JPH06328773A

JPH06328773A - マルチビーム記録装置

Info

Publication number: JPH06328773A
Application number: JP11862093A
Authority: JP
Inventors: Yasuko Toyama; 泰子外山; Michio Doke; 教夫道家
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1993-05-20
Filing date: 1993-05-20
Publication date: 1994-11-29

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、ビーム位置検出を確実に行うこと
ができて高精度で信頼性が高くなるようにすることを目
的とする。【構成】この発明は、マルチビーム記録装置におい
て、光スポットの露光走査範囲内における非記録領域に
配置されたｎ個の受光素子Ｓ１〜Ｓｎを有しｎ本のビー
ムを受光する受光素子アレイ３１と、この受光素子アレ
イ３１の各受光素子Ｓ１〜Ｓｎにｎ本のビームを順次に
１本づつ検出させて該検出されたビームから順次にｎ本
のビームを消灯させる第１の手段３４とを備えたもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は独立に変調可能な複数個
の発光部を有する記録用光源を用いて複数ラインを同時
に記録するマルチビーム記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術とレーザ走査技術とを組み
合わせたレーザプリンタ等の画像記録装置は、普通紙が
使用でき、高速で高品質な画像が得られるので、急速に
コンピュータの出力装置やデジタル複写機に用いられて
普及している。

【０００３】図３はレーザプリンタに用いられるレーザ
光学系の一例を示す。半導体レーザからなる記録用光源
１１が駆動回路にて画像信号により変調され、この半導
体レーザ１１からのレーザビームがレンズ１２を介して
回転多面鏡１３により偏向される。回転多面鏡１３から
のレーザビームはｆθレンズからなる結像レンズ１４に
よりドラム状の感光体１５上に微小な光スポットとして
結像される。この光スポットは回転多面鏡１３と感光体
１５の駆動機構による回転により感光体１５を走査露光
し、画像の静電潜像を形成する。この場合、感光体１５
は帯電器により均一に帯電された後に上記露光で静電潜
像が形成される。また、同期検知用受光素子１６は、走
査線上の走査開始側の画像領域外に配置され、結像レン
ズ１４からのレーザビームを検出する。この同期検知用
受光素子１６の出力信号はスレッショルドレベルで２値
化されてビーム位置検出信号となり、このビーム位置検
出信号により主走査方向の画像書き込み開始位置が制御
される。

【０００４】このようなレーザ走査光学系を有するレー
ザプリンタにおいては１分間にＡ４サイズの画像を１０
０枚出力するようなレーザ走査光学系を実現するために
は、感光体１５の速度は５００mm／sec程度となり、回
転多面鏡１３の回転数ｒ(rpm)は次の式(1)式で与えられ
る。ｒ(rpm)＝Ｖ₀×ＤＰＩ×６０／(２５．４×Ｎ)・・・・・(1) ここに、Ｖ₀は感光体１５の速度（mm／sec)、ＤＰＩは
１インチ当り記録できるドット数で、一般的には３００
〜４００であり、Ｎは回転多面鏡１３の反射面数で、一
般的には６〜１０である。Ｖ₀＝５００、ＤＰＩ＝３０
０，Ｎ＝８を(1)式に代入すると、ｒは４４２９１(rpm)
になる。

【０００５】回転多面鏡１３はこのような高い回転数で
は回転軸を支える軸受として従来のボールベアリングを
使用できず、流体軸受，磁気軸受などの特殊な軸受が必
要となってコストアップになる。また、記録用光源であ
る半導体レーザ１１の変調周波数が高くなり、レーザ制
御回路およびホストマシンから半導体レーザ側へのデー
タ転送の高速化が必要になって回路が複雑になると同時
にコストアップになる。

【０００６】また、レーザプリンタにおいては、高速化
を計るために、複数の光源からの複数のレーザビームを
１個の回転多面鏡で偏向走査して同時に複数ラインを記
録するマルチビーム記録方式がある。このマルチビーム
記録方式では、光源からのレーザビームの本数をＭ本と
すれば回転多面鏡の回転数およびレーザの変調周波数が
１／Ｍとなり、高速な記録が可能となる。

【０００７】図４はマルチビーム記録方式で用いられる
複数の半導体レーザを記録用光源としたレーザ走査光学
系の一例を示す。複数の独立した発光点を有する半導体
レーザからなる光源１７₁，１７₂から発散して出射され
た複数本のレーザビームはコリメートレンズ１８により
それぞれ平行な光束とされ、シリンダレンズ１９により
回転多面鏡２０の反射面近傍へ副走査方向（記録媒体２
２が送られる方向）に絞り込まれる。シリンダレンズ１
９からの複数本のレーザビームは回転多面鏡２４により
共通に偏向を受け、ｆθレンズからなる結像レンズ２１
により感光体からなる記録媒体２２上に微小なレーザビ
ームとして、かつ、各レーザビームが記録密度に応じた
ピッチとなるように絞り込まれて静電潜像が記録媒体２
６上に形成される。ここに、光源１７₁，１７₂は駆動回
路にて画像信号により変調され、画像信号に応じた強度
のレーザビームを出力する。記録媒体２２はモータによ
り駆動されて副走査方向に回転し、帯電器により均一に
帯電された後に複数本のレーザビームにより１主走査で
複数ライン分の静電潜像が形成される。

【０００８】結像レンズ２１は主走査方向（レーザビー
ムが回転多面鏡２０により走査される方向）と副走査方
向で焦点距離の異なるアナモフィックなレンズであり、
副走査方向には回転多面鏡２０の反射面と記録媒体２６
が幾何学的に共役な関係となるように設計されている。
これは回転多面鏡２０の各反射面の回転軸に対する角度
誤差（反射面倒れ）による走査線間のピッチの変動を低
減するための補正光学系を構成するためである。シリン
ダレンズ１９は記録媒体２２上での副走査方向のレーザ
ビーム径を適当な大きさとする機能を持つ。また、同期
検知用受光素子は、走査域内の画像走査記録範囲外に配
置され、結像レンズ２１からのレーザビームを検出す
る。この同期検知用受光素子の出力信号はスレッショル
ドレベルで２値化されてその２値化信号が各レーザビー
ム毎に分離されることによりビーム位置検出信号が得ら
れ、これらのビーム位置検出信号により各レーザビーム
の主走査方向の画像書き込み開始位置が制御される。

【０００９】マルチビーム記録方式において、複数本の
レーザビームを用いて１主走査で複数ライン分のデータ
を同時に記録する場合は、複数本のレーザビームの各発
光点の中心を結んだ直線が主走査方向（レーザビームが
走査される方向）に直交するようにすれば、各発光点の
レーザビームの走査のタイミングは同一となるので、そ
の位相同期を１個の発光点で行えばよい。あるいは、隣
接する各レーザビームのピッチ等が既知であれば、１つ
のレーザビームに対するビーム位置検出信号と各レーザ
ビームの変調クロック（以下変調クロックを画素クロッ
クと呼ぶ）との同期をとればよい。

【００１０】また、マルチビーム記録方式において、記
録用光源として１チップ内に複数の発光点を有する半導
体レーザアレイを用いた場合は、副走査方向のピッチ
（間隔）が半導体レーザアレイの発光点のピッチに依存
するので、記録密度に対応したピッチを得るためには、
半導体レーザアレイをその各発光点の中心を結んだ直線
と主走査方向とがある角度をなすように配置しなければ
ならない。この場合、様々な環境の変化等によるレーザ
ビーム位置の変動やズレが生ずるので、各レーザビーム
に対するビーム位置検出信号と各レーザビームの画素ク
ロックとの位相同期をそれぞれとる方が各レーザビーム
毎の記録位置の変動が少なくて望ましい。

