JP3063718B2 - ケイ素系高分子化合物の製造方法 - Google Patents
ケイ素系高分子化合物の製造方法Info
- Publication number
- JP3063718B2 JP3063718B2 JP9354116A JP35411697A JP3063718B2 JP 3063718 B2 JP3063718 B2 JP 3063718B2 JP 9354116 A JP9354116 A JP 9354116A JP 35411697 A JP35411697 A JP 35411697A JP 3063718 B2 JP3063718 B2 JP 3063718B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- silicon
- groups
- polymer
- based polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱材料、導電性
材料等として有用なケイ素系高分子化合物の製造方法に
関する。
材料等として有用なケイ素系高分子化合物の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ケイ素
ケイ素結合（Ｓｉ−Ｓｉ結合）はσ結合のエネルギー準
位が炭素のそれに比べて非常に高くなっており、この結
果としてはポリシランに見られるようなσ共役や各種の
π結合との共役があることが知られている。
ケイ素結合（Ｓｉ−Ｓｉ結合）はσ結合のエネルギー準
位が炭素のそれに比べて非常に高くなっており、この結
果としてはポリシランに見られるようなσ共役や各種の
π結合との共役があることが知られている。
【０００３】このようなＳｉ−Ｓｉ結合の特徴を機能的
に発揮させ、材料化させるためには、規則性の高いポリ
マーの合成やそれらの効果的な配列が必要であると考え
られている。
に発揮させ、材料化させるためには、規則性の高いポリ
マーの合成やそれらの効果的な配列が必要であると考え
られている。
【０００４】そこで、このようなポリシラン骨格を含有
するポリマーの合成方法としては、例えばジシラニレン
フェニレンをビス（ハロジアルキルシリル）ベンゼンの
ウルツカップリング反応により得る方法が一般的に行わ
れている。しかし、その反応機構は明らかになっていな
いばかりか、反応自体も複雑であり規則性の高いポリマ
ーを合成する手段としては問題がある。一方、ウルツカ
ップリング反応以外の合成方法としては、ジエチニル化
合物のヒドロカルビレーションによる方法が報告されて
いるが、位置選択性がないために２重結合と３重結合の
配列がばらばらで規則性の高いポリマーを得るには至っ
ていない。
するポリマーの合成方法としては、例えばジシラニレン
フェニレンをビス（ハロジアルキルシリル）ベンゼンの
ウルツカップリング反応により得る方法が一般的に行わ
れている。しかし、その反応機構は明らかになっていな
いばかりか、反応自体も複雑であり規則性の高いポリマ
ーを合成する手段としては問題がある。一方、ウルツカ
ップリング反応以外の合成方法としては、ジエチニル化
合物のヒドロカルビレーションによる方法が報告されて
いるが、位置選択性がないために２重結合と３重結合の
配列がばらばらで規則性の高いポリマーを得るには至っ
ていない。
【０００５】最近、Ｒｏｂｅｒｔ Ｊ．Ｐ．Ｃｏｒｒｉ
ｕらはジエチニルシラン類と種々の芳香族ジハライドと
の反応によるポリマーの合成方法を報告している（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：
Ｐａｒｔ Ｃ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏ
ｌ．２８，４３１−４３７（１９９０））。また、これ
に類するポリマーの合成反応としては、Ｈｕａ Ｑｉｎ
Ｌｉｕ ＆ Ｊｏｈｎ Ｆ．Ｈａｒｒｏｄによるヒド
ロシランとアセチレン化合物との脱水素反応の例におい
て、１，３−ジエチニルベンゼンとフェニルシランとの
間で銅触媒によるポリマーの合成が報告されている（Ｃ
ａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，６８，１１００（１９９
０））。しかしながら、前者についてはジシラン類など
