JPH06242458A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH06242458A JPH06242458A JP2815693A JP2815693A JPH06242458A JP H06242458 A JPH06242458 A JP H06242458A JP 2815693 A JP2815693 A JP 2815693A JP 2815693 A JP2815693 A JP 2815693A JP H06242458 A JPH06242458 A JP H06242458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- semiconductor chip
- sealing resin
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板上に半導体チップを直接完装し、
半導体チップを熱硬化性樹脂で封止する構造であって
も、硬化時の樹脂収縮によってガラス基板表面にクラッ
クが発生する。 【構成】 液晶表示パネルを構成する少なくとも一方の
透明基板（３）上に半導体チップ（７）が直接実装さ
れ、その半導体チップ（７）のみを熱硬化性の封止用樹
脂（８）で封止した液晶表示装置の封止用樹脂（８）上
に基板（３）の熱膨張温度係数と略等しいかあるいはそ
れより小さい熱膨張温度係数を有し、且つ封止用樹脂面
積と略同一サイズの緩和部材（９）を配置する。
半導体チップを熱硬化性樹脂で封止する構造であって
も、硬化時の樹脂収縮によってガラス基板表面にクラッ
クが発生する。 【構成】 液晶表示パネルを構成する少なくとも一方の
透明基板（３）上に半導体チップ（７）が直接実装さ
れ、その半導体チップ（７）のみを熱硬化性の封止用樹
脂（８）で封止した液晶表示装置の封止用樹脂（８）上
に基板（３）の熱膨張温度係数と略等しいかあるいはそ
れより小さい熱膨張温度係数を有し、且つ封止用樹脂面
積と略同一サイズの緩和部材（９）を配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
にガラス基板上に半導体素子を直接実装するＣＯＧ構造
の液晶表示装置に関する。
にガラス基板上に半導体素子を直接実装するＣＯＧ構造
の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３を参照して従来の一般的なＣＯＧ構
造の液晶表示装置を説明する。従来のＣＯＧ構造は、液
晶表示パネル（２０）を構成する一方のガラス基板（２
１）上に形成された複数の接合パッド上に半導体チップ
（２２）がフェイスダウンボンディングされ、半導体チ
ップ（２２）から出力される出力信号に基づいて液晶表
示パネル（２０）に形成されたパターン形状が表示され
る。また、ガラス基板（２１）上に実装された半導体チ
ップ（２２）はエポキシ樹脂等の熱硬化性の封止材（２
３）によって完全に封止され、半導体チップ（２２）と
接合パッドとの接合部の機械的および耐湿性を向上させ
るように考慮されている。ＣＧＯ構造の液晶表示装置が
存在する。
造の液晶表示装置を説明する。従来のＣＯＧ構造は、液
晶表示パネル（２０）を構成する一方のガラス基板（２
１）上に形成された複数の接合パッド上に半導体チップ
（２２）がフェイスダウンボンディングされ、半導体チ
ップ（２２）から出力される出力信号に基づいて液晶表
示パネル（２０）に形成されたパターン形状が表示され
る。また、ガラス基板（２１）上に実装された半導体チ
ップ（２２）はエポキシ樹脂等の熱硬化性の封止材（２
３）によって完全に封止され、半導体チップ（２２）と
接合パッドとの接合部の機械的および耐湿性を向上させ
るように考慮されている。ＣＧＯ構造の液晶表示装置が
存在する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ガラ
ス基板上にフェイスダウンボンディングされた半導体チ
ップを封止樹脂で封止することで接合部の機械的強度お
よび耐湿性は工場できるものの、新らたに以下の不具合
が発生する。すなわち、封止樹脂材料であるエポキシ樹
脂の熱膨張温度係数αが約５０〜１００×１０ -6である
のに対して、ガラス基板の熱膨張温度係数は約８〜９×
１０-6であるため、エポキシ樹脂塗布後の硬化工程で封
止樹脂（２３）は図４に示す如く、矢印方向（湾曲状）
に硬化収縮する。その際、樹脂とガラスの熱膨張温度係
数が上記したように著しく異なるため、樹脂の収縮にガ
ラスが追従できず、硬化収縮時に封止樹脂（２３）周囲
のガラス基板界面領域が持上げられ、ガラス基板（２
１）上にクラックが発生すると共にガラス基板（２１）
上に形成された透明電極によりなる配線パターン（２
