JPH0625399A - 光カード用基材 - Google Patents

光カード用基材

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JPH0625399A
JPH0625399A JP4179792A JP17979292A JPH0625399A JP H0625399 A JPH0625399 A JP H0625399A JP 4179792 A JP4179792 A JP 4179792A JP 17979292 A JP17979292 A JP 17979292A JP H0625399 A JPH0625399 A JP H0625399A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
bis
hydroxyphenyl
base material
units
Prior art date
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Pending
Application number
JP4179792A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshimasa Tokuda
俊正 徳田
Hidemi Takemoto
英海 竹本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Chemicals Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Teijin Chemicals Ltd filed Critical Teijin Chemicals Ltd
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Publication of JPH0625399A publication Critical patent/JPH0625399A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐擦傷性が改善された芳香族ポリカーボネー
ト樹脂よりなる光カード用基材を提供する。 【構成】 9,9−ビス(4−オキシフェニレン)フル
オレン構造単位を、構成単位100単位当り1〜40単
位含有し且つ比粘度が0.19〜0.63である芳香族
ポリカーボネート樹脂よりなる光カード用基材。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光カード用基材に関す
る。更に詳しくは、9,9−ビス(4−オキシフェニレ
ン)フルオレン構造単位を有する芳香族ポリカーボネー
ト樹脂よりなる耐熱性、表面硬度、複屈折の改善された
光カード用基材に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパンにホスゲンやジフェニルカーボネート
を反応させて得られる芳香族ポリカーボネート樹脂は透
明性、耐熱性、機械的特性、寸法安定性が優れているが
ゆえにエンジニアリングプラスチックとして多くの分野
に広く用いられている。更に、近年情報の多様化に伴い
光学用途、特に光ディスク、光カード等に用いられるよ
うになってきた。光カード等においては特に表面耐擦傷
性、低複屈折性が要求され、従来の芳香族ポリカーボネ
ート樹脂よりも更に優れた表面耐擦傷性、低複屈折性を
有する材料の開発が望まれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は耐擦傷性、複
屈折性が改善された芳香族ポリカーボネート樹脂よりな
る光カード用基材を提供することを目的とする。
【0004】本発明者は、この目的を達成せんとして鋭
意検討を重ねた結果、9,9−ビス(4−オキシフェニ
レン)フルオレン構造単位を特定量共重合した芳香族ポ
リカーボネート樹脂が光カード用基材として好適である
ことを見出し、本発明に到達した。
【0005】9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
フルオレンにカーボネート前駆体を反応させて得られる
芳香族ポリカーボネート樹脂は公知であり、このポリマ
ーが高屈折率で耐熱性が良好なことも知られている。し
かしながら、このホモポリマーを合成する際、溶剤に不
溶のゲル状物が多量に生成し、溶剤可溶成分の収率は高
々60〜70%で実用性に乏しいものであった。また、
このものを溶融成形しようとした場合、溶融粘度が高す
ぎて成形できないという問題があった。
【0006】しかるに、9,9−ビス(4−オキシフェ
ニレン)フルオレン構造単位を特定量共重合した芳香族
ポリカーボネート樹脂が、耐擦傷性に優れるばかりでな
く、光カード用基材に要求される良好な溶融成形性及び
低光弾性率をも示すことは驚くべきことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
[1]
【0008】
【化3】
【0009】[式中R1 〜R4 は水素原子、ハロゲン原
子、フェニル基、炭素数1〜3のアルキル基であって、
同一又は異なっていてもよい。]で表される構成単位及
び下記一般式[2]
【0010】
【化4】
【0011】[式中Wは単結合、アルキリデン基、シク
ロアルキリデン基、フェニル基置換アルキリデン基、ス
ルホン基、スルフィド基又はオキシド基であり、R5
びR6は水素原子、ハロゲン原子、フェニル基、炭素数
1〜3のアルキル基であって、同一又は異なっていても
よく、m及びnは夫々1〜4の整数である。]で表され
る構成単位からなり、構成単位100単位当り一般式
[1]で表される構成単位を1〜40単位含有し且つ
0.7g を100mlの塩化メチレンに溶解した溶液の比
粘度が0.19〜0.63である芳香族ポリカーボネー
ト樹脂よりなる光カード用基材に係るものである。
【0012】本発明で対象とする芳香族ポリカーボネー
ト樹脂は、特に9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)フルオレン合成時に副生する不純物を極力除去した
99.50%以上の高純度の9,9−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)フルオレン及び他の二価フェノールを使
用し、ホスゲンとの界面重縮合又はジフェニルカーボネ
ートとのエステル交換法により得られる。ホスゲンとの
反応は、通常酸結合剤及び溶媒の存在下に行う。酸結合
剤としては例えばピリジン、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ金属水酸化物等の水溶液が用いら
れる。溶媒としては例えば塩化メチレン、クロロベンゼ
ン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促
進のために例えば第三級アミン、第四級アンモニウム塩
等の触媒を用いることができ、分子量調節剤としては例
えばフェノール、p-tert−ブチルフェノール等の末端停
止剤を用いることが望ましい。更に、予め脱気した溶媒
