光されるまでの時間は受光素子５７の露
光走査開始側エッジ５７ａが直線状で露光走査方向に対
して垂直である場合に比べて長くなる。

【０１０７】従って、まず、例えばレーザビーム３０₁
が受光素子５７に入射してビーム位置検出信号ＢＤ₁が
出力され、記録装置制御回路３４がそのビーム位置検出
信号ＢＤ₁を検知してレーザビーム３０₁を消灯した後に
次のレーザビーム３０₂が受光素子５７に入射するよう
に受光素子５７の露光走査開始側端部の階段状エッジ５
７ａの主走査方向及び副走査方向のピッチを設定するこ
とにより、図１０に示すように受光素子５７から複数の
レーザビーム３０₁，３０₂・・・に対応して出力される光
電変換信号ＰＤout₁，ＰＤout₂・・・により複数のビーム
位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・が互いに分離して生成さ
れ、同一の受光素子５７によつて複数のレーザビーム３
０₁，３０₂・・・に対するビーム位置検出を行うことがで
きる。

【０１０８】また、図１１に示すように受光素子５７か
ら複数のレーザビーム３０₁，３０₂・・・に対応して出力
される光電変換信号ＰＤout₁，ＰＤout₂・・・の一部が隣
接するレーザビームに対応するもの同志で互いに重なっ
た状態が生じた場合には、受光素子５７の露光走査開始
側端部の階段状エッジのピッチを光電変換信号ＰＤou
t₁，ＰＤout₂・・・が重ならないように設定するか、また
はレーザビーム３０₁が消灯した時に受光素子５７に入
射しているレーザビーム３０₂に対する光電変換信号Ｐ
Ｄoutのレベルがスレッショルドレベルよりも十分に小
さくなるように受光素子５７の露光走査開始側端部の階
段状エッジのピッチを設定すれば、複数のビーム位置検
出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・が互いに分離して生成される。

【０１０９】このように、第１０実施例では、受光素子
５７の露光走査開始側エッジ５７ａを階段状にしたの
で、レーザビーム３０₁，３０₂・・・の形状の影響を受け
ることなく各ビーム位置検出信号を確実に分離して得る
ことができ、比較的構成が簡単で回路の複雑化を招かな
い。

【０１１０】図２６は本発明の第１１実施例の一部を示
す。この第１１実施例は、請求項１０記載の発明の実施
例であり、上記第１０実施例において、受光素子５７の
代りに受光素子(光電変換素子)５８を用いたものであ
る。この第３実施例は受光素子５８の前面に遮光用マス
ク５９が設けられている。この遮光用マスク５９の露光
走査開始側エッジ、つまり受光素子５８の受光面の露光
走査開始側エッジ５８ａは主走査方向と直交する方向
（副走査方向）に対してレーザビーム３０₁，３０₂・・・
３０_nの各経路が順次に長くなるように階段状に形成さ
れている。

【０１１１】この第１１実施例では、受光素子５８は受
光面端部５８ａから受光を開始することによる受光特性
のバラツキを軽減することができ、受光面の形状の制限
を受けることがなくて受光面の形状の変更，調整が容易
で大幅なコストダウンを計ることができ、ビーム位置検
出信号をより正確に得ることができて信頼性が高くな
る。また、受光素子５８は遮光用マスク５９により受光
特性のバラツキによる影響を受けることなく受光特性の
良好な部分を使用することが可能となる。

【０１１２】図２７図は本発明の第１２実施例を説明す
るための図である。この第１２実施例は請求項１１記載
の発明の実施例である。この第１２実施例では、上記第
１０実施例において、レーザビーム３０₁，３０₂・・・の
隣接するもの同志は副走査方向のピッチがＰs₁であり、
階段状の露光走査開始側エッジ５７ａを有する受光素子
５７によって受光される。そして、受光素子５７の階段
状の露光走査開始側エッジ５７ａにおける副走査方向の
ピッチがレーザビーム３０₁，３０₂・・・の副走査方向の
ピッチＰs₁と等しい大きさだけ確保され、レーザビーム
３０₁，３０₂・・・が副走査方向に隣接するもの同志で接
する場合でも、良好なビーム位置検出が行える。また、
各レーザビーム３０₁，３０₂・・・の中心と階段状の露光
走査開始側エッジ５７ａにおける副走査方向のピッチの
中心とが平行な直線上に配置される。このため、ビーム
位置検出信号の位相ズレを防止でき、副走査方向にレー
ザビーム同志が一部重なっても受光素子５７が受光に十
分な光量をレーザビームの中心部で受光することがで
き、どのような場合でも確実に誤差のないビーム位置検
出信号を得ることができて良好なビーム位置検出を行う
ことが可能となる。