【００１１】また、特開昭５７ー６４７１８号公報に
は、レーザビームプリンタにおいて、間隔が既知である
複数のレーザビームから出射された複数のレーザビーム
のうちの１本のレーザビームの偏向位置を検出する１個
の検出器と、この検出器の出力信号を用いて他のレーザ
ビームの同期等をとる手段とを設けたものが記載されて
いる。

【００１２】特開平２ー４２４１３号公報には、デジタ
ル複写機において、ビーム検知手段に入射する複数のレ
ーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成する
ためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けたも
のが記載されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記マルチビーム記録
方式では、様々な環境の変化等によるレーザビーム位置
の変動やズレに対する対応が極めて困難である。また、
同期検知用受光素子は感光体２２と等価な位置に配置さ
れて各レーザビームが短い時間差をもって入射するが、
図５はレーザビームａ，ｂが極端に重なってしまった場
合の同期検知用受光素子の出力信号の様子を示す。この
場合、同期検知用受光素子のレーザビームａ，ｂに対す
る出力信号ａ₁，ｂ₁が合成されて合成信号ｃ₁が得ら
れ、この合成信号ｃ₁からレーザビームａ，ｂを分割し
て検出することは不可能である。このため、各レーザビ
ームに対する同期検知用受光素子の出力信号と各レーザ
ビームの画素クロックとの位相同期をそれぞれとること
ができない。

【００１４】図６はレーザビームａ，ｂが１／４ほど重
なった場合の信号の様子を示す。この場合は同期検知用
受光素子のレーザビームａ，ｂに対する出力信号ａ₂，
ｂ₂が合成されて合成信号ｃ₂が得られる。この合成信号
ｃ₂は領域Ｓ₂が狭いので、レーザビームａ，ｂを分割し
て検出するためのスレッュドレベルを持つことが困難で
あり、レーザビームａ，ｂの分割検出が不安定となる。

【００１５】図７はレーザビームａ，ｂが微小な時間だ
け重なり合った場合の信号の様子を示す。この場合は同
期検知用受光素子のレーザビームａ，ｂに対する出力信
号ａ₃，ｂ₃が合成されて合成信号ｃ₃が得られる。この
合成信号ｃ₃は領域Ｓ₃が広いので、レーザビームａ，ｂ
を分割して検出するためのスレッュドレベルの決定が容
易となり、レーザビームａ，ｂの分割検出を正確に行う
ことが可能となる。

【００１６】また、上記特開昭５７ー６４７１８号公報
記載のレーザビームプリンタでは、間隔が既知である複
数のレーザから出射された複数のレーザビームのうちの
１本のレーザビームの偏向位置を検出して他のレーザビ
ームの同期等をとるので、レーザビームの間隔が変化し
てしまった場合には同期等が１本のレーザビームに対す
る偏向位置検出信号に依存することにより、誤差やずれ
が生ずるおそれがあり、その補正も困難である。

【００１７】また、特開平２ー４２４１３号公報記載の
デジタル複写機では、ビーム検知手段に入射する複数の
レーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成す
るためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けた
ので、この分離手段のスレッシュドレベルの誤設定等に
よる信号の誤検出、あるいは回路の複雑化やこれによる
コストアップ等が生ずる欠点がある。

【００１８】本発明は、上記欠点を改善し、ビーム位置
検出を確実に行うことができて高精度で信頼性が高いマ
ルチビーム記録装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、画像情報信号に応じて独立
に変調されるｎ（ｎ≧２）個の発光部を有する記録用光
源を有し、この記録用光源の発光部から出射されるｎ本
のビームをｎ個の微小な光スポットに集光結像し、これ
らの光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の記録
を行うマルチビーム記録装置において、前記光スポット
の露光走査範囲内における非記録領域に配置されたｎ個
の受光素子を有し前記ｎ本のビームを受光する受光素子
アレイと、この受光素子アレイの各受光素子に前記ｎ本
のビームを順次に１本づつ検出させて該検出されたビー
ムから順次に前記ｎ本のビームを消灯させる第１の手段
とを備えたものである。

【００２０】請求項２記載の発明は、請求項１記載のマ
ルチビーム記録装置において、前記ｎ本のビームの露光
走査方向の記録密度を独立に設定する記録密度設定手段
を備えたものである。

【００２１】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のマルチビーム記録装置において、前記受光素子ア
レイの隣接する各受光素子の端部の露光走査方向の間隔
を前記ｎ本のビームによる記録ピッチの最大値の１倍以
上としたものである。

【００２２】請求項４記載の発明は、請求項３記載のマ
ルチビーム記録装置において、前記第１の手段は前記記
録用光源から出射されるｎ本のビームのうちｋ(１≦ｋ
≦ｎ−１)番目に出射されるビームだけを点灯させてこ
のｋ番目に出射されるビームが消灯した後にｋ＋１番目
に出射されるビームを点灯させるものである。

【００２３】請求項５記載の発明は、請求項１，２，３
または４記載のマルチビーム記録装置において、露光走
査範囲内の非記録領域に配置された前記ｎ個の受光素子
からの前記ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号に
基づいて前記ｎ本のビームの各変調クロックの位相と前
記ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号の位相とを
略同期させる第２の手段と、この第２の手段により前記
ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号と位相が略同
期させられた変調クロックのうちの１組を基準として画
像記録領域の設定等の制御信号を生成する第３の手段と
を備えたものである。

【００２４】請求項６記載の発明は、請求項５記載のマ
ルチビーム記録装置において、露光走査範囲内の非記録
領域に配置された前記ｎ個の受光素子からの前記ｎ本の
ビームに対するビーム位置検出信号に基づいて、画像記
録領域の設定等の制御信号を生成する基準となるビーム
位置と，それ以外のビーム位置とのズレを検出する第４
の手段を備えたものである。

【００２５】請求項７記載の発明は、請求項１，２，
３，４，５または６記載のマルチビーム記録装置におい
て、前記記録用光源を１チップ内に独立に変調可能な複
数の発光点を有する半導体レーザアレイで構成したもの
である。

【００２６】

【作用】請求項１記載の発明では、ｎ個の発光部が画像
情報信号に応じて独立に変調され、この記録用光源の発
光部から出射されるｎ本のビームがｎ個の微小な光スポ
ットに集光結像され、これらの光スポットによる記録媒
体の露光走査で画像の記録が行われる。そして、光スポ
ットの露光走査範囲内における非記録領域に配置された
ｎ個の受光素子はｎ本のビームを受光し、第１の手段が
各受光素子にｎ本のビームを順次に１本づつ検出させて
該検出されたビームから順次にｎ本のビームを消灯させ
る。

【００２７】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
マルチビーム記録装置において、ｎ本のビームの露光走
査方向の記録密度が記録密度設定手段により独立に設定
される。

【００２８】請求項３記載の発明では、請求項１または
２記載のマルチビーム記録装置において、受光素子アレ
イの隣接する各受光素子の端部の露光走査方向の間隔が
ｎ本のビームによる記録ピッチの最大値の１倍以上とな
っている。

【００２９】請求項４記載の発明では、請求項３記載の
マルチビーム記録装置において、第１の手段は記録用光
源から出射されるｎ本のビームのうちｋ番目に出射され
るビームだけを点灯させてこのｋ番目に出射されるビー
ムが消灯した後にｋ＋１番目に出射されるビームを点灯
させる。