４）が断線するという致命的な不具合が発生する。かか
る不具合は、フェイスダウンボンディング方式のみなら
ずワイヤーボンディング方式においても同様に発生す
る。
ス基板上にフェイスダウンボンディングされた半導体チ
ップを封止樹脂で封止することで接合部の機械的強度お
よび耐湿性は工場できるものの、新らたに以下の不具合
が発生する。すなわち、封止樹脂材料であるエポキシ樹
脂の熱膨張温度係数αが約５０〜１００×１０ -6である
のに対して、ガラス基板の熱膨張温度係数は約８〜９×
１０-6であるため、エポキシ樹脂塗布後の硬化工程で封
止樹脂（２３）は図４に示す如く、矢印方向（湾曲状）
に硬化収縮する。その際、樹脂とガラスの熱膨張温度係
数が上記したように著しく異なるため、樹脂の収縮にガ
ラスが追従できず、硬化収縮時に封止樹脂（２３）周囲
のガラス基板界面領域が持上げられ、ガラス基板（２
１）上にクラックが発生すると共にガラス基板（２１）
上に形成された透明電極によりなる配線パターン（２
４）が断線するという致命的な不具合が発生する。かか
る不具合は、フェイスダウンボンディング方式のみなら
ずワイヤーボンディング方式においても同様に発生す
る。
【０００４】かかる不具合を回避するために封止樹脂
（２３）のエポキシ樹脂中にシリカ等のフィラーの含有
量を増加させることで封止樹脂の熱膨張温度係数のαを
約２０〜３０×１０-6に小さくすることができるもの
の、封止樹脂の粘性が極めて高くなり塗布工程に時間が
かかると共に確実に半導体チップを封止することが困難
である。
（２３）のエポキシ樹脂中にシリカ等のフィラーの含有
量を増加させることで封止樹脂の熱膨張温度係数のαを
約２０〜３０×１０-6に小さくすることができるもの
の、封止樹脂の粘性が極めて高くなり塗布工程に時間が
かかると共に確実に半導体チップを封止することが困難
である。
【０００５】また、半導体チップの外周のみに封止樹脂
を配置することで硬化収縮力を抑制することができる。
しかし、半導体チップの外周のみに封止樹脂を配置する
ことは作業性を著しく低下させるという不具合がある。
本発明は、上述した課題に鑑みて為されたものであり、
この発明の目的は、ガラス基板上に半導体チップを直接
実装し、半導体チップを熱硬化性樹脂で封止するＣＯＧ
構造であっても、封止樹脂の熱硬化時の収縮によりガラ
ス基板表面のクラック発生を防止する液晶表示装置を提
供する事である。
を配置することで硬化収縮力を抑制することができる。
しかし、半導体チップの外周のみに封止樹脂を配置する
ことは作業性を著しく低下させるという不具合がある。
本発明は、上述した課題に鑑みて為されたものであり、
この発明の目的は、ガラス基板上に半導体チップを直接
実装し、半導体チップを熱硬化性樹脂で封止するＣＯＧ
構造であっても、封止樹脂の熱硬化時の収縮によりガラ
ス基板表面のクラック発生を防止する液晶表示装置を提
供する事である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するため、この発明の第１に係わる液晶表示
装置は、液晶表示パネルを構成する少なくとも一方の透
明基板上に半導体チップが直接実装され、その半導体チ
ップを熱硬化性の封止した液晶表示装置の封止用樹脂上
に基板の熱膨張温度係数と略等しいかあるいはそれより
小さい熱膨張温度係数を有する独立した緩和部材を配置
したことを特徴としている。
目的を達成するため、この発明の第１に係わる液晶表示
装置は、液晶表示パネルを構成する少なくとも一方の透
明基板上に半導体チップが直接実装され、その半導体チ
ップを熱硬化性の封止した液晶表示装置の封止用樹脂上
に基板の熱膨張温度係数と略等しいかあるいはそれより
小さい熱膨張温度係数を有する独立した緩和部材を配置
したことを特徴としている。
【０００７】また、この発明の第２に係わる液晶表示装
置は、液晶表示パネルを構成する少なくとも一方の透明
基板上に半導体チップが直接実装され、その半導体チッ
プのみを熱硬化性の封止用樹脂で封止した液晶表示装置
の封止用樹脂上に基板の熱膨張温度係数と略等しいかあ
るいはそれより小さい熱膨張温度係数を有し、且つ封止
用樹脂面積と略同一サイズの緩和部材を配置したことを
特徴としている。
置は、液晶表示パネルを構成する少なくとも一方の透明
基板上に半導体チップが直接実装され、その半導体チッ
プのみを熱硬化性の封止用樹脂で封止した液晶表示装置
の封止用樹脂上に基板の熱膨張温度係数と略等しいかあ
るいはそれより小さい熱膨張温度係数を有し、且つ封止
用樹脂面積と略同一サイズの緩和部材を配置したことを
特徴としている。
【０００８】
【作用】以上のように構成される液晶表示装置は、封止
用樹脂上に基板の熱膨張温度係数と略等しいかあるいは