のポリシラン鎖の切断を引き起こす問題点があり、一方
後者についてはヒドロシランの種類により活性がかなり
異なっており、特にポリシラン鎖を含むポリマーの合成
反応として一般に利用するには制約が多いという欠点を
有する。
ｕらはジエチニルシラン類と種々の芳香族ジハライドと
の反応によるポリマーの合成方法を報告している（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：
Ｐａｒｔ Ｃ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏ
ｌ．２８，４３１−４３７（１９９０））。また、これ
に類するポリマーの合成反応としては、Ｈｕａ Ｑｉｎ
Ｌｉｕ ＆ Ｊｏｈｎ Ｆ．Ｈａｒｒｏｄによるヒド
ロシランとアセチレン化合物との脱水素反応の例におい
て、１，３−ジエチニルベンゼンとフェニルシランとの
間で銅触媒によるポリマーの合成が報告されている（Ｃ
ａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，６８，１１００（１９９
０））。しかしながら、前者についてはジシラン類など
のポリシラン鎖の切断を引き起こす問題点があり、一方
後者についてはヒドロシランの種類により活性がかなり
異なっており、特にポリシラン鎖を含むポリマーの合成
反応として一般に利用するには制約が多いという欠点を
有する。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
耐熱材料や導電材料として有用なケイ素系高分子化合物
を製造する方法として、ポリシラン鎖の切断を引き起こ
さず、かつ使用するシラン化合物の制限を受け難く、し
かも規則性が高いポリシラン共重合体を得ることができ
るケイ素系高分子化合物の製造方法を提供することを目
的とする。
耐熱材料や導電材料として有用なケイ素系高分子化合物
を製造する方法として、ポリシラン鎖の切断を引き起こ
さず、かつ使用するシラン化合物の制限を受け難く、し
かも規則性が高いポリシラン共重合体を得ることができ
るケイ素系高分子化合物の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、下記一般式（２）で示される含ケイ素アセチレン化
合物と下記一般式（３）で示される芳香族ハライドとを
アミン溶媒中にてパラジウム化合物を触媒としてハロゲ
ン化水素を脱離させたところ、前述したＲｏｂｅｒｔ
Ｊ．Ｐ．Ｃｏｒｒｉｕらによる系がジシラン類などのポ
リシラン鎖を持つようなアセチレン化合物にも、ポリシ
ラン鎖の切断を引き起こすことなく、しかもハロゲン化
水素の脱離という単純な系による反応であるため高い選
択性を持って下記一般式（１）のケイ素系高分子化合物
が得られると共に、この式（１）の化合物を耐熱材料や
導電性材料等として利用するのに適していることを知見
した。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、下記一般式（２）で示される含ケイ素アセチレン化
合物と下記一般式（３）で示される芳香族ハライドとを
アミン溶媒中にてパラジウム化合物を触媒としてハロゲ
ン化水素を脱離させたところ、前述したＲｏｂｅｒｔ
Ｊ．Ｐ．Ｃｏｒｒｉｕらによる系がジシラン類などのポ
リシラン鎖を持つようなアセチレン化合物にも、ポリシ
ラン鎖の切断を引き起こすことなく、しかもハロゲン化
水素の脱離という単純な系による反応であるため高い選
択性を持って下記一般式（１）のケイ素系高分子化合物
が得られると共に、この式（１）の化合物を耐熱材料や
導電性材料等として利用するのに適していることを知見
した。
【０００８】
【化４】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ａは２価
の炭素系又は複素環式芳香族残基を示し、Ｘはハロゲン
原子示す。また、ｎは５以上である。）
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ａは２価
の炭素系又は複素環式芳香族残基を示し、Ｘはハロゲン
原子示す。また、ｎは５以上である。）
【０００９】ここで、Ｓｉ−Ｓｉ結合は一般にパラジウ
ムなどの遷移金属触媒に活性であり、各種の挿入反応や