【００３０】請求項５記載の発明では、請求項１，２，
３または４記載のマルチビーム記録装置において、第２
の手段が露光走査範囲内の非記録領域に配置されたｎ個
の受光素子からのｎ本のビームに対するビーム位置検出
信号に基づいてｎ本のビームの各変調クロックの位相と
ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号の位相とを略
同期させ、第３の手段は第２の手段によりｎ本のビーム
に対するビーム位置検出信号と位相が略同期させられた
変調クロックのうちの１組を基準として画像記録領域の
設定等の制御信号を生成する。

【００３１】請求項６記載の発明では、請求項５記載の
マルチビーム記録装置において、第４の手段が露光走査
範囲内の非記録領域に配置されたｎ個の受光素子からの
ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号に基づいて、
画像記録領域の設定等の制御信号を生成する基準となる
ビーム位置と，それ以外のビーム位置とのズレを検出す
る。

【００３２】請求項７記載の発明では、請求項１，２，
３，４，５または６記載のマルチビーム記録装置におい
て、記録用光源を構成する半導体レーザアレイが１チッ
プ内に独立に変調可能な複数の発光点を有する。

【００３３】

【実施例】本発明の第１実施例では、画像情報信号に応
じて独立に変調されるｎ（ｎ≧２）個の発光部を有する
記録用光源を備え、この記録用光源の発光部から出射さ
れるｎ本のレーザビームをｎ個の微小な光スポットに集
光結像し、これらの光スポットによる記録媒体の露光走
査で画像の記録を行うマルチビーム記録装置、例えば前
述した図４に示すようなレーザ走査光学系を有するマル
チビーム記録装置において、図１に示すように受光素子
アレイからなる同期検知用受光部３１が前記光スポット
の露光走査範囲内に配置され、この受光部３１は記録用
光源からのｎ本のレーザビーム３０₁，３０₂・・・３０_nと
同数の受光素子Ｓ１，Ｓ２・・・Ｓｎを有する。受光素子
Ｓ１，Ｓ２・・・Ｓｎは、光スポットによる記録媒体の露
光走査方向と平行に配置され、記録用光源からのｎ本の
レーザビーム３０₁，３０₂・・・３０_nを後述のようにそれ
ぞれ１本づつ受光する。

【００３４】この第１実施例は請求項１記載の発明の実
施例であり、図８は第１実施例の回路構成を示す。受光
素子アレイ３１からの光電変換信号は増幅回路３２によ
り増幅されて分離回路３３において予め設定されたスレ
ッショルドレベルで２値化され、各レーザビーム３
０₁，３０₂・・・３０_nに対応したビーム位置検出信号ＢＤ
₁，ＢＤ₂・・・ＢＤ_nに分離される。

【００３５】第１実施例の各部を制御する記録装置制御
回路３４は分離回路３３からのビーム位置検出信号ＢＤ
₁，ＢＤ₂・・・を基準にして画素クロックｃｌｋの位相同
期や記録開始，記録領域の設定等の制御を行う。この場
合、ｎ個の半導体レーザからなる発光部はそれぞれ独立
にｎ個の駆動回路にて画像情報信号によりｎ個の画素ク
ロックに同期して変調されて画像情報信号に応じた強度
のレーザビーム３０₁，３０₂・・・を出力する。

【００３６】図９は第１実施例の動作例を示すタイミン
グチャートである。この動作例はｎ＝３の場合の動作例
であり、光電変換信号ａは受光素子アレイ３１からの光
電変換信号を増幅回路３２で増幅した信号である。信号
ｃは光電変換信号ａを分離回路３３において設定された
スレッショルドレベルで２値化した信号（正論理）であ
り、信号ｄ，信号ｅ及び信号ｆはそれぞれ信号ｃを分離
回路３３においてビーム３０₁，３０₂，３０₃に対する
ビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂，ＢＤ₃に分離するた
めのマスク信号（正論理）である。信号ｂは毎主走査に
記録装置制御回路３４から分離回路３３へ出力されるタ
イミング信号（正論理）であり、ビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₁，ＢＤ₂，ＢＤ₃は分離回路３３において信号ｃをマ
スク信号ｄ，ｅ，ｆによりマスクして分離した信号（負
論理）である。

【００３７】分離回路３３は記録装置制御回路３４から
のタイミング信号ｂが低レベル(以下Ｌと呼ぶ)から高レ
ヘル(以下Ｈと呼ぶ)に遷移すると、その遷移を検知して
マスク信号ｄをＬからＨにし、レーザビーム３０₁の位
置検出を開始する。レーザビーム３０₁が受光素子アレ
イ３１の受光面を走査して２値化信号ｃがＬからＨにな
ると、分離回路３３はビーム位置検出信号ＢＤ₁をＨか
らＬにして記録装置制御回路３４にレーザビーム３０₁
の位置検出を通知する。

【００３８】次に、分離回路３３は２値化信号ｃがＨか
らＬに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号ｄを
ＨからＬにすると同時にビーム位置検出信号ＢＤ₁をＬ
からＨにすることによりレーザビーム３０₁の位置検出
を終了し、かつ、マスク信号ｅをＬからＨにしてレーザ
ビーム３０₂の位置検出を開始する。同様にレーザビー
ム３０₂が受光素子アレイ３１の受光面を走査して２値
化信号ｃがＬからＨになると、分離回路３３はビーム位
置検出信号ＢＤ₂をＨからＬにして記録装置制御回路３
４にレーザビーム３０₂の位置検出を通知する。

【００３９】次に、分離回路３３は２値化信号ｃがＨか
らＬに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号ｅを
ＨからＬにすると同時にビーム位置検出信号ＢＤ₂をＬ
からＨにすることによりレーザビーム３０₂の位置検出
を終了し、かつ、マスク信号ｆをＬからＨにしてレーザ
ビーム３０₃の位置検出を開始する。レーザビーム３０₃
が受光素子３１の受光面を走査して２値化信号ｃがＬか
らＨになると、分離回路３３はビーム位置検出信号ＢＤ
₃をＨからＬにして記録装置制御回路３４にレーザビー
ム３０₃の位置検出を通知する。以上の動作により、１
主走査内の全てのビーム位置検出が完了し、次の主走査
のビーム位置検出を記録装置制御回路３４から分離回路
３３へのタイミング信号ｂの入力まで待機する。

【００４０】第１実施例では図１に示すように記録用光
源からのｎ本のビーム３０₁，３０₂・・・３０_nのうち最も
早く受光素子アレイ３１の始端部に到達するビーム３０
₁は受光素子Ｓ１によって受光された後に消灯し、ビー
ム３０₂以降のビームが次の受光素子Ｓ２の始端部に到
達する。このときの動作を図２のタイミングチャートに
示す。図２において、ＷＣＬＫは画素クロック、ＳＴは
記録装置制御回路３４から分離回路３３に入力される主
走査の開始を指令するタイミングクロック、ＰＤ1out，
ＰＤ2out，ＰＤ3out・・・ＰＤnoutはそれぞれ受光素子Ｓ
１〜Ｓｎがレーザビーム３０₁〜３０_nを受光して出力す
る光電変換信号、／ＢＤ₁，／ＢＤ₂，／ＢＤ₃・・・／ＢＤ
_nは受光素子アレイ３１からの光電変換信号を分離回路
３３でスレッショルドレベルで２値化して分離したビー
ム位置検出信号（負論理）、ＬＤ1on／off,ＬＤ2on／of
f,ＬＤ3on／off・・・ＬＤnon／offは記録装置制御回路３
４が各ビーム３０₁，３０₂，３０₃・・・３０_nの点灯／非
点灯を制御するための点灯／非点灯制御信号、ｍａｓｋ
1,ｍａｓｋ2,ｍａｓｋ3・・・ｍａｓｋnは各受光素子Ｓ
１，Ｓ２，Ｓ３・・・Ｓｎに最初に入射するビームのみを
有効にし、それ以降のビームを検知しないためのマスク
信号である。