【０１１３】ところで、上記第１０実施例では、記録装
置制御回路３４は図２に示すように画素クロックに同期
して制御を行うので、ビーム位置検出信号がＨからＬに
遷移したこと(ビーム位置を検出したこと)を検知するに
はレーザビームが受光素子５７の受光面に入射してから
最低、画素クロックで１クロック分の期間が必要にな
る。そこで、本発明の第１３実施例では、上記第１０実
施例において、受光素子５７の受光面における階段状の
露光走査開始側エッジ５７ａの副走査方向ピッチＤmと,
記録密度Ｒと，１若しくは１以上の整数ｊとの関係がＤm≧ｊ×25.4／Ｒ・・・(3) なる条件を満足するように設定する。

【０１１４】この第１３実施例は請求項１２記載の発明
の実施例であり、Ｄmが条件式(3)を満足するので、受光
素子５７に入射した１本のレーザビームが検知されて消
灯されてから次のレーザビームに対する受光素子５７か
らの光電変換信号がスレッショルドレベルを越えるまで
に画素クロックで最低１クロックが確保される。このた
め、どのような場合でも確実に誤差のないビーム位置検
出信号を得ることができ、レーザビームを検出してその
レーザビームを消灯させるための制御信号を生成するの
に特別な基準信号が不要であり、回路の簡素化も計るこ
とができる。

【０１１５】次に、第１３実施例について詳しく説明す
る。図２７及び図２８は第１３実施例において、２つの
隣接するレーザビーム３０₁，３０₂のうち１つのレーザ
ビーム３０₁の位置検出を行う様子を模式的に示す。こ
こに、レーザビーム３０₁，３０₂の主走査方向の大きさ
を25.4／Ｒ、レーザビーム３０₁，３０₂の副走査方向の
大きさをＰs₁とする。

【０１１６】レーザビーム３０₁，３０₂が副走査方向に
対して等しい角度で３０₁a，３０₂aのように互いに接し
て副走査方向に配列される場合には、２つのレーザビー
ム３０₁の中心が受光素子５７の走査開始側エッジ５７a
を通過する瞬間にはレーザビーム３０₁，３０₂の状態が
３０₁b，３０₂bのようになってレーザビーム３０₁が検
知される(ビーム位置検出信号ＢＤ₁がＬからＨになる)
ものとする。そして、レーザビーム３０₁が検知されて
から消灯されるまでの約１画素クロックの後にはレーザ
ビーム３０₁，３０₂が３０₁c，３０₂cのようになり、レ
ーザビーム３０₁が消灯される時にはレーザビーム３０₂
は検知される位置まで進んでしまう。この場合、図２８
に示すように受光素子５７からの光電変換信号はスレッ
ショルドレベルで２値化されて２値化信号ｃとなり、こ
の２値化信号ｃによりビーム検出信号ＢＤ₁が得られ
る。

【０１１７】ところが、レーザビーム３０₁，３０₂が副
走査方向に配列されているので、受光素子５７の受光面
の露光走査開始側エッジ５７ａが直線で副走査方向と平
行である場合には受光素子５７からの光電変換信号をス
レッショルドレベルで２値化すると、その２値化信号は
レーザビーム３０₁，３０₂に対応する部分が分離されな
い信号ｃ'となり、ビーム位置検出信号ＢＤ₁がパルス幅
の長いものＢＤ₁'になってビーム位置検出信号ＢＤ₂が
ＨのままのものＢＤ₂'になる。なお、レーザビーム３０
₁，３０₂が副走査方向と同じ方向に対してずれていなけ
れば、同一のビーム位置検出信号ＢＤ₁'によりレーザビ
ーム３０₁，３０₂に対応する画素クロックの位相同期を
行ってレーザビーム３０₁，３０₂による記録を同時に行
ってもよい。