ダブルシリル化反応を引き起こすことが知られている
（Ｎａｇａｉ ｅｔ． ａｌ．， Ｊ． Ｏｒｇａｎｏ
ｍｅｔａｌ． Ｃｈｅｍ．，１８６， ５１， （１９
８０）， Ｔａｎａｋａ ｅｔ． ａｌ．， Ｃｈｅ
ｍ． Ｌｅｔｔ．， ２４１， （１９９１））が、本
発明者らはアミン大過剰、ヨウ化第一銅存在条件では上
記の反応が抑制され、脱ハロゲン化水素カップリングに
よる重合反応が選択性良く起こることを見い出し、本発
明に至った。本発明の方法によれば、基本的にはジシラ
ンのみならず両末端にアセチレン基を持つようないずれ
のポリシラン化合物にも応用可能である。
ムなどの遷移金属触媒に活性であり、各種の挿入反応や
ダブルシリル化反応を引き起こすことが知られている
（Ｎａｇａｉ ｅｔ． ａｌ．， Ｊ． Ｏｒｇａｎｏ
ｍｅｔａｌ． Ｃｈｅｍ．，１８６， ５１， （１９
８０）， Ｔａｎａｋａ ｅｔ． ａｌ．， Ｃｈｅ
ｍ． Ｌｅｔｔ．， ２４１， （１９９１））が、本
発明者らはアミン大過剰、ヨウ化第一銅存在条件では上
記の反応が抑制され、脱ハロゲン化水素カップリングに
よる重合反応が選択性良く起こることを見い出し、本発
明に至った。本発明の方法によれば、基本的にはジシラ
ンのみならず両末端にアセチレン基を持つようないずれ
のポリシラン化合物にも応用可能である。
【００１０】以下、本発明を更に詳述すると、本発明で
得られるケイ素系高分子化合物は下記式（１）で表され
るものである。
得られるケイ素系高分子化合物は下記式（１）で表され
るものである。
【００１１】
【化５】
【００１２】ここで、Ｒ1乃至Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基であり、アルキル
基としてはメチル基，エチル基，プロピル基等、シクロ
アルキル基としてはシクロペンチル基，シクロヘキシル
基等、アリール基としてはフェニル基，トリル基，ナフ
チル基等、アラルキル基としてはベンジル基，フェネチ
ル基等が挙げられる。また、Ａは２価の炭素系又は複素
環式芳香族残基であり、具体的には下記に示すものを挙
げることができる。
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基であり、アルキル
基としてはメチル基，エチル基，プロピル基等、シクロ
アルキル基としてはシクロペンチル基，シクロヘキシル
基等、アリール基としてはフェニル基，トリル基，ナフ
チル基等、アラルキル基としてはベンジル基，フェネチ
ル基等が挙げられる。また、Ａは２価の炭素系又は複素
環式芳香族残基であり、具体的には下記に示すものを挙
げることができる。
【００１３】
【化６】 （但し、式中Ｒは水素又は同一又は異種の置換もしくは
非置換の炭化水素基を示す。）
非置換の炭化水素基を示す。）
【００１４】また、ｎは５以上、好ましくは１０以上、
より好ましくは２０〜１０，０００である。
より好ましくは２０〜１０，０００である。
【００１５】本発明に係る上記式（１）で示されるケイ
素系高分子化合物は、下記式（２）の含ケイ素アセチレ
ン化合物と下記式（３）の芳香族ハライドとをアミン溶
媒中でパラジウム化合物を触媒としてハロゲン化水素を
脱離することにより縮重合を行うことによって得るもの
である。
素系高分子化合物は、下記式（２）の含ケイ素アセチレ
ン化合物と下記式（３）の芳香族ハライドとをアミン溶
媒中でパラジウム化合物を触媒としてハロゲン化水素を
脱離することにより縮重合を行うことによって得るもの
である。
【００１６】
【化７】 （但し、Ｒ1〜Ｒ4、Ａ、Ｘ、ｎは上記と同様の意味を示
す。）
す。）
【００１７】ここで、上記式（２）で示される含ケイ素
アセチレン化合物としては、具体的に１，２−ジエチニ
ルテトラメチルジシラン、１，２−ジエチニルテトラブ
チルシラン、１，２−ジエチニル−１，２−ジメチル−
１，２−ジフェニルシラン等のジアセチレン化合物を挙
げることができる。
アセチレン化合物としては、具体的に１，２−ジエチニ
ルテトラメチルジシラン、１，２−ジエチニルテトラブ
チルシラン、１，２−ジエチニル−１，２−ジメチル−
１，２−ジフェニルシラン等のジアセチレン化合物を挙
げることができる。
【００１８】また、上記式（３）で示される芳香族ハラ
イドにおけるＸはハロゲン原子であり、塩素，臭素，ヨ
