JPH06232035A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH06232035A JPH06232035A JP5034204A JP3420493A JPH06232035A JP H06232035 A JPH06232035 A JP H06232035A JP 5034204 A JP5034204 A JP 5034204A JP 3420493 A JP3420493 A JP 3420493A JP H06232035 A JPH06232035 A JP H06232035A
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- Japan
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- processing
- liquid
- gas
- hmds
- processing container
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S427/00—Coating processes
- Y10S427/101—Liquid Source Chemical Depostion, i.e. LSCVD or Aerosol Chemical Vapor Deposition, i.e. ACVD
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
［目的］処理容器における処理ガス雰囲気の濃度を高精
度に制御し、処理ガスの液滴化現象およびそれに付随し
た不具合を解消する。 ［構成］処理液供給部１０は、ＨＭＤＳ液を貯溜するタ
ンク１２と、このタンク１２から処理容器１０内へＨＭ
ＤＳ液を必要な時に必要な量だけ送出する処理液送出機
構１４とを有している。処理容器３０は密閉可能なチャ
ンバで、排気管４０を介してエゼクタ４２に接続されて
いる。容器３０内には、半導体ウエハＷを載置するため
の基板載置台３４が設置されるとともに、基板載置台３
４の回りに環状の支持リング３６が配置されている。支
持リング３６の上面には、適当な間隔を置いて数箇所
に、凹状の液受け部５０Ａ，５０Ｂが設けられている。
ＨＭＤＳ液を供給するための配管１６Ａ，１６Ｂは、液
受け部５０Ａ，５０Ｂまで引かれている。
度に制御し、処理ガスの液滴化現象およびそれに付随し
た不具合を解消する。 ［構成］処理液供給部１０は、ＨＭＤＳ液を貯溜するタ
ンク１２と、このタンク１２から処理容器１０内へＨＭ
ＤＳ液を必要な時に必要な量だけ送出する処理液送出機
構１４とを有している。処理容器３０は密閉可能なチャ
ンバで、排気管４０を介してエゼクタ４２に接続されて
いる。容器３０内には、半導体ウエハＷを載置するため
の基板載置台３４が設置されるとともに、基板載置台３
４の回りに環状の支持リング３６が配置されている。支
持リング３６の上面には、適当な間隔を置いて数箇所
に、凹状の液受け部５０Ａ，５０Ｂが設けられている。
ＨＭＤＳ液を供給するための配管１６Ａ，１６Ｂは、液
受け部５０Ａ，５０Ｂまで引かれている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理容器内で処理ガス
の雰囲気中に被処理体を晒して所定の処理を行う処理装
置に関する。
の雰囲気中に被処理体を晒して所定の処理を行う処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトレジスト工
程では、半導体ウエハに対するレジストの密着性・固着
性を良くするために、レジスト塗付に先立って、ヘキサ
メチルジシラン（以下ＨＭＤＳという）により半導体ウ
エハの表面を疏水化するアドヒージョン（adhesion）処
理が行われている。
程では、半導体ウエハに対するレジストの密着性・固着
性を良くするために、レジスト塗付に先立って、ヘキサ
メチルジシラン（以下ＨＭＤＳという）により半導体ウ
エハの表面を疏水化するアドヒージョン（adhesion）処
理が行われている。
【０００３】図８に、従来の枚葉型アドヒージョン処理
装置の構成を示す。このアドヒージョン処理装置のタン
ク１００においては、タンク内にＨＭＤＳ液が貯留され
ており、タンク底部に設けられたバブラー１０２にキャ
リアガスとして窒素ガス（Ｎ2 ガス）がＮ2 ガス供給管
１０４より供給され、バブラー１０２より発生されるＮ
2 ガスの泡１０６にＨＭＤＳが気化して溶け込むように
なっている。このようにして気相化したＨＭＤＳ（ＨＭ
ＤＳガス）は、Ｎ2 ガスと共にＨＭＤＳガス供給管１０
８を通って処理容器１１０内へ送られる。ＨＭＤＳガス
供給管１０８には、ＨＭＤＳを溶解したＮ2 ガスが所定
の流量で流れていることを確認するためのフロート式流
量計１１６が設けられている。
装置の構成を示す。このアドヒージョン処理装置のタン
ク１００においては、タンク内にＨＭＤＳ液が貯留され
ており、タンク底部に設けられたバブラー１０２にキャ
リアガスとして窒素ガス（Ｎ2 ガス）がＮ2 ガス供給管
１０４より供給され、バブラー１０２より発生されるＮ
2 ガスの泡１０６にＨＭＤＳが気化して溶け込むように
なっている。このようにして気相化したＨＭＤＳ（ＨＭ
ＤＳガス）は、Ｎ2 ガスと共にＨＭＤＳガス供給管１０
８を通って処理容器１１０内へ送られる。ＨＭＤＳガス
供給管１０８には、ＨＭＤＳを溶解したＮ2 ガスが所定
の流量で流れていることを確認するためのフロート式流
量計１１６が設けられている。
【０００４】処理容器１１０内には、加熱機構を内蔵し
た載置台１１２上に被処理体としての半導体ウエハＷが
載置されている。半導体ウエハＷは、処理容器１１０内
に導入されたＨＭＤＳガスの雰囲気中に晒されながら、
所定温度で加熱されることにより、その表面が疏水化さ
れる。処理後のガスは排気管１１４より排気される。
た載置台１１２上に被処理体としての半導体ウエハＷが
載置されている。半導体ウエハＷは、処理容器１１０内
に導入されたＨＭＤＳガスの雰囲気中に晒されながら、
所定温度で加熱されることにより、その表面が疏水化さ
れる。処理後のガスは排気管１１４より排気される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のア
ドヒージョン処理装置では、バブラー１０２に供給する
キャリアガス（Ｎ2 ガス）の供給量を変えることによっ
て、タンク１００により発生するＨＭＤＳガスの濃度を
制御し、ひいては処理容器１１０におけるＨＭＤＳガス
雰囲気の濃度を制御するようにしているが、キャリアガ
スの供給量とＨＭＤＳガスの発生量との間に一定の比例
関係があるわけではないので、高精度な濃度制御を行う
ことが難しく、処理品質の管理上具合が悪かった。
ドヒージョン処理装置では、バブラー１０２に供給する
キャリアガス（Ｎ2 ガス）の供給量を変えることによっ
て、タンク１００により発生するＨＭＤＳガスの濃度を
制御し、ひいては処理容器１１０におけるＨＭＤＳガス
雰囲気の濃度を制御するようにしているが、キャリアガ
スの供給量とＨＭＤＳガスの発生量との間に一定の比例
関係があるわけではないので、高精度な濃度制御を行う
ことが難しく、処理品質の管理上具合が悪かった。
【０００６】また、ＨＭＤＳガスがＨＭＤＳガス供給管
１０８内を流れる際に、一部が液滴化して管１０８の内
壁に付着することがある。特に、キャリアガス（Ｎ2 ガ
ス）中のＨＭＤＳの濃度が高い場合や、ＨＭＤＳガスの
温度と供給管の周囲の温度との温度差が大きい場合、そ
のようなＨＭＤＳガスの液滴化現象が発生しやすい。そ
のようなＨＭＤＳガス供給管１０８内で液滴化したＨＭ
ＤＳがそのうち処理容器１１０内に入り込んで半導体ウ
エハＷに付着すると、半導体ウエハＷ上にピンホール等
を発生させ、半導体製品の歩留まり低下の原因となっ
た。さらに、液滴化したＨＭＤＳが処理容器１１０内で
ウエハ加熱機構のヒータ等に触れると、発火するおそれ
があった。
１０８内を流れる際に、一部が液滴化して管１０８の内
壁に付着することがある。特に、キャリアガス（Ｎ2 ガ
ス）中のＨＭＤＳの濃度が高い場合や、ＨＭＤＳガスの
温度と供給管の周囲の温度との温度差が大きい場合、そ
のようなＨＭＤＳガスの液滴化現象が発生しやすい。そ
のようなＨＭＤＳガス供給管１０８内で液滴化したＨＭ
ＤＳがそのうち処理容器１１０内に入り込んで半導体ウ
エハＷに付着すると、半導体ウエハＷ上にピンホール等
を発生させ、半導体製品の歩留まり低下の原因となっ
た。さらに、液滴化したＨＭＤＳが処理容器１１０内で
ウエハ加熱機構のヒータ等に触れると、発火するおそれ
があった。
【０００７】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、処理容器における処理ガス雰囲気の濃度の高精
度な制御を可能にするとともに、処理ガスの液滴化現象
およびそれに付随した不具合を解消する処理装置を提供
することを目的とする。
もので、処理容器における処理ガス雰囲気の濃度の高精
度な制御を可能にするとともに、処理ガスの液滴化現象
およびそれに付随した不具合を解消する処理装置を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の処理装置は、処理ガスの雰囲気中
に被処理体を晒して所定の処理を行う処理容器と、前記
処理容器内に所定量の処理液を供給する処理液供給手段
と、前記処理容器内に供給された前記所定量の処理液を
気化させて前記処理ガスを生成する手段とを具備する構
成とした。