【０１１８】また、レーザビーム３０₁，３０₂が３０
₁a，３０₂a'のように副走査方向にずれている場合に
は、レーザビーム３０₁の中心が受光素子５７の走査開
始側エッジ５７aを通過する瞬間にはレーザビーム３
０₁，３０₂の状態が３０₁b，３０₂b'のようになってレ
ーザビーム３０₁が検知される。そして、レーザビーム
３０₁が検知されてから消灯されるまでの約１画素クロ
ックの後にはレーザビーム３０₁，３０₂の状態が３０
₁c，３０₂c'のようになり、レーザビーム３０₂はまだ受
光素子５７に入射していない。この場合、図２８に示す
ように受光素子５７からの光電変換信号をスレッショル
ドレベルで２値化すると、その２値化信号はレーザビー
ム３０₁，３０₂に対応する部分が分離された信号ｃとな
り、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂がレーザビーム３
０₁，３０₂を分離して検出したものとなる。

【０１１９】また、２つのレーザビーム３０₁，３０₂の
配列の角度によってはレーザビーム３０₁の消灯時にレ
ーザビーム３０₂が受光素子５７に入射している場合も
あるが、その時は受光素子５７からの光電変換信号のレ
ベルが小さくてスレッショルドレベルにまで達する心配
がない。

【０１２０】このように条件式(3)を満足するように設
定することで、どのような場合でも確実に誤差のないビ
ーム位置検出信号が得られ、回路の簡素化を計ることも
できる。また、記録ピッチに対してレーザビームの径が
大きい場合、或いは制御上制約を受けた場合、ｊを１以
上に設定して(3)式でＤmを決定することで、ｊ及びＤm
の値による受光の劣化を起こすことなくより良好に複数
のレーザビームの位置検出を分離して行うことが可能と
なる。さらに、ｊを整数に設定することで記録装置制御
回路３４による制御を簡素にすることができる。なお、
上記第１１実施例及び第１２実施例においてそれぞれ上
記条件式(3)を満足するように設定してもよい。

【０１２１】また、本発明の第１４実施例は請求項１３
記載の発明の実施例であり、上記第１０実施例におい
て、各レーザビーム３０₁，３０₂・・・による主走査方向
の記録密度を位相同期回路により独立に設定するように
したものである。この第１４実施例では、第５実施例と
同様に図１６に示す位相同期回路を用い、各レーザビー
ム３０₁，３０₂・・・による主走査方向の記録密度を位相
同期回路により独立に設定する。すなわち、レーザビー
ム３０₁に対するビーム位置検出信号ＢＤ₁と画素クロッ
クＷＣＬＫ₁との位相同期が図１６に示す回路で行わ
れ、かつ、他のレーザビーム３０₂・・・に対するビーム位
置検出信号ＢＤ₂・・・と画素クロックＷＣＬＫ₂・・・との位
相同期がそれぞれ図１６に示す回路と同様な回路で行わ
れる。

【０１２２】この第１４実施例においては、各レーザビ
ームによる露光走査方向の記録密度をそれぞれ上記位相
同期回路により独立に設定し、ｎ本のレーザビームによ
る露光走査方向の記録密度のうちの最小の記録密度を上
記Ｒとして条件式(3)を満たすように設定する。従っ
て、各レーザビームの記録密度の変化に影響されない汎
用性の高いマルチビーム記録装置の提供が可能となる。

【０１２３】本発明の第１５実施例は請求項１３記載の
発明であり、上記第１０実施例において、第６実施例と
同様に図１８に示す位相同期回路を用いて各レーザビー
ム３０₁，３０₂・・・による主走査方向の記録密度を独立
に設定するようにしたものである。また、第１５実施例
ではｎ本のレーザビームによる露光走査方向の記録密度
のうちの最小の記録密度を上記Ｒとして条件式(3)を満
たすように設定している。

【０１２４】この第１５実施例では、全ての画素クロッ
クＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・を共通の発振器３８からの
基準クロックＣＬＫに基づいて生成するので、画素クロ
ックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の精度にバラツキが少な
い高品位なマルチビーム記録装置を提供することができ
る。また、各分周器４１₁，４１₂・・・の分周比を変更す
ることによって各レーザビーム３０₁，３０₂・・・毎に画
素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の周期を変えるこ
とが可能となり、各レーザビーム３０₁，３０₂・・・毎に
主走査方向の記録密度を独立に設定することができて各
レーザビームの記録密度の変化に影響されない汎用性の
高いマルチビーム記録装置の提供が可能となる。