【００４１】記録用光源から射出されるｎ本のレーザビ
ームは受光素子アレイ３１に入射する直前に記録装置制
御回路３４からのリセット信号ＳＴの立上りによってＬ
Ｄ1on／off,ＬＤ2on／off,ＬＤ3on／off・・・ＬＤnon／of
fがＬとなってｎ個の半導体レーザが点灯することによ
り点灯し、同時に受光素子アレイ３１からの光電変換信
号をアクティブにする記録装置制御回路３４からのマス
ク信号ｍａｓｋ1,ｍａｓｋ2,ｍａｓｋ3・・・ｍａｓｋnが
Ｌになる。

【００４２】レーザビーム３０₁が受光素子Ｓ１に入射
してその入射光量に対応した光電変換信号ＰＤ1outが分
離回路３３の予め設定されたスレッショルドレベルを越
えると、ビーム位置検出信号ＢＤ₁が分離回路３３によ
りＨからＬに遷移する。ビーム位置検出信号ＢＤ₁がＨ
からＬに遷移すると、レーザビーム３０₁の位置検出
（検知１）が行われる。

【００４３】さらに、記録走査制御回路３４はビーム位
置検出信号ＢＤ₁がＬになってから最初の画素クロック
ＷＣＬＫの立ち上がりに同期してＬＤ1on／offをＨとし
てレーザビーム３０₁を消灯させ、同時にｍａｓｋ1をＨ
とし、これ以降に受光素子Ｓ１に入射するビームについ
ては同じ主走査内ではビーム位置検出を行わない。レー
ザビーム３０₁の消灯後の画素クロックＷＣＬＫの立上
りに同期してビーム位置検出信号ＢＤ₁が分離回路３３
によりＨとなり、ビーム３０₁の位置検出が終了する。

【００４４】同様にしてビーム３０₂以降のビームの位
置検出（検知２・・・）が行われ、１主走査内のビーム位
置検出が全て終了した後に、記録走査制御回路３４から
の次のＳＴの立上りエッジによって、ＬＤ1on／off,Ｌ
Ｄ2on／off,ＬＤ3on／off・・・ＬＤnon／offがＬになって
レーザビーム３０₁，３０₂・・・３０_nが全て点灯し、さら
に、記録装置制御回路３４からのマスク信号ｍａｓｋ1,
ｍａｓｋ2,ｍａｓｋ3・・・ｍａｓｋnがＬになって次の主
走査のビーム位置検出を待機する。また、第１実施例に
おいて、記録媒体は帯電器により均一に帯電されてから
レーザ走査光学系による露光で静電潜像が形成され、こ
の静電潜像が現像装置により現像されて転写装置により
転写紙へ転写される。

【００４５】第１実施例では、受光素子アレイ３１の各
受光素子Ｓ１〜Ｓｎにｎ本のビーム３０₁，３０₂・・・３
０_nを順次に１本づつ検出させ、この検出されたビーム
から順次にｎ本のビーム３０₁，３０₂・・・３０_nを消灯さ
せるので、ｎ本のビーム３０₁，３０₂・・・３０_nの各位置
検出を正確に行うことができ、また、受光素子Ｓ１〜Ｓ
ｎより出力される信号を分離することなくそのままビー
ム位置検出信号として利用することができて信号処理回
路の高速化が可能となり、高速で高精度なマルチビーム
記録装置を実現できる。

【００４６】図１０は本発明の第２実施例に用いられる
位相同期回路を示し、図１１はそのタイミングチャート
である。この第２実施例は請求項２記載の発明の実施例
であり、上記第１実施例において、各レーザビーム３０
₁，３０₂・・・による主走査方向の記録密度を位相同期回
路により独立に設定するようにしたものである。すなわ
ち、レーザビーム３０₁に対するビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₁とレーザビーム３０₁に対する画素クロックＷＣＬＫ
₁との位相同期が図１０に示す回路で行われ、かつ、他
のレーザビーム３０₂・・・に対するビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₂・・・とレーザビーム３０₂・・・に対する画素クロックＷ
ＣＬＫ₂・・・との各位相同期がそれぞれ図１０に示す回路
と同様な回路で行われる。これらの回路は記録装置制御
回路３４内に設けられている。

【００４７】発振器３５は画素クロックの１／ｍの周期
の基準クロックＣＬＫを位相同期部３６へ出力し、位相
同期部３６は分離回路３３から入力されるビーム位置検
出信号ＢＤ₁(負論理)の直後に発振器３５からの基準ク
ロックＣＬＫの立ち上がりに同期して立ち上がるリセッ
ト信号RESET(負論理)を分周器３７へ出力する。分周器
３７は位相同期部３６からのリセット信号RESETを基準
にして発振器３５からの基準クロックＣＬＫを分周して
画素クロックＷＣＬＫ₁を出力し、記録装置制御回路３
４は分周器３７からの画素クロックＷＣＬＫ₁に同期し
てレーザビーム３０₁の上述のような点灯，消灯制御や
記録開始，記録領域の設定等の制御を行う。

【００４８】図１１はｎ＝４の場合のタイミングチャー
トである。位相同期部３６は、ビーム位置検出信号ＢＤ
₁がＬになると、その立ち下がりエッジに対して最も近
い発振器３５からの基準クロックＣＬＫに同期してリセ
ット信号RESETをＬにする。このリセット信号RESETは、
図１１では基準クロックＣＬＫの２クロック分になって
いるが、必ずしも基準クロックＣＬＫの２クロック分で
ある必要はなく、回路上の特別な制約がない限り基準ク
ロックＣＬＫの１クロック分以上の時間幅を有していれ
ばよい。分周器３７は、位相同期部３６からのリセット
信号RESETがＬになると、リセット信号RESETがＬである
区間の発振器３５からの基準クロックＣＬＫの立ち上が
りエッジに同期してリセットされ、リセット信号RESET
がＨになると、発振器３５からの基準クロックＣＬＫの
分周を開始して画素クロックＷＣＬＫ₁として出力す
る。したがって、ビーム位置検出信号ＢＤ₁に対する画
素クロックＷＣＬＫ₁の位相同期をその周期の１／ｍの
誤差範囲内で行うことができる。

【００４９】この第２実施例においては、各レーザビー
ムによる露光走査方向の記録密度をそれぞれ上記回路に
より独立に設定する。従って、選択的に複数の記録密度
で記録を行うことが可能となり、比較的汎用性の高いマ
ルチビーム記録装置を比較的簡易な構成で提供すること
が可能となる。

【００５０】図１２は本発明の第３実施例に用いられる
位相同期回路を示す。この第３実施例は請求項２記載の
発明の実施例である。位相同期回路は発振器３５及び位
相同期部３６が各レーザビーム３０₁，３０₂・・・で共通
に用いられ、ｎ個の分周器３７₁，３７₂・・・３７_nを有す
る。また、１主走査内でｎ本のレーザビーム３０₁，３
０₂・・・の位相同期を行うために、記録用光源の発光点
(半導体レーザ)からのレーザビーム３０₁，３０₂・・・に
対応する分周器３７₁，３７₂・・・にリセット信号を順次
に出力して各発光点の位相同期動作が互いに悪影響を及
ぼさないようにすべく発光点選択部３８が設けられてい
る。

【００５１】分離回路３３からのレーザビーム３０₁，
３０₂・・・に対応したビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・
・はオアゲート３９を通って位相同期部３６に入力さ
れ、位相同期部３６がオアゲート３９からの各ビーム位
置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の立ち下がりエッジの直後
に発振器３５からの基準クロックＣＬＫの立ち上がりに
同期して立ち上がるリセット信号RESETを発光点選択部
３８へ出力する。

【００５２】発光点選択部３８は分離回路３３からビー
ム位置検出信号ＢＤ₁が入力された時には位相同期部３
６から入力されたビーム位置検出信号ＢＤ₁に対応する
リセット信号RESETをリセット信号RESET₁として分周器
３７₁へ出力して他の分周器３７₂・・・にはリセット信号
の出力を禁止する機能を有し、以下同様に分離回路３３
からビーム位置検出信号ＢＤ₂・・・が入力された時にはそ
れぞれ位相同期部３６から入力されたビーム位置検出信
号ＢＤ₂・・・に対応するリセット信号RESETをリセット信
号RESET₂・・・として分周器３７₂・・・へ出力することによ
り、１主走査内にｎ個のビームの位相同期が行われる。

【００５３】分周器３７₁，３７₂・・・はそれぞれ発光点
選択部３８からのリセット信号RESET₁,RESET₂・・・を基準
にして発振器３５からの基準クロックＣＬＫを分周して
画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・を出力し、記録
装置制御回路３４は分周器３７₁，３７₂・・・からの画素
クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・に同期してレーザビ
ーム３０₁，３０₂・・・の上述のような点灯，消灯制御や
記録開始，記録領域の設定等の制御を行う。

【００５４】この第３実施例では、比較的簡素な構成で
複数のビームの位相同期が可能であり、また、全ての画
素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・を共通の発振器３
５からの基準クロックＣＬＫに基づいて生成するので、
各ビームの画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の間
の精度のバラツキが少ない高品位なマルチビーム記録装
置を提供することができる。また、各分周器３７₁，３
７₂・・・の分周比を変更することによって各レーザビーム
３０₁，３０₂・・・毎に画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ
₂・・・の周期を変えることが可能となり、各レーザビーム
３０₁，３０₂・・・毎に主走査方向の記録密度を独立に設
定することができて比較的汎用性の高いマルチビーム記
録装置を比較的簡易な構成で提供することが可能とな
る。

【００５５】上記第１実施例乃至第３実施例では、画素
クロックに同期して記録用光源の点灯／非点灯の制御を
行う場合、上述したようにビームが受光素子に入射して
から記録装置制御回路３４がビームが受光素子に入射し
たことを検知してそのビームを消灯するまでに最低画素
クロックの１クロック期間を有する。このとき、受光素
子アレイ３１の隣接する受光素子のエッジの露光走査方
向の間隔がビームが画素クロックの１クロック期間に走
査される間隔よりも狭い場合には、ビーム位置検出を終
了したビームが消灯されずに次の受光素子に入射してし
まう可能性がある。２つの受光素子に渡ってビームが入
射してしまった場合には、２つ目の受光素子でも１つ目
の受光素子と同じビームを検知し、次のビーム位置検出
を行うことが困難となる場合がある。そこで、本発明の
他の実施例では、第１実施例乃至第３実施例において、
受光素子アレイ３１の隣接する受光素子の受光面のエッ
ジの主走査方向の間隔を記録ピッチ（画素クロックの１
クロックの期間にビームが走査される長さ）以上にする
ことで、確実なビーム位置検出を行うことを可能にし
た。さらに、各ビームの記録ピッチが異なる場合には、
受光素子アレイ３１の隣接する受光素子の受光面のエッ
ジの主走査方向の間隔を複数のビームのうち最大記録ピ
ッチの１倍以上に設定することによって、複数のビーム
を確実かつ高速に位置検出することが可能となり、記録
密度可変の場合でも各ビームの記録密度の変化に影響さ
れることなく複数のビーム位置検出を確実に行うことが
可能となる。

【００５６】上記第１実施例では、記録装置制御回路３
４は図２に示すようにＳＴに同期してＬＤ1on／off,Ｌ
Ｄ2on／off,ＬＤ3on／off・・・ＬＤnon／offをＨからＬに
遷移させてビーム３０₁，３０₂，３０₃・・・３０_nを点灯
させ、各ビーム３０₁，３０₂，３０₃・・・３０_nの位置検
出を行う場合、ビームとビームとの間隔が広いとＰＤ1o
utにはビーム３０₁，３０₂，３０₃・・・３０_nに対応する
光電変換信号が出力される。この場合、ビーム３０₁が
受光素子Ｓ１に入射したときには、ビーム３０₂，３０₃
・・・３０_nが受光素子Ｓ１〜Ｓｎに達していないので、受
光素子Ｓ１〜Ｓｎ以外のものによりビーム３０₂，３０₃
・・・３０_nが散乱し、その散乱光が記録媒体の記録領域に
達して記録画像の品質を劣化させてしまう可能性があ
る。そこで、本発明の他の実施例では、上記実施例にお
いて、記録装置制御回路３４はビーム位置検出を行うビ
ームのみを点灯させて他のビームの位置検出を待機さ
せ、ビーム位置検出が終了してビームを消灯してから次
のビームを点灯させて他のビームの位置検出を待機させ
るように構成し、つまり、記録用光源から出射されるｎ
本のビームのうちｋ(１≦ｋ≦ｎ−１)番目に出射される
ビームだけを点灯させてこのｋ番目に出射されるビーム
が消灯した後にｋ＋１番目に出射されるビームを点灯さ
せるように構成し、上記散乱光による記録画像の劣化を
防止した。

【００５７】この実施例は、請求項４記載の発明の実施
例であり、図１３はそのタイミングチャートを示す。図
１３において、ＷＣＬＫは画素クロック、ＳＴは記録装
置制御回路３４から分離回路３３に主走査毎に入力され
る主走査の開始を指令するタイミングクロック、ＰＤ1o
ut，ＰＤ2out，ＰＤ3out・・・ＰＤnoutはそれぞれ受光素
子Ｓ１〜Ｓｎがレーザビーム３０₁〜３０_nを受光して出
力する光電変換信号、／ＢＤ₁，／ＢＤ₂，／ＢＤ₃・・・／
ＢＤ_nは受光素子アレイ３１からの光電変換信号を分離
回路３３でスレッショルドレベルで２値化して分離した
ビーム位置検出信号（負論理）、ＬＤ1on／off,ＬＤ2on
／off,ＬＤ3on／off・・・ＬＤnon／offは記録装置制御回
路３４が各ビーム３０₁，３０₂，３０₃・・・３０_nの点灯
／非点灯を制御するための点灯／非点灯制御信号、ｍａ
ｓｋ1,ｍａｓｋ2,ｍａｓｋ3・・・ｍａｓｋnは各受光素子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３・・・Ｓｎに最初に入射するビームのみ
を有効にし、それ以降のビームを検知しないためのマス
ク信号である。

【００５８】記録用光源から射出されるｎ本のレーザビ
ームは受光素子アレイ３１に入射する直前に記録装置制
御回路３４からのＳＴの立上りエッジによってＬＤ1on
／offがＬになって点灯し、同時に受光素子アレイ３１
からの光電変換信号をアクティブにする記録装置制御回
路３４からのマスク信号ｍａｓｋ1,ｍａｓｋ2,ｍａｓｋ
3・・・ｍａｓｋnがＬになる。

【００５９】レーザビーム３０₁が受光素子Ｓ１に入射
してその入射光量に対応した光電変換信号ＰＤ1outが出
力され、この光電変換信号ＰＤ1outがスレッショルドレ
ベルを越えると、ビーム位置検出信号ＢＤ₁が分離回路
３３によりＨからＬに遷移する。ビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₁がＨからＬに遷移すると、レーザビーム３０₁の位置
検出（検知１）が行われる。

