JPH06302476A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法Info
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- JPH06302476A JPH06302476A JP9111293A JP9111293A JPH06302476A JP H06302476 A JPH06302476 A JP H06302476A JP 9111293 A JP9111293 A JP 9111293A JP 9111293 A JP9111293 A JP 9111293A JP H06302476 A JPH06302476 A JP H06302476A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化皮膜の欠陥が少なく、漏れ電流を大幅に
低減させることができるアルミ電解コンデンサ用電極箔
の化成方法を提供することを目的とする。 【構成】 ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液中でア
ルミ箔の陽極酸化を行うことにより表面にポーラス皮膜
を生成させるポーラス皮膜生成工程と、この後、前記ア
ルミ箔を化成してバリアー皮膜を生成させるバリアー皮
膜生成工程とを有し、前記ポーラス皮膜生成工程の前
に、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液と同じ溶液中
でアルミ箔の化学処理を行う化学処理工程を設け、この
化学処理により、アルミ箔の表面の余分な水和皮膜等を
除去するようにしたものである。
低減させることができるアルミ電解コンデンサ用電極箔
の化成方法を提供することを目的とする。 【構成】 ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液中でア
ルミ箔の陽極酸化を行うことにより表面にポーラス皮膜
を生成させるポーラス皮膜生成工程と、この後、前記ア
ルミ箔を化成してバリアー皮膜を生成させるバリアー皮
膜生成工程とを有し、前記ポーラス皮膜生成工程の前
に、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液と同じ溶液中
でアルミ箔の化学処理を行う化学処理工程を設け、この
化学処理により、アルミ箔の表面の余分な水和皮膜等を
除去するようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミ電解コンデンサ用
電極箔の化成方法に関するものである。
電極箔の化成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、アルミ電解コンデンサの小型化及
び高品質化が強く要望されており、これらの要望を満た
すためには、このアルミ電解コンデンサに使用している
アルミ箔の実効表面積を向上させるとともに、化成工程
で生成させる酸化皮膜の特性を向上させることが不可欠
である。
び高品質化が強く要望されており、これらの要望を満た
すためには、このアルミ電解コンデンサに使用している
アルミ箔の実効表面積を向上させるとともに、化成工程
で生成させる酸化皮膜の特性を向上させることが不可欠
である。
【０００３】以下に従来のアルミ電解コンデンサ用電極
箔の化成方法について説明する。まず、化成の前段にお
ける前処理として、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶
液中でアルミ箔の陽極酸化を行うことにより表面にポー
ラス皮膜を生成させ、その後、ホウ酸及びホウ酸塩、ア
ジピン酸及びアジピン酸塩、リン酸及びリン酸塩の単独
水溶液もしくはこれらのものの混合水溶液を用いて化成
を行うことにより、欠陥が少なく漏れ電流特性が優れて
いるアルミ電解コンデンサ用電極箔を得ていた。
箔の化成方法について説明する。まず、化成の前段にお
ける前処理として、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶
液中でアルミ箔の陽極酸化を行うことにより表面にポー
ラス皮膜を生成させ、その後、ホウ酸及びホウ酸塩、ア
ジピン酸及びアジピン酸塩、リン酸及びリン酸塩の単独
水溶液もしくはこれらのものの混合水溶液を用いて化成
を行うことにより、欠陥が少なく漏れ電流特性が優れて
いるアルミ電解コンデンサ用電極箔を得ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の化成方法では、アルミ箔の表面に存在する水和