【０１２５】本発明の第１６実施例は、請求項１４記載
の発明の実施例であり、上記第１０実施例において、複
数のビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画
素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期
させ、かつ、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各
画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの１組を
基準として画像記録領域の設定等の制御信号を生成する
ようにしたものである。

【０１２６】この第１６実施例では、第５実施例と同様
な位相同期回路(又は第６実施例と同様な位相同期回路)
で複数のビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と
各画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の位相とを略
同期させ、また、第７実施例と同様に記録装置制御回路
３４によりビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画
素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの１組を基
準として画像記録領域の設定等の制御信号を生成する。
記録開始位置のタイミングの設定は上述した図１９に示
すように行う。記録装置制御回路３４は図２０に示すよ
うに制御信号生成部４３を有し、この制御信号生成部４
３が上記位相同期回路４４からの画素クロックＷＣＬＫ
₁，ＷＣＬＫ₂・・・と分離回路３３からのビーム位置検出
信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・とから記録開始，画像記録領域等
を制御するための制御信号を生成する。ビデオ部４５は
制御信号生成部４３からの制御信号により制御されて画
素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・に同期して画像信
号を出力し、半導体レーザ１７₁，１７₂・・・がそれぞれ
変調回路によりそれらの画像信号に応じて駆動される。

【０１２７】この第１６実施例では、ビーム位置検出信
号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画素クロックＷＣＬＫ₁，
ＷＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期させるので、露光走査方
向の記録位置ズレが少なくなる。また、画素クロックを
全部用いずに１組だけ用いて記録開始，画像記録領域等
を制御するための制御信号を生成するので、回路の簡略
化を計ることができ、廉価で信頼性が高くなる。

【０１２８】本発明の第１７実施例は請求項１４記載の
発明の実施例であり、上記第１６実施例において、記録
装置制御回路３４が制御信号生成部４３の代りに図２１
に示すように制御信号生成部４６を有するものである。
この制御信号生成部４６は上記位相同期回路４４から出
力される画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうち
の１つの画素クロックＷＣＬＫ₁と分離回路３３からの
ビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・とから記録開始，
画像記録領域等を制御するための制御信号を生成してビ
デオ部４５へ出力する。従って、第１６実施例と同様に
露光走査方向の記録位置ズレが少なく、回路の簡略化を
計ることができて廉価で信頼性が高くなる。

【０１２９】本発明の第１８実施例は請求項１５記載の
発明の実施例であり、上記実施例において、第９実施例
と同様に図２２に示すビーム位置ズレ検出回路を設けた
ものである。このビーム位置ズレ検出回路は上述のよう
に主走査開始後の最初に検出されるビーム位置を基準と
してその他のビーム位置のズレを検出するものであり、
記録装置制御回路３４はバッファ４９からそれらの位置
ズレデータを必要に応じて呼び出し、これらの位置ズレ
データとビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画素
クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・(またはそのうちの１
組)を基準として画像記録領域の設定等の制御信号を生
成する。この場合、記録装置制御回路３４はビーム位置
検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画素クロックＷＣＬＫ₁，
ＷＣＬＫ₂・・・(またはそのうちの１組)を基準としてこれ
を位置ズレデータで補正することによりビーム位置ズレ
の補正を行う。従って、環境変動等による経時のビーム
位置変動に影響されなくなり、信頼性が高くなる。

【０１３０】この第１８実施例では、ビーム位置ズレ検
出回路により各レーザビームの位置ズレを検出して記録
装置制御回路３４により各レーザビームの位置ズレを補
正するので、温度上昇等の諸々の要因によるビーム位置
検出信号の変動に対応することができ、信頼性が高くな
る。

【０１３１】本発明の別の実施例では、上記第１０実施
例乃至第１８実施例において、複数の半導体レーザ１７
₁，１７₂・・・の代りに画像信号に応じて独立に変調可能
な複数の発光部を１チップ内に有する半導体レーザアレ
イを用いた。この実施例では半導体レーザアレイはビー
ムが一定のピッチで固定されるので、比較的容易に高精
度な複数のビーム位置検出を行うことが可能となり、高
精度なマルチビーム記録装置の実現が可能となる。