めに、本発明の第１の処理装置は、処理ガスの雰囲気中
に被処理体を晒して所定の処理を行う処理容器と、前記
処理容器内に所定量の処理液を供給する処理液供給手段
と、前記処理容器内に供給された前記所定量の処理液を
気化させて前記処理ガスを生成する手段とを具備する構
成とした。
【０００９】また、本発明の第２の処理装置は、処理ガ
スの雰囲気中に被処理体を晒して所定の処理を行う処理
容器と、前記処理容器の外に設けられた処理ガス生成室
に所定量の処理液を供給する処理液供給手段と、前記処
理ガス生成室内に供給された前記所定量の処理液を気化
させて前記処理ガスを生成する手段と、前記処理ガス生
成室内で生成された前記処理ガスを前記処理容器内に移
す手段とを具備する構成とした。
スの雰囲気中に被処理体を晒して所定の処理を行う処理
容器と、前記処理容器の外に設けられた処理ガス生成室
に所定量の処理液を供給する処理液供給手段と、前記処
理ガス生成室内に供給された前記所定量の処理液を気化
させて前記処理ガスを生成する手段と、前記処理ガス生
成室内で生成された前記処理ガスを前記処理容器内に移
す手段とを具備する構成とした。
【００１０】
【作用】本発明の第１の処理装置では、処理液供給手段
によって処理液が液相状態のまま必要時に所定の量だけ
処理容器内に供給される。処理容器内に供給された所定
量の処理液は、この容器内で処理ガス生成手段により気
化して処理ガスとなる。被処理体は、このように処理容
器内で生成された処理ガスの雰囲気中に晒されて所定の
処理を受ける。処理容器内への処理液の供給量が制御さ
れることで、処理容器内の処理ガスの雰囲気濃度が制御
される。
によって処理液が液相状態のまま必要時に所定の量だけ
処理容器内に供給される。処理容器内に供給された所定
量の処理液は、この容器内で処理ガス生成手段により気
化して処理ガスとなる。被処理体は、このように処理容
器内で生成された処理ガスの雰囲気中に晒されて所定の
処理を受ける。処理容器内への処理液の供給量が制御さ
れることで、処理容器内の処理ガスの雰囲気濃度が制御
される。
【００１１】本発明の第２の処理装置では、処理液供給
手段によって処理液が液相状態のまま必要時に所定の量
だけ処理ガス生成室内に供給される。処理ガス生成室内
に供給された所定量の処理液は、この室内で処理ガス生
成手段により気化して処理ガスとなる。次に、処理ガス
移送手段により、処理ガスが処理ガス生成室から処理容
器内に移される。被処理体は、このように処理容器内に
移された処理ガスの雰囲気中に晒されて所定の処理を受
ける。処理ガス生成室内への処理液の供給量が制御され
ることで、処理容器内の処理ガスの雰囲気濃度が制御さ
れる。
手段によって処理液が液相状態のまま必要時に所定の量
だけ処理ガス生成室内に供給される。処理ガス生成室内
に供給された所定量の処理液は、この室内で処理ガス生
成手段により気化して処理ガスとなる。次に、処理ガス
移送手段により、処理ガスが処理ガス生成室から処理容
器内に移される。被処理体は、このように処理容器内に
移された処理ガスの雰囲気中に晒されて所定の処理を受
ける。処理ガス生成室内への処理液の供給量が制御され
ることで、処理容器内の処理ガスの雰囲気濃度が制御さ
れる。
【００１２】
【実施例】以下、図１〜図７を参照して本発明を枚葉型
のアドヒージョン処理装置に適用した実施例を説明す
る。
のアドヒージョン処理装置に適用した実施例を説明す
る。
【００１３】図１は、第１の実施例によるアドヒージョ
ン処理装置の構成を示す。この処理装置は、ＨＭＤＳガ
ス（処理ガス）の雰囲気中に半導体ウエハＷ（被処理
体）を晒してアドヒージョン処理を行う処理容器３０
と、処理容器３０内へＨＭＤＳ液（処理液）を必要時に
所定量だけ供給する処理液供給部１０とからなる。
ン処理装置の構成を示す。この処理装置は、ＨＭＤＳガ
ス（処理ガス）の雰囲気中に半導体ウエハＷ（被処理
体）を晒してアドヒージョン処理を行う処理容器３０
と、処理容器３０内へＨＭＤＳ液（処理液）を必要時に
所定量だけ供給する処理液供給部１０とからなる。
【００１４】処理液供給部１０は、ＨＭＤＳ液を貯溜す
るタンク１２と、このタンク１２から処理容器３０内へ
ＨＭＤＳ液を送出する処理液送出機構１４とを有してい
る。タンク１２内には、ＨＭＤＳ液を汲み出す（送液す
る）ために、配管１６の一端がタンクの底部付近まで沈
められるとともに、加圧用の不活性ガスたとえばＮ2ガ
スを導入するガス供給管１８の一端が液面上のタンク頂
部付近に配置されている。また、ＨＭＤＳ液を予備タン
ク（図示せず）からタンク１２へ補給するためのＨＭＤ
Ｓ液補給管１９の一端も接続されている。
るタンク１２と、このタンク１２から処理容器３０内へ
ＨＭＤＳ液を送出する処理液送出機構１４とを有してい
る。タンク１２内には、ＨＭＤＳ液を汲み出す（送液す
る）ために、配管１６の一端がタンクの底部付近まで沈
められるとともに、加圧用の不活性ガスたとえばＮ2ガ
スを導入するガス供給管１８の一端が液面上のタンク頂
部付近に配置されている。また、ＨＭＤＳ液を予備タン
ク（図示せず）からタンク１２へ補給するためのＨＭＤ
Ｓ液補給管１９の一端も接続されている。
【００１５】配管１６は、タンク１２の外で複数本たと
えば２本の配管１６Ａ，１６Ｂに分岐し、それぞれの端
部は処理容器３０内まで延びている。配管１６Ａ，１６
Ｂの途中には、ニードル弁２０Ａ，２０Ｂ、エアオペバ
ルブ（開閉弁）２２Ａ，２２Ｂおよびサックバックバル
ブ２４Ａ，２４Ｂがそれぞれ設けられている。エアオペ
バルブ２２Ａ，２２Ｂは、定常時は閉じていて、処理容
器３０内でアドヒージョン処理が行われるときに、所定
のタイミングで同時に所定時間だけ開くように構成され
ている。
えば２本の配管１６Ａ，１６Ｂに分岐し、それぞれの端
部は処理容器３０内まで延びている。配管１６Ａ，１６
Ｂの途中には、ニードル弁２０Ａ，２０Ｂ、エアオペバ
ルブ（開閉弁）２２Ａ，２２Ｂおよびサックバックバル
ブ２４Ａ，２４Ｂがそれぞれ設けられている。エアオペ
バルブ２２Ａ，２２Ｂは、定常時は閉じていて、処理容
器３０内でアドヒージョン処理が行われるときに、所定
のタイミングで同時に所定時間だけ開くように構成され
ている。
【００１６】処理容器３０は密閉可能なチャンバからな
り、そのチャンバ底部には加熱手段たとえば発熱抵抗体
３２を内蔵した円盤状の基板載置台３４が設置されると
ともに、基板載置台３４の回りに環状の載置台支持リン
グ３６が配置されている。基板載置台３４の外周面と支
持リング３６の内周面との間にはわずかなたとえば２〜
５ｍｍ程度の隙間３８が設けられ、この隙間３８を介し
て排気管４０が容器底面から処理容器３０内に接続され
ている。排気管４０には、処理容器３０内を負圧に吸引
するためのエゼクタ（空気圧式真空装置）４２が介挿さ
れている。このエゼクタ４２には、駆動用の圧縮空気を
供給するための駆動空気供給管４４が接続されている。
駆動空気供給管４４および排気管４０にはそれぞれ開閉
弁４６，４８が介挿されている。
り、そのチャンバ底部には加熱手段たとえば発熱抵抗体
３２を内蔵した円盤状の基板載置台３４が設置されると
ともに、基板載置台３４の回りに環状の載置台支持リン
グ３６が配置されている。基板載置台３４の外周面と支
持リング３６の内周面との間にはわずかなたとえば２〜
５ｍｍ程度の隙間３８が設けられ、この隙間３８を介し
て排気管４０が容器底面から処理容器３０内に接続され
ている。排気管４０には、処理容器３０内を負圧に吸引
するためのエゼクタ（空気圧式真空装置）４２が介挿さ
れている。このエゼクタ４２には、駆動用の圧縮空気を
供給するための駆動空気供給管４４が接続されている。
駆動空気供給管４４および排気管４０にはそれぞれ開閉
弁４６，４８が介挿されている。
【００１７】処理容器３０内において、支持リング３６
の上面には、適当な間隔を置いて数箇所、たとえば図示
のように約１８０゜の間隔を置いて２箇所に、たとえば
寸法が幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍ、深さ５ｍｍ程度の凹
状の液受け部５０Ａ，５０Ｂが設けられている。配管１
６Ａ，１６Ｂは、処理容器３０の天板部を適当なフィッ
ティング（図示せず）を介して容器内に貫通し、それぞ
れ液受け部５０Ａ，５０Ｂのすぐ真上まで降りて来てい
る。配管１６Ａ，１６Ｂのそれぞれの先端部にはノズル
２６Ａ，２６Ｂが取付されている。支持リング３６に
は、液受け部５０Ａ，５０Ｂ付近に加熱手段たとえば発
熱抵抗体５２Ａ，５２Ｂが内蔵または取付されている。
また、処理容器３０には、半導体ウエハＷを搬入・搬出
するための開閉手段、たとえばシャッタ（図示せず）が
設けられている。
の上面には、適当な間隔を置いて数箇所、たとえば図示
のように約１８０゜の間隔を置いて２箇所に、たとえば
寸法が幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍ、深さ５ｍｍ程度の凹
状の液受け部５０Ａ，５０Ｂが設けられている。配管１
６Ａ，１６Ｂは、処理容器３０の天板部を適当なフィッ
ティング（図示せず）を介して容器内に貫通し、それぞ
れ液受け部５０Ａ，５０Ｂのすぐ真上まで降りて来てい
る。配管１６Ａ，１６Ｂのそれぞれの先端部にはノズル
２６Ａ，２６Ｂが取付されている。支持リング３６に
は、液受け部５０Ａ，５０Ｂ付近に加熱手段たとえば発
熱抵抗体５２Ａ，５２Ｂが内蔵または取付されている。
また、処理容器３０には、半導体ウエハＷを搬入・搬出
するための開閉手段、たとえばシャッタ（図示せず）が
設けられている。
【００１８】次に、本実施例によるアドヒージョン処理
