JPH06283825A - 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードInfo
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- JPH06283825A JPH06283825A JP9201793A JP9201793A JPH06283825A JP H06283825 A JPH06283825 A JP H06283825A JP 9201793 A JP9201793 A JP 9201793A JP 9201793 A JP9201793 A JP 9201793A JP H06283825 A JPH06283825 A JP H06283825A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオー
ドにおけるレーザ発振をし易くすると共に閾値電流を下
げること。 【構成】 サファイア基板１１上には、 ＡlＮ層１２、
Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）１３、Ｓi ドープｎ型
ＡlＧaＮ層（ｎ層）１４、Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層１
５、アンドープＡlＧaＮ層１６、Ｍg ドープｐ型ＡlＧa
Ｎ層（ｐ層）１７及びＭg ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）
１８が順次積層され形成されている。又、上記 ＧaＮ層
１３及び ＧaＮ層１８とにはそれぞれ金属電極１３ａ，
１８ａが形成されている。この構成によれば、ＡlＧaＮ
層１７からの不純物Ｍg の拡散をアンドープＡlＧaＮ層
１６にて吸収して防止できる。これにより、本発明の半
導体レーザダイオードは、不安定な高エネルギー状態が
作り易くなり誘導放出を利用したレーザ発振がし易くな
ると共にその閾値電流を下げることができる。
ドにおけるレーザ発振をし易くすると共に閾値電流を下
げること。 【構成】 サファイア基板１１上には、 ＡlＮ層１２、
Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）１３、Ｓi ドープｎ型
ＡlＧaＮ層（ｎ層）１４、Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層１
５、アンドープＡlＧaＮ層１６、Ｍg ドープｐ型ＡlＧa
Ｎ層（ｐ層）１７及びＭg ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）
１８が順次積層され形成されている。又、上記 ＧaＮ層
１３及び ＧaＮ層１８とにはそれぞれ金属電極１３ａ，
１８ａが形成されている。この構成によれば、ＡlＧaＮ
層１７からの不純物Ｍg の拡散をアンドープＡlＧaＮ層
１６にて吸収して防止できる。これにより、本発明の半
導体レーザダイオードは、不安定な高エネルギー状態が
作り易くなり誘導放出を利用したレーザ発振がし易くな
ると共にその閾値電流を下げることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化ガリウム系化合物
半導体レーザダイオードの成膜中における拡散防止構造
に関する。
半導体レーザダイオードの成膜中における拡散防止構造
に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、短波長レーザダイオードであるサフ
ァイア基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
ダイオード１０は、図２の模式図に示したような積層さ
れた結晶成長膜構造である。サファイア基板１上には、
ＡlＮ層２、Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）３、Ｓi
ドープｎ型ＡlＧaＮ層（ｎ層）４、Ｓi ドープｎ型 Ｇa
Ｎ層５、Ｍg ドープｐ型ＡlＧaＮ層（ｐ層）６及びＭg
ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）７が順次積層され形成され
ている。この積層された結晶成長膜では、活性層である
Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層５とＭg ドープｐ型ＡlＧaＮ層
（ｐ層）６とが隣合って形成されている。
ァイア基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
ダイオード１０は、図２の模式図に示したような積層さ
れた結晶成長膜構造である。サファイア基板１上には、
ＡlＮ層２、Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）３、Ｓi
ドープｎ型ＡlＧaＮ層（ｎ層）４、Ｓi ドープｎ型 Ｇa
Ｎ層５、Ｍg ドープｐ型ＡlＧaＮ層（ｐ層）６及びＭg
ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）７が順次積層され形成され
ている。この積層された結晶成長膜では、活性層である
Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層５とＭg ドープｐ型ＡlＧaＮ層
（ｐ層）６とが隣合って形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の結晶成長膜中に
おいて、Ｍg ドープＡlＧaＮ層から活性層であるＳi ド
ープＧaＮ層 中にＭg が拡散するという現象がある。こ
のＭg は、活性層内ではアクセプタ（半導体の電子受容
体）として働くため、電流注入を行った場合の発光は、
主として、Ｄ（ドナー）−Ａ（アクセプタ）間のペア発
光が支配的となる。すると、バンド間遷移の発光は僅か
となるため、レーザ発振に至らない又は閾値電流がかな
り高くなってしまうという問題があった。
おいて、Ｍg ドープＡlＧaＮ層から活性層であるＳi ド
ープＧaＮ層 中にＭg が拡散するという現象がある。こ
のＭg は、活性層内ではアクセプタ（半導体の電子受容
体）として働くため、電流注入を行った場合の発光は、
主として、Ｄ（ドナー）−Ａ（アクセプタ）間のペア発
光が支配的となる。すると、バンド間遷移の発光は僅か
となるため、レーザ発振に至らない又は閾値電流がかな
り高くなってしまうという問題があった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、窒化ガリ