ウ素を例示することができるが、芳香族ハライドとして
は臭素又はヨウ素が結合したものを使用することが好ま
しい。この式（３）の芳香族ハライドとしては、ｐ−ジ
ヨードベンゼン、２，６−ジブロモピリジン、２，５−
ジヨードチオフェン等を挙げることができる。
イドにおけるＸはハロゲン原子であり、塩素，臭素，ヨ
ウ素を例示することができるが、芳香族ハライドとして
は臭素又はヨウ素が結合したものを使用することが好ま
しい。この式（３）の芳香族ハライドとしては、ｐ−ジ
ヨードベンゼン、２，６−ジブロモピリジン、２，５−
ジヨードチオフェン等を挙げることができる。
【００１９】なお、含ケイ素アセチレン化合物と芳香族
ハライドとの配合割合は、アセチレン化合物１モルに対
して芳香族ハライド０．５〜２モル、特に０．９〜１．
１モルとすることが好ましい。
ハライドとの配合割合は、アセチレン化合物１モルに対
して芳香族ハライド０．５〜２モル、特に０．９〜１．
１モルとすることが好ましい。
【００２０】上述した含ケイ素アセチレン化合物及び芳
香族ハライドは、パラジウム化合物を触媒として反応さ
せるものである。このパラジウム化合物触媒としては、
ｔｒａｎｓ−塩化ビス（トリフェニルフォスフィン）パ
ラジウム，塩化パラジウム（ＩＩ）等を例示することが
できるが、上記パラジウム触媒以外に他の種類の触媒と
してトリフェニルホスフィン、ヨウ化第一銅などを使用
することが好ましい。上記三成分の触媒を用いた場合、
特に限定されるものではないが、例えばトリフェニルホ
スフィン／パラジウム触媒／ヨウ化第一銅で２／１／１
程度の割合で使用することが好ましい。また、触媒量は
仕込み量（化合物（２）＋（３））に対して０．１〜５
重量部が好ましい。
香族ハライドは、パラジウム化合物を触媒として反応さ
せるものである。このパラジウム化合物触媒としては、
ｔｒａｎｓ−塩化ビス（トリフェニルフォスフィン）パ
ラジウム，塩化パラジウム（ＩＩ）等を例示することが
できるが、上記パラジウム触媒以外に他の種類の触媒と
してトリフェニルホスフィン、ヨウ化第一銅などを使用
することが好ましい。上記三成分の触媒を用いた場合、
特に限定されるものではないが、例えばトリフェニルホ
スフィン／パラジウム触媒／ヨウ化第一銅で２／１／１
程度の割合で使用することが好ましい。また、触媒量は
仕込み量（化合物（２）＋（３））に対して０．１〜５
重量部が好ましい。
【００２１】本発明の製造方法においては、アミン溶媒
を使用するもので、これによりＳｉ−Ｓｉ結合の開裂を
防止して目的のポリシラン化合物を得ることができる。
即ち、Ｓｉ−Ｓｉ結合はパラジウムなどの遷移金属触媒
に活性であることが知られているものの、アミン溶媒、
アミン大過剰という条件ではＳｉ−Ｓｉ結合開裂反応は
進行せず、脱ハロゲン化水素によるポリマーを生成し得
ることを、本発明者によって初めて明らかにしたもので
ある。
を使用するもので、これによりＳｉ−Ｓｉ結合の開裂を
防止して目的のポリシラン化合物を得ることができる。
即ち、Ｓｉ−Ｓｉ結合はパラジウムなどの遷移金属触媒
に活性であることが知られているものの、アミン溶媒、
アミン大過剰という条件ではＳｉ−Ｓｉ結合開裂反応は
進行せず、脱ハロゲン化水素によるポリマーを生成し得
ることを、本発明者によって初めて明らかにしたもので
ある。
【００２２】ここで、アミン溶媒としては、トリエチル
アミン等を使用することができ、その使用量は仕込み量
（化合物（２）＋（３））に対して２〜２０倍量で、好
ましくは５〜１０倍量とすることが好ましい。
アミン等を使用することができ、その使用量は仕込み量
（化合物（２）＋（３））に対して２〜２０倍量で、好
ましくは５〜１０倍量とすることが好ましい。
【００２３】なお、本発明の効果を妨げない範囲で他の
溶媒を混合使用することは差し支えない。
溶媒を混合使用することは差し支えない。
【００２４】上記重縮合は、反応温度２５〜１１０℃、
特に６０〜９０℃で行うことができる。また、反応時間
は通常３〜８時間である。
特に６０〜９０℃で行うことができる。また、反応時間
は通常３〜８時間である。
【００２５】本発明の方法によれば、基本的にはジシラ
ンのみならず両末端にアセチレン基を持つようないずれ
のポリシラン化合物にも応用可能なものである。
ンのみならず両末端にアセチレン基を持つようないずれ