【０１３２】

【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明によれ
ば、画像情報信号に応じて独立に変調されるｎ（ｎ≧
２）個の発光部を有する記録用光源を備え、この記録用
光源の発光部から出射されるｎ本のビームをｎ個の微小
な光スポットに集光結像し、これらの光スポットによる
記録媒体の露光走査で画像の記録を行うマルチビーム記
録装置において、前記光スポットの露光走査範囲内に１
個若しくは複数個が配置され各々前記ｎ本のビームのう
ち少なくとも２本以上のビームを受光する１つもしくは
複数の受光部と、この受光部の出力信号により前記ｎ本
のビームを順次に検出して順次に所定の時間消灯させる
第１の手段とを具備し、前記受光部の露光走査開始側エ
ッジが露光走査方向と直交する方向に対して傾きを有す
るので、ビーム位置検出信号を確実に得ることができ、
比較的構成が簡単で回路の複雑化を招かない。

【０１３３】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載のマルチビーム記録装置において、前記受光部が光電
変換素子を有し、この光電変換素子の露光走査開始側エ
ッジに露光走査方向と直交する方向に対して傾きを持た
せたので、ビーム位置検出信号を確実に得ることがで
き、構成が簡単かつ廉価で回路の複雑化を招かない。

【０１３４】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載のマルチビーム記録装置において、前記受光部が光電
変換素子を有し、この光電変換素子の前面に遮光用マス
クを設け、この遮光用マスクの露光走査開始側エッジに
露光走査方向と直交する方向に対して傾きを持たせたの
で、受光部は遮光用マスクにより受光特性の良好な部分
を使用することが可能となり、受光面の形状の制限や受
光特性等の影響を受けなくて形状の変更，調整が容易で
大幅なコストダウンを計ることができ、ビーム位置検出
信号をより正確に得ることができて信頼性を高めること
ができる。

【０１３５】請求項４記載の発明によれば、請求項１，
２または３記載のマルチビーム記録装置において、前記
受光部の露光走査開始側エッジと露光走査方向と直交す
る方向との傾きの角度θと，前記ｎ本のビームの露光走
査方向と直交する方向のピッチの最小値Ｐsminと,記録
密度Ｒと，１若しくは１以上の整数ｊとの関係が θ≧arctan(ｊ×25.4／Ｒ)／Ｐsmin なる条件を満足するので、どのような場合でも確実に誤
差のないビーム位置検出信号を得ることができ、回路の
簡素化も計ることができる。

【０１３６】請求項５記載の発明によれば、請求項４記
載のマルチビーム記録装置において、前記ｎ本のビーム
による露光走査方向の記録密度を独立に設定し、前記条
件を前記ｎ本のビームによる露光走査方向の記録密度の
うちの最小の記録密度によって決定するので、各ビーム
の記録密度の変化に影響されない汎用性の高いマルチビ
ーム記録装置の提供が可能となる。

【０１３７】請求項６記載の発明によれば、請求項１，
２，３，４または５記載のマルチビーム記録装置におい
て、前記第１の手段が前記受光部の出力信号により前記
ｎ本のビームを順次に検出して発生する複数のビーム位
置検出信号の位相と前記ｎ本のビームの各変調クロック
の位相とを略同期させる第２の手段と、前記複数のビー
ム位置検出信号と前記ｎ本のビームの各変調クロックの
うちの１組を基準として画像記録領域の設定等の制御信
号を生成する第３の手段とを備えたので、回路の簡略化
を計ることができ、廉価で信頼性を高めることができ
る。

【０１３８】請求項７記載の発明によれば、請求項６記
載のマルチビーム記録装置において、前記複数のビーム
位置検出信号に基づいて画像領域の設定等の制御信号を
生成する基準となるビーム位置と，それ以外のビーム位
置とのズレを検出する第４の手段を備えたので、温度上
昇等の諸々の要因によるビーム位置検出信号の変動に対
応することができ、信頼性を高めることができる。

【０１３９】請求項８記載の発明によれば、請求項１，
２，３，４，５，６または７記載のマルチビーム記録装
置において、前記記録用光源を１チップ内に独立に変調
可能な複数の発光点を有する半導体レーザアレイで構成
したので、高精度なマルチビーム記録装置の実現が可能
となる。