ウム系化合物半導体レーザダイオードにおけるレーザ発
振をし易くすると共に閾値電流を下げることである。
されたものであり、その目的とするところは、窒化ガリ
ウム系化合物半導体レーザダイオードにおけるレーザ発
振をし易くすると共に閾値電流を下げることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、ｎ型導電性を示す窒化ガリウム系化合
物半導体（ＡlYＧa1-YＮ：０≦Ｙ≦１）から成るｎ層
と、ｐ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ
lYＧa1-YＮ：０≦Ｙ≦１）から成るｐ層と、前記ｎ層と
前記ｐ層との間にアンドープの窒化ガリウム系化合物半
導体（ＡlxＧa1-xＮ：０≦Ｘ≦Ｙ≦１）から成る拡散防
止層とを有することを特徴とする。
の発明の構成は、ｎ型導電性を示す窒化ガリウム系化合
物半導体（ＡlYＧa1-YＮ：０≦Ｙ≦１）から成るｎ層
と、ｐ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ
lYＧa1-YＮ：０≦Ｙ≦１）から成るｐ層と、前記ｎ層と
前記ｐ層との間にアンドープの窒化ガリウム系化合物半
導体（ＡlxＧa1-xＮ：０≦Ｘ≦Ｙ≦１）から成る拡散防
止層とを有することを特徴とする。
【０００６】
【作用及び効果】上記の手段によれば、ｐ層にドープさ
れた物質はｎ層の方向に拡散しようとするが、そのｐ層
に隣接したアンドープ（不純物のドーピングなし）の窒
化ガリウム系化合物半導体から成る拡散防止層に吸収さ
れることとなる。このため、ｐ層とｎ層とは完全に分離
され、Ｄ（ドナー）−Ａ（アクセプタ）ペアの発光確率
を少なくすることが可能となる。これにより、本発明の
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードは、不安
定な高エネルギー状態が作り易くなり誘導放出を利用し
たレーザ発振がし易くなると共にその閾値電流を下げる
ことができる。
れた物質はｎ層の方向に拡散しようとするが、そのｐ層
に隣接したアンドープ（不純物のドーピングなし）の窒
化ガリウム系化合物半導体から成る拡散防止層に吸収さ
れることとなる。このため、ｐ層とｎ層とは完全に分離
され、Ｄ（ドナー）−Ａ（アクセプタ）ペアの発光確率
を少なくすることが可能となる。これにより、本発明の
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードは、不安
定な高エネルギー状態が作り易くなり誘導放出を利用し
たレーザ発振がし易くなると共にその閾値電流を下げる
ことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係るサファイア基板を用いた窒
化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード１００の構
造を示した模式図である。サファイア基板１１上には、
ＡlＮ層１２、Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）１３、
Ｓi ドープｎ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｎ層）１４、Ｓi ドー
プｎ型 ＧaＮ層１５、アンドープＡlxＧa1-xＮ層１６、
Ｍg ドープｐ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｐ層）１７及びＭg ド
ープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１８が順次積層され形成され
ている。尚、上記Ｘ，Ｙの化学量論は、０≦Ｘ≦Ｙ≦１
である。又、１３ａ，１８ａはＳi ドープｎ型 ＧaＮ層
（ｎ層）１３及びＭg ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１８
とにそれぞれ形成された金属電極である。
明する。図１は本発明に係るサファイア基板を用いた窒
化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード１００の構
造を示した模式図である。サファイア基板１１上には、
ＡlＮ層１２、Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）１３、
Ｓi ドープｎ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｎ層）１４、Ｓi ドー
プｎ型 ＧaＮ層１５、アンドープＡlxＧa1-xＮ層１６、
Ｍg ドープｐ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｐ層）１７及びＭg ド
ープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１８が順次積層され形成され
ている。尚、上記Ｘ，Ｙの化学量論は、０≦Ｘ≦Ｙ≦１
である。又、１３ａ，１８ａはＳi ドープｎ型 ＧaＮ層
（ｎ層）１３及びＭg ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１８
とにそれぞれ形成された金属電極である。
【０００８】次に、その製造方法について説明する。
尚、本実施例の半導体レーザダイオード用単結晶の作製
には横型有機金属化合物気相成長装置を用いた。（００
０１）面を結晶成長面とするサファイア基板１１を有機
洗浄の後、結晶成長装置の結晶成長部に設置する。成長
炉を真空排気の後、水素（Ｈ2)を供給し1200℃程度まで
昇温する。これによりサファイア基板１１の表面に付着
していた炭化水素系ガスがある程度取り除かれる。
尚、本実施例の半導体レーザダイオード用単結晶の作製
には横型有機金属化合物気相成長装置を用いた。（００
０１）面を結晶成長面とするサファイア基板１１を有機
洗浄の後、結晶成長装置の結晶成長部に設置する。成長
炉を真空排気の後、水素（Ｈ2)を供給し1200℃程度まで
昇温する。これによりサファイア基板１１の表面に付着
していた炭化水素系ガスがある程度取り除かれる。
【０００９】次に、サファイア基板１１の温度を 600℃
程度まで降温し、トリメチルアルミニウム〔Ａl(ＣＨ3)
3〕 （以下、ＴＭＡという）及びアンモニア（ＮＨ3)を
供給して、サファイア基板１１上に50nm程度の膜厚を持
つ ＡlＮ層１２を形成する。次に、ＴＭＡの供給のみを
止め、基板温度を1150℃まで上げ、トリメチルガリウム
〔Ｇa(ＣＨ3)3〕 （以下、ＴＭＧという）及びシラン
（ＳiＨ4）及びＮＨ3を供給し、厚さ2000nmのＳi ドー
プｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）１３を成長する。次に、基板温
度を1150℃に保持して、ＴＭＧ及びＳiＨ4及びＮＨ3 の
供給にＴＭＡを加え、厚さ 400nmのＳi ドープｎ型ＡlY
Ｇa1-YＮ層（ｎ層）１４を成長する。
程度まで降温し、トリメチルアルミニウム〔Ａl(ＣＨ3)
3〕 （以下、ＴＭＡという）及びアンモニア（ＮＨ3)を
供給して、サファイア基板１１上に50nm程度の膜厚を持
つ ＡlＮ層１２を形成する。次に、ＴＭＡの供給のみを
止め、基板温度を1150℃まで上げ、トリメチルガリウム
〔Ｇa(ＣＨ3)3〕 （以下、ＴＭＧという）及びシラン
（ＳiＨ4）及びＮＨ3を供給し、厚さ2000nmのＳi ドー
プｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）１３を成長する。次に、基板温
度を1150℃に保持して、ＴＭＧ及びＳiＨ4及びＮＨ3 の
供給にＴＭＡを加え、厚さ 400nmのＳi ドープｎ型ＡlY
Ｇa1-YＮ層（ｎ層）１４を成長する。
【００１０】次に、ＴＭＡの供給のみを止め、基板温度
を1150℃に保持したまま、ＴＭＧ、ＳiＨ4及びＮＨ3 を
供給し、厚さ 400nmのＳi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）
１５を成長する。次に、基板温度を1150℃に保持したま
ま、ＳiＨ4の供給を止め、ＴＭＧ及びＮＨ3 の供給にＴ
ＭＡを加え、厚さ 200nm未満のアンドープＡlxＧa1-xＮ
層１６を成長する。次に、基板温度を1150℃に保持した
まま、ＴＭＡ、ＴＭＧ及びＮＨ3 の供給にビスシクロペ
ンタディエニルマグネシウム（Ｃp2Ｍg)を加え、厚さ 4
00nmのＭgドープｐ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｐ層）１７を成
長する。次に、ＴＭＡの供給のみを止め、基板温度を11
50℃に保持したまま、Ｃp2Ｍg、ＴＭＧ及びＮＨ3 を供
給し、厚さ 200nmのＭg ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１
８を成長する。
を1150℃に保持したまま、ＴＭＧ、ＳiＨ4及びＮＨ3 を
供給し、厚さ 400nmのＳi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）
１５を成長する。次に、基板温度を1150℃に保持したま
ま、ＳiＨ4の供給を止め、ＴＭＧ及びＮＨ3 の供給にＴ
ＭＡを加え、厚さ 200nm未満のアンドープＡlxＧa1-xＮ
層１６を成長する。次に、基板温度を1150℃に保持した
まま、ＴＭＡ、ＴＭＧ及びＮＨ3 の供給にビスシクロペ
ンタディエニルマグネシウム（Ｃp2Ｍg)を加え、厚さ 4
00nmのＭgドープｐ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｐ層）１７を成
長する。次に、ＴＭＡの供給のみを止め、基板温度を11
50℃に保持したまま、Ｃp2Ｍg、ＴＭＧ及びＮＨ3 を供
給し、厚さ 200nmのＭg ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１
８を成長する。
【００１１】次に、Ｍg ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１
８上にＥＢ(Electron Beam) 蒸着により厚さ 500nmのＳ
iＯ2絶縁膜１９を形成した後、バッファードフッ酸を用
いて部分的にＳiＯ2絶縁膜１９を除去し幅10μm のスト
ライプ部分を形成する。このストライプ部分のＭg ドー
プｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１８と上記Ｓi ドープｎ型 Ｇa
Ｎ層（ｎ層）１３とにそれぞれ金属電極１８ａ，１３ａ
を形成する。
８上にＥＢ(Electron Beam) 蒸着により厚さ 500nmのＳ
iＯ2絶縁膜１９を形成した後、バッファードフッ酸を用
いて部分的にＳiＯ2絶縁膜１９を除去し幅10μm のスト
ライプ部分を形成する。このストライプ部分のＭg ドー
プｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１８と上記Ｓi ドープｎ型 Ｇa
Ｎ層（ｎ層）１３とにそれぞれ金属電極１８ａ，１３ａ
を形成する。
【００１２】最後に、真空チャンバに移して、Ｍg ドー
プｐ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｐ層）１７に電子線照射処理を
行う。典型的な電子線照射処理条件は、電子線加速電
圧：15ＫＶ，エミッション電流： 120μＡ以上，電子線
スポット径：φ60μm ，試料温度： 297Ｋである。
プｐ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｐ層）１７に電子線照射処理を
行う。典型的な電子線照射処理条件は、電子線加速電
圧：15ＫＶ，エミッション電流： 120μＡ以上，電子線
スポット径：φ60μm ，試料温度： 297Ｋである。
【００１３】上述したように構成された窒化ガリウム系
化合物半導体レーザダイオード１００は、Ｍg ドープｐ
型ＡlYＧa1-YＮ層（ｐ層）１７からの不純物Ｍg の拡散
をアンドープＡlxＧa1-xＮ層１６にて吸収して防止でき
る。このため、活性層であるＳi ドープｎ型 ＧaＮ層
（ｎ層）１５とクラッド層であるＭg ドープｐ型ＡlYＧ
a1-YＮ層（ｐ層）１７とが分離できる。従って、本発明
の窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードは、不
安定な高エネルギー状態が作り易くなり誘導放出を利用
したレーザ発振がし易くなると共にその閾値電流を下げ
ることができる。
化合物半導体レーザダイオード１００は、Ｍg ドープｐ
型ＡlYＧa1-YＮ層（ｐ層）１７からの不純物Ｍg の拡散
をアンドープＡlxＧa1-xＮ層１６にて吸収して防止でき
る。このため、活性層であるＳi ドープｎ型 ＧaＮ層
（ｎ層）１５とクラッド層であるＭg ドープｐ型ＡlYＧ
a1-YＮ層（ｐ層）１７とが分離できる。従って、本発明
の窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードは、不
安定な高エネルギー状態が作り易くなり誘導放出を利用
したレーザ発振がし易くなると共にその閾値電流を下げ