のポリシラン化合物にも応用可能なものである。
【００２６】このようにして得られるポリシラン化合物
は、導電材料、耐熱材料として有用である。
は、導電材料、耐熱材料として有用である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、単純な系によって規則
性の高いポリシラン共重合体を高選択性を持って得るこ
とができ、得られたポリシラン共重合体（ケイ素系高分
子化合物）は耐熱材料や導電性材料等として有用なもの
である。
性の高いポリシラン共重合体を高選択性を持って得るこ
とができ、得られたポリシラン共重合体（ケイ素系高分
子化合物）は耐熱材料や導電性材料等として有用なもの
である。
【００２８】
【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、以下の例において、ポリマーの平均分子量は
ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量を示
す。
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、以下の例において、ポリマーの平均分子量は
ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量を示
す。
【００２９】［実施例１］ジアセチレン化合物として
１，２−ジエチニルテトラブチルジシラン１，０００ｍ
ｇと芳香族ジハライドとしてｐ−ジヨードベンゼン１，
０００ｍｇとを溶媒として３０ｍｌのトリエチルアミン
に溶解し、これに触媒としてｔｒａｎｓ−塩化ビス（ト
リフェニルフォスフィン）パラジウム１０ｍｇ、トリフ
ェニルフォスフィン２０ｍｇ及びヨウ化第一銅１０ｍｇ
を加えて６時間、８０〜９０℃にて反応した。冷却後、
濾過、濃縮によりトリエチルアミンを除去し、次いでこ
れをトルエンに溶解させ、水洗、濃縮により平均分子量
４４，０００を主成分とするポリマーＡを得た（収率７
９％、収量９７２ｍｇ）。
１，２−ジエチニルテトラブチルジシラン１，０００ｍ
ｇと芳香族ジハライドとしてｐ−ジヨードベンゼン１，
０００ｍｇとを溶媒として３０ｍｌのトリエチルアミン
に溶解し、これに触媒としてｔｒａｎｓ−塩化ビス（ト
リフェニルフォスフィン）パラジウム１０ｍｇ、トリフ
ェニルフォスフィン２０ｍｇ及びヨウ化第一銅１０ｍｇ
を加えて６時間、８０〜９０℃にて反応した。冷却後、
濾過、濃縮によりトリエチルアミンを除去し、次いでこ
れをトルエンに溶解させ、水洗、濃縮により平均分子量
４４，０００を主成分とするポリマーＡを得た（収率７
９％、収量９７２ｍｇ）。
【００３０】
【化８】 このポリマーで作成したフィルムを２５℃、１気圧の条
件でヨウ素ドーピングを行ったものの電気伝導度は５．
６×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
件でヨウ素ドーピングを行ったものの電気伝導度は５．
６×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
【００３１】［実施例２］芳香族ジハライドとして２，
６−ジブロモピリジン７０７ｍｇ、反応溶媒としてＴＨ
Ｆを３０ｍｌ及びトリエチルアミン３０ｍｌを使用した
以外は実施例１と同様にして反応させ、平均分子量２
５，０００を主成分とするポリマーＢを得た（収率７８
％、収量９５５ｍｇ）。
６−ジブロモピリジン７０７ｍｇ、反応溶媒としてＴＨ
Ｆを３０ｍｌ及びトリエチルアミン３０ｍｌを使用した
以外は実施例１と同様にして反応させ、平均分子量２
５，０００を主成分とするポリマーＢを得た（収率７８
％、収量９５５ｍｇ）。
【００３２】このポリマーＢをＩＲ、1Ｈ−ＮＭＲで分
析したところ、ＩＲでは２，１５２ｃｍ-1に非対称アセ
チレンの特性吸収を示し、1Ｈ−ＮＭＲでは芳香族プロ
トンとブチル基上のプロトンの積分比は３：３６であっ
た。
析したところ、ＩＲでは２，１５２ｃｍ-1に非対称アセ
チレンの特性吸収を示し、1Ｈ−ＮＭＲでは芳香族プロ
トンとブチル基上のプロトンの積分比は３：３６であっ
た。
【００３３】
【化９】 このポリマーで作成したフィルムを２５℃、１気圧の条
件でヨウ素ドーピングを行ったものの電気伝導度は２．
２×１０-4Ｓ／ｃｍであった。