【０１４０】請求項９記載の発明によれば、画像情報信
号に応じて独立に変調されるｎ（ｎ≧２）個の発光部を
有する記録用光源を備え、この記録用光源の発光部から
出射されるｎ本のビームを複数の微小な光スポットに集
光結像し、これらの光スポットによる記録媒体の露光走
査で画像の記録を行うマルチビーム記録装置において、
前記光スポットの露光走査範囲内に１個若しくは複数個
が配置され各々前記ｎ本のビームのうち少なくとも２本
以上のビームを受光する１つもしくは複数の受光部と、
この受光部の出力信号により前記ｎ本のビームを順次に
検出して順次に所定の時間消灯させる第５の手段とを具
備し、前記受光部の露光走査開始側エッジが露光走査方
向と直交する方向に対して階段状になっているので、ビ
ーム位置検出信号を確実に得ることができ、比較的構成
が簡単で回路の複雑化を招かない。

【０１４１】請求項１０記載の発明によれば請求項９記
載のマルチビーム記録装置において、前記受光部が光電
変換素子を有し、この光電変換素子の前面に遮光用マス
クを有し、この遮光用マスクの露光走査開始側エッジが
露光走査方向と直交する方向に対して階段状になってい
るので、受光部は遮光用マスクにより受光特性の良好な
部分を使用することが可能となり、受光面の形状の制限
や受光特性等の影響を受けなくて形状の変更，調整が容
易で大幅なコストダウンを計ることができ、ビーム位置
検出信号をより正確に得ることができて信頼性を高める
ことができる。

【０１４２】請求項１１記載の発明によれば、請求項９
または１０記載のマルチビーム記録装置において、前記
受光部の露光走査開始側エッジの露光走査方向と直交す
る方向に対する階段のピッチが前記ｎ本のビームの露光
走査方向と直交する方向のピッチと略等しいので、どの
ような場合でも確実に誤差のないビーム位置検出信号を
得ることができる。

【０１４３】請求項１２記載の発明によれば、請求項９
または１０記載のマルチビーム記録装置において、前記
受光部の露光走査開始側エッジの露光走査方向と直交す
る方向に対する階段のピッチＤmと,記録密度Ｒと，１若
しくは１以上の整数ｊとの関係がＤm≧ｊ×25.4／Ｒなる条件を満足するので、どのような場合でも確実に誤
差のないビーム位置検出信号を得ることができ、回路の
簡素化を計ることができる。

【０１４４】請求項１３記載の発明によれば、請求項１
２記載のマルチビーム記録装置において、前記ｎ本のビ
ームによる露光走査方向の記録密度を独立に設定し、前
記条件を前記ｎ本のビームによる露光走査方向の記録密
度のうちの最小の記録密度によって決定するので、各ビ
ームの記録密度の変化に影響されない汎用性の高いマル
チビーム記録装置の提供が可能となる。

【０１４５】請求項１４記載の発明によれば、請求項
９，１０，１１，１２または１３記載のマルチビーム記
録装置において、前記第５の手段が前記受光部の出力信
号により前記ｎ本のビームを順次に検出して発生する複
数のビーム位置検出信号の位相と前記ｎ本のビームの各
変調クロックの位相とを略同期させる第６の手段と、前
記複数のビーム位置検出信号と前記ｎ本のビームの各変
調クロックのうちの１組を基準として画像記録領域の設
定等の制御信号を生成する第７の手段とを備えたので、
回路の簡略化を計ることができ、廉価で信頼性を高める
ことができる。

【０１４６】請求項１５記載の発明によれば、請求項１
４記載のマルチビーム記録装置において、前記複数のビ
ーム位置検出信号に基づいて画像領域の設定等の制御信
号を生成する基準となるビーム位置と，それ以外のビー
ム位置とのズレを検出する第８の手段を備えたので、温
度上昇等の諸々の要因によるビーム位置検出信号の変動
に対応することができ、信頼性を高めることができる。

【０１４７】請求項１６記載の発明によれば、請求項
９，１０，１１，１２，１３，１４または１５記載のマ
ルチビーム記録装置において、前記記録用光源を１チッ
プ内に独立に変調可能な複数の発光点を有する半導体レ
ーザアレイで構成したので、高精度なマルチビーム記録
装置の実現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の一部を示す図である。

