JPH06220201A - ケイ素系高分子化合物及びその製造方法 - Google Patents
ケイ素系高分子化合物及びその製造方法Info
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- JPH06220201A JPH06220201A JP2869293A JP2869293A JPH06220201A JP H06220201 A JPH06220201 A JP H06220201A JP 2869293 A JP2869293 A JP 2869293A JP 2869293 A JP2869293 A JP 2869293A JP H06220201 A JPH06220201 A JP H06220201A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記式（２）で表される含ケイ素アセチレン
化合物と下記式（３）で表される芳香族ハライドとを大
過剰のアミン存在下でパラジウム化合物触媒下にてハロ
ゲン化水素の脱離をともなう縮重合を行うことにより下
記式（１）で表されるケイ素系高分子化合物を製造す
る。 【化１】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ａは２価
の炭素系又は複素環式芳香族残基を示す。ｎは５以上で
ある。） 【効果】 本発明によれば、単純な系によって規則性の
高いポリシラン共重合体を高選択性を持って得ることが
でき、得られたポリシラン共重合体（ケイ素系高分子化
合物）は耐熱材料や導電性材料等として有用なものであ
る。
化合物と下記式（３）で表される芳香族ハライドとを大
過剰のアミン存在下でパラジウム化合物触媒下にてハロ
ゲン化水素の脱離をともなう縮重合を行うことにより下
記式（１）で表されるケイ素系高分子化合物を製造す
る。 【化１】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ａは２価
の炭素系又は複素環式芳香族残基を示す。ｎは５以上で
ある。） 【効果】 本発明によれば、単純な系によって規則性の
高いポリシラン共重合体を高選択性を持って得ることが
でき、得られたポリシラン共重合体（ケイ素系高分子化
合物）は耐熱材料や導電性材料等として有用なものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱材料、導電性材料
等として有用な新規なケイ素系高分子化合物及びその製
造方法に関する。
等として有用な新規なケイ素系高分子化合物及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ケイ素
ケイ素結合（Ｓｉ−Ｓｉ結合）はσ結合のエネルギー準
位が炭素のそれに比べて非常に高くなっており、この結
果としてはポリシランに見られるようなσ共役や各種の
π結合との共役があることが知られている。
ケイ素結合（Ｓｉ−Ｓｉ結合）はσ結合のエネルギー準
位が炭素のそれに比べて非常に高くなっており、この結
果としてはポリシランに見られるようなσ共役や各種の
π結合との共役があることが知られている。
【０００３】このようなＳｉ−Ｓｉ結合の特徴を機能的
に発揮させ、材料化させるためには、規則性の高いポリ
マーの合成やそれらの効果的な配列が必要であると考え
られている。
に発揮させ、材料化させるためには、規則性の高いポリ
マーの合成やそれらの効果的な配列が必要であると考え
られている。
【０００４】そこで、このようなポリシラン骨格を含有
するポリマーの合成方法としては、例えばジシラニレン
フェニレンをビス（ハロジアルキルシリル）ベンゼンの
ウルツカップリング反応により得る方法が一般的に行わ
れている。しかし、その反応機構は明らかになっていな
いばかりか、反応自体も複雑であり規則性の高いポリマ
ーを合成する手段としては問題がある。一方、ウルツカ
ップリング反応以外の合成方法としては、ジエチニル化
合物のヒドロカルビレーションによる方法が報告されて
いるが、位置選択性がないために２重結合と３重結合の
配列がばらばらで規則性の高いポリマーを得るには至っ
ていない。
するポリマーの合成方法としては、例えばジシラニレン
フェニレンをビス（ハロジアルキルシリル）ベンゼンの