ることができる。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る窒化ガリウム
系化合物半導体レーザダイオードの構造を示した模式図
である。
系化合物半導体レーザダイオードの構造を示した模式図
である。
【図２】従来の窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイ
オードの構造を示した模式図である。
オードの構造を示した模式図である。
１１…サファイア基板 １２… ＡlＮ層 １３…Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層） １４…Ｓi ドープｎ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｎ層） １５…Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層） １６…アンドープＡlxＧa1-xＮ層（拡散防止層） １７…Ｍg ドープｐ型ＡlYＧa1-YＮ層（ｐ層） １８…Ｍg ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層） １９…ＳiＯ2絶縁膜 １３ａ，１８ａ…電極 １００…窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅崎 潤一 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 浅見 慎也 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ｎ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物
半導体（ＡlYＧa1-YＮ：０≦Ｙ≦１）から成るｎ層と、 ｐ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（ＡlYＧ
a1-YＮ：０≦Ｙ≦１）から成るｐ層と、 前記ｎ層と前記ｐ層との間にアンドープの窒化ガリウム
系化合物半導体（ＡlxＧa1-xＮ：０≦Ｘ≦Ｙ≦１）から
成る拡散防止層とを有することを特徴とする窒化ガリウ
ム系化合物半導体レーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9201793A JP3761589B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9201793A JP3761589B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283825A true JPH06283825A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3761589B2 JP3761589B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=14042770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9201793A Expired - Fee Related JP3761589B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3761589B2 (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583879A (en) * | 1994-04-20 | 1996-12-10 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Gallum nitride group compound semiconductor laser diode |
| EP0762516A1 (en) * | 1995-08-28 | 1997-03-12 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Group-III nitride based light emitter |
| EP0803916A2 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Sanyo Electric Co. Ltd | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JPH11186601A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子 |
| JPH11251687A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の製造方法及び半導体装置 |
| US6580099B2 (en) | 1994-12-02 | 2003-06-17 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting devices |
| WO2003077391A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur et procede de fabrication de ce laser |
| JP2004521495A (ja) * | 2001-01-16 | 2004-07-15 | クリー インコーポレイテッド | アンドープクラッド層を有するｉｉｉ族窒化物ｌｅｄ |
| US6831293B2 (en) | 2002-03-19 | 2004-12-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | P-n junction-type compound semiconductor light-emitting device, production method thereof, lamp and light source |
| US6900465B2 (en) | 1994-12-02 | 2005-05-31 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light-emitting device |
| JP2005528809A (ja) * | 2002-05-30 | 2005-09-22 | クリー インコーポレイテッド | 非ドープ・クラッディング層及びマルチ量子ウェルを有するｉｉｉ族窒化物ｌｅｄ |