【図２】同第１実施例における１本のレーザビームに対
するビーム位置検出動作を示すタイミングチャートであ
る。

【図３】レーザプリンタに用いられるレーザ光学系の一
例を示す斜視図である。

【図４】マルチビーム記録方式で用いられる複数の半導
体レーザを光源としたレーザ走査光学系の一例を示す正
面図である。

【図５】同レーザ走査光学系でレーザビームが極端に重
なってしまった場合の同期検知用受光素子の出力信号の
様子を示す波形図である。

【図６】同レーザ走査光学系でレーザビームが１／４ほ
ど重なった場合の信号の様子を示す波形図である。

【図７】同レーザ走査光学系でレーザビームが微小な時
間だけ重なり合った場合の信号の様子を示す波形図であ
る。

【図８】上記第１実施例の回路構成を示すブロック図で
ある。

【図９】同第１実施例の動作例を示すタイミングチャー
トである。

【図１０】上記第１実施例を説明するためのタイミング
チャートである。

【図１１】上記第１実施例を説明するためのタイミング
チャートである。

【図１２】本発明の第２実施例の一部を示す図である。

【図１３】本発明の第３実施例の一部を示す図である。

【図１４】本発明の第４実施例において２つの隣接する
レーザビームのうち１つのレーザビームの位置検出を行
う様子を模式的に示す図である。

【図１５】同第４実施例において２つの隣接するレーザ
ビームのうち１つのレーザビームの位置検出を行う様子
を示すタイミングチャートである。

【図１６】本発明の第５実施例に用いられる位相同期回
路を示すブロック図である。

【図１７】同位相同期回路のタイミングチャートであ
る。

【図１８】本発明の第６実施例に用いられる位相同期回
路を示すブロック図である。

【図１９】本発明の第７実施例における記録開始位置の
タイミングの設定例を示すタイミングチャートである。

【図２０】同第７実施例の一部を示すブロック図であ
る。

【図２１】本発明の第８実施例の一部を示すブロック図
である。

【図２２】本発明の第９実施例のビーム位置ズレ検出回
路を示すブロック図である。

【図２３】同ビーム位置ズレ検出回路のタイミングチャ
ートである。

【図２４】本発明の第１０実施例の一部を示す図であ
る。

【図２５】上記第１実施例における受光素子からの光電
変換信号の波形例を示す波形図である。

【図２６】本発明の第１１実施例の一部を示す図であ
る。

【図２７】本発明の第１３実施例において２つの隣接す
るレーザビームのうち１つのレーザビームの位置検出を
行う様子を模式的に示す図である。

【図２８】同第１３実施例のタイミングチャートであ
る。

【符号の説明】

３１受光部３１ａ露光走査開始側エッジ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画像情報信号に応じて独立に変調されるｎ
（ｎ≧２）個の発光部を有する記録用光源を備え、この
記録用光源の発光部から出射されるｎ本のビームをｎ個
の微小な光スポットに集光結像し、これらの光スポット
による記録媒体の露光走査で画像の記録を行うマルチビ
ーム記録装置において、前記光スポットの露光走査範囲
内に１個若しくは複数個が配置され各々前記ｎ本のビー
ムのうち少なくとも２本以上のビームを受光する１つも
しくは複数の受光部と、この受光部の出力信号により前
記ｎ本のビームを順次に検出して順次に所定の時間消灯
させる第１の手段とを具備し、前記受光部の露光走査開
始側エッジが露光走査方向と直交する方向に対して傾き
を有することを特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項２】請求項１記載のマルチビーム記録装置にお
いて、前記受光部が光電変換素子を有し、この光電変換
素子の露光走査開始側エッジに露光走査方向と直交する
方向に対して傾きを持たせたことを特徴とするマルチビ
ーム記録装置。
【請求項３】請求項１記載のマルチビーム記録装置にお
いて、前記受光部が光電変換素子を有し、この光電変換
素子の前面に遮光用マスクを設け、この遮光用マスクの
露光走査開始側エッジに露光走査方向と直交する方向に
対して傾きを持たせたことを特徴とするマルチビーム記
録装置。
【請求項４】請求項１，２または３記載のマルチビーム
記録装置において、前記受光部の露光走査開始側エッジ
と露光走査方向と直交する方向との傾きの角度θと，前
記ｎ本のビームの露光走査方向と直交する方向のピッチ
の最小値Ｐsminと,記録密度Ｒと，１若しくは１以上の
整数ｊとの関係が θ≧arctan(ｊ×25.4／Ｒ)／Ｐsmin なる条件を満足することを特徴とするマルチビーム記録
装置。
【請求項５】請求項４記載のマルチビーム記録装置にお
いて、前記ｎ本のビームによる露光走査方向の記録密度