それより小さい熱膨張温度係数を有する独立した緩和部
材を配置することにより、封止用樹脂を硬化させる際に
生じる樹脂の収縮力を緩和部材によって緩和することが
できる。その結果、熱硬化時の収縮によって封止用樹脂
が湾曲状にひずむことを防止できガラス表面にクラック
が発生することはない。
用樹脂上に基板の熱膨張温度係数と略等しいかあるいは
それより小さい熱膨張温度係数を有する独立した緩和部
材を配置することにより、封止用樹脂を硬化させる際に
生じる樹脂の収縮力を緩和部材によって緩和することが
できる。その結果、熱硬化時の収縮によって封止用樹脂
が湾曲状にひずむことを防止できガラス表面にクラック
が発生することはない。
【０００９】
【実施例】以下に、図１および図２に示した実施例に基
づいて本発明の液晶表示装置を説明する。図１は本発明
の液晶表示装置を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面
図である。
づいて本発明の液晶表示装置を説明する。図１は本発明
の液晶表示装置を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面
図である。
【００１０】液晶表示装置（１）は二枚の透明基板
（３）（４）から構成され、その二枚の透明基板（３）
（４）はガラス基板が用いられ、その表面には酸化イン
ジューム等の透明電極材料を例えばスパッタ法等の手段
により付着させ、所望形状の透明電極（５）（６）が形
成されている。一方のガラス基板（３）上に形成される
透明電極（５）は、図中からでは明らかにされてない
が、微細間隔の複数のストライプ状で略基板（３）の表
示領域の全面に形成されている。そして、表示領域上に
形成された透明電極（５）から延在される引き回し配線
は、他方のガラス基板（４）より突出した一方のガラス
基板（３）の非表示領域に延在される。
（３）（４）から構成され、その二枚の透明基板（３）
（４）はガラス基板が用いられ、その表面には酸化イン
ジューム等の透明電極材料を例えばスパッタ法等の手段
により付着させ、所望形状の透明電極（５）（６）が形
成されている。一方のガラス基板（３）上に形成される
透明電極（５）は、図中からでは明らかにされてない
が、微細間隔の複数のストライプ状で略基板（３）の表
示領域の全面に形成されている。そして、表示領域上に
形成された透明電極（５）から延在される引き回し配線
は、他方のガラス基板（４）より突出した一方のガラス
基板（３）の非表示領域に延在される。
【００１１】非表示領域に延在形成された引き回し配線
上には金、ニッケル等のメッキ処理が行われており、半
導体チップ（７）が固着される固着領域に集中され、半
導体チップ（７）の接続電極パターンと対応するパター
ンに引き回し配線が延在され、その先端部がＩＣ固着パ
ッドとなる。固着パッド上にはＭＯＳＩＣ等の半導体チ
ップ（７）が導電性接着剤あるいは半田、金バンプによ
って接続される。かかる半導体チップ（７）上には熱硬
化性のエポキシ樹脂等の封止用樹脂が塗布され、半導体
チップ（７）は完全被覆される。
上には金、ニッケル等のメッキ処理が行われており、半
導体チップ（７）が固着される固着領域に集中され、半
導体チップ（７）の接続電極パターンと対応するパター
ンに引き回し配線が延在され、その先端部がＩＣ固着パ
ッドとなる。固着パッド上にはＭＯＳＩＣ等の半導体チ
ップ（７）が導電性接着剤あるいは半田、金バンプによ
って接続される。かかる半導体チップ（７）上には熱硬
化性のエポキシ樹脂等の封止用樹脂が塗布され、半導体
チップ（７）は完全被覆される。
【００１２】本発明の特徴とするところは、半導体チッ
プ（７）を封止する封止用樹脂（８）上に封止用樹脂
（８）の熱硬化時に生じる硬化収縮力を緩和するための
緩和部材（９）を配置することにある。緩和部材（９）
はガラス基板の熱膨張温度係数αと略等しいかあるいは
それより小さい熱膨張温度係数αを有する材料により形
成され、本実施例では緩和部材（９）として０．１〜
０．７ｍｍ厚のガラス基板が用いられる。半導体チップ
（７）上に封止樹脂（８）を塗布した後、封止用樹脂
（８）上に上記の緩和部材（９）を載置し封止用樹脂
（８）の熱硬化を行う。
プ（７）を封止する封止用樹脂（８）上に封止用樹脂
（８）の熱硬化時に生じる硬化収縮力を緩和するための
緩和部材（９）を配置することにある。緩和部材（９）
はガラス基板の熱膨張温度係数αと略等しいかあるいは
それより小さい熱膨張温度係数αを有する材料により形
成され、本実施例では緩和部材（９）として０．１〜
０．７ｍｍ厚のガラス基板が用いられる。半導体チップ
（７）上に封止樹脂（８）を塗布した後、封止用樹脂
（８）上に上記の緩和部材（９）を載置し封止用樹脂
（８）の熱硬化を行う。