皮膜等の影響により、ポーラス皮膜を生成させ得る硫酸
等の化成溶液中でアルミ箔の陽極酸化を行うことによっ
て、その表面にポーラス皮膜を生成させる前処理を行う
際に、結晶化に伴う欠陥が入って漏れ電流が大きくなる
場合があるという問題点を有していた。
た従来の化成方法では、アルミ箔の表面に存在する水和
皮膜等の影響により、ポーラス皮膜を生成させ得る硫酸
等の化成溶液中でアルミ箔の陽極酸化を行うことによっ
て、その表面にポーラス皮膜を生成させる前処理を行う
際に、結晶化に伴う欠陥が入って漏れ電流が大きくなる
場合があるという問題点を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、酸化皮膜中の欠陥が少なく、漏れ電流を大幅に低減
させることができるアルミ電解コンデンサ用電極箔の化
成方法を提供することを目的とするものである。
で、酸化皮膜中の欠陥が少なく、漏れ電流を大幅に低減
させることができるアルミ電解コンデンサ用電極箔の化
成方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法
は、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液中でアルミ箔
の陽極酸化を行うことにより表面にポーラス皮膜を生成
させるポーラス皮膜生成工程と、この後、前記アルミ箔
を化成してバリアー皮膜を生成させるバリアー皮膜生成
工程とを有し、前記ポーラス皮膜生成工程の前に、ポー
ラス皮膜を生成させ得る化成溶液と同じ溶液中でアルミ
箔の化学処理を行う化学処理工程を設けたものである。
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法
は、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液中でアルミ箔
の陽極酸化を行うことにより表面にポーラス皮膜を生成
させるポーラス皮膜生成工程と、この後、前記アルミ箔
を化成してバリアー皮膜を生成させるバリアー皮膜生成
工程とを有し、前記ポーラス皮膜生成工程の前に、ポー
ラス皮膜を生成させ得る化成溶液と同じ溶液中でアルミ
箔の化学処理を行う化学処理工程を設けたものである。
【０００７】
【作用】上記したアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成
方法によれば、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液中
でアルミ箔の陽極酸化を行うことにより表面にポーラス
皮膜を生成させるポーラス皮膜生成工程の前に、ポーラ
ス皮膜を生成させ得る化成溶液と同じ溶液中でアルミ箔
の化学処理を行う化学処理工程を設けているため、この
化学処理工程により、アルミ箔の表面の余分な水和皮膜
等を除去することができ、そしてこの化学処理工程と次
のポーラス皮膜生成工程は同じ溶液で行うようにしてい
るため、ポーラス皮膜生成工程の前にアルミ箔の水洗い
処理をするという必要はなくなり、これにより、新たな
水和皮膜が形成されるのも防止することができる。そし
てこのような状態のアルミ箔では、ポーラス皮膜生成工
程での結晶化による欠陥生成を防止することができると
ともに、その表面にバリアー皮膜が生成されるため、酸
化皮膜の欠陥は少なくなり、これにより、漏れ電流を大
幅に低減させることができるものである。
方法によれば、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液中
でアルミ箔の陽極酸化を行うことにより表面にポーラス
皮膜を生成させるポーラス皮膜生成工程の前に、ポーラ
ス皮膜を生成させ得る化成溶液と同じ溶液中でアルミ箔
の化学処理を行う化学処理工程を設けているため、この
化学処理工程により、アルミ箔の表面の余分な水和皮膜
等を除去することができ、そしてこの化学処理工程と次
のポーラス皮膜生成工程は同じ溶液で行うようにしてい
るため、ポーラス皮膜生成工程の前にアルミ箔の水洗い
処理をするという必要はなくなり、これにより、新たな
水和皮膜が形成されるのも防止することができる。そし
てこのような状態のアルミ箔では、ポーラス皮膜生成工
程での結晶化による欠陥生成を防止することができると
ともに、その表面にバリアー皮膜が生成されるため、酸
化皮膜の欠陥は少なくなり、これにより、漏れ電流を大
幅に低減させることができるものである。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例と従来例について説明