件でヨウ素ドーピングを行ったものの電気伝導度は２．
２×１０-4Ｓ／ｃｍであった。
【００３４】［実施例３］芳香族ジハライドとして２，
５−ジヨードチオフェンを７２３ｍｇ使用した以外は実
施例１と同様にして反応を行い、平均分子量６，２００
を主成分とするポリマーＣを得た（収率６３％、収量７
８１ｍｇ）。
５−ジヨードチオフェンを７２３ｍｇ使用した以外は実
施例１と同様にして反応を行い、平均分子量６，２００
を主成分とするポリマーＣを得た（収率６３％、収量７
８１ｍｇ）。
【００３５】
【化１０】
【００３６】［実施例４］ジアセチレン化合物として
１，２−ジエチニルテトラメチルジシランを５０４ｍ
ｇ、芳香族ジハライドとしてｐ−ジヨードベンゼンを
１，０００ｍｇを使用し、更に触媒として塩化パラジウ
ム（ＩＩ）を１０ｍｇ、トリフェニルフォスフィンを２
０ｍｇ及びヨウ化第一銅を１０ｍｇ使用し、溶媒として
トリエチルアミン３０ｍｌ中に８時間還流し、溶媒不溶
の成分を主体とする重合物Ｄを得た（収率７３％、収量
５３２ｍｇ）。
１，２−ジエチニルテトラメチルジシランを５０４ｍ
ｇ、芳香族ジハライドとしてｐ−ジヨードベンゼンを
１，０００ｍｇを使用し、更に触媒として塩化パラジウ
ム（ＩＩ）を１０ｍｇ、トリフェニルフォスフィンを２
０ｍｇ及びヨウ化第一銅を１０ｍｇ使用し、溶媒として
トリエチルアミン３０ｍｌ中に８時間還流し、溶媒不溶
の成分を主体とする重合物Ｄを得た（収率７３％、収量
５３２ｍｇ）。
【００３７】
【化１１】
【００３８】［実施例５］ジアセチレン化合物として
１，２−ジエチニル−１，２−ジメチル−１，２−ジフ
ェニルジシランを８８１ｍｇ、芳香族ジハライドとして
ｐ−ジヨードベンゼンを１，０００ｍｇを使用した以外
は実施例１と同様にして合成を行い、平均分子量１１，
０００を主成分とする重合物Ｆを得た（収率７０％、収
量７４４ｍｇ）。
１，２−ジエチニル−１，２−ジメチル−１，２−ジフ
ェニルジシランを８８１ｍｇ、芳香族ジハライドとして
ｐ−ジヨードベンゼンを１，０００ｍｇを使用した以外
は実施例１と同様にして合成を行い、平均分子量１１，
０００を主成分とする重合物Ｆを得た（収率７０％、収
量７４４ｍｇ）。
【００３９】
【化１２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 61/12 C08G 77/60 ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（２）で表される含ケイ素ア
セチレン化合物と下記一般式（３）で表される芳香族ハ
ライドとをこれら式（２）の化合物及び式（３）のハラ
イドの仕込み量の２〜２０倍量のアミン存在下でパラジ
ウム化合物触媒下にてハロゲン化水素の脱離をともなう
縮重合を行うことを特徴とする下記一般式（１）で示さ
れるケイ素系高分子化合物の製造方法。 【化１】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示す。） 【化２】 （但し、式中Ａは２価の炭素系又は複素環式芳香族残
基、Ｘはハロゲン原子を示す。） 【化３】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は同一又は異種の置換
又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ａは２価
の炭素系又は複素環式芳香族残基を示す。ｎは５以上で
ある。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9354116A JP3063718B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | ケイ素系高分子化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9354116A JP3063718B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | ケイ素系高分子化合物の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5028692A Division JP2776184B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ケイ素系高分子化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10176060A JPH10176060A (ja) | 1998-06-30 |