【００１３】封止用樹脂（８）の熱硬化を行うと、樹脂
（８）は硬化収縮するが樹脂（８）上には上記の熱膨張
温度係数αが小さい緩和部材（９）が載置されるため
に、樹脂（８）の硬化収縮力は緩和部材（９）によって
緩和されて硬化収縮力を著しく抑制することができる。
樹脂（８）の硬化収縮力を最大限抑制するために緩和部
材（９）のサイズは樹脂（８）の面積と略同一であるこ
とが好ましい。
（８）は硬化収縮するが樹脂（８）上には上記の熱膨張
温度係数αが小さい緩和部材（９）が載置されるため
に、樹脂（８）の硬化収縮力は緩和部材（９）によって
緩和されて硬化収縮力を著しく抑制することができる。
樹脂（８）の硬化収縮力を最大限抑制するために緩和部
材（９）のサイズは樹脂（８）の面積と略同一であるこ
とが好ましい。
【００１４】以上に述べたように本発明では半導体チッ
プ（７）のみを封止する封止用樹脂（８）上に緩和部材
（９）を配置するだけで封止用樹脂（８）の硬化収縮力
を抑制することができる。また、上述した実施例では、
フェイスダウンボンディング方式について説明したがワ
イヤーボンディング方式についても同様である。更に封
止用樹脂として熱硬化のみならず光硬化性樹脂について
も用いることができる。
プ（７）のみを封止する封止用樹脂（８）上に緩和部材
（９）を配置するだけで封止用樹脂（８）の硬化収縮力
を抑制することができる。また、上述した実施例では、
フェイスダウンボンディング方式について説明したがワ
イヤーボンディング方式についても同様である。更に封
止用樹脂として熱硬化のみならず光硬化性樹脂について
も用いることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上に詳述したように、本発明の液晶表
示装置においては、封止用樹脂上に基板の熱膨張温度係
数と略等しいかあるいはそれより小さい熱膨張温度係数
を有する独立した緩和部材を配置することにより、封止
用樹脂を硬化させる際に生じる樹脂の収縮力を緩和部材
によって緩和することができ、熱硬化時の収縮によって
封止用樹脂が湾曲状にひずむことを防止できる。その結
果、熱硬化工程でガラス表面にクラックが発生せず、パ
ターン断線不良の発生を防止することができる。
示装置においては、封止用樹脂上に基板の熱膨張温度係
数と略等しいかあるいはそれより小さい熱膨張温度係数
を有する独立した緩和部材を配置することにより、封止
用樹脂を硬化させる際に生じる樹脂の収縮力を緩和部材
によって緩和することができ、熱硬化時の収縮によって
封止用樹脂が湾曲状にひずむことを防止できる。その結
果、熱硬化工程でガラス表面にクラックが発生せず、パ
ターン断線不良の発生を防止することができる。
【図１】本発明を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
（１） 液晶表示装置 （３）（４） 透明基板 （５）（６） 透明基板 （７） 半導体チップ （８） 封止用樹脂 （９） 緩和部材
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶表示パネルを構成する少なくとも一
方の透明基板上に半導体チップが直接実装され、その半
導体チップを熱硬化性の封止用樹脂で封止した液晶表示
装置において、前記封止用樹脂上に前記基板の熱膨張温
度係数と略等しいかあるいはそれより小さい熱膨張温度
係数を有する独立した緩和部材を配置したことを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶表示パネルを構成する少なくとも一
方の透明基板上に半導体チップが直接実装され、その半
導体チップのみを熱硬化性の封止した液晶表示装置にお
いて、前記封止用樹脂上に前記基板の熱膨張温度係数と
略等しいかあるいはそれより小さい熱膨張温度係数を有
し、且つ前記封止用樹脂面積と略同一サイズの緩和部材
を配置したことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2815693A JPH06242458A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2815693A JPH06242458A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242458A true JPH06242458A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12240898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2815693A Pending JPH06242458A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06242458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839365B1 (en) | 1999-10-28 | 2005-01-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light wavelength converting system |