する。
する。
【０００９】（実施例１）液温が４５℃の１０ｗｔ％の
硫酸溶液中にアルミ箔を２分間浸漬して化学処理を行
い、この後、同じ溶液中で電流密度が５０mA／cm2の直
流電流を１２分間印加してアルミ箔の陽極酸化を行うこ
とにより表面にポーラス皮膜を生成させる前処理を行
う。さらにこの後、８ｗｔ％のホウ酸に０．０４ｗｔ％
のホウ安を添加した液温９０℃の水溶液中で前記アルミ
箔に電流密度が２５mA／cm2の化成電圧４００Ｖで化成
を行い、そして４００Ｖに上昇した後は定電圧で１０分
間保持することにより、バリアー皮膜を生成させた。
硫酸溶液中にアルミ箔を２分間浸漬して化学処理を行
い、この後、同じ溶液中で電流密度が５０mA／cm2の直
流電流を１２分間印加してアルミ箔の陽極酸化を行うこ
とにより表面にポーラス皮膜を生成させる前処理を行
う。さらにこの後、８ｗｔ％のホウ酸に０．０４ｗｔ％
のホウ安を添加した液温９０℃の水溶液中で前記アルミ
箔に電流密度が２５mA／cm2の化成電圧４００Ｖで化成
を行い、そして４００Ｖに上昇した後は定電圧で１０分
間保持することにより、バリアー皮膜を生成させた。
【００１０】（実施例２）液温が４５℃の１０ｗｔ％の
硫酸溶液によりアルミ箔のシャワー処理を２分間行って
化学処理を行い、この後、同じ溶液中で電流密度が５０
mA／cm2の直流電流を１２分間印加してアルミ箔の陽極
酸化を行うことにより表面にポーラス皮膜を生成させる
前処理を行う。さらにこの後、８ｗｔ％のホウ酸に０．
０４ｗｔ％のホウ安を添加した液温９０℃の水溶液中で
前記アルミ箔に電流密度が２５mA／cm2の化成電圧４０
０Ｖで化成を行い、そして４００Ｖに上昇した後は定電
圧で１０分間保持することにより、バリアー皮膜を生成
させた。
硫酸溶液によりアルミ箔のシャワー処理を２分間行って
化学処理を行い、この後、同じ溶液中で電流密度が５０
mA／cm2の直流電流を１２分間印加してアルミ箔の陽極
酸化を行うことにより表面にポーラス皮膜を生成させる
前処理を行う。さらにこの後、８ｗｔ％のホウ酸に０．
０４ｗｔ％のホウ安を添加した液温９０℃の水溶液中で
前記アルミ箔に電流密度が２５mA／cm2の化成電圧４０
０Ｖで化成を行い、そして４００Ｖに上昇した後は定電
圧で１０分間保持することにより、バリアー皮膜を生成
させた。
【００１１】（比較例）液温が４５℃の１０ｗｔ％の硫
酸溶液中で電流密度が５０mA／cm2の直流電流を１２分
間印加してアルミ箔の陽極酸化を行うことにより表面に
ポーラス皮膜を生成させる前処理を行う。さらにこの
後、８ｗｔ％のホウ酸に０．０４ｗｔ％のホウ安を添加
した液温９０℃の水溶液中で前記アルミ箔に電流密度が
２５mA／cm 2の化成電圧４００Ｖで化成を行い、そして
４００Ｖに上昇した後は定電圧で１０分間保持すること
により、バリアー皮膜を生成させた。
酸溶液中で電流密度が５０mA／cm2の直流電流を１２分
間印加してアルミ箔の陽極酸化を行うことにより表面に
ポーラス皮膜を生成させる前処理を行う。さらにこの
後、８ｗｔ％のホウ酸に０．０４ｗｔ％のホウ安を添加
した液温９０℃の水溶液中で前記アルミ箔に電流密度が
２５mA／cm 2の化成電圧４００Ｖで化成を行い、そして
４００Ｖに上昇した後は定電圧で１０分間保持すること
により、バリアー皮膜を生成させた。
【００１２】上記した本発明の実施例１，２および比較
例の化成方法により得られたそれぞれの電極箔につい
て、液温が９０℃の８ｗｔ％のホウ酸水溶液中で漏れ電
流を測定し、それに引き続いて液温が３０℃の８ｗｔ％
のホウ酸アンモン水溶液中で静電容量を測定した。その
結果を（表１）に示す。
例の化成方法により得られたそれぞれの電極箔につい
て、液温が９０℃の８ｗｔ％のホウ酸水溶液中で漏れ電
流を測定し、それに引き続いて液温が３０℃の８ｗｔ％
のホウ酸アンモン水溶液中で静電容量を測定した。その
結果を（表１）に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】この（表１）から明らかなように、本発明
の実施例１，２による化成方法は比較例の化成方法に比
較して、漏れ電流を大幅に低減させることができるもの
である。
の実施例１，２による化成方法は比較例の化成方法に比
較して、漏れ電流を大幅に低減させることができるもの
である。
【００１５】すなわち、本発明の実施例１では、上記し
たように液温が４５℃の１０ｗｔ％の硫酸溶液中にアル
ミ箔を２分間浸漬して化学処理を行い、一方、本発明の
実施例２では、液温が４５℃の１０ｗｔ％の硫酸溶液に
よりアルミ箔のシャワー処理を２分間行って化学処理を
行うようにしているため、この化学処理により、アルミ