| WO2005106980A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor light-emitting device |
| WO2006126726A1 (ja) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2008277413A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
| US8933432B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-01-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US8981340B2 (en) | 2003-09-25 | 2015-03-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and production method thereof |
| US9024325B2 (en) | 2010-07-29 | 2015-05-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Epitaxial substrate for semiconductor element, semiconductor element, PN junction diode, and method for manufacturing an epitaxial substrate for semiconductor element |
| US9843163B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-12-12 | Panasonic Corporation | Ultraviolet light emitting element and electrical device using same |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP9201793A patent/JP3761589B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583879A (en) * | 1994-04-20 | 1996-12-10 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Gallum nitride group compound semiconductor laser diode |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US6900465B2 (en) | 1994-12-02 | 2005-05-31 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light-emitting device |
| US6580099B2 (en) | 1994-12-02 | 2003-06-17 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting devices |
| US5793061A (en) * | 1995-08-28 | 1998-08-11 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Group-III nitride based light emitter |
| EP0762516A1 (en) * | 1995-08-28 | 1997-03-12 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Group-III nitride based light emitter |
| EP0803916A3 (en) * | 1996-04-26 | 2000-03-08 | Sanyo Electric Co. Ltd | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6162656A (en) * | 1996-04-26 | 2000-12-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device |
| EP0803916A2 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Sanyo Electric Co. Ltd | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| EP2383846A3 (en) * | 1996-04-26 | 2014-10-29 | Future Light Limited Liability Company | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100500331B1 (ko) * | 1996-04-26 | 2005-09-30 | 산요덴키가부시키가이샤 | 발광소자및그제조방법 |
| USRE42074E1 (en) | 1996-04-26 | 2011-01-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device |
| JPH11186601A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子 |
| JPH11251687A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の製造方法及び半導体装置 |
| USRE46588E1 (en) | 2001-01-16 | 2017-10-24 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer |
| JP2004521495A (ja) * | 2001-01-16 | 2004-07-15 | クリー インコーポレイテッド | アンドープクラッド層を有するｉｉｉ族窒化物ｌｅｄ |
| USRE45059E1 (en) | 2001-01-16 | 2014-08-05 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer |
| US7692209B2 (en) | 2001-01-16 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer |
| US7221690B2 (en) | 2002-03-08 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and process for manufacturing the same |
| WO2003077391A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur et procede de fabrication de ce laser |
| CN100353624C (zh) * | 2002-03-08 | 2007-12-05 | 松下电器产业株式会社 | 半导体激光器和其制造方法 |
| US6831293B2 (en) | 2002-03-19 | 2004-12-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | P-n junction-type compound semiconductor light-emitting device, production method thereof, lamp and light source |
| KR101238241B1 (ko) * | 2002-05-30 | 2013-03-04 | 크리 인코포레이티드 | 비도핑 클래드층 및 다중 양자 우물을 가진 제ｉｉｉ족질화물 ｌｅｄ |
| JP2005528809A (ja) * | 2002-05-30 | 2005-09-22 | クリー インコーポレイテッド | 非ドープ・クラッディング層及びマルチ量子ウェルを有するｉｉｉ族窒化物ｌｅｄ |
| KR101327342B1 (ko) * | 2002-05-30 | 2013-11-11 | 크리 인코포레이티드 | 비도핑 클래드층 및 다중 양자 우물을 가진 제ｉｉｉ족 질화물 ｌｅｄ |
| KR101285679B1 (ko) * | 2002-05-30 | 2013-07-12 | 크리 인코포레이티드 | 비도핑 클래드층 및 다중 양자 우물을 가진 제ｉｉｉ족 질화물 ｌｅｄ |
| US8981340B2 (en) | 2003-09-25 | 2015-03-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and production method thereof |
| US7732832B2 (en) | 2004-04-28 | 2010-06-08 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor light-emitting device including p-type undoped boron-phosphide-based semiconductor layer joined to thin-film layer composed of an undoped hexagonal group III nitride semiconductor |
| WO2005106980A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor light-emitting device |
| KR100832670B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2008-05-27 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 화합물 반도체 발광 소자 |
| WO2006126726A1 (ja) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2007005764A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Toyota Motor Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| EP1884999A4 (en) * | 2005-05-27 | 2009-05-06 | Toyota Motor Co Ltd | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| EP1884999A1 (en) * | 2005-05-27 | 2008-02-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| JP2008277413A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
| US9024325B2 (en) | 2010-07-29 | 2015-05-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Epitaxial substrate for semiconductor element, semiconductor element, PN junction diode, and method for manufacturing an epitaxial substrate for semiconductor element |
| JP5782033B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2015-09-24 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、ｐｎ接合ダイオード素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 |
| US8933432B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-01-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9843163B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-12-12 | Panasonic Corporation | Ultraviolet light emitting element and electrical device using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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