【００６０】さらに、記録走査制御回路３４はビーム位
置検出信号ＢＤ₁がＬになってから最初の画素クロック
ＷＣＬＫの立ち上がりに同期してＬＤ1on／offをＨとし
てレーザビーム３０₁を消灯させ、この時にｍａｓｋ1を
Ｈとし、これ以降に受光素子Ｓ１に入射するビームにつ
いては同じ主走査内ではビーム位置検出を行わない。記
録走査制御回路３４は同時にＬＤ2on／offをＬにしてビ
ーム３０₂を点灯させ、レーザビーム３０₁の消灯後の画
素クロックＷＣＬＫの立上りに同期してビーム位置検出
信号ＢＤ₁が分離回路３３によりＨとなり、ビーム３０₁
の位置検出が終了する。

【００６１】同様にしてビーム３０₂以降のビームの位
置検出（検知２・・・）が行われ、１主走査内のビーム位
置検出が全て終了した後に、記録走査制御回路３４から
の次のＳＴの立上りエッジによって、ＬＤ1on／offのみ
が同期してＬになってレーザビーム３０₁が全て点灯
し、さらに、記録装置制御回路３４からのマスク信号ｍ
ａｓｋ1,ｍａｓｋ2,ｍａｓｋ3・・・ｍａｓｋnがＬになっ
て次の主走査のビーム位置検出を待機する。

【００６２】本発明の第４実施例は、請求項５記載の発
明の実施例であり、上記第１実施例において、複数のビ
ーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画素クロ
ックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期させ、
かつ、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画素ク
ロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの１組を基準と
して画像記録領域の設定等の制御信号を生成するように
したものである。

【００６３】この第４実施例では、図１０に示す位相同
期回路(又は図１２に示す位相同期回路)で複数のビーム
位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画素クロック
ＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期させ、ま
た、記録装置制御回路３４によりビーム位置検出信号Ｂ
Ｄ₁，ＢＤ₂・・・と各画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・
・・のうちの１組を基準として画像記録領域の設定等の制
御信号を生成する。

【００６４】記録装置制御回路３４は画像記録領域の設
定等の制御信号を生成する基準となる１組のビーム位置
検出信号に対応する１つのレーザビームに対して他のレ
ーザビームのズレが既知である場合には記録開始位置等
のタイミングを容易に設定して画像記録領域の設定等の
制御信号を生成することが可能である。図１４は記録開
始位置のタイミングの設定例を示す。

【００６５】図１４は、ビーム位置検出信号ＢＤ₁，Ｂ
Ｄ₂・・・に位相同期した画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬ
Ｋ₂・・・の周期が互いに等しく、レーザビーム３０₂のビ
ーム位置がレーザビーム３０₁のビーム位置に対して画
素クロックで２．５クロック分遅れ、レーザビーム３０
₃のビーム位置がレーザビーム３０₁のビーム位置に対し
て画素クロックで２．５クロック分進んでいる様子を示
す。記録装置制御回路３４はレーザビーム３０₁に対す
るビーム位置検出信号ＢＤ₁と画素クロックＷＣＬＫ₁を
基準として記録開始位置のタイミング設定を行う。

【００６６】すなわち、記録装置制御回路３４はレーザ
ビーム３０₁が検出されてから一定の期間が経過した後
の画素クロックＷＣＬＫ₁の立ち上がりエッジａ₁に同期
してレーザビーム３０₁による記録を開始させる。レー
ザビーム３０₂による記録開始位置をレーザビーム３０₁
による記録位置と一致させるには画素クロックＷＣＬＫ
₁の立ち上がりエッジａ₁に対して画素クロックＷＣＬＫ
₂を２．５クロック遅らせればよく、また、画素クロッ
クＷＣＬＫ₂は画素クロックＷＣＬＫ₁に対して位相が
０．５クロック遅れている。そこで、記録装置制御回路
３４は画素クロックＷＣＬＫ₁を基準として画素クロッ
クＷＣＬＫ₂を２クロック遅延させてその立ち下がりエ
ッジＰ₂にレーザビーム３０₂による記録開始位置を設定
し、レーザビーム３０₂による記録開始をレーザビーム
３０₁による記録位置より２．５遅れた画素クロックＷ
ＣＬＫ₂の立ち上がりエッジａ₂で開始させることでレー
ザビーム３０₁による記録位置とレーザビーム３０₂によ
る記録位置とを一致させる。

【００６７】同様にして、レーザビーム３０₃による記
録開始位置をレーザビーム３０₁による記録位置と一致
させるには画素クロックＷＣＬＫ₁の立ち上がりエッジ
ａ₁に対して画素クロックＷＣＬＫ₃を２．５クロック進
めればよく、また、画素クロックＷＣＬＫ₃は画素クロ
ックＷＣＬＫ₁に対して位相が０．５クロック遅れてい
る。そこで、記録装置制御回路３４は画素クロックＷＣ
ＬＫ₁を基準として画素クロックＷＣＬＫ₃を３クロック
分位相を進ませてその立ち下がりエッジＰ₃にレーザビ
ーム３０₃による記録開始位置を設定し、レーザビーム
３０₃による記録開始をレーザビーム３０₁による記録位
置より２．５進んだ画素クロックＷＣＬＫ₃の立ち上が
りエッジａ₃で開始させることでレーザビーム３０₁によ
る記録位置とレーザビーム３０₃による記録位置とを一
致させる。

【００６８】このようにすれば、１つのレーザビームの
位置を基準として複数のレーザビームによる記録位置を
一致させるように設定することができ、かつ、各画素ク
ロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・をビーム位置検出信号
ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と位相同期させていることにより記録
位置の誤差が小さくなる。

【００６９】記録装置制御回路３４は図１５に示すよう
に制御信号生成部４０を有し、この制御信号生成部４０
は上記位相同期回路４１からの画素クロックＷＣＬ
Ｋ₁，ＷＣＬＫ₂・・・と分離回路３３からのビーム位置検
出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・とから記録開始，画像記録領域
等を制御するための制御信号を生成する。ビデオ部４２
は制御信号生成部４０からの制御信号に応じて画素クロ
ックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・に同期して画像信号を出
力し、記録用光源の各半導体レーザがそれぞれ駆動回路
によりそれらの画像信号に応じて変調される。

【００７０】この第４実施例では、ビーム位置検出信号
ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・の位相と各画素クロックＷＣＬＫ₁，Ｗ
ＣＬＫ₂・・・の位相とを略同期させるので、露光走査方向
の記録位置ズレが少なくなり、記録位置の誤差を位相同
期誤差内に抑えることができる。また、画素クロックを
全部用いずに１組だけ用いて記録開始，画像記録領域等
を制御するための制御信号を生成するので、記録開始，
画像記録領域等の制御をその精度を劣化させることなく
行うことが可能となり、制御回路の簡略化も計ることが
でき、廉価で信頼性の高いマルチビーム記録装置を実現
できる。

【００７１】本発明の第５実施例は請求項５記載の発明
の実施例であり、上記第４実施例において、記録装置制
御回路３４が制御信号生成部４０の代りに図１６に示す
ように制御信号生成部４３を有するものである。この制
御信号生成部４３は上記位相同期回路４１から出力され
る画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの１つ
の画素クロックＷＣＬＫ₁と分離回路３３からのビーム
位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・とから記録開始，画像記
録領域等を制御するための制御信号を生成してビデオ部
４２へ出力する。従って、第４実施例と同様な効果が得
られ、さらに第４実施例に比べて制御信号生成部を簡略
化することができる。