を用い、且つ水溶液には少量のハイドロサルファイト等
の酸化防止剤を添加し、窒素ガス雰囲気中でホスゲン化
するのが好ましい。
【0013】本発明において9,9−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)フルオレンとの共重合に用いる二価フェ
ノールとしては、例えば4,4′−ジヒドロキシビフェ
ニル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シ
クロヘキサン、2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−イソプ
ロピル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、4,4′−ジヒドロキシジフェニ
ルスルホン、4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホ
キシド、4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルフィ
ド、3,3′−ジメチル−4,4′−ジヒドロキシジフ
ェニルスルフィド等があげられる。中でも2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)プロパン[通称ビスフェノ
ールA]及び1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−1−フェニルエタン[通称ビスフェノールAP]が特に
好ましい。また、これらの一種を単独で用いても又は二
種以上を併用しても差支えない。共重合方法は、上記の
二価フェノール類を同時に用いるか、別々に合成したオ
リゴマーを混合して重合する等の通常の共重合方法が任
意に採用される。かくして得られる芳香族ポリカーボネ
ート樹脂の分子量は、塩化メチレンに0.7g /100
mlの濃度に溶解し、20℃で測定した比粘度で示して
0.19〜0.63の範囲であり、0.26〜0.45
の範囲が好ましい。この比粘度が0.19未満では成形
品が脆くなり、0.63より高くなると流動性が悪く成
形不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難くな
る。
【0014】本発明の光カードは射出成形、圧縮成形、
押出成形、注型成形等各種の成形方法により成形される
が、押出成形又は注型成形が最も簡便な方法である。押
出成形加工温度は250〜350℃が好ましい。注型に
用いる溶媒は塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲ
ン化炭化水素類、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶
媒が好ましい。また、他の熱可塑性樹脂シートの表面に
コーティングその他の任意の手段により積層して光カー
ド基材とすることもできる。成形に当って、必要に応じ
て例えばトリフェニルフォスファイト、トリス(ノニル
フェニル)フォスファイト、ジステアリルペンタエリス
リトールジフォスファイト、ジフェニルハイドロジェン
フォスファイト、イルガノックス1076[ステアリル
−β−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート]等のような安定剤、例えば2
−(2′−ヒドロキシ−5′−メチルフェニル)ベンゾ
トリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−3′,5′−
ジ−tert−アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−
(2′−ヒドロキシ−4′−オクトキシフェニル)ベン
ゾトリアゾール、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベン
ゾフェノン等のような耐候剤、帯電防止剤、離型剤、染
顔料等を透明性を損なわない範囲で添加してもよい。
【0015】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明を更に説明す
る。なお、実施例中の部及び%は重量部及び重量%であ
る。また、比粘度、ガラス転移点(Tg)、流動性(MF
R)、全光線透過率及びテーバー摩耗硬度、光弾性定数は
下記の方法で測定した。
【0016】比粘度:ポリマー0.7g を100mlの塩
化メチレンに溶解し、20℃で測定した。 ガラス転移点(Tg):デュポン社製910型DSC により
測定した。 流動性(MFR):JIS K-7210に準拠して280℃、荷
重2.16kgで10分間に流出したポリマー量(g)で示
した。 全光線透過率:ASTM D−1003に準拠して日本電色
(株)製Σ80により測定した。 テーバー摩耗硬度:JASO-M330-85 7.7に準拠して
摩耗輪CS−10 Fにより荷重500g /輪にて100回
回転した前後の△ヘイズを日本電色(株)製Σ80によ
り測定した。 光弾性定数:理研計器(株)製光弾性測定装置 PA-15
0により測定した。
【0017】
【実施例1】ホスゲン吹込管及び還流冷却器を設けた反
応槽に純水271部及び48.5%水酸化ナトリウム水
溶液17.9部を仕込み、9,9−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)フルオレン0.95部及びビスフェノール
AP14.9部を溶解させた後塩化メチレン161部を加
え、激しく撹拌しながら20℃でホスゲン7.5部を約
40分を要して吹込み反応させた。次いで、内温を30
℃に昇温し、p-tert−ブチルフェノール0.487部及
び48.5%水酸化ナトリウム水溶液2.2部を加えて
乳化させた後、トリエチルアミン0.03部を加えて2
時間撹拌を続けて反応を終了した。
【0018】反応終了後有機相を分離し、塩化メチレン
で希釈して水洗した後、塩酸で中和し、水洗を繰返して
水相の導電率が純水と略等しくなったところで有機相を
分離し、塩化メチレンを蒸発させながら粉砕してパウダ
−を得た。このパウダ−の比粘度は0.229、Tgは1
87℃であった。このパウダ−を280℃で押出してペ
レット化したもののMFR は9.0であった。このパウダ
−にトリス(ノニルフェニル)ホスファイトを0.03
%、イルガノックス1076を0.05%及びステアリ
ン酸モノグリセリドを0.2%加えて280℃の温度で
押出して0.6mm厚みのシート状に成形した。このもの
の全光線透過率は90%、テーバー摩耗試験後の△ヘイ
ズは42%、光弾性定数は79×10-13 cm2 /dyneで
あった。
【0019】
【実施例2】9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
フルオレンを1.9部、ビスフェノールAPを14.1部
及びp-tert−ブチルフェノールを0.567部使用する
以外は実施例1と同様にしてパウダーを得た。このパウ
ダーの比粘度は0.212、Tgは192℃、MFR は8.