装置の動作について説明する。先ず処理容器３０におい
て、アドヒージョン処理を受けるべき半導体ウエハＷ
が、搬送アーム（図示せず）によりシャッタを介して容
器３０内に搬入され載置台３４に載置される。半導体ウ
エハＷがローディングされた後、処理容器３０は密閉状
態にされる。次に、開閉弁４８が開いてエゼクタ４２に
駆動用の圧縮空気が供給され、エゼクタ４２が作動す
る。次に、開閉弁４６が開いて、処理容器３０内がたと
えば３０ｍｍＨｇの減圧状態まで排気される。一方、発
熱抵抗体３２，５２Ａ，５２Ｂに電流が供給され、それ
らの抵抗発熱体が発熱する。これによって、載置台３４
上の半導体ウエハＷが所定の処理温度たとえば約１００
゜に加熱されるとともに、支持リング３４の液受け部５
０Ａ，５０Ｂが所定の蒸発加熱温度たとえば１５０゜に
暖められる。
装置の動作について説明する。先ず処理容器３０におい
て、アドヒージョン処理を受けるべき半導体ウエハＷ
が、搬送アーム（図示せず）によりシャッタを介して容
器３０内に搬入され載置台３４に載置される。半導体ウ
エハＷがローディングされた後、処理容器３０は密閉状
態にされる。次に、開閉弁４８が開いてエゼクタ４２に
駆動用の圧縮空気が供給され、エゼクタ４２が作動す
る。次に、開閉弁４６が開いて、処理容器３０内がたと
えば３０ｍｍＨｇの減圧状態まで排気される。一方、発
熱抵抗体３２，５２Ａ，５２Ｂに電流が供給され、それ
らの抵抗発熱体が発熱する。これによって、載置台３４
上の半導体ウエハＷが所定の処理温度たとえば約１００
゜に加熱されるとともに、支持リング３４の液受け部５
０Ａ，５０Ｂが所定の蒸発加熱温度たとえば１５０゜に
暖められる。
【００１９】処理液供給部１０においては、ＨＭＤＳ液
を貯溜しているタンク１２に加圧用のＮ2 ガスがガス供
給管１８より導入される。そして、上記のように処理容
器３０内の圧力および各部の温度が所定値に達したとこ
ろで、処理液送出機構１４のエアオペバルブ２２Ａ，２
２Ｂが同時にそれぞれ所定時間だけ開き、これによって
タンク１２より処理に必要なだけの所定量のＨＭＤＳ
液、たとえば８インチの半導体ウエハの場合は合計０．
５ｃｃ程度のＨＭＤＳ液が配管１６Ａ，１６Ｂを介して
処理容器３０内へ供給される。エアオペバルブ２２Ａ，
２２Ｂの開動作は開状態を所定時間連続的に維持するも
のであってもよく、あるいは開状態を一定周期で断続的
に所定回数繰り返すものであってもよい。配管１６Ａ，
１６Ｂ内の流量はニードル弁２０Ａ，２０Ｂによって一
定に制御されるため、エアオペバルブ２２Ａ，２２Ｂの
開時間に比例した液量が供給されることになる。また、
エアオペバルブ２２Ａ，２２Ｂが完全に閉じてＨＭＤＳ
液の供給が終了した直後に、サックバックバルブ２４
Ａ，２４Ｂが作動し、ノズル２６Ａ，２６Ｂに残ってい
るＨＭＤＳ液を配管側に向かって吸引する。
を貯溜しているタンク１２に加圧用のＮ2 ガスがガス供
給管１８より導入される。そして、上記のように処理容
器３０内の圧力および各部の温度が所定値に達したとこ
ろで、処理液送出機構１４のエアオペバルブ２２Ａ，２
２Ｂが同時にそれぞれ所定時間だけ開き、これによって
タンク１２より処理に必要なだけの所定量のＨＭＤＳ
液、たとえば８インチの半導体ウエハの場合は合計０．
５ｃｃ程度のＨＭＤＳ液が配管１６Ａ，１６Ｂを介して
処理容器３０内へ供給される。エアオペバルブ２２Ａ，
２２Ｂの開動作は開状態を所定時間連続的に維持するも
のであってもよく、あるいは開状態を一定周期で断続的
に所定回数繰り返すものであってもよい。配管１６Ａ，
１６Ｂ内の流量はニードル弁２０Ａ，２０Ｂによって一
定に制御されるため、エアオペバルブ２２Ａ，２２Ｂの
開時間に比例した液量が供給されることになる。また、
エアオペバルブ２２Ａ，２２Ｂが完全に閉じてＨＭＤＳ
液の供給が終了した直後に、サックバックバルブ２４
Ａ，２４Ｂが作動し、ノズル２６Ａ，２６Ｂに残ってい
るＨＭＤＳ液を配管側に向かって吸引する。
【００２０】処理容器３０内では、配管１６Ａ，１６Ｂ
の先端部のノズル２６Ａ，２６ＢよりＨＭＤＳ液が上記
所定量だけ液受け部５０Ａ，５０Ｂに滴下されると、そ
こで滴化されたＨＭＤＳ液滴の全部が瞬時に蒸発してＨ
ＭＤＳガスとなる。処理容器３０内は減圧状態になって
いるため、液受け部５０Ａ，５０Ｂで蒸発したＨＭＤＳ
ガスは速やかにチャンバ中に拡散する。半導体ウエハＷ
は、載置台３４上でかかるＨＭＤＳガスの雰囲気中に晒
されながら所定時間加熱される。その結果、ウエハＷの
表面がＨＭＤＳによって適度に疏水化される。
の先端部のノズル２６Ａ，２６ＢよりＨＭＤＳ液が上記
所定量だけ液受け部５０Ａ，５０Ｂに滴下されると、そ
こで滴化されたＨＭＤＳ液滴の全部が瞬時に蒸発してＨ
ＭＤＳガスとなる。処理容器３０内は減圧状態になって
いるため、液受け部５０Ａ，５０Ｂで蒸発したＨＭＤＳ
ガスは速やかにチャンバ中に拡散する。半導体ウエハＷ
は、載置台３４上でかかるＨＭＤＳガスの雰囲気中に晒
されながら所定時間加熱される。その結果、ウエハＷの
表面がＨＭＤＳによって適度に疏水化される。
【００２１】このように、本実施例のアドヒージョン処
理装置では、処理時にＨＭＤＳを液相状態で所要の量だ
け処理容器３０内に供給し、その供給したＨＭＤＳ液を
減圧下の処理容器３０内で蒸発させてＨＭＤＳガスを生
成せしめ、そのＨＭＤＳガスの雰囲気中に半導体ウエハ
Ｗを晒しながら加熱して、ウエハＷの表面処理（疏水化
処理）を行う。この処理に用いられるＨＭＤＳガス雰囲
気の濃度は、処理容器３０内に供給されたＨＭＤＳ液の
液量に比例する。ＨＭＤＳ液の供給量は、処理液供給部
１４で正確に制御することができる。したがって、ＨＭ
ＤＳ液の供給量を制御することによって、処理容器３０
内のＨＭＤＳガス雰囲気の濃度を正確に制御することが
できる。また、処理容器３０内の圧力を任意に調整でき
ることはもちろんのこと、支持リング３６の液受け部５
０Ａ，５０Ｂの温度を基板載置台３４の温度とは別個に
任意に制御することができる。したがって、処理容器３
０内の圧力および液受け部５０Ａ，５０Ｂの温度を調整
することで、処理容器３０におけるＨＭＤＳガスの蒸発
速度を適度に調整することが可能である。また、ＨＭＤ
Ｓガスの生成直後に、発熱抵抗体５２Ａ，５２Ｂの発熱
を止めて構わないのはもちろんのこと、処理容器３０内
の圧力をアドヒージョン処理に適した値に切り替えるよ
うにしてもよい。
理装置では、処理時にＨＭＤＳを液相状態で所要の量だ
け処理容器３０内に供給し、その供給したＨＭＤＳ液を
減圧下の処理容器３０内で蒸発させてＨＭＤＳガスを生
成せしめ、そのＨＭＤＳガスの雰囲気中に半導体ウエハ
Ｗを晒しながら加熱して、ウエハＷの表面処理（疏水化
処理）を行う。この処理に用いられるＨＭＤＳガス雰囲
気の濃度は、処理容器３０内に供給されたＨＭＤＳ液の
液量に比例する。ＨＭＤＳ液の供給量は、処理液供給部
１４で正確に制御することができる。したがって、ＨＭ
ＤＳ液の供給量を制御することによって、処理容器３０
内のＨＭＤＳガス雰囲気の濃度を正確に制御することが
できる。また、処理容器３０内の圧力を任意に調整でき
ることはもちろんのこと、支持リング３６の液受け部５
０Ａ，５０Ｂの温度を基板載置台３４の温度とは別個に
任意に制御することができる。したがって、処理容器３
０内の圧力および液受け部５０Ａ，５０Ｂの温度を調整
することで、処理容器３０におけるＨＭＤＳガスの蒸発
速度を適度に調整することが可能である。また、ＨＭＤ
Ｓガスの生成直後に、発熱抵抗体５２Ａ，５２Ｂの発熱
を止めて構わないのはもちろんのこと、処理容器３０内
の圧力をアドヒージョン処理に適した値に切り替えるよ
うにしてもよい。
【００２２】また、本実施例のアドヒージョン処理装置
では、ＨＭＤＳガス供給管を用いないので、液滴化現象
の問題はなく、液滴が半導体ウエハＷや載置台３４に付
着することがないので、液滴による歩留まり低下や火災
等のおそれはない。
では、ＨＭＤＳガス供給管を用いないので、液滴化現象
の問題はなく、液滴が半導体ウエハＷや載置台３４に付
着することがないので、液滴による歩留まり低下や火災
等のおそれはない。
【００２３】上述した第１の実施例では、処理容器３０
内でＨＭＤＳ液を蒸発させるための液受け部５０Ａ，５
０Ｂを基板載置台３４を囲む支持リング３６の上面に２
箇所設けている。支持リング３６は着脱可能に配設され
ているので、支持リング３６を取り外すことで、液受け
部５０Ａ，５０Ｂの修理・交換を行うことが可能であ
る。しかし、このような構成は一例であり、液受け部の
材質・構造・個数・設置位置等については種々の変形・
変更が可能である。図２〜図４に、幾つかの変形例を示
す。
内でＨＭＤＳ液を蒸発させるための液受け部５０Ａ，５
０Ｂを基板載置台３４を囲む支持リング３６の上面に２
箇所設けている。支持リング３６は着脱可能に配設され
ているので、支持リング３６を取り外すことで、液受け
部５０Ａ，５０Ｂの修理・交換を行うことが可能であ
る。しかし、このような構成は一例であり、液受け部の
材質・構造・個数・設置位置等については種々の変形・
変更が可能である。図２〜図４に、幾つかの変形例を示
す。
【００２４】図２の変形例は、基板載置台３４よりも高
い位置に皿状の液受け部５４Ａ，５４Ｂを設けたもので
ある。これらの液受け皿５４Ａ，５４Ｂは、図示しない
支持部材によって容器３０の側面に着脱可能に固定取付
され、それぞれの下面には加熱手段たとえば発熱抵抗体
５６Ａ，５６Ｂが一体的に取付されている。配管１６
Ａ，１６Ｂの先端部つまりノズル２６Ａ，２６Ｂは、液
受け皿５４Ａ，５４Ｂのすぐ真上に位置している。かか
る構成によれば、上記第１実施例の液受け部５０Ａ，５
０Ｂと同様に、液受け皿５４Ａ，５４Ｂが発熱抵抗体５
６Ａ，５６Ｂによって適当な温度に暖められているとこ
ろに、ノズル２６Ａ，２６Ｂより所定量のＨＭＤＳ液が
滴下され、その滴下されたＨＭＤＳ液の全部が瞬時に蒸
発してＨＭＤＳガスに変わる。処理容器３０内は所定の
負圧に減圧されているので、生成したＨＭＤＳガスは液
受け皿５４Ａ，５４Ｂから速やかに拡散し、容器３０内
に処理ガス雰囲気が形成される。
い位置に皿状の液受け部５４Ａ，５４Ｂを設けたもので
ある。これらの液受け皿５４Ａ，５４Ｂは、図示しない
支持部材によって容器３０の側面に着脱可能に固定取付
され、それぞれの下面には加熱手段たとえば発熱抵抗体
５６Ａ，５６Ｂが一体的に取付されている。配管１６
Ａ，１６Ｂの先端部つまりノズル２６Ａ，２６Ｂは、液
受け皿５４Ａ，５４Ｂのすぐ真上に位置している。かか
る構成によれば、上記第１実施例の液受け部５０Ａ，５
０Ｂと同様に、液受け皿５４Ａ，５４Ｂが発熱抵抗体５
６Ａ，５６Ｂによって適当な温度に暖められているとこ
ろに、ノズル２６Ａ，２６Ｂより所定量のＨＭＤＳ液が
滴下され、その滴下されたＨＭＤＳ液の全部が瞬時に蒸
発してＨＭＤＳガスに変わる。処理容器３０内は所定の
負圧に減圧されているので、生成したＨＭＤＳガスは液
受け皿５４Ａ，５４Ｂから速やかに拡散し、容器３０内
に処理ガス雰囲気が形成される。
【００２５】図３の変形例は、ＨＭＤＳ液を濾過性の樹
脂または繊維で液受け部５８Ａ，５８Ｂを構成したもの
である。各液受け部５８Ａ，５８Ｂの周りにはメッシュ
状の発熱抵抗体６０Ａ，６０Ｂが取付されている。配管
１６Ａ，１６Ｂの先端部は、ノズルを付けずに液受け部
５８Ａ，５８Ｂに挿入されている。かかる構成によれ
ば、液受け部５８Ａ，５８Ｂが発熱抵抗体６０Ａ，６０
Ｂによって適当な温度に暖められているところに、配管
１６Ａ，１６Ｂより所定量のＨＭＤＳ液が液受け部５８
Ａ，５８Ｂの濾過性樹脂または繊維中に導入され、その
導入されたＨＭＤＳ液の全部が瞬時ないし漸次蒸発して
ＨＭＤＳガスに変わる。処理容器３０内は所定の負圧に
減圧されているので、ＨＭＤＳガスは液受け部５８Ａ，
５８Ｂから四方ないし下方に速やかに拡散する。これに
よって、容器３０内にＨＭＤＳガスの雰囲気が形成され
る。
脂または繊維で液受け部５８Ａ，５８Ｂを構成したもの
である。各液受け部５８Ａ，５８Ｂの周りにはメッシュ
状の発熱抵抗体６０Ａ，６０Ｂが取付されている。配管
１６Ａ，１６Ｂの先端部は、ノズルを付けずに液受け部
５８Ａ，５８Ｂに挿入されている。かかる構成によれ
ば、液受け部５８Ａ，５８Ｂが発熱抵抗体６０Ａ，６０
Ｂによって適当な温度に暖められているところに、配管
１６Ａ，１６Ｂより所定量のＨＭＤＳ液が液受け部５８
Ａ，５８Ｂの濾過性樹脂または繊維中に導入され、その
導入されたＨＭＤＳ液の全部が瞬時ないし漸次蒸発して
ＨＭＤＳガスに変わる。処理容器３０内は所定の負圧に
減圧されているので、ＨＭＤＳガスは液受け部５８Ａ，
５８Ｂから四方ないし下方に速やかに拡散する。これに
よって、容器３０内にＨＭＤＳガスの雰囲気が形成され
る。
【００２６】図４の変形例は、基板載置台３４の上面の
周縁部に凹状の液受け部３４ａ，３４ｂを設けたもので
ある。かかる構成によれば、基板載置台３４に内蔵され
ている発熱手段（発熱抵抗体）３２が液受け部３４ａ，
３４ｂの加熱にも利用されるているので、ＨＭＤＳ液を
蒸発させるための専用の発熱手段が省けるいう利点があ
る。また、この変形例では、配管１６Ａが処理容器３０
の側壁を貫通して液受け部３４ａまで引かれている。こ
のように、任意の場所を通って処理容器３０内にＨＭＤ
Ｓ液を供給することが可能である。
周縁部に凹状の液受け部３４ａ，３４ｂを設けたもので
ある。かかる構成によれば、基板載置台３４に内蔵され
ている発熱手段（発熱抵抗体）３２が液受け部３４ａ，
３４ｂの加熱にも利用されるているので、ＨＭＤＳ液を
蒸発させるための専用の発熱手段が省けるいう利点があ
る。また、この変形例では、配管１６Ａが処理容器３０
の側壁を貫通して液受け部３４ａまで引かれている。こ
のように、任意の場所を通って処理容器３０内にＨＭＤ
Ｓ液を供給することが可能である。
【００２７】図５は、第２の実施例によるアドヒージョ
ン処理装置の構成を示す。この実施例において、上記第
１実施例のものと同様の構成・機能を有する部分には同
一の符号を付し、その説明を省略する。上記第１実施例
では、タンク１２内に不活性ガス（Ｎ2 ガス）を導入
し、その圧力でタンク１２からＨＭＤＳ液を配管１６に
汲み出すようにした。そのような加圧用ガスを用いる代
わりに、ポンプでＨＭＤＳ液を汲み上げることも可能で
ある。しかし、この第２実施例のように、処理液貯溜容
器（ボトル）６２内の液面とノズル２６の先端（下端）
との高低差（落差）を利用した処理液供給機構によれ
ば、加圧用ガスやポンプ等の特別な送圧手段を用いるこ
となく、ＨＭＤＳ液を必要時に所要の液量だけ処理容器
３０内に供給することができる。
ン処理装置の構成を示す。この実施例において、上記第
１実施例のものと同様の構成・機能を有する部分には同
一の符号を付し、その説明を省略する。上記第１実施例
では、タンク１２内に不活性ガス（Ｎ2 ガス）を導入
し、その圧力でタンク１２からＨＭＤＳ液を配管１６に
汲み出すようにした。そのような加圧用ガスを用いる代
わりに、ポンプでＨＭＤＳ液を汲み上げることも可能で
ある。しかし、この第２実施例のように、処理液貯溜容
器（ボトル）６２内の液面とノズル２６の先端（下端）
との高低差（落差）を利用した処理液供給機構によれ
ば、加圧用ガスやポンプ等の特別な送圧手段を用いるこ
となく、ＨＭＤＳ液を必要時に所要の液量だけ処理容器
３０内に供給することができる。
【００２８】図５において、ＨＭＤＳ液が入っているボ
トル６２は逆さの姿勢で引っ張りコイルバネ６４を介し
て支持部６６に吊り下げられている。配管１６の上端部
はボトル３２内に貫挿されている。また、一端がボトル
３２内に貫挿されているガス導入管６８は、落差による
ＨＭＤＳ液の送出を可能にするためボトル３２内に大気
（またはＮ2 ガス）を導入するものである。かかる構成
によれば、ボトル３２内でＨＭＤＳ液が減少すると、そ
のぶん重量が軽くなるために引っ張りコイルバネ６４が
収縮して、ボトル３２が上方に引き上げられるようにな
っている。したがって、コイルバネ６４のバネ定数を適
宜な値に選定することで、ボトル３２内でＨＭＤＳ液の
液量が変化しても、ノズル１６の下端からみたＨＭＤＳ
液の液面の高さ（落差）は常に一定値ｈに保たれるよう
にすることができる。なお、この実施例における配管１
６は、少なくとも一部が折り曲げ可能な柔軟な配管から
なり、その柔軟な配管部分で図示のような折り曲げ部１
６ａが形成されている。ボトル３２が上下方向に移動す
ると、この折り曲げ部１６ａが変形することで、それよ
り下方の配管部は固定状態を保持することが可能となっ
ている。なお、配管１６に介挿されるエアオペバルブ２
２およびサックバックバルブ２４は、一体的な開閉弁２
３として構成されている。なお、ボトル３２内のＨＭＤ
Ｓの液面の高さを検出して高さｈが一定となるようにボ
トル３２を昇降駆動する機構に構成してもよい（図示省
略）。
トル６２は逆さの姿勢で引っ張りコイルバネ６４を介し
て支持部６６に吊り下げられている。配管１６の上端部
はボトル３２内に貫挿されている。また、一端がボトル
３２内に貫挿されているガス導入管６８は、落差による
ＨＭＤＳ液の送出を可能にするためボトル３２内に大気
（またはＮ2 ガス）を導入するものである。かかる構成
によれば、ボトル３２内でＨＭＤＳ液が減少すると、そ
のぶん重量が軽くなるために引っ張りコイルバネ６４が
収縮して、ボトル３２が上方に引き上げられるようにな
っている。したがって、コイルバネ６４のバネ定数を適
宜な値に選定することで、ボトル３２内でＨＭＤＳ液の
液量が変化しても、ノズル１６の下端からみたＨＭＤＳ
液の液面の高さ（落差）は常に一定値ｈに保たれるよう
にすることができる。なお、この実施例における配管１
６は、少なくとも一部が折り曲げ可能な柔軟な配管から
なり、その柔軟な配管部分で図示のような折り曲げ部１
６ａが形成されている。ボトル３２が上下方向に移動す
ると、この折り曲げ部１６ａが変形することで、それよ
り下方の配管部は固定状態を保持することが可能となっ
ている。なお、配管１６に介挿されるエアオペバルブ２
２およびサックバックバルブ２４は、一体的な開閉弁２
３として構成されている。なお、ボトル３２内のＨＭＤ
Ｓの液面の高さを検出して高さｈが一定となるようにボ
トル３２を昇降駆動する機構に構成してもよい（図示省
略）。
【００２９】この第２の実施例では、配管１６が分岐す
ることなく１本のまま処理容器３０内に引かれている。
そして、処理容器３０内の上部には比較的大きな液受け
皿７０が図示しない支持部材によって配設され、この液
受け皿７０の真上にノズル２６が配置されている。液受
け皿７０には、加熱手段として発熱抵抗体７２が内蔵ま
たは取付されている。液受け皿７０と基板載置台３４と
の間には、容器内を水平方向に横断するように多孔板７
４が設けられている。処理時、液受け皿７０で蒸発した
ＨＭＤＳガスは、いったん上側室３０ａ内で滞留してか
ら多孔板７４を介して下側室（処理室）３０ｂに均一に
導入されるようになっている。なお、配管１６を２本以
上に分岐させた構成としてもよいのはいうまでもない。
ることなく１本のまま処理容器３０内に引かれている。
そして、処理容器３０内の上部には比較的大きな液受け
皿７０が図示しない支持部材によって配設され、この液
受け皿７０の真上にノズル２６が配置されている。液受
け皿７０には、加熱手段として発熱抵抗体７２が内蔵ま
たは取付されている。液受け皿７０と基板載置台３４と
の間には、容器内を水平方向に横断するように多孔板７
４が設けられている。処理時、液受け皿７０で蒸発した
ＨＭＤＳガスは、いったん上側室３０ａ内で滞留してか
ら多孔板７４を介して下側室（処理室）３０ｂに均一に
導入されるようになっている。なお、配管１６を２本以
上に分岐させた構成としてもよいのはいうまでもない。
【００３０】図６は、第３の実施例によるアドヒージョ
ン処理装置の構成を示す。この実施例においても、上記
第１実施例のものと同様の構成・機能を有する部分には
同一の符号を付し、それらの説明を省略する。この第３
の実施例は、処理容器３０の外に、好ましくは図示のよ
うに処理容器３０の上方に隣接して、ＨＭＤＳ蒸発用の
室７６を一体的または着脱可能に設けたものである。
ン処理装置の構成を示す。この実施例においても、上記
第１実施例のものと同様の構成・機能を有する部分には
同一の符号を付し、それらの説明を省略する。この第３
の実施例は、処理容器３０の外に、好ましくは図示のよ
うに処理容器３０の上方に隣接して、ＨＭＤＳ蒸発用の
室７６を一体的または着脱可能に設けたものである。
【００３１】この蒸発室７６内には、加熱手段５６Ａ，
５６Ｂ付きの液受け部５４Ａ，５４Ｂが配置され、これ
ら液受け部５４Ａ，５４Ｂのすぐ真上に処理液供給部の
配管１６Ａ，１６Ｂの先端部つまりノズル２６Ａ，２６
Ｂが配置されている。また、蒸発室７６内には室内を減
圧状態にするための排気管７８の一端が臨んでいる。排
気管７８には開閉弁８０が介挿され、排気管７８の他端
は処理容器３０側の排気管４０と共通にエゼクタ４２に
接続されている。
５６Ｂ付きの液受け部５４Ａ，５４Ｂが配置され、これ
ら液受け部５４Ａ，５４Ｂのすぐ真上に処理液供給部の
配管１６Ａ，１６Ｂの先端部つまりノズル２６Ａ，２６
Ｂが配置されている。また、蒸発室７６内には室内を減
圧状態にするための排気管７８の一端が臨んでいる。排
気管７８には開閉弁８０が介挿され、排気管７８の他端
は処理容器３０側の排気管４０と共通にエゼクタ４２に
接続されている。
【００３２】処理容器３０の上壁中心部には、蒸発室７
６からＨＭＤＳガスを導入するための処理ガス導入口３
０ｃが形成されており、蒸発室７６の底部中心部には処
理ガス導入口３０ｃを選択的に閉塞または開口するため
のシャッタ８２が配置されている。また、このシャッタ
８２を駆動する駆動装置８４も蒸発室７６の底部に設置
されている。処理容器３０内には、処理ガス導入口３０
ｃより導入されたＨＭＤＳガスを半導体ウエハＷに向け
て均一に拡散させるための多孔板８６が設けられてい
る。
６からＨＭＤＳガスを導入するための処理ガス導入口３
０ｃが形成されており、蒸発室７６の底部中心部には処
理ガス導入口３０ｃを選択的に閉塞または開口するため
のシャッタ８２が配置されている。また、このシャッタ
８２を駆動する駆動装置８４も蒸発室７６の底部に設置
されている。処理容器３０内には、処理ガス導入口３０
ｃより導入されたＨＭＤＳガスを半導体ウエハＷに向け
て均一に拡散させるための多孔板８６が設けられてい
る。
【００３３】かかる構成によれば、処理に先立って開閉
弁４０が開いて処理容器３０内が所定の負圧まで減圧さ
れる一方、開閉弁８０が開いて蒸発室７６内も同程度の
負圧まで減圧される。そして、処理液供給部によってノ
ズル２６Ａ，２６Ｂより所定量のＨＭＤＳ液が液受け部
５４Ａ，５４Ｂに滴下され、それらのＨＭＤＳ液滴が蒸
発室７６内で蒸発してＨＭＤＳガスが生成されるや否
や、シャッタ駆動装置８４が作動してシャッタ８２を開
く。蒸発室７６内はＨＭＤＳガスが発生したことによっ
て、処理容器３０内よりも圧力が高くなっているため、
シャッタ８２が開くと、蒸発室７６内のＨＭＤＳガスは
圧力がより低い処理容器３０内へ処理ガス導入口３０ｃ
を通って移動する。処理ガス導入口３０ｃより処理容器
３０内に流入したＨＭＤＳガスは、多孔板８６を通って
半導体ウエハＷに向け均一に供給される。
弁４０が開いて処理容器３０内が所定の負圧まで減圧さ
れる一方、開閉弁８０が開いて蒸発室７６内も同程度の
負圧まで減圧される。そして、処理液供給部によってノ
ズル２６Ａ，２６Ｂより所定量のＨＭＤＳ液が液受け部
５４Ａ，５４Ｂに滴下され、それらのＨＭＤＳ液滴が蒸
発室７６内で蒸発してＨＭＤＳガスが生成されるや否
や、シャッタ駆動装置８４が作動してシャッタ８２を開
く。蒸発室７６内はＨＭＤＳガスが発生したことによっ
て、処理容器３０内よりも圧力が高くなっているため、
シャッタ８２が開くと、蒸発室７６内のＨＭＤＳガスは
圧力がより低い処理容器３０内へ処理ガス導入口３０ｃ
を通って移動する。処理ガス導入口３０ｃより処理容器
３０内に流入したＨＭＤＳガスは、多孔板８６を通って
半導体ウエハＷに向け均一に供給される。
【００３４】このように、アドヒーション処理を行うた
めの処理容器３０の外に設けた蒸発室７６内にＨＭＤＳ
液を必要な時に必要な量だけ供給し、この室内でＨＭＤ
Ｓ液を蒸発させてＨＭＤＳガスを生成してから、その生
成したＨＭＤＳガスを処理容器３０内へ移すように構成
することも可能である。
めの処理容器３０の外に設けた蒸発室７６内にＨＭＤＳ
液を必要な時に必要な量だけ供給し、この室内でＨＭＤ
Ｓ液を蒸発させてＨＭＤＳガスを生成してから、その生
成したＨＭＤＳガスを処理容器３０内へ移すように構成
することも可能である。
【００３５】図７は、第４の実施例による複数台の処理
容器を集約したマルチ式の枚葉型アドヒージョン・シス
テムの構成を示す。このシステムは、複数台の処理容器
３０(1),３０(2),…に対して、１つの共通タンク１２か
ら処理液送出機構１４(1),１４(2).…を介してＨＭＤＳ
液を各処理容器へ必要な時に所要の量だけ供給するよう
に構成したものである。本発明によれば、ＨＭＤＳは液
相状態で処理容器に供給されるため、配管１６が複数本
の配管１６(1),１６(2).…に分岐しても、各分岐配管１
６(n) に分配されるＨＭＤＳの濃度を均一に制御するこ
とができる。したがって、このように、１つの共通タン
ク１２と複数台の処理容器３０(1),３０(2),…とを簡易
な処理液送出機構で接続することが可能であり、マルチ
式システムの構築が容易である。
容器を集約したマルチ式の枚葉型アドヒージョン・シス
テムの構成を示す。このシステムは、複数台の処理容器
３０(1),３０(2),…に対して、１つの共通タンク１２か
ら処理液送出機構１４(1),１４(2).…を介してＨＭＤＳ
液を各処理容器へ必要な時に所要の量だけ供給するよう
に構成したものである。本発明によれば、ＨＭＤＳは液
相状態で処理容器に供給されるため、配管１６が複数本
の配管１６(1),１６(2).…に分岐しても、各分岐配管１
６(n) に分配されるＨＭＤＳの濃度を均一に制御するこ
とができる。したがって、このように、１つの共通タン
ク１２と複数台の処理容器３０(1),３０(2),…とを簡易
な処理液送出機構で接続することが可能であり、マルチ
式システムの構築が容易である。
【００３６】以上、好適な実施例について説明したが、
本発明はそれらの実施例に限定されるものでは決してな
く、その技術的思想に基づいて種々の変形・変更が可能
である。たとえば、処理容器３０は本体と上蓋とから構
成されるようなチャンバ構造であってもよく、載置台３
４の構造は任意のものであってもよく、載置台の代わり
に支持ピン等のウエハ支持手段を用いるものでも可能で
ある。液受け手段に内蔵または取付される加熱手段は、
発熱抵抗体に限るものではなく、たとえば光熱式・オイ
ルヒータ式等の任意の加熱手段を用いることも可能であ
る。
本発明はそれらの実施例に限定されるものでは決してな
く、その技術的思想に基づいて種々の変形・変更が可能
である。たとえば、処理容器３０は本体と上蓋とから構
成されるようなチャンバ構造であってもよく、載置台３
４の構造は任意のものであってもよく、載置台の代わり
に支持ピン等のウエハ支持手段を用いるものでも可能で
ある。液受け手段に内蔵または取付される加熱手段は、
発熱抵抗体に限るものではなく、たとえば光熱式・オイ
ルヒータ式等の任意の加熱手段を用いることも可能であ
る。
【００３７】また、上述した実施例のいずれも処理ガス
としてＨＭＤＳガスを用いる枚葉型のアドヒージョン装
置に係るものであったが、本発明はＨＭＤＳガス以外の
処理ガスを用いるアドヒージョン装置にも適用すること
が可能であるし、バッチ式のアドヒージョン装置にも適
用することが可能であり、さらにはアドヒージョン装置
以外の処理液を蒸発させる必要がある処理装置にも適用
可能である。したがって、処理液が揮発性の液体である
場合は、処理容器または処理ガス蒸発室において処理液
を蒸発させるための加熱手段を省くことも可能である。
被処理体は半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板、ガラス
基板、ＣＤ基板等であってもよい。さらに、処理容器、
基板載置台その他の各部は、被処理体の種類、大きさ等
に応じて種々の型式に構成され得ることはいうまでもな
い。また、本発明の処理装置は、特に半導体ウエハやＬ
ＣＤ基板等用のレジスト塗付現像装置に組み込んで好適
なものである。
としてＨＭＤＳガスを用いる枚葉型のアドヒージョン装
置に係るものであったが、本発明はＨＭＤＳガス以外の
処理ガスを用いるアドヒージョン装置にも適用すること
が可能であるし、バッチ式のアドヒージョン装置にも適
用することが可能であり、さらにはアドヒージョン装置
以外の処理液を蒸発させる必要がある処理装置にも適用
可能である。したがって、処理液が揮発性の液体である
場合は、処理容器または処理ガス蒸発室において処理液
を蒸発させるための加熱手段を省くことも可能である。
被処理体は半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板、ガラス
基板、ＣＤ基板等であってもよい。さらに、処理容器、
基板載置台その他の各部は、被処理体の種類、大きさ等
に応じて種々の型式に構成され得ることはいうまでもな
い。また、本発明の処理装置は、特に半導体ウエハやＬ
ＣＤ基板等用のレジスト塗付現像装置に組み込んで好適
なものである。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の処理装
置によれば、処理液を液相状態のまま必要時に所定の量
だけ処理容器内に供給し、この容器内で気化させて処理
ガスを生成し、この処理ガスの雰囲気中で被処理体に対
する所定の処理を行うようにしたので、処理ガス雰囲気
の濃度の正確な制御が可能であるとともに、処理ガスの
液滴化現象の問題が完全に解消され、歩留まりの向上お
よび安全性の向上がはかれる。また、請求項２の処理装
置によれば、処理液を液相状態のまま必要時に所定の量
だけ処理ガス生成室に供給し、この室内で気化させて処
理ガスを生成し、その生成した処理ガスを処理容器内に
移してその処理ガス雰囲気中で被処理体に対する所定の
処理を行うようにしたので、処理ガス雰囲気の濃度の正
確な制御が可能であるとともに、処理ガスの液滴化現象
の問題が完全に解消され、歩留まりの向上および安全性
の向上がはかれる。
置によれば、処理液を液相状態のまま必要時に所定の量
だけ処理容器内に供給し、この容器内で気化させて処理
ガスを生成し、この処理ガスの雰囲気中で被処理体に対
する所定の処理を行うようにしたので、処理ガス雰囲気
の濃度の正確な制御が可能であるとともに、処理ガスの
液滴化現象の問題が完全に解消され、歩留まりの向上お
よび安全性の向上がはかれる。また、請求項２の処理装
置によれば、処理液を液相状態のまま必要時に所定の量
だけ処理ガス生成室に供給し、この室内で気化させて処
理ガスを生成し、その生成した処理ガスを処理容器内に
移してその処理ガス雰囲気中で被処理体に対する所定の
処理を行うようにしたので、処理ガス雰囲気の濃度の正
確な制御が可能であるとともに、処理ガスの液滴化現象
の問題が完全に解消され、歩留まりの向上および安全性
の向上がはかれる。
【図１】本発明の第１の実施例による枚葉型アドヒージ
ョン装置の構成を示す一部断面斜視図である。
ョン装置の構成を示す一部断面斜視図である。
【図２】第１の実施例における枚葉型アドヒージョン装
置の一変形例による要部の構成を示す断面図である。
置の一変形例による要部の構成を示す断面図である。
【図３】第１の実施例における枚葉型アドヒージョン装
置の別の変形例による要部の構成を示す断面図である。
置の別の変形例による要部の構成を示す断面図である。
【図４】第１の実施例における枚葉型アドヒージョン装
置の他の変形例による要部の構成を示す断面図である。
置の他の変形例による要部の構成を示す断面図である。
【図５】第２の実施例による枚葉型アドヒージョン装置
の構成を示す一部断面斜視図である。
の構成を示す一部断面斜視図である。
【図６】第３の実施例による枚葉型アドヒージョン装置
の構成を示す一部断面斜視図である。
の構成を示す一部断面斜視図である。
【図７】第４の実施例による枚葉型アドヒージョン装置
の構成を示す一部断面斜視図である。
の構成を示す一部断面斜視図である。
【図８】従来の枚葉型アドヒージョン装置の構成を示す
一部断面斜視図である。
一部断面斜視図である。
１０ 処理液供給部 １２ タンク １４ 処理液送出機構 １６，１６Ａ，１６Ｂ，１６(1) ，１６(2) 配管 ２０，２０Ａ，２０Ｂ，１６(1) ，１６(2) ニード
ル弁 ２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２(1) ，２２(2) エアオ
ペバルブ ２６，２６Ａ，２６Ｂ，２６(1) ，２６(2) ノズル ３０，３０(1) ，３０(2) 処理容器 ３４，３４(1) ，３４(2) 基板載置台 ４０，４０(1) ，４０(2) 排気管 ４２ エゼクタ ５０Ａ，５０Ｂ，５８Ａ，５８Ｂ 液受け部 ５４Ａ，５４Ｂ，５４(1) 液受け皿 ５２Ａ，５２Ｂ，５６Ａ，５４Ｂ，５４(1) 発熱
抵抗体 Ｗ 半導体ウエハ
ル弁 ２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２(1) ，２２(2) エアオ
ペバルブ ２６，２６Ａ，２６Ｂ，２６(1) ，２６(2) ノズル ３０，３０(1) ，３０(2) 処理容器 ３４，３４(1) ，３４(2) 基板載置台 ４０，４０(1) ，４０(2) 排気管 ４２ エゼクタ ５０Ａ，５０Ｂ，５８Ａ，５８Ｂ 液受け部 ５４Ａ，５４Ｂ，５４(1) 液受け皿 ５２Ａ，５２Ｂ，５６Ａ，５４Ｂ，５４(1) 発熱
抵抗体 Ｗ 半導体ウエハ
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 尊三 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 穴井 徳行 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 野村 雅文 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 処理ガスの雰囲気中に被処理体を晒して
所定の処理を行う処理容器と、 前記処理容器内に所定量の処理液を供給する処理液供給
手段と、 前記処理容器内に供給された前記所定量の処理液を気化
させて前記処理ガスを生成する手段と、を具備する処理
装置。 - 【請求項２】 処理ガスの雰囲気中に被処理体を晒して
所定の処理を行う処理容器と、 前記処理容器の外に設けられた処理ガス生成室に所定量
の処理液を供給する処理液供給手段と、 前記処理ガス生成室内に供給された前記所定量の処理液
を気化させて前記処理ガスを生成する手段と、 前記処理ガス生成室内で生成された前記処理ガスを前記
処理容器内に移す手段と、を具備する処理装置。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312329A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化処理装置および密着強化処理方法 |
| WO2011040067A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | シーケーディ株式会社 | 液体気化システム |
| JP2013078754A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-05-02 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
| JP2013237006A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
| JP2014018693A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Ckd Corp | 液体制御装置、及び液体制御装置に適用される網状体組立体 |
| US9010736B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-04-21 | Cdk Corporation | Liquid control apparatus |
| US9031391B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-05-12 | Ckd Corporation | Woven mesh form liquid control apparatus |
| US9127359B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-09-08 | Ckd Corporation | Liquid vaporizer |
| US9266130B2 (en) | 2012-02-01 | 2016-02-23 | Ckd Corporation | Liquid control apparatus |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0551105A3 (en) * | 1992-01-07 | 1993-09-15 | Fujitsu Limited | Negative type composition for chemically amplified resist and process and apparatus of chemically amplified resist pattern |
| US6428623B2 (en) * | 1993-05-14 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus with liquid feed |
| US5641541A (en) * | 1995-09-29 | 1997-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Process to apply photoresist printer to a wafer |
| US5763006A (en) * | 1996-10-04 | 1998-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for automatic purge of HMDS vapor piping |
| SG67433A1 (en) * | 1996-11-01 | 1999-09-21 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for processing substrate |
| JPH1154496A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びガス処理装置 |
| JP3406488B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2003-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
| US6207006B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| KR100524204B1 (ko) * | 1998-01-07 | 2006-01-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가스 처리장치 |
| US6136725A (en) * | 1998-04-14 | 2000-10-24 | Cvd Systems, Inc. | Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate |
| US6296711B1 (en) | 1998-04-14 | 2001-10-02 | Cvd Systems, Inc. | Film processing system |
| KR20010034781A (ko) | 1998-04-14 | 2001-04-25 | 잭 피. 샐러노 | 박막 증착 시스템 |
| US6358323B1 (en) * | 1998-07-21 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improved control of process and purge material in a substrate processing system |
| US6409837B1 (en) | 1999-01-13 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemical vapor deposition of a metal layer using a liquid precursor |
| US6537420B2 (en) * | 1999-12-17 | 2003-03-25 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for restricting process fluid flow within a showerhead assembly |
| DE10003758A1 (de) * | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Aixtron Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden wenigstens eines in flüssiger oder gelöster Form vorliegenden Prekursors |
| US6596085B1 (en) * | 2000-02-01 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for improved vaporization of deposition material in a substrate processing system |
| KR20010083206A (ko) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | 히가시 데쓰로 | 처리장치 |
| JP3872952B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2007-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP2005523384A (ja) * | 2002-04-19 | 2005-08-04 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 低蒸気圧のガス前駆体を用いて基板上にフィルムを蒸着させるシステム |
| TWI336905B (en) * | 2002-05-17 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device |
| US20040040502A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Micron Technology, Inc. | Micromachines for delivering precursors and gases for film deposition |
| US20040040503A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Micron Technology, Inc. | Micromachines for delivering precursors and gases for film deposition |
| US20040157430A1 (en) * | 2003-02-07 | 2004-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatus for processing semiconductor wafers with plasma processing chambers in a wafer track environment |
| TW573317B (en) * | 2003-04-01 | 2004-01-21 | Mosel Vitelic Inc | Coating method of adhesive |
| US7727588B2 (en) * | 2003-09-05 | 2010-06-01 | Yield Engineering Systems, Inc. | Apparatus for the efficient coating of substrates |
| US7326469B2 (en) * | 2004-09-16 | 2008-02-05 | General Electric Company | Coating system and process and apparatus for depositing a coating system |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US7255747B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
| US8097120B2 (en) * | 2006-02-21 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Process tuning gas injection from the substrate edge |
| CN1847980B (zh) * | 2006-03-24 | 2010-12-01 | 友达光电股份有限公司 | 低压处理设备 |
| CN101479054B (zh) * | 2006-08-03 | 2010-09-01 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种光阻涂布和显影装置中的管路自动清洗装置 |
| US7993457B1 (en) * | 2007-01-23 | 2011-08-09 | Novellus Systems, Inc. | Deposition sub-chamber with variable flow |
| JP5196220B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2013-05-15 | 兵神装備株式会社 | 汲出し装置 |
| US8596336B2 (en) * | 2008-06-03 | 2013-12-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate support temperature control |
| JP5819154B2 (ja) | 2011-10-06 | 2015-11-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置 |
| US9353439B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-05-31 | Lam Research Corporation | Cascade design showerhead for transient uniformity |
| US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
| CN105445973B (zh) * | 2015-12-31 | 2019-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种抽真空装置及采用该抽真空装置的操作方法 |
| US10177001B2 (en) * | 2016-05-31 | 2019-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Surface modifying material for semiconductor device fabrication |
| JP7314634B2 (ja) * | 2019-06-11 | 2023-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0028478B1 (en) * | 1979-10-31 | 1985-02-20 | The University Of Birmingham | Improvements in or relating to pipette means |
| JPS59177368A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
| JPS62129846A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | フオトレジストの塗布方法及び塗布装置 |
| IT1198290B (it) * | 1986-12-02 | 1988-12-21 | Sgs Microelettronica Spa | Metodo di decontaminazione di una camera utilizzata nei processi sotto vuoto di deposizione,attacco o crescita di films di elevata purezza,di particolare applicazione nella tecnologia dei semiconduttori |
| US4789564A (en) * | 1987-03-31 | 1988-12-06 | Union Carbide Corporation | Hydridoaminosilane treatment for rendering surfaces water-repellent |
| JPH0333058Y2 (ja) * | 1987-06-26 | 1991-07-12 | ||
| GB2213837B (en) * | 1987-12-22 | 1992-03-11 | Philips Electronic Associated | Electronic device manufacture with deposition of material |
| US5278138A (en) * | 1990-04-16 | 1994-01-11 | Ott Kevin C | Aerosol chemical vapor deposition of metal oxide films |
| US5252134A (en) * | 1991-05-31 | 1993-10-12 | Stauffer Craig M | Integrated delivery system for chemical vapor from non-gaseous sources for semiconductor processing |
| US5203925A (en) * | 1991-06-20 | 1993-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for producing a thin film of tantalum oxide |
| DE69218152T2 (de) * | 1991-12-26 | 1997-08-28 | Canon Kk | Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung |
| JP2906006B2 (ja) * | 1992-10-15 | 1999-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びその装置 |
| JP3319472B2 (ja) * | 1992-12-07 | 2002-09-03 | 富士通株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP5034204A patent/JP2870719B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-28 US US08/189,071 patent/US5505781A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-01-28 KR KR1019940001584A patent/KR100230693B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-02-08 TW TW083101082A patent/TW242194B/zh active
-
1996
- 1996-02-02 US US08/595,785 patent/US5681614A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312329A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化処理装置および密着強化処理方法 |
| WO2011040067A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | シーケーディ株式会社 | 液体気化システム |
| JP4673449B1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-20 | シーケーディ株式会社 | 液体気化システム |
| JP2011097088A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Ckd Corp | 液体気化システム |
| US8361231B2 (en) | 2009-09-30 | 2013-01-29 | Ckd Corporation | Liquid vaporization system |
| US9127359B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-09-08 | Ckd Corporation | Liquid vaporizer |
| US9031391B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-05-12 | Ckd Corporation | Woven mesh form liquid control apparatus |
| US9010736B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-04-21 | Cdk Corporation | Liquid control apparatus |
| US9266130B2 (en) | 2012-02-01 | 2016-02-23 | Ckd Corporation | Liquid control apparatus |
| JP2013078754A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-05-02 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
| JP2013237006A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
| US9022366B2 (en) | 2012-07-12 | 2015-05-05 | Ckd Corporation | Liquid control device and mesh-like body assembly applied thereto |
| JP2014018693A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Ckd Corp | 液体制御装置、及び液体制御装置に適用される網状体組立体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW242194B (ja) | 1995-03-01 |
| US5505781A (en) | 1996-04-09 |
| KR100230693B1 (ko) | 1999-11-15 |
| US5681614A (en) | 1997-10-28 |
| JP2870719B2 (ja) | 1999-03-17 |
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