【００７２】図１７は本発明の第６実施例のビーム位置
ズレ検出回路を示し、図１８はそのタイミングチャート
を示す。この第６実施例は請求項６記載の発明の実施例
であり、上記実施例において、ビーム位置ズレ検出回路
が設けられている。この第６実施例はｎ＝３の場合であ
る。ビーム位置ズレ検出回路は主走査開始後の最初に検
出されるビーム位置を基準としてその他のビーム位置の
ズレを検出するものであり、ビーム数をカウントするた
めのカウンタ４４と、主走査開始後の最初のビーム位置
検出信号ＢＤ₁によって０にリセットされて主走査開始
後の最初のビーム位置検出信号ＢＤ₁に位相同期された
画素クロックＷＣＬＫ₁をカウントするためのカウンタ
４５と、２番目以降のレーザビーム３０₂・・・の位置検出
時のカウンタ４５のアドレスをビーム位置ズレデータと
して格納するバッファ４６と、カウンタ４４，４５およ
びバッファ４６の制御信号を生成するためのフリップフ
ロップ４７，４８，４９を有する。

【００７３】カウンタ４４にはフリップフロップ４９か
らカウント許可信号／ＥＮが入力され、バッファ４６に
はフリップフロップ４８から書き込み許可信号／ＷＥが
入力される。また、バッファ４６には記録装置制御回路
３４からデータ読み出し許可信号／ＲＥが入力される。
画素クロックＷＣＬＫ₁を除いた全ての信号は負論理で
ある。

【００７４】主走査開始後に分離回路３３からのビーム
位置検出信号ＢＤ₁がカウンタ４４，４５にリセット信
号として入力されてカウンタ４４，４５がリセットさ
れ、カウンタ４５が上記画素クロックＷＣＬＫ₁のカウ
ントを開始する。フリップフロップ４７は分離回路３３
からのビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂,ＢＤ₃がオア回
路５０を介して入力され、上記画素クロックＷＣＬＫ₁
の立ち上がりでオア回路５０の出力信号をラッチする。

【００７５】主走査開始後に分離回路３３からのビーム
位置検出信号ＢＤ₁がカウンタ４４，４５にリセット信
号として入力されてカウンタ４４，４５がリセットさ
れ、カウンタ４５が上記画素クロックＷＣＬＫ₁のカウ
ントを開始する。フリップフロップ４７は分離回路３３
からのビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂,ＢＤ₃がオア回
路５０を介して入力され、上記画素クロックＷＣＬＫ₁
の立ち上がりでオア回路５０の出力信号をラッチする。

【００７６】ノア回路５１はオア回路５０の出力信号及
びフリップフロップ４７の非反転出力信号が入力され、
オア回路５１の出力信号がＬでフリップフロップ４７の
非反転出力信号がＨのときに出力信号がＨとなる。フリ
ップフロップ４９は上記画素クロックＷＣＬＫ₁の立ち
上がりでノア回路５１の出力信号をラッチし、非反転出
力信号をカウント許可信号／ＥＮとしてカウンタ４４へ
出力する。したがって、カウント許可信号／ＥＮは各ビ
ーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂,ＢＤ₃がオア回路５１に
入力される度にＬとなってカウンタ４４のカウントを許
可し、カウンタ４４がレーザビーム３０₁，３０₂，３０
₃の位置検出が行われる度に画素クロックＷＣＬＫ₁によ
り１つづつインクリメントされて行く。

【００７７】また、フリップフロップ４７の反転出力信
号及びオア回路５１の出力信号がノア回路５２に入力さ
れ、フリップフロップ４８が上記画素クロックＷＣＬＫ
₁の立ち上がりでノア回路５２の出力信号をラッチす
る。カウント許可信号／ＥＮがＬになると、画素クロッ
クＷＣＬＫ₁で１クロック分遅延してフリップフロップ
４８からの書き込み許可信号／ＷＥがＬになり、バッフ
ァ４６がカウンタ４４により指定されるアドレス(レー
ザビーム３０₁，３０₂，３０₃に対応したアドレス)にカ
ウンタ４５のカウント内容、つまり画素クロックＷＣＬ
Ｋ₁を単位とした各レーザビームのビーム位置ズレデー
タが格納される。

【００７８】記録装置制御回路３４はバッファ４６から
それらの位置ズレデータを必要に応じて呼び出し、これ
らの位置ズレデータとビーム位置検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂
・・・と各画素クロックＷＣＬＫ₁，ＷＣＬＫ₂・・・のうちの
１組を基準として画像記録領域の設定等の制御信号を生
成する。この場合、記録装置制御回路３４はビーム位置
検出信号ＢＤ₁，ＢＤ₂・・・と各画素クロックＷＣＬＫ₁，
ＷＣＬＫ₂・・・(またはそのうちの１組)を基準としてこれ
を位置ズレデータで補正することによりビーム位置ズレ
の補正を行う。従って、画像記録領域等の制御信号の生
成基準となるビーム位置と、それ以外のビーム位置との
ズレの自動検出が可能となり、環境変動等による経時の
ビーム位置変動に影響されない信頼性の高いマルチビー
ム記録装置の実現が可能となる。

【００７９】この第６実施例では、ビーム位置ズレ検出
回路により各レーザビームの位置ズレを検出して記録装
置制御回路３４により各レーザビームの位置ズレを補正
するので、装置の温度上昇等の環境変動によりビーム位
置が変動した場合でも各レーザビームの位置ズレを補正
することができて信頼性の高い高精度なマルチビーム記
録装置の実現が可能となる。

【００８０】本発明の別の実施例では、上記各実施例に
おいて、記録用光源の複数の半導体レーザの代りに画像
信号に応じて独立に変調可能な複数の発光部を１チップ
内に有する半導体レーザアレイを用いた。この実施例で
は半導体レーザアレイはビームが一定のピッチで固定さ
れるので、複数のビームの間に規則的な角度及び等しい
間隔を容易に設けることが可能となり、比較的容易に高
精度な複数ビーム位置検出を行うことができる。

【００８１】

【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明によれ
ば、画像情報信号に応じて独立に変調されるｎ（ｎ≧
２）個の発光部を有する記録用光源を有し、この記録用
光源の発光部から出射されるｎ本のビームをｎ個の微小
な光スポットに集光結像し、これらの光スポットによる
記録媒体の露光走査で画像の記録を行うマルチビーム記
録装置において、前記光スポットの露光走査範囲内にお
ける非記録領域に配置されたｎ個の受光素子を有し前記
ｎ本のビームを受光する受光素子アレイと、この受光素
子アレイの各受光素子に前記ｎ本のビームを順次に１本
づつ検出させて該検出されたビームから順次に前記ｎ本
のビームを消灯させる第１の手段とを備えたので、各ビ
ームの位置検出を正確に行うことができ、また、受光素
子アレイの各受光素子より出力される信号を分離するこ
となくそのままビーム位置検出信号として利用すること
ができて信号処理回路の高速化が可能となり、高速で高
精度なマルチビーム記録装置を実現できる。

【００８２】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載のマルチビーム記録装置において、前記ｎ本のビーム
の露光走査方向の記録密度を独立に設定する記録密度設
定手段を備えたので、選択的に複数の記録密度で記録を
行うことが可能となり、比較的汎用性の高いマルチビー
ム記録装置の提供が可能となる。

【００８３】請求項３記載の発明によれば、請求項１ま
たは２記載のマルチビーム記録装置において、前記受光
素子アレイの隣接する各受光素子の端部の露光走査方向
の間隔を前記ｎ本のビームによる記録ピッチの最大値の
１倍以上としたので、位置検出されたビームが受光素子
アレイ内の隣接する次の受光素子通過する前に消灯され
て複数のビームの位置検出を確実かつ高速に行うことが
でき、また、記録密度可変の場合でも各ビームの記録密
度の変化に影響されることなく複数のビームの確実な位
置検出を行うことが可能となる。

【００８４】請求項４記載の発明によれば、請求項３記
載のマルチビーム記録装置において、前記第１の手段は
前記記録用光源から出射されるｎ本のビームのうちｋ
(１≦ｋ≦ｎ−１)番目に出射されるビームだけを点灯さ
せてこのｋ番目に出射されるビームが消灯した後にｋ＋
１番目に出射されるビームを点灯させるので、画像品質
の劣化を防止することが可能となる。

【００８５】請求項５記載の発明によれば、請求項１，
２，３または４記載のマルチビーム記録装置において、
露光走査範囲内の非記録領域に配置された前記ｎ個の受
光素子からの前記ｎ本のビームに対するビーム位置検出
信号に基づいて前記ｎ本のビームの各変調クロックの位
相と前記ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号の位
相とを略同期させる第２の手段と、この第２の手段によ
り前記ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号と位相
が略同期させられた変調クロックのうちの１組を基準と
して画像記録領域の設定等の制御信号を生成する第３の
手段とを備えたので、ビーム位置検出信号の位相と各画
素クロックの位相とを略同期させることにより、露光走
査方向の記録位置ズレが少ないマルチビーム記録装置を
実現できる。また、画素クロックを全部用いずに１組だ
け用いて記録開始，画像記録領域等を制御するための制
御信号を生成することにより、記録開始，画像記録領域
等の制御をその精度を劣化させることなく行うことが可
能となり、制御回路の簡略化も計ることができ、廉価で
信頼性の高いマルチビーム記録装置を実現できる。

【００８６】請求項６記載の発明によれば、請求項５記
載のマルチビーム記録装置において、露光走査範囲内の
非記録領域に配置された前記ｎ個の受光素子からの前記
ｎ本のビームに対するビーム位置検出信号に基づいて、
画像記録領域の設定等の制御信号を生成する基準となる
ビーム位置と，それ以外のビーム位置とのズレを検出す
る第４の手段を備えたので、装置の温度上昇等の環境変
動によりビーム位置が変動した場合でも各レーザビーム
の位置ズレを補正することが可能であり、信頼性の高い
高精度なマルチビーム記録装置の実現が可能となる。

【００８７】請求項７記載の発明によれば、請求項１，
２，３，４，５または６記載のマルチビーム記録装置に
おいて、前記記録用光源を１チップ内に独立に変調可能
な複数の発光点を有する半導体レーザアレイで構成した
ので、比較的容易に高いビーム配列精度が得られ、高精
度なマルチビーム記録装置の実現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の一部を示す図である。

【図２】同第１実施例における１本のレーザビームに対
するビーム位置検出動作を示すタイミングチャートであ
る。

【図３】レーザプリンタに用いられるレーザ光学系の一
例を示す斜視図である。

【図４】マルチビーム記録方式で用いられる複数の半導
体レーザを光源としたレーザ走査光学系の一例を示す正
面図である。

【図５】同レーザ走査光学系でレーザビームが極端に重
なってしまった場合の同期検知用受光素子の出力信号の
様子を示す波形図である。

【図６】同レーザ走査光学系でレーザビームが１／４ほ
ど重なった場合の信号の様子を示す波形図である。

【図７】同レーザ走査光学系でレーザビームが微小な時
間だけ重なり合った場合の信号の様子を示す波形図であ
る。

【図８】上記第１実施例の回路構成を示すブロック図で
ある。

【図９】同第１実施例の動作例を示すタイミングチャー
トである。

【図１０】本発明の第２実施例に用いられる位相同期回
路を示すブロック図である。

【図１１】同位相同期回路のタイミングチャートであ
る。

【図１２】本発明の第３実施例に用いられる位相同期回
路を示すブロック図である。

【図１３】本発明の他の実施例のタイミングチャート図
である。

【図１４】本発明の第４実施例における記録開始位置の
タイミングの設定例を示すタイミングチャートである。

【図１５】同第４実施例の一部を示すブロック図であ
る。

【図１６】本発明の第５実施例の一部を示すブロック図
である。

【図１７】本発明の第６実施例のビーム位置ズレ検出回
路を示すブロック図である。

【図１８】同ビーム位置ズレ検出回路のタイミングチャ
ートである。

【符号の説明】

３１受光素子アレイＳ１〜Ｓｎ受光素子３３分離回路３４制御回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画像情報信号に応じて独立に変調されるｎ
（ｎ≧２）個の発光部を有する記録用光源を有し、この
記録用光源の発光部から出射されるｎ本のビームをｎ個
の微小な光スポットに集光結像し、これらの光スポット
による記録媒体の露光走査で画像の記録を行うマルチビ
ーム記録装置において、前記光スポットの露光走査範囲
内における非記録領域に配置されたｎ個の受光素子を有
し前記ｎ本のビームを受光する受光素子アレイと、この
受光素子アレイの各受光素子に前記ｎ本のビームを順次
に１本づつ検出させて該検出されたビームから順次に前
記ｎ本のビームを消灯させる第１の手段とを備えたこと
を特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項２】請求項１記載のマルチビーム記録装置にお
いて、前記ｎ本のビームの露光走査方向の記録密度を独
立に設定する記録密度設定手段を備えたことを特徴とす
るマルチビーム記録装置。
【請求項３】請求項１または２記載のマルチビーム記録
装置において、前記受光素子アレイの隣接する各受光素
子の端部の露光走査方向の間隔を前記ｎ本のビームによ
る記録ピッチの最大値の１倍以上としたことを特徴とす
るマルチビーム記録装置。
【請求項４】請求項３記載のマルチビーム記録装置にお
いて、前記第１の手段は前記記録用光源から出射される
ｎ本のビームのうちｋ(１≦ｋ≦ｎ−１)番目に出射され
るビームだけを点灯させてこのｋ番目に出射されるビー
ムが消灯した後にｋ＋１番目に出射されるビームを点灯
させることを特徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項５】請求項１，２，３または４記載のマルチビ
ーム記録装置において、露光走査範囲内の非記録領域に
配置された前記ｎ個の受光素子からの前記ｎ本のビーム
に対するビーム位置検出信号に基づいて前記ｎ本のビー
ムの各変調クロックの位相と前記ｎ本のビームに対する
ビーム位置検出信号の位相とを略同期させる第２の手段
と、この第２の手段により前記ｎ本のビームに対するビ
ーム位置検出信号と位相が略同期させられた変調クロッ
クのうちの１組を基準として画像記録領域の設定等の制
御信号を生成する第３の手段とを備えたことを特徴とす
るマルチビーム記録装置。
【請求項６】請求項５記載のマルチビーム記録装置にお
いて、露光走査範囲内の非記録領域に配置された前記ｎ
個の受光素子からの前記ｎ本のビームに対するビーム位
置検出信号に基づいて、画像記録領域の設定等の制御信
号を生成する基準となるビーム位置と，それ以外のビー
ム位置とのズレを検出する第４の手段を備えたことを特
徴とするマルチビーム記録装置。
【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６記載の
マルチビーム記録装置において、前記記録用光源を１チ
ップ内に独立に変調可能な複数の発光点を有する半導体
レーザアレイで構成したことを特徴とするマルチビーム
記録装置。