を独立に設定し、前記条件を前記ｎ本のビームによる露
光走査方向の記録密度のうちの最小の記録密度によって
決定することを特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項６】請求項１，２，３，４または５記載のマル
チビーム記録装置において、前記第１の手段が前記受光
部の出力信号により前記ｎ本のビームを順次に検出して
発生する複数のビーム位置検出信号の位相と前記ｎ本の
ビームの各変調クロックの位相とを略同期させる第２の
手段と、前記複数のビーム位置検出信号と前記ｎ本のビ
ームの各変調クロックのうちの１組を基準として画像記
録領域の設定等の制御信号を生成する第３の手段とを備
えたことを特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項７】請求項６記載のマルチビーム記録装置にお
いて、前記複数のビーム位置検出信号に基づいて画像領
域の設定等の制御信号を生成する基準となるビーム位置
と，それ以外のビーム位置とのズレを検出する第４の手
段を備えたことを特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項８】請求項１，２，３，４，５，６または７記
載のマルチビーム記録装置において、前記記録用光源を
１チップ内に独立に変調可能な複数の発光点を有する半
導体レーザアレイで構成したことを特徴とするマルチビ
ーム記録装置。
【請求項９】画像情報信号に応じて独立に変調されるｎ
（ｎ≧２）個の発光部を有する記録用光源を備え、この
記録用光源の発光部から出射されるｎ本のビームを複数
の微小な光スポットに集光結像し、これらの光スポット
による記録媒体の露光走査で画像の記録を行うマルチビ
ーム記録装置において、前記光スポットの露光走査範囲
内に１個若しくは複数個が配置され各々前記ｎ本のビー
ムのうち少なくとも２本以上のビームを受光する１つも
しくは複数の受光部と、この受光部の出力信号により前
記ｎ本のビームを順次に検出して順次に所定の時間消灯
させる第５の手段とを具備し、前記受光部の露光走査開
始側エッジが露光走査方向と直交する方向に対して階段
状になっていることを特徴とするマルチビーム記録装
置。
【請求項１０】請求項９記載のマルチビーム記録装置に
おいて、前記受光部が光電変換素子を有し、この光電変
換素子の前面に遮光用マスクを有し、この遮光用マスク
の露光走査開始側エッジが露光走査方向と直交する方向
に対して階段状になっていることを特徴とするマルチビ
ーム記録装置。
【請求項１１】請求項９または１０記載のマルチビーム
記録装置において、前記受光部の露光走査開始側エッジ
の露光走査方向と直交する方向に対する階段のピッチが
前記ｎ本のビームの露光走査方向と直交する方向のピッ
チと略等しいことを特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項１２】請求項９または１０記載のマルチビーム
記録装置において、前記受光部の露光走査開始側エッジ
の露光走査方向と直交する方向に対する階段のピッチＤ
mと,記録密度Ｒと，１若しくは１以上の整数ｊとの関係
がＤm≧ｊ×25.4／Ｒなる条件を満足することを特徴とするマルチビーム記録
装置。
【請求項１３】請求項１２記載のマルチビーム記録装置
において、前記ｎ本のビームによる露光走査方向の記録
密度を独立に設定し、前記条件を前記ｎ本のビームによ
る露光走査方向の記録密度のうちの最小の記録密度によ
って決定することを特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項１４】請求項９，１０，１１，１２または１３
記載のマルチビーム記録装置において、前記第５の手段
が前記受光部の出力信号により前記ｎ本のビームを順次
に検出して発生する複数のビーム位置検出信号の位相と
前記ｎ本のビームの各変調クロックの位相とを略同期さ
せる第６の手段と、前記複数のビーム位置検出信号と前
記ｎ本のビームの各変調クロックのうちの１組を基準と
して画像記録領域の設定等の制御信号を生成する第７の
手段とを備えたことを特徴とするマルチビーム記録装
置。
【請求項１５】請求項１４記載のマルチビーム記録装置
において、前記複数のビーム位置検出信号に基づいて画
像領域の設定等の制御信号を生成する基準となるビーム
位置と，それ以外のビーム位置とのズレを検出する第８
の手段を備えたことを特徴とするマルチビーム記録装
置。
【請求項１６】請求項９，１０，１１，１２，１３，１
４または１５記載のマルチビーム記録装置において、前
記記録用光源を１チップ内に独立に変調可能な複数の発
光点を有する半導体レーザアレイで構成したことを特徴
とするマルチビーム記録装置。