箔の表面の余分な水和皮膜等を除去することができると
ともに、この化学処理工程と次のポーラス皮膜生成工程
は同じ硫酸溶液で行うようにしているため、ポーラス皮
膜生成工程の前にアルミ箔の水洗い処理をするという必
要はなくなり、これにより、新たな水和皮膜が形成され
るのも防止することができる。そしてこのような状態の
アルミ箔では、ポーラス皮膜生成工程での結晶化による
欠陥生成を防止することができるとともに、その表面に
バリアー皮膜が生成されるため、酸化皮膜の欠陥は少な
くなり、これにより、漏れ電流を大幅に低減させること
ができるものである。
たように液温が４５℃の１０ｗｔ％の硫酸溶液中にアル
ミ箔を２分間浸漬して化学処理を行い、一方、本発明の
実施例２では、液温が４５℃の１０ｗｔ％の硫酸溶液に
よりアルミ箔のシャワー処理を２分間行って化学処理を
行うようにしているため、この化学処理により、アルミ
箔の表面の余分な水和皮膜等を除去することができると
ともに、この化学処理工程と次のポーラス皮膜生成工程
は同じ硫酸溶液で行うようにしているため、ポーラス皮
膜生成工程の前にアルミ箔の水洗い処理をするという必
要はなくなり、これにより、新たな水和皮膜が形成され
るのも防止することができる。そしてこのような状態の
アルミ箔では、ポーラス皮膜生成工程での結晶化による
欠陥生成を防止することができるとともに、その表面に
バリアー皮膜が生成されるため、酸化皮膜の欠陥は少な
くなり、これにより、漏れ電流を大幅に低減させること
ができるものである。
【００１６】なお、上記した本発明の実施例１，２で
は、アルミ箔の表面にポーラス皮膜を生成させた後の本
化成を、８ｗｔ％のホウ酸に０．０４ｗｔ％のホウ安を
添加した水溶液中で行ったものについて説明したが、こ
れ以外のリン酸水溶液あるいはアジピン酸水溶液の単独
水溶液もしくはその混合水溶液中で行ってもよいもので
ある。また、上記した本発明の実施例１，２では、ポー
ラス皮膜を生成させ得る化成溶液として、硫酸を用いた
ものについて説明したが、硫酸以外のシュウ酸、リン酸
を用いてもよく、要は硫酸、シュウ酸、リン酸のうち、
少なくとも一種類を用いればよいものである。
は、アルミ箔の表面にポーラス皮膜を生成させた後の本
化成を、８ｗｔ％のホウ酸に０．０４ｗｔ％のホウ安を
添加した水溶液中で行ったものについて説明したが、こ
れ以外のリン酸水溶液あるいはアジピン酸水溶液の単独
水溶液もしくはその混合水溶液中で行ってもよいもので
ある。また、上記した本発明の実施例１，２では、ポー
ラス皮膜を生成させ得る化成溶液として、硫酸を用いた
ものについて説明したが、硫酸以外のシュウ酸、リン酸
を用いてもよく、要は硫酸、シュウ酸、リン酸のうち、
少なくとも一種類を用いればよいものである。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明のアルミ電解コンデ
ンサ用電極箔の化成方法によれば、ポーラス皮膜を生成
させ得る化成溶液中でアルミ箔の陽極酸化を行うことに
より表面にポーラス皮膜を生成させるポーラス皮膜生成
工程の前に、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液と同
じ溶液中でアルミ箔の化学処理を行う化学処理工程を設
けているため、この化学処理工程により、アルミ箔の表
面の余分な水和皮膜等を除去することができ、そしてこ
の化学処理工程と次のポーラス皮膜生成工程は同じ溶液
で行うようにしているため、ポーラス皮膜生成工程の前
にアルミ箔の水洗い処理をするという必要はなくなり、
これにより、新たな水和皮膜が形成されるのも防止する
ことができる。そしてこのような状態のアルミ箔では、
ポーラス皮膜生成工程での結晶化による欠陥生成を防止
することができるとともに、その表面にバリアー皮膜が
生成されるため、酸化皮膜の欠陥は少なくなり、これに
より、漏れ電流を大幅に低減させることができるもので
ある。
ンサ用電極箔の化成方法によれば、ポーラス皮膜を生成
させ得る化成溶液中でアルミ箔の陽極酸化を行うことに
より表面にポーラス皮膜を生成させるポーラス皮膜生成
工程の前に、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液と同
じ溶液中でアルミ箔の化学処理を行う化学処理工程を設
けているため、この化学処理工程により、アルミ箔の表
面の余分な水和皮膜等を除去することができ、そしてこ
の化学処理工程と次のポーラス皮膜生成工程は同じ溶液
で行うようにしているため、ポーラス皮膜生成工程の前
にアルミ箔の水洗い処理をするという必要はなくなり、