5であった。このパウダ−に、実施例1と同様の添加剤
を加え、実施例1と同様に成形し、評価したところ全光
線透過率は89%、テーバー摩耗試験後の△ヘイズは3
8%、光弾性定数は75×10-13 cm2 /dyneであっ
た。
【0020】
【実施例3】9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
フルオレンを3.8部及びp-tert−ブチルフェノールを
0.365部使用し、更にビスフェノールAPに代えてビ
スフェノールA9.9部使用する以外は実施例1と同様
にしてパウダーを得た。このパウダーの比粘度は0.3
65、Tgは183℃、MFR は6.0であった。このパウ
ダーに実施例1と同様の添加剤を加え、実施例1と同様
に成形し、評価したところ全光線透過率は89%、テー
バー摩耗試験後の△ヘイズは35%、光弾性定数は68
×10-13 cm2 /dyneであった。
【0021】
【比較例1】比粘度が0.451のビスフェノールAポ
リカーボネート[帝人化成(株)製パンライト L−12
50]を実施例1と同様に評価した。Tgは150℃、MF
R は8.0、全光線透過率は89%、テーバー摩耗試験
後の△ヘイズは47%、光弾性定数は83×10-13 cm
2 /dyneであった。
【0022】
【比較例2】9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
フルオレンを9.5部、ビスフェノールAを6.2部及
びp-tert−ブチルフェノールを0.243部使用する以
外は実施例3と同様にしてパウダ−を得た。このパウダ
ーの比粘度は0.538、Tgは220℃、MFR は溶融流
動性が悪く測定不能であった。このパウダ−を用いて実
施例1と同様に成形しようとしたところ流動性が悪く満
足なシートは得られなかった。
【0023】
【比較例3】p-tert−ブチルフェノールを0.081部
使用する以外は実施例2と同様にしてパウダ−を得た。
このパウダーの比粘度は0.769、Tgは175℃、MF
R は溶融流動性が悪く測定不能であった。このパウダ−
を用いて実施例1と同様に成形しようとしたところ比較
例2と同様に満足なシートは得られなかった。
【0024】
【発明の効果】本発明の光カード用基材は耐擦傷性に優
れ、低複屈折性で且つ成形性、透明性にも優れているの
で、これらの性質の要求される光カード分野に好適に利
用できる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式[1] 【化1】 [式中R1 〜R4 は水素原子、ハロゲン原子、フェニル
    基、炭素数1〜3のアルキル基であって、同一又は異な
    っていてもよい。]で表される構成単位及び下記一般式
    [2] 【化2】 [式中Wは単結合、アルキリデン基、シクロアルキリデ
    ン基、フェニル基置換アルキリデン基、スルホン基、ス
    ルフィド基又はオキシド基であり、R5 及びR6は水素
    原子、ハロゲン原子、フェニル基、炭素数1〜3のアル
    キル基であって、同一又は異なっていてもよく、m及び
    nは夫々1〜4の整数である。]で表される構成単位か
    らなり、構成単位100単位当り一般式[1]で表され
    る構成単位を1〜40単位含有し且つ0.7g を100
    mlの塩化メチレンに溶解した溶液の比粘度が0.19〜
    0.63である芳香族ポリカーボネート樹脂よりなる光
    カード用基材。
JP4179792A 1992-07-07 1992-07-07 光カード用基材 Pending JPH0625399A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5486577A (en) * 1995-03-21 1996-01-23 The Dow Chemical Company Blends of diaryl fluorene carbonate polymers with bisphenol A carbonate polymers
US5516877A (en) * 1994-08-16 1996-05-14 The Dow Chemical Company Crosslinkable carbonate polymers of dihydroxyaryl fluorene
US6734946B2 (en) * 1998-11-30 2004-05-11 Teijin Limited Liquid crystal display component and transparent conductive substrate suitable for the same
JP2016023264A (ja) * 2014-07-23 2016-02-08 帝人株式会社 光学フィルム

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