| JP3063718B2 true JP3063718B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=18435405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9354116A Expired - Fee Related JP3063718B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | ケイ素系高分子化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3063718B2 (ja) |
-
1997
- 1997-12-08 JP JP9354116A patent/JP3063718B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10176060A (ja) | 1998-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6346562B1 (en) | Cross-linkable mixtures and a method for the production and utilization thereof | |
| JP2000191670A (ja) | 一つの珪素結合水素原子を有する環式有機珪素末端封鎖化合物 | |
| JP3797519B2 (ja) | 分岐状シロキサン・シルアルキレン共重合体 | |
| JP2776184B2 (ja) | ケイ素系高分子化合物 | |
| JP3063718B2 (ja) | ケイ素系高分子化合物の製造方法 | |
| JP3459985B2 (ja) | ボラジン含有ケイ素系ポリマーの薄膜の製造方法及びボラジン含有ケイ素ポリマー | |
| JP2917619B2 (ja) | ポリシラン共重合体及びその製造方法 | |
| JPH064699B2 (ja) | １，２，２−トリメチル−１−フエニルポリジシランおよびその製造方法 | |
| JP2791397B2 (ja) | 新規な有機ハロシラン化合物 | |
| JPH064698B2 (ja) | ジメチルフエニルシリルメチルポリシランおよびその製造法 | |
| JP2576312B2 (ja) | ポリシランフィルム組成物及び架橋ポリシランフィルム | |
| JP2800699B2 (ja) | 新規な分岐ポリシランおよびその製造方法 | |
| JP5252761B2 (ja) | ジアセチレン系ポリオルガノシロキサン、その中間体およびその硬化組成物 | |
| JPH06128381A (ja) | 高分子量ポリシランの製造法 | |
| JP3050058B2 (ja) | ポリシランの製造方法 | |
| JPH04185642A (ja) | ポリシランの製造方法 | |
| JP2914221B2 (ja) | 新規な有機ハロシラン化合物 | |
| JP2956432B2 (ja) | ピロリル基ペンダントポリシラン及びその製造方法 | |
| JP2001055512A (ja) | 架橋性ケイ素系高分子組成物並びに反射防止膜用組成物及び反射防止膜 | |
| JP2001055393A (ja) | エチニル基含有シラン類及びその製造方法 | |
| JP3385908B2 (ja) | ポリシランの製造方法 | |
| JP3468680B2 (ja) | カルボラン含有ケイ素系重合体の製造方法 | |
| JP3129021B2 (ja) | ポリシランオリゴマーの製造方法 | |
| JP2721860B2 (ja) | ポリシラン化合物の製造方法 | |
| JP3287216B2 (ja) | ケイ素系高分子化合物及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |