JPH06225319A - 消磁回路 - Google Patents

消磁回路

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JPH06225319A
JPH06225319A JP5257092A JP25709293A JPH06225319A JP H06225319 A JPH06225319 A JP H06225319A JP 5257092 A JP5257092 A JP 5257092A JP 25709293 A JP25709293 A JP 25709293A JP H06225319 A JPH06225319 A JP H06225319A
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capacitor
relay
power
temperature coefficient
circuit
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Jong Ki An
鍾基 安
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    • H03K19/0948—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET using CMOS or complementary insulated gate field-effect transistors
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    • H03K19/00369—Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters
    • H03K19/00384—Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters in field effect transistor circuits

Abstract

(57)【要約】 【目的】 正温度係数抵抗を通って消磁コイルに流れる
交流を制御し、電力消耗および周辺温度の上昇を抑える
ことができるような消磁回路を提供することである。 【構成】 この消磁回路は、交流電源を整流する整流回
路１と、整流回路１の出力信号を平滑化する第１のコン
デンサ３３と、第１のコンデンサ３３の信号により電圧
を充電するＲＣ充電回路３と、電源供給時に抵抗値が増
加する正温度係数抵抗３５と、正温度係数抵抗３５によ
り磁界を消去する消磁コイル３４と、消磁コイル３４に
流れる交流を制御するリレー４と、トランジスタ９等を
含むリレー駆動部５とを備え、正温度係数抵抗３５と消
磁コイル３４に流れる交流を制御して、電力消耗および
周辺温度の上昇を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、消磁回路に関し、特
に、電流を供給する際、磁界を消滅させた後、正温度係
数抵抗を通って消磁コイルに流れる交流電流を制御し、
電力消耗および周辺温度上昇を防止できるような消磁回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の消磁回路の回路図であ
る。
【０００３】従来の消磁回路において、スイッチ（図面
ではＳＷ１で表わす）３１およびヒューズ３２を通って
入力する交流電源を整流するための整流回路１と、その
整流回路１の出力信号を平滑にし、出力端子の電圧Ｖ0
を一定に維持する第１のコンデンサ（図面ではＣ1 で表
わす）３３と、電源供給時にモニタまたはテレビジョン
のチューブに存在する磁界を消去する消磁コイル（Ｄｅ
ｇａｕｓｓｉｎｇ Ｃｏｉ１：図面ではＤＥで表わす）
３４と、その消磁コイル３４に電流が流れて温度が上昇
するとき抵抗値の変化を表わすサーミスタ２とを備えて
いた。さらに、サーミスタ２は、温度上昇の際、抵抗値
が増加する正温度係数抵抗（図面ではＲａで表わす）３
５と、その正温度係数抵抗３５の抵抗値が所定値に至る
ときに、発熱する内部抵抗（図面ではＲｂで表わす）３
６とを備えていた。
【０００４】このように構成された従来の消磁回路にお
いては、スイッチ３１がオンされて、交流電源が整流回
路１に印加すると、整流回路１で交流が直流に変換さ
れ、その直流は第１のコンデンサ３３により平滑化され
るので、出力端子の電圧Ｖ0 が一定に維持される。
【０００５】一方、電源が供給されサーミスタ２の正温
度係数抵抗３５を通って消磁コイル３４に流れると、そ
の消磁コイル３４によりモニタまたはテレビジョンのチ
ューブに存在する磁界が消去され、サーミスタ２の正温
度係数抵抗３５は、通常温度２５℃のとき２０Ω未満の
供給電流が流れるが、所定時間（１〜２秒）経過後は電
流により温度が上昇し、数十ＭΩまで抵抗が増加して事
実上開放された状態になる。さらに、この場合、サーミ
スタ２の内部抵抗３６は発熱して正温度係数抵抗３５の
温度を一定に維持するので、正温度係数抵抗３５は大き
い抵抗値に維持される。したがって、消磁コイル３４に
は電源の供給されるときのみ電流が流れ、所定時間経過
後には正温度係数抵抗３５により電流が流れなくなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
構成された従来の消磁回路においては、正温度係数抵抗
の温度が一定が維持されるために、内部抵抗が継続発熱
するので、電力の消耗が多くなり、周辺の温度は上昇す
るという問題点があった。
【０００７】ゆえに、この発明は、上記のような問題を
解決し、正温度係数抵抗を通って消磁コイルに流れる交
流を制御し、電力消耗および周辺温度の上昇を防止し得
る消磁回路を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る消
磁回路は、入力する交流電源を整流する整流回路と、整
流回路の出力信号を平滑にするための第１のコンデンサ
と、第１の抵抗および第２のコンデンサを有し第１のコ
ンデンサから出力する平滑化した信号により電圧を充電
するＲＣ充電回路と、電源供給時に交流による温度上昇
により抵抗値が増加する正温度係数抵抗と、正温度係数
抵抗に流れる交流により磁界を消去させる消磁コイル
と、消磁コイルに流れる交流をオン／オフに制御するリ
レーと、トランジスタ，ダイオードおよび第２の抵抗に
より構成されＲＣ充電回路から入力する充電電圧により
リレーをオン／オフに制御するリレー駆動部とを備えて
構成される。
【０００９】請求項２の発明に係る消磁回路は、さら
に、リレー駆動部のトランジスタが、電源供給時に交流
により正温度係数抵抗の抵抗値が上昇した後、ＲＣ充電
回路に充電された電圧によりオフされるとき、リレーも
オフされ、正温度係数抵抗の抵抗値が減少しても消磁コ
イルに電流が流れなくなることを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１の発明に係る消磁回路では、スイッチ
がオンされ電源が供給されると、交流電源が整流回路に
印加し直流電源に変換される。次いで、直流電源は第１
のコンデンサにより平滑化され、第１の抵抗を通って第
２のコンデンサに電圧を充電させる。この場合、第２の
コンデンサには初期に充電された電圧がないのでトラン
ジスタは、第２のコンデンサに所定電圧が充電されるま
でオン状態を維持し、トランジスタに連動されてリレー
もオン状態に維持される。
【００１１】一方、正温度係数抵抗の抵抗値が電源供給
時に２０Ω程度になって交流が正温度係数抵抗を通って
消磁コイルに流れ、その消磁コイルはモニタまたはテレ
ビジョンのチューブに存在する磁界を消去させる。その
後、所定時間（１〜２秒）が経過すると、正温度係数抵
抗の抵抗値が増加して消磁コイルの電流がほとんど０に
減少される。そして、ＲＣ充電回路の第２のコンデンサ
にかかる電圧が増加すると、トランジスタがオフしてリ
レーもオフされ、消磁コイルが開放して電流が通じなく
なるので、正温度係数抵抗の温度が下降し、抵抗値が減
少しても消磁コイルには電流が流れなくなる。したがっ
て、消磁コイルには電源供給時のみ電流が流れ磁界を消
去し得るようになる。
【００１２】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による消磁回路
の回路図である。
【００１３】図１を参照して、この発明に係る消磁回路
においては、スイッチ３１およびヒューズ３２を通って
入力する交流電流を整流する整流回路１と、その整流回
路１の出力信号を平滑にする第１のコンデンサ３３と、
第１の抵抗（図面ではＲ1 で表わす）６および第２のコ
ンデンサ（図面ではＣ2 で表わす）７を有し、第１のコ
ンデンサ３３から出力する平滑化された信号により電圧
を充電するＲＣ充電回路３と、電源供給時に交流温度上
昇により抵抗が増加する正温度係数抵抗３５と、その正
温度係数抵抗３５を通って流れる交流により磁界を消去
する消磁コイル３４と、その消磁コイル３４に流れる交
流をオン／オフに制御するリレー４と、トランジスタ
（図面ではＱ1 で表わす）８，ダイオード（図面ではＤ
1 で表わす）９および第２の抵抗（図面ではＲ2 で表わ
す）１０により構成され、ＲＣ充電回路３から入力する
充電電圧によりリレー４をオン／オフに制御するリレー
駆動部５とを備えている。
【００１４】さらに、リレー駆動部５は、トランジスタ
８のベースにＲＣ充電回路３の充電電圧が入力するよう
に接続され、トランジスタ８のコレクタに整流回路１に
接続された第２の抵抗１０と直列に接続されたダイオー
ド９が接続され、そのトランジスタ８のエミッタが接地
されるようになっている。
【００１５】図２は、図１の正温度係数抵抗の温度増加
による抵抗値の変化を表わしたグラフであり、図３は、
第２のコンデンサの時間に対する電圧変化を表わしたグ
ラフであり、図４は、図１のトランジスタのオン／オフ
状態を表わしたグラフであり、図５は、図１のリレーの
オン／オフ状態を表わしたグラフであり、図６は、図１
の消磁コイルの電流発生の状態を表わしたグラフであ
る。特に、図２から図６における横軸は時間を表わし、
縦軸において、それぞれ抵抗，電圧，電流，電流，電流
を表わす。
【００１６】以下、図２から図６を用いて図１に示す消
磁回路の動作を説明する。スイッチ３１がオンされ電源
が供給されると、交流電源が整流回路１に印加し、その
整流回路１で直流電源に変換される。次に、その直流電
源が第１のコンデンサ３３により平滑化されると、ＲＣ
充電回路３は第１の抵抗６を通して第２のコンデンサ７
に電圧を充電させ、その第２のコンデンサ７には初期に
充電された電圧がないので、図４に示すようにトランジ
スタ８は第２のコンデンサ７に所定電圧が充電されるま
でオン状態を維持し、図５に示すようにリレー４もオン
状態に維持される。
【００１７】一方、正温度係数抵抗３５の抵抗値は図２
に示すように、電源供給時に２０Ω程度の交流が正温度
係数抵抗３５を通って消磁コイル３４に流れ、その消磁
コイル３４はモニタまたはテレビジョンのチューブに存
在する磁界を消去させる。その後、所定時間（１〜２
秒）が経過すると、正温度係数抵抗３５の抵抗値は図２
に示すように増加して、消磁コイル３４に流れる電源
は、図６に示すように振動しながら０に減少される。そ
の後、ＲＣ充電回路３の第２コンデンサ７にかかる電圧
が増加すると、トランジスタ８がオフされ、リレー４も
連動してオフされる。
【００１８】したがって、消磁コイル３４は開放され、
電流が流れなくなるので、正温度係数抵抗３５の温度が
下降し、抵抗値が減少しても消磁コイル３４には電流が
流れなくなる。すなわち、消磁コイル３４には電源供給
時にのみ電流が流れ、磁界を消去し得るようになる。
【００１９】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、正温度
係数抵抗の温度を一定に維持するための発熱作用がなく
なるので、電力の消耗を減らし、周辺温度の上昇を抑え
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例による消磁回路の回路図で
ある。
【図２】図１の正温度係数抵抗の温度増加による抵抗値
の変化を表わしたグラフである。
【図３】図１の第２のコンデンサの時間に対する電圧変
化を表わしたグラフである。
【図４】図１のトランジスタのオン／オフの状態を表わ
したグラフである。
【図５】図１のリレーのオン／オフ状態を表わしたグラ
フである。
【図６】図１の消磁コイルの電流発生を表わしたグラフ
である。
【図７】従来の消磁回路の回路図である。
【符号の説明】
１ 整流回路 ３ ＲＣ充電回路 ４ リレー ５ リレー駆動部 ６ 第１の抵抗 ７ 第２のコンデンサ ８ トランジスタ ９ ダイオード １０ 第２の抵抗 ３３ 第１のコンデンサ ３４ 消磁コイル ３５ 正温度係数抵抗

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 入力する交流電源を整流する整流回路
    と、 前記整流回路の出力信号を平滑にするための第１のコン
    デンサと、 第１の抵抗および第２のコンデンサを有し前記第１のコ
    ンデンサから出力する平滑化した信号により電圧を充電
    するＲＣ充電回路と、 電源供給時に交流による温度上昇により抵抗値が増加す
    る正温度係数抵抗と、 前記正温度係数抵抗に流れる交流により磁界を消去させ
    る消磁コイルと、 前記消磁コイルに流れる交流をオン／オフに制御するリ
    レーと、 トランジスタ，ダイオードおよび第２の抵抗により構成
    され前記ＲＣ充電回路から入力する充電電圧により前記
    リレーをオン／オフに制御するリレー駆動部と、を備え
    た消磁回路。
  2. 【請求項２】 前記リレー駆動部の前記トランジスタ
    が、電源供給時に交流により前記正温度係数抵抗の抵抗
    値が上昇した後、前記ＲＣ充電回路に充電された電圧に
    よりオフされるとき、前記リレーもオフされ、前記正温
    度係数抵抗の抵抗値が減少しても前記消磁コイルに電流
    が流れなくなることを特徴とする、請求項１記載の消磁
    回路。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3562725B2 (ja) * 1993-12-24 2004-09-08 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 出力バッファ回路、および入出力バッファ回路
US5760655A (en) * 1995-06-21 1998-06-02 Micron Quantum Devices, Inc. Stable frequency oscillator having two capacitors that are alternately charged and discharged
US5668483A (en) * 1995-06-21 1997-09-16 Micron Quantum Devices, Inc. CMOS buffer having stable threshold voltage
US5578941A (en) * 1995-08-23 1996-11-26 Micron Technology, Inc. Voltage compensating CMOS input buffer circuit
US5541528A (en) * 1995-08-25 1996-07-30 Hal Computer Systems, Inc. CMOS buffer circuit having increased speed
US5808480A (en) * 1996-02-29 1998-09-15 Lucent Technologies Inc. High voltage swing output buffer in low voltage technology
US5872464A (en) * 1996-08-12 1999-02-16 Cypress Semiconductor Corp. Input buffer with stabilized trip points
US6278295B1 (en) 1998-02-10 2001-08-21 Cypress Semiconductor Corp. Buffer with stable trip point
US6023176A (en) * 1998-03-27 2000-02-08 Cypress Semiconductor Corp. Input buffer
US6425097B1 (en) 1999-05-27 2002-07-23 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for testing an impedance-controlled input/output (I/O) buffer in a highly efficient manner
US7221183B2 (en) * 2005-02-23 2007-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Tie-high and tie-low circuit
US8035455B1 (en) 2005-12-21 2011-10-11 Cypress Semiconductor Corporation Oscillator amplitude control network
US8564252B2 (en) * 2006-11-10 2013-10-22 Cypress Semiconductor Corporation Boost buffer aid for reference buffer
US8035401B2 (en) * 2007-04-18 2011-10-11 Cypress Semiconductor Corporation Self-calibrating driver for charging a capacitive load to a desired voltage
JP5747445B2 (ja) * 2009-05-13 2015-07-15 富士電機株式会社 ゲート駆動装置
US8364870B2 (en) 2010-09-30 2013-01-29 Cypress Semiconductor Corporation USB port connected to multiple USB compliant devices
US9667240B2 (en) 2011-12-02 2017-05-30 Cypress Semiconductor Corporation Systems and methods for starting up analog circuits

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4584492A (en) * 1984-08-06 1986-04-22 Intel Corporation Temperature and process stable MOS input buffer
US4763021A (en) * 1987-07-06 1988-08-09 Unisys Corporation CMOS input buffer receiver circuit with ultra stable switchpoint
JPS6477318A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Hitachi Ltd Input buffer circuit
JPH07114359B2 (ja) * 1989-07-28 1995-12-06 株式会社東芝 半導体集積回路
US5051630A (en) * 1990-03-12 1991-09-24 Tektronix, Inc. Accurate delay generator having a compensation feature for power supply voltage and semiconductor process variations
JPH04104516A (ja) * 1990-08-23 1992-04-07 Fujitsu Ltd バッファ回路
US5136182A (en) * 1990-08-31 1992-08-04 Advanced Micro Devices, Inc. Controlled voltage or current source, and logic gate with same
JP2758259B2 (ja) * 1990-09-27 1998-05-28 株式会社東芝 バッファ回路
US5278460A (en) * 1992-04-07 1994-01-11 Micron Technology, Inc. Voltage compensating CMOS input buffer

Also Published As

Publication number Publication date
KR940010529A (ko) 1994-05-26
GB2272120B (en) 1997-03-12
US5408191A (en) 1995-04-18
CN1040056C (zh) 1998-09-30
GB9322075D0 (en) 1993-12-15
JPH06209253A (ja) 1994-07-26
DE4336720A1 (de) 1994-05-05
TW257905B (ja) 1995-09-21
GB2272120A8 (en) 1997-01-14
CN1086360A (zh) 1994-05-04
JP3476514B2 (ja) 2003-12-10
KR940010674B1 (ko) 1994-10-24
DE4336720B4 (de) 2005-07-21
GB2272120A (en) 1994-05-04

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Effective date: 20030408