ウルツカップリング反応により得る方法が一般的に行わ
れている。しかし、その反応機構は明らかになっていな
いばかりか、反応自体も複雑であり規則性の高いポリマ
ーを合成する手段としては問題がある。一方、ウルツカ
ップリング反応以外の合成方法としては、ジエチニル化
合物のヒドロカルビレーションによる方法が報告されて
いるが、位置選択性がないために２重結合と３重結合の
配列がばらばらで規則性の高いポリマーを得るには至っ
ていない。
【０００５】最近、Ｒｏｂｅｒｔ Ｊ．Ｐ．Ｃｏｒｒｉ
ｕらはジエチニルシラン類と種々の芳香族ジハライドと
の反応によるポリマーの合成方法を報告している（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：
Ｐａｒｔ Ｃ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏ
ｌ．２８，４３１−４３７（１９９０））。また、これ
に類するポリマーの合成反応としては、Ｈｕａ Ｑｉｎ
Ｌｉｕ ＆ Ｊｏｈｎ Ｆ．Ｈａｒｒｏｄによるヒド
ロシランとアセチレン化合物との脱水素反応の例におい
て、１，３−ジエチニルベンゼンとフェニルシランとの
間で銅触媒によるポリマーの合成が報告されている（Ｃ
ａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，６８，１１００（１９９
０））。しかしながら、前者についてはジシラン類など
のポリシラン鎖の切断を引き起こす問題点があり、一方
後者についてはヒドロシランの種類により活性がかなり
異なっており、特にポリシラン鎖を含むポリマーの合成
反応として一般に利用するには制約が多いという欠点を
有する。
ｕらはジエチニルシラン類と種々の芳香族ジハライドと
の反応によるポリマーの合成方法を報告している（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：
Ｐａｒｔ Ｃ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏ
ｌ．２８，４３１−４３７（１９９０））。また、これ
に類するポリマーの合成反応としては、Ｈｕａ Ｑｉｎ
Ｌｉｕ ＆ Ｊｏｈｎ Ｆ．Ｈａｒｒｏｄによるヒド
ロシランとアセチレン化合物との脱水素反応の例におい
て、１，３−ジエチニルベンゼンとフェニルシランとの
間で銅触媒によるポリマーの合成が報告されている（Ｃ
ａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，６８，１１００（１９９
０））。しかしながら、前者についてはジシラン類など
のポリシラン鎖の切断を引き起こす問題点があり、一方
後者についてはヒドロシランの種類により活性がかなり
異なっており、特にポリシラン鎖を含むポリマーの合成
反応として一般に利用するには制約が多いという欠点を
有する。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
耐熱材料や導電材料として有用なケイ素系高分子化合物
及びかかる化合物を製造する方法として、ポリシラン鎖
の切断を引き起こさず、かつ使用するシラン化合物の制
限を受け難く、しかも規則性が高いポリシラン共重合体
を得ることができるケイ素系高分子化合物及びその製造
方法を提供することを目的とする。
耐熱材料や導電材料として有用なケイ素系高分子化合物
及びかかる化合物を製造する方法として、ポリシラン鎖
の切断を引き起こさず、かつ使用するシラン化合物の制
限を受け難く、しかも規則性が高いポリシラン共重合体
を得ることができるケイ素系高分子化合物及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、下記一般
式（２）で示される含ケイ素アセチレン化合物と下記一
般式（３）で示される芳香族ハライドとをアミン溶媒中
にてパラジウム化合物を触媒としてハロゲン化水素を脱
離させたところ、前述したＲｏｂｅｒｔ Ｊ．Ｐ．Ｃｏ
ｒｒｉｕらによる系がジシラン類などのポリシラン鎖を
持つようなアセチレン化合物にも、ポリシラン鎖の切断
を引き起こすことなく、しかもハロゲン化水素の脱離と
いう単純な系による反応であるため高い選択性を持って
下記一般式（１）のケイ素系高分子化合物が得られると
共に、この式（１）の化合物を耐熱材料や導電性材料等
として利用するのに適していることを知見した。
記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、下記一般
式（２）で示される含ケイ素アセチレン化合物と下記一
般式（３）で示される芳香族ハライドとをアミン溶媒中
にてパラジウム化合物を触媒としてハロゲン化水素を脱
離させたところ、前述したＲｏｂｅｒｔ Ｊ．Ｐ．Ｃｏ
ｒｒｉｕらによる系がジシラン類などのポリシラン鎖を
持つようなアセチレン化合物にも、ポリシラン鎖の切断
を引き起こすことなく、しかもハロゲン化水素の脱離と
いう単純な系による反応であるため高い選択性を持って
下記一般式（１）のケイ素系高分子化合物が得られると
共に、この式（１）の化合物を耐熱材料や導電性材料等
として利用するのに適していることを知見した。
【０００８】
【化４】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ａは２価
の炭素系又は複素環式芳香族残基を示し、Ｘはハロゲン
原子示す。また、ｎは５以上である。）
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ａは２価
の炭素系又は複素環式芳香族残基を示し、Ｘはハロゲン
原子示す。また、ｎは５以上である。）
【０００９】ここで、Ｓｉ−Ｓｉ結合は一般にパラジウ
ムなどの遷移金属触媒に活性であり、各種の挿入反応や
ダブルシリル化反応を引き起こすことが知られている
（Ｎａｇａｉ ｅｔ． ａｌ．， Ｊ． Ｏｒｇａｎｏ
ｍｅｔａｌ． Ｃｈｅｍ．，１８６， ５１， （１９
８０）， Ｔａｎａｋａ ｅｔ． ａｌ．， Ｃｈｅ
ｍ． Ｌｅｔｔ．， ２４１， （１９９１））が、本
発明者らはアミン大過剰、ヨウ化第一銅存在条件では上
記の反応が抑制され、脱ハロゲン化水素カップリングに
よる重合反応が選択性良く起こることを見い出し、本発
明に至った。本発明の方法によれば、基本的にはジシラ
ンのみならず両末端にアセチレン基を持つようないずれ
のポリシラン化合物にも応用可能である。
ムなどの遷移金属触媒に活性であり、各種の挿入反応や
ダブルシリル化反応を引き起こすことが知られている
（Ｎａｇａｉ ｅｔ． ａｌ．， Ｊ． Ｏｒｇａｎｏ
ｍｅｔａｌ． Ｃｈｅｍ．，１８６， ５１， （１９
８０）， Ｔａｎａｋａ ｅｔ． ａｌ．， Ｃｈｅ
ｍ． Ｌｅｔｔ．， ２４１， （１９９１））が、本
発明者らはアミン大過剰、ヨウ化第一銅存在条件では上
記の反応が抑制され、脱ハロゲン化水素カップリングに
よる重合反応が選択性良く起こることを見い出し、本発
明に至った。本発明の方法によれば、基本的にはジシラ
ンのみならず両末端にアセチレン基を持つようないずれ
のポリシラン化合物にも応用可能である。
【００１０】以下、本発明を更に詳述すると、本発明の
ケイ素系高分子化合物は下記式（１）で表されるもので
ある。
ケイ素系高分子化合物は下記式（１）で表されるもので
ある。
【００１１】
【化５】
【００１２】ここで、Ｒ1乃至Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基であり、アルキル
基としてはメチル基，エチル基，プロピル基等、シクロ
アルキル基としてはシクロペンチル基，シクロヘキシル
基等、アリール基としてはフェニル基，トリル基，ナフ
チル基等、アラルキル基としてはベンジル基，フェネチ
ル基等が挙げられる。また、Ａは２価の炭素系又は複素
環式芳香族残基であり、具体的には下記に示すものを挙
げることができる。
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基であり、アルキル
基としてはメチル基，エチル基，プロピル基等、シクロ
アルキル基としてはシクロペンチル基，シクロヘキシル
基等、アリール基としてはフェニル基，トリル基，ナフ
チル基等、アラルキル基としてはベンジル基，フェネチ
ル基等が挙げられる。また、Ａは２価の炭素系又は複素
環式芳香族残基であり、具体的には下記に示すものを挙
げることができる。
【００１３】
【化６】 （但し、式中Ｒは水素は又は同一又は異種の置換もしく
は非置換の炭化水素基を示す。）
は非置換の炭化水素基を示す。）
【００１４】また、ｎは５以上、好ましくは１０以上、
より好ましくは２０〜１０，０００である。
より好ましくは２０〜１０，０００である。
【００１５】本発明の上記式（１）で示されるケイ素系
高分子化合物は、下記式（２）の含ケイ素アセチレン化
合物と下記式（３）の芳香族ハライドとをアミン溶媒中
でパラジウム化合物を触媒としてハロゲン化水素を脱離
することにより縮重合を行うことによって得ることがで
きる。
高分子化合物は、下記式（２）の含ケイ素アセチレン化
合物と下記式（３）の芳香族ハライドとをアミン溶媒中
でパラジウム化合物を触媒としてハロゲン化水素を脱離
することにより縮重合を行うことによって得ることがで
きる。
【００１６】
【化７】 （但し、Ｒ1〜Ｒ4、Ａ、Ｘ、ｎは上記と同様の意味を示
す。）
す。）
【００１７】ここで、上記式（２）で示される含ケイ素
アセチレン化合物としては、具体的に１，２−ジエチニ
ルテトラメチルジシラン、１，２−ジエチニルテトラブ
チルシラン、１，２−ジエチニル−１，２−ジメチル−
１，２−ジフェニルシラン等のジアセチレン化合物を挙
げることができる。
アセチレン化合物としては、具体的に１，２−ジエチニ
ルテトラメチルジシラン、１，２−ジエチニルテトラブ
チルシラン、１，２−ジエチニル−１，２−ジメチル−
１，２−ジフェニルシラン等のジアセチレン化合物を挙
げることができる。
【００１８】また、上記式（３）で示される芳香族ハラ
イドにおけるＸはハロゲン原子であり、塩素，臭素，ヨ
ウ素を例示することができるが、芳香族ハライドとして
は臭素又はヨウ素が結合したものを使用することが好ま
しい。この式（３）の芳香族ハライドとしては、ｐ−ジ
ヨードベンゼン、２，６−ジブロモピリジン、２，５−
ジヨードチオフェン等を挙げることができる。
イドにおけるＸはハロゲン原子であり、塩素，臭素，ヨ
ウ素を例示することができるが、芳香族ハライドとして
は臭素又はヨウ素が結合したものを使用することが好ま
しい。この式（３）の芳香族ハライドとしては、ｐ−ジ
ヨードベンゼン、２，６−ジブロモピリジン、２，５−
ジヨードチオフェン等を挙げることができる。
【００１９】なお、含ケイ素アセチレン化合物と芳香族
ハライドとの配合割合は、アセチレン化合物１モルに対
して芳香族ハライド０．５〜２モル、特に０．９〜１．
１モルとすることが好ましい。
ハライドとの配合割合は、アセチレン化合物１モルに対
して芳香族ハライド０．５〜２モル、特に０．９〜１．
１モルとすることが好ましい。
【００２０】上述した含ケイ素アセチレン化合物及び芳
香族ハライドは、パラジウム化合物を触媒として反応さ
せるものである。このパラジウム化合物触媒としては、
ｔｒａｎｓ−塩化ビス（トリフェニルフォスフィン）パ
ラジウム，塩化パラジウム（ＩＩ）等を例示することが
できるが、上記パラジウム触媒以外に他の種類の触媒と
してトリフェニルホスフィン、ヨウ化第一銅などを使用
することが好ましい。上記三成分の触媒を用いた場合、
特に限定されるものではないが、例えばトリフェニルホ
スフィン／パラジウム触媒／ヨウ化第一銅で２／１／１
程度の割合で使用することが好ましい。また、触媒量は
仕込み量（化合物（２）＋（３））に対して０．１〜５
重量部が好ましい。
香族ハライドは、パラジウム化合物を触媒として反応さ
せるものである。このパラジウム化合物触媒としては、
ｔｒａｎｓ−塩化ビス（トリフェニルフォスフィン）パ
ラジウム，塩化パラジウム（ＩＩ）等を例示することが
できるが、上記パラジウム触媒以外に他の種類の触媒と
してトリフェニルホスフィン、ヨウ化第一銅などを使用
することが好ましい。上記三成分の触媒を用いた場合、
特に限定されるものではないが、例えばトリフェニルホ
スフィン／パラジウム触媒／ヨウ化第一銅で２／１／１
程度の割合で使用することが好ましい。また、触媒量は
仕込み量（化合物（２）＋（３））に対して０．１〜５
重量部が好ましい。
【００２１】本発明の製造方法においては、アミン溶媒
を使用するもので、これによりＳｉ−Ｓｉ結合の開裂を
防止して目的のポリシラン化合物を得ることができる。
即ち、Ｓｉ−Ｓｉ結合はパラジウムなどの遷移金属触媒
に活性であることが知られているものの、アミン溶媒、
アミン大過剰という条件ではＳｉ−Ｓｉ結合開裂反応は
進行せず、脱ハロゲン化水素によるポリマーを生成し得
ることを、本発明者によって初めて明らかにしたもので
ある。
を使用するもので、これによりＳｉ−Ｓｉ結合の開裂を
防止して目的のポリシラン化合物を得ることができる。
即ち、Ｓｉ−Ｓｉ結合はパラジウムなどの遷移金属触媒
に活性であることが知られているものの、アミン溶媒、
アミン大過剰という条件ではＳｉ−Ｓｉ結合開裂反応は
進行せず、脱ハロゲン化水素によるポリマーを生成し得
ることを、本発明者によって初めて明らかにしたもので
ある。
【００２２】ここで、アミン触媒としては、トリエチル
アミン等を使用することができ、その使用量は仕込み量
（化合物（２）＋（３））に対して２〜２０倍量で、好
ましくは５〜１０倍量とすることが好ましい。
アミン等を使用することができ、その使用量は仕込み量
（化合物（２）＋（３））に対して２〜２０倍量で、好
ましくは５〜１０倍量とすることが好ましい。
【００２３】なお、本発明の効果を妨げない範囲で他の
溶媒を混合使用することは差し支えない。
溶媒を混合使用することは差し支えない。
【００２４】上記重縮合は、反応温度２５〜１１０℃、
特に６０〜９０℃で行うことができる。また、反応時間
は通常３〜８時間である。
特に６０〜９０℃で行うことができる。また、反応時間
は通常３〜８時間である。
【００２５】本発明の方法によれば、基本的にはジシラ
ンのみならず両末端にアセチレン基を持つようないずれ
のポリシラン化合物にも応用可能なものである。
ンのみならず両末端にアセチレン基を持つようないずれ
のポリシラン化合物にも応用可能なものである。
【００２６】このようにして得られるポリシラン化合物
は、導電材料、耐熱材料として有用である。
は、導電材料、耐熱材料として有用である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、単純な系によって規則
性の高いポリシラン共重合体を高選択性を持って得るこ
とができ、得られたポリシラン共重合体（ケイ素系高分
子化合物）は耐熱材料や導電性材料等として有用なもの
である。
性の高いポリシラン共重合体を高選択性を持って得るこ
とができ、得られたポリシラン共重合体（ケイ素系高分
子化合物）は耐熱材料や導電性材料等として有用なもの
である。
【００２８】
【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、以下の例において、ポリマーの平均分子量は
ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量を示
す。
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、以下の例において、ポリマーの平均分子量は
ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量を示
す。
【００２９】［実施例１］ジアセチレン化合物として
１，２−ジエチニルテトラブチルジシラン１０００ｍｇ
と芳香族ジハライドとしてｐ−ジヨードベンゼン１００
０ｍｇとを溶媒として３０ｍｌのトリエチルアミンに溶
解し、これに触媒としてｔｒａｎｓ−塩化ビス（トリフ
ェニルフォスフィン）パラジウム１０ｍｇ、トリフェニ
ルフォスフィン２０ｍｇ及びヨウ化第一銅１０ｍｇを加
えて６時間、８０〜９０℃にて反応した。冷却後、濾
過、濃縮によりトリエチルアミンを除去し、次いでこれ
をトルエンに溶解させ、水洗、濃縮により平均分子量４
４，０００を主成分とするポリマーＡを得た（収率７９
％、収量９７２ｍｇ）。
１，２−ジエチニルテトラブチルジシラン１０００ｍｇ
と芳香族ジハライドとしてｐ−ジヨードベンゼン１００
０ｍｇとを溶媒として３０ｍｌのトリエチルアミンに溶
解し、これに触媒としてｔｒａｎｓ−塩化ビス（トリフ
ェニルフォスフィン）パラジウム１０ｍｇ、トリフェニ
ルフォスフィン２０ｍｇ及びヨウ化第一銅１０ｍｇを加
えて６時間、８０〜９０℃にて反応した。冷却後、濾
過、濃縮によりトリエチルアミンを除去し、次いでこれ
をトルエンに溶解させ、水洗、濃縮により平均分子量４
４，０００を主成分とするポリマーＡを得た（収率７９
％、収量９７２ｍｇ）。
【００３０】
【化８】 このポリマーで作成したフィルムを２５℃、１気圧の条
件でヨウ素ドーピングを行ったものの電気伝導度は５．
６×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
件でヨウ素ドーピングを行ったものの電気伝導度は５．
６×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
【００３１】［実施例２］芳香族ジハライドとして２，
６−ジブロモピリジン７０７ｍｇ、反応溶媒としてＴＨ
Ｆを３０ｍｌ及びトリエチルアミン３０ｍｌを使用した
以外は実施例１と同様にして反応させ、平均分子量２
５，０００を主成分とするポリマーＢを得た（収率７８
％、収量９５５ｍｇ）。
６−ジブロモピリジン７０７ｍｇ、反応溶媒としてＴＨ
Ｆを３０ｍｌ及びトリエチルアミン３０ｍｌを使用した
以外は実施例１と同様にして反応させ、平均分子量２
５，０００を主成分とするポリマーＢを得た（収率７８
％、収量９５５ｍｇ）。
【００３２】このポリマーＢをＩＲ、1Ｈ−ＮＭＲで分
析したところ、ＩＲでは２１５２ｃｍ-1に非対称アセチ
レンの特性吸収を示し、1Ｈ−ＮＭＲでは芳香族プロト
ンとブチル基上のプロトンの積分比は３：３６であっ
た。
析したところ、ＩＲでは２１５２ｃｍ-1に非対称アセチ
レンの特性吸収を示し、1Ｈ−ＮＭＲでは芳香族プロト
ンとブチル基上のプロトンの積分比は３：３６であっ
た。
【００３３】
【化９】 このポリマーで作成したフィルムを２５℃、１気圧の条
件でヨウ素ドーピングを行ったものの電気伝導度は２．
２×１０-4Ｓ／ｃｍであった。
件でヨウ素ドーピングを行ったものの電気伝導度は２．
２×１０-4Ｓ／ｃｍであった。
【００３４】［実施例３］芳香族ジハライドとして２，
５−ジヨードチオフェンを７２３ｍｇ使用した以外は実
施例１と同様にして反応を行い、平均分子量６，２００
を主成分とするポリマーＣを得た（収率６３％、収量７
８１ｍｇ）。
５−ジヨードチオフェンを７２３ｍｇ使用した以外は実
施例１と同様にして反応を行い、平均分子量６，２００
を主成分とするポリマーＣを得た（収率６３％、収量７
８１ｍｇ）。
【００３５】
【化１０】
【００３６】［実施例４］ジアセチレン化合物として
１，２−ジエチニルテトラメチルジシランを５０４ｍ
ｇ、芳香族ジハライドとしてｐ−ジヨードベンゼンを１
０００ｍｇを使用し、更に触媒として塩化パラジウム
（ＩＩ）を１０ｍｇ、トリフェニルフォスフィンを２０
ｍｇ及びヨウ化第一銅を１０ｍｇ使用し、溶媒としてト
リエチルアミン３０ｍｌ中に８時間還流し、溶媒不溶の
成分を主体とする重合物Ｄを得た（収率７３％、収量５
３２ｍｇ）。
１，２−ジエチニルテトラメチルジシランを５０４ｍ
ｇ、芳香族ジハライドとしてｐ−ジヨードベンゼンを１
０００ｍｇを使用し、更に触媒として塩化パラジウム
（ＩＩ）を１０ｍｇ、トリフェニルフォスフィンを２０
ｍｇ及びヨウ化第一銅を１０ｍｇ使用し、溶媒としてト
リエチルアミン３０ｍｌ中に８時間還流し、溶媒不溶の
成分を主体とする重合物Ｄを得た（収率７３％、収量５
３２ｍｇ）。
【００３７】
【化１１】
【００３８】［実施例５］ジアセチレン化合物として
１，２−ジエチニル−１，２−ジメチル−１，２−ジフ
ェニルジシランを８８１ｍｇ、芳香族ジハライドとして
ｐ−ジヨードベンゼンを１０００ｍｇを使用した以外は
実施例１と同様にして合成を行い、平均分子量１１，０
００を主成分とする重合物Ｆを得た（収率７０％、収量
７４４ｍｇ）。
１，２−ジエチニル−１，２−ジメチル−１，２−ジフ
ェニルジシランを８８１ｍｇ、芳香族ジハライドとして
ｐ−ジヨードベンゼンを１０００ｍｇを使用した以外は
実施例１と同様にして合成を行い、平均分子量１１，０
００を主成分とする重合物Ｆを得た（収率７０％、収量
７４４ｍｇ）。
【００３９】
【化１２】
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で表されるケイ素系高
分子化合物。 【化１】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ａは２価
の炭素系又は複素環式芳香族残基を示す。ｎは５以上で
ある。） - 【請求項２】 下記一般式（２）で表される含ケイ素ア
セチレン化合物と下記一般式（３）で表される芳香族ハ
ライドとを大過剰のアミン存在下でパラジウム化合物触
媒下にてハロゲン化水素の脱離をともなう縮重合を行う
ことを特徴とする請求項１記載の一般式（１）で示され
るケイ素系高分子化合物の製造方法。 【化２】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示す。） 【化３】 （但し、式中Ａは２価の炭素系又は複素環式芳香族残
基、Ｘはハロゲン原子を示す。）
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|---|---|---|---|
| JP5028692A JP2776184B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ケイ素系高分子化合物 |
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| JP5028692A JP2776184B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ケイ素系高分子化合物 |
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|---|---|---|---|
| JP9354116A Division JP3063718B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | ケイ素系高分子化合物の製造方法 |
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|---|---|
| JPH06220201A true JPH06220201A (ja) | 1994-08-09 |
| JP2776184B2 JP2776184B2 (ja) | 1998-07-16 |
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|---|---|---|---|
| JP5028692A Expired - Fee Related JP2776184B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ケイ素系高分子化合物 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002020491A (ja) * | 2000-04-19 | 2002-01-23 | General Electric Co <Ge> | ジアセチレン系ポリオルガノシロキサン、その中間体およびその硬化組成物 |
| JP2003509557A (ja) * | 1999-09-16 | 2003-03-11 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ポリ（エチニレン−フェニレン−エチニレン−シリレン）およびその調製方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6234923A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-14 | Hitachi Ltd | 新規な重合体 |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP5028692A patent/JP2776184B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS6234923A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-14 | Hitachi Ltd | 新規な重合体 |
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| JP2002020491A (ja) * | 2000-04-19 | 2002-01-23 | General Electric Co <Ge> | ジアセチレン系ポリオルガノシロキサン、その中間体およびその硬化組成物 |
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