これにより、新たな水和皮膜が形成されるのも防止する
ことができる。そしてこのような状態のアルミ箔では、
ポーラス皮膜生成工程での結晶化による欠陥生成を防止
することができるとともに、その表面にバリアー皮膜が
生成されるため、酸化皮膜の欠陥は少なくなり、これに
より、漏れ電流を大幅に低減させることができるもので
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】 ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液中
でアルミ箔の陽極酸化を行うことにより表面にポーラス
皮膜を生成させるポーラス皮膜生成工程と、この後、前
記アルミ箔を化成してバリアー皮膜を生成させるバリア
ー皮膜生成工程とを有し、前記ポーラス皮膜生成工程の
前に、ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液と同じ溶液
中でアルミ箔の化学処理を行う化学処理工程を設けたア
ルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法。 - 【請求項２】 ポーラス皮膜を生成させ得る化成溶液は
硫酸、シュウ酸、リン酸のうち少なくとも一種類からな
る請求項１記載のアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9111293A JPH06302476A (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9111293A JPH06302476A (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302476A true JPH06302476A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14017439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9111293A Pending JPH06302476A (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302476A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098532A (ja) * | 2006-10-14 | 2008-04-24 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
| KR101356545B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2014-02-06 | 삼영전자공업(주) | 전해콘덴서용 알루미늄 전극박의 제조방법 |
| CN109609991A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-12 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 化成箔、制备方法及其应用 |
-
1993
- 1993-04-19 JP JP9111293A patent/JPH06302476A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098532A (ja) * | 2006-10-14 | 2008-04-24 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
| KR101356545B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2014-02-06 | 삼영전자공업(주) | 전해콘덴서용 알루미늄 전극박의 제조방법 |
| CN109609991A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-12 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 化成箔、制备方法及其应用 |
| CN109609991B (zh) * | 2018-12-26 | 2020-03-24 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 化成箔、制备方法及其应用 |
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