| US6940180B1 (en) | 1996-09-05 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP2815693A patent/JPH06242458A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940180B1 (en) | 1996-09-05 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| US7084517B2 (en) | 1996-09-05 | 2006-08-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| US6839365B1 (en) | 1999-10-28 | 2005-01-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light wavelength converting system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3219043B2 (ja) | 半導体装置のパッケージ方法および半導体装置 | |
| KR100294958B1 (ko) | 반도체소자의장착구조 | |
| JPH09237806A (ja) | 半導体装置とその製造方法及びこの半導体装置を用いた実装構造体とその製造方法 | |
| JPH04137641A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06242458A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH02125454A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH10256304A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH02105446A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2001217261A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3184674B2 (ja) | 表示装置の実装構造 | |
| JPS6360533B2 (ja) | ||
| JP2721790B2 (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JPS5848932A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPH01135052A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR19980044255A (ko) | 플립 칩(Flip Chip)용 기판(Substrate)의 리드 핑거(Lead Finger)구조 | |
| JP2854192B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP3145892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0621249Y2 (ja) | 電子部品の封止構造 | |
| JPH06232208A (ja) | 半導体装置の封止方法と封止構造 | |
| JPH07288262A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0737921A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000260899A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2548891B2 (ja) | 半導体装置の実装方法とその実装体 | |
| JPH04278548A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |