JPH06216297A - 介挿体リードフレームを有する回路組立体 - Google Patents

介挿体リードフレームを有する回路組立体

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JPH06216297A
JPH06216297A JP30440093A JP30440093A JPH06216297A JP H06216297 A JPH06216297 A JP H06216297A JP 30440093 A JP30440093 A JP 30440093A JP 30440093 A JP30440093 A JP 30440093A JP H06216297 A JPH06216297 A JP H06216297A
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JP
Japan
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assembly
circuit
support structure
substrate assembly
power
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JP30440093A
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English (en)
Inventor
Michael J Hundt
ジェイ． ハンド マイケル
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STMicroelectronics lnc USA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics Inc
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 集積度は高いが確立された業界のパッケージ
ング基準に適った電子回路パッケージを提供する。 【構成】 回路組立体が、介挿体基板組立体と電子回路
装置をサポートする構成体を具備するフィンガリード組
立体を有しており、該基板組立体はリード組立体のフィ
ンガリードと回路装置内の夫々の回路セクションとの間
に電気的接続を与える導電性要素を具備している。この
回路装置は基板組立体の上表面に隣接してマウントされ
ている。少なくとも一個のデカップリングコンデンサが
フィンガリードのレベルより低いレベルにおいて基板組
立体の下表面上にマウントされており、且つ層間ビアコ
ネクタを包含する基板組立体内の回路を介して回路装置
内の夫々の回路へ電気的に接続している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大略、電子パッケージ
技術に関するものであって、更に詳細には、集積回路チ
ップを有しており且つ該集積回路チップ内の夫々の回路
へ接続した複数個の導体を有する高集積度回路モジュー
ルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路チップを有する回路モジュール
の構成において、回路モジュールが小型の構成であり、
且つ集積回路チップ内の回路へ接続されているリード及
び導電性要素が誘導性の干渉及びノイズを最小とするた
めに可及的に短いものであることが望ましい。典型的
に、このような回路組立体は、非導電性の封止物質から
なる本体内に支持されており且つ外部ピン乃至は端子へ
接続されている多数の導電性フィンガを有すると共に、
パワー、接地及び信号線を与えるために、フィンガ及び
チップ内の夫々の回路との間に相互接続した導電性要素
を有している。
【０００３】集積回路チップをマウントすることが可能
な中間の介挿体基板を使用し、その際にチップ上のノー
ド乃至は端子と介挿体基板上の対応する導体との間をリ
ードで接続することにより、このような線の長さを最小
とすることが望ましい。然しながら、従来のこのような
介挿体基板を使用する回路モジュールは、いくつかの制
限及び欠点を有していた。そのような一つの制限として
は、介挿体基板上にマウントされている導体及び電気的
部品は不所望に混雑しており、一つ又はそれ以上の隣接
する導体上に高周波数信号が存在する場合には、誘導性
干渉が発生する可能性があった。例えば、このようなモ
ジュールにおけるデジタル、アナログ及び入力／出力回
路は、このような基板上において不所望に密集されてお
り、一方、基板及びリードフレームは不所望な複雑性及
び寸法のものであった。従って、このような回路組立体
のパッケージングは、電子システムの設計及び製造にお
いて主要なファクタであり、且つ物理的な寸法を減少さ
せ、信頼性を改善し、且つコストを低下させるために新
たなパッケージング技術が必要とされている。このよう
な効率的なパッケージングに対する必要性は、半導体チ
ップを使用する大規模（ＬＳＩ）技術によって実現され
るタイプの小型の回路構成体を使用する電子回路組立体
に関して特に重要である。
【０００４】集積回路ダイ乃至はチップを有する従来の
回路組立体の製造においては、典型的には、チップをフ
ィンガリードフレーム組立体の複数個のフィンガリード
要素へ電気的に接続し、且つ該チップ及びフィンガリー
ドを電気的絶縁、熱散逸及び構造的サポートを与えるた
めに非導電性封止物質からなる本体内に封止させる。集
積回路チップに対する電気的接続をサポートし且つ与え
るために、封止本体内でリードフレーム組立体上の中心
に非導電性基板をマウントすることが可能であり、この
ような基板は集積回路端子へ接続したリードと外部ピン
と連続しているか又は接続されているリードフレーム上
の導電性フィンガへ接続したリードとの間に電気的接続
を与える導電性ストリップを有している。装置の端子又
はリードは基板上の導体を介して外部ピンへ接続され
る。基板上の導体を介してパッケージ内の他の装置との
電気的相互接続も可能である。微細な金ワイヤリード
が、基板上の夫々の導電性要素と集積回路チップ上のノ
ード又は端子との間に接続されており、装置入力／出力
端子とパワー端子との間に接続を与えている。
【０００５】リード間及びリード行間の最小空間に対す
る条件を包含するこのような電子回路パッケージの外部
寸法に関する業界基準のために、複数個のリードが存在
することは封止物内に組込むことの可能な回路装置の数
を制限していた。従って、前述した如く、例えばランダ
ムアクセスメモリ回路等の高速データ処理回路において
使用される高集積度の適応特定論理回路（ＡＳＩＣ）及
び半導体メモリ回路等の回路に対して集積度を増加する
ことの必要性が依然として存在している。例えば、メモ
リ装置に対する業界パッケージング基準の一つは、各行
において外部ピンを１００ミル中心でマウントした状態
で３００ミル行間隔を特定している。このようなパッケ
ージに対するメモリ容量を向上させることが可能であ
り、より大きな集積度が得られる。
【０００６】集積回路チップの容量が増加すると、集積
回路内の回路へ接続を与えるのに必要な基板面積も増加
し、その際に標準寸法のパッケージ内においての装置リ
ードの取付けのために使用可能な面積は最小となる。従
って、小型の構成で増加した容量を与えるためにパッケ
ージを改善するための種々の試みがなされている。ある
標準的なパッケージの場合に装置基板に対して使用可能
な面積は、装置リードボンディングに必要な空間によっ
て必然的に制限されると共に、封止を与えるために必要
な最小寸法によっても制限される。従って、リード中心
間隔に対する確立された基準及びパッケージ寸法及び外
部ピンの最大数に関する制限がこのような回路部品に対
し幾つかの制限を課している。従って、確立されている
業界パッケージング基準に適う改良した電子回路パッケ
ージング技術に対する必要性が依然として存在してい
る。
【０００７】ある高速回路においては、高速スイッチン
グ信号等からの干渉を最小とするために、パワー（電
源）線と接地線との間に一つ又はそれ以上の「デカップ
リング」即ちフィルタ用のコンデンサを接続することが
必要である。これは、通常、モジュールがマウントされ
ている回路基板上に適宜の値のコンデンサをマウント
し、且つ集積回路チップの夫々の接地端子とパワー端子
との間に該コンデンサを接続する適宜の電気線を与える
ことによって達成される。然しながら、開連する接続線
の長さを減少させることによって、回路基板面積を節約
し且つコンデンサと関連する線との間のインダクタンス
を減少させるために、このようなコンデンサを封止され
た集積回路パッケージ自身の中に組込むことが望まし
い。パッケージング寸法も減少され、且つパッケージの
信頼性も向上する。
【０００８】封止されたモジュール内にこのようなコン
デンサを組込んだ従来の回路は不所望に混雑している。
集積回路を支持する基板上にマウントされた場合に、該
コンデンサは、回路モジュール自身が不所望に大きなも
のでない限り、他の部品と干渉を発生する傾向となる。
このことは、集積回路内に複数個の独立した電源回路が
組み込まれている場合に言えることであり、その際には
複数個のコンデンサと接続線とを設けることが必要であ
り、その各々は互いに分離され且つ回路の他の部分から
分離されねばならない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主要
な目的とするところは、高い集積度を有しているが確立
されている業界のパッケージング基準に適った新規で且
つ改良した電子回路パッケージ技術を提供することであ
る。
【００１０】本発明の別の目的とするところは、支持用
リードフレーム上にマウントし且つ集積回路チップを受
納すべく適合されており集積回路の回路セクションとリ
ードフレームの夫々の導電性フィンガとの間に電気的接
続を与えるための導電性要素を具備する介挿体基板組立
体を組込んだ電子回路パッケージを提供することであ
る。
【００１１】本発明の更に別の目的とするところは、介
挿体基板組立体が上表面と下表面とを有しており、且つ
その表面に複数個の電気的導体が形成されており、且つ
集積回路が該基板の上表面上にマウントされており、且
つ少なくとも一個のデカップリングコンデンサが介挿体
基板組立体の下表面上にマウントされており、且つ集積
回路チップ上の電源端子と接地端子との間に電気的に接
続されている電子回路パッケージを提供することであ
る。
【００１２】本発明の更に別の目的とするところは、集
積回路が複数個の分離された電源回路を有しており、且
つ基板組立体が複数個の電源回路と基板組立体の下表面
上にマウントされた夫々のコンデンサとの間に電気的接
続を与えている回路パッケージを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上述し
た目的を達成する回路組立体が提供され、その場合に、
フィンガリード組立体は非導電性介挿体基板組立体を支
持すべく適合されており、フィンガリード組立体は介挿
体基板上の対応する電気的導電要素に夫々接続されてい
る複数個の電気的導電性フィンガを有しており、該介挿
体基板組立体は集積回路チップを支持する第一表面を有
すると共にリードフレームの夫々のフィンガと半導体チ
ップ上に形成されている夫々の回路ノード乃至は端子と
の間に接続されている複数個の層間電気的接続体を有し
ている。層間導電体は、更に、層間ビア導体を介して、
基板組立体の反対側の導電性ストリップへ接続してい
る。本発明の新規で且つ改良された回路組立体は介挿体
基板の片側にマウントされた一つ又はそれ以上のフィル
タコンデンサを介挿体基板の反対側にマウントした集積
回路を受納すべく適合された介挿体基板組立体を提供し
ている。
【００１４】
【実施例】以下の説明においては、半導体基板上にＭＯ
Ｓ／ＬＳＩ技術によって実現されるような論理回路を有
する本発明の回路組立体の一実施例について説明する。
然しながら、本回路組立体は、デカップリング乃至はフ
ィルタ用コンデンサへの接続を必要とする集積回路に対
して特に有用性のあるものであるが、集積回路装置のみ
ならずディスクートな装置を支持し且つ相互接続するた
めに使用することも可能であることに注意すべきであ
る。同様に、本発明は、ディスクリートな、マイクロデ
ィスクリートな、集積回路部品、及びディスクリート装
置及び集積化装置のハイブリッド結合などを包含する多
様な回路要素を有する能動的又は受動的基板装置に対し
て使用することが可能である。
【００１５】尚、本明細書及び添付の図面において、同
一の構成要素には同一の参照番号を付してある。添付の
図面は必ずしも縮尺通りに描いたものではなく、ある場
合においては、本発明の特定の特徴をより明確に示すた
めに部分的に誇張して示してある。特に、図５及び６に
示した基板組立体の要素の厚さについては誇張して示し
てある。
【００１６】図２を参照すると、回路組立体１０は、好
適には矩形の形態をしたマルチフィンガリードフレーム
組立体１２を有しており、その上に介挿体基板組立体１
４及び集積回路チップ１６が中央にマウントされてい
る。
【００１７】図１に示した如く、リードフレーム組立体
１２は製造の中間段階にあり、その場合に、半径方向に
延在するフィンガ１８及びピン２０からなるパターンが
最終的な切断及び成形動作の前に、導電性物質２１から
なるストリップの形態に切断されている。このようなリ
ードフレーム組立体の製造及びその上への集積回路チッ
プ及び支持用基板のマウント技術は、例えば、米国特許
第５，０８９，８７７号、第４，４４１，１１９号、第
４，６４５，９４３号、第４，６８５，９９８号等に記
載される如く、当該技術分野において公知であり、従っ
て、このような製造プロセスについての詳細な説明は割
愛する。然しながら、要約的に説明すると、リードフレ
ーム組立体１２は例えばニッケル又は鉄合金又は例えば
ＣＤＡ１９４等の銅合金等からなる金属合金の連続的な
ストリップ２１から成形し、その場合に、ダイ又はその
他の切断装置によって、図１に示したようなパターンに
スタンピングする。
【００１８】続いて主に図１を参照すると、導電性スト
リップ２１の外側搬送レール２６ａ及び２６ｂに孔２２
を形成し、且つ切断動作期間中に導電性物質からなるス
トリップ２１を搬送するために、該孔２２をスタンピン
グ及び切断装置（不図示）と係合させる。導電性フィン
ガ１８は、介挿体基板１４に隣接した中央領域から矩形
状のリードフレーム組立体１２の周辺端部へ向けて半径
方向外側に延在している。フィンガ１８は、周辺部の犠
牲ダムバーストリップ２８及び、周辺部のダムバースト
リップ２８から半径方向外側へ延在する導電性ピン２０
と一体的に形成されている。
【００１９】当業者にとって公知なプロセスにしたがっ
て、爾後の製造ステップにおいて、ダムバーストリップ
２８内の区域を、例えばエポキシ等の非導電性封止物質
で充填し、且つ連結セグメント３０ａ，３０ｂ，３０ｃ
及び外側搬送レール２６ａ，２６ｂを切除し、その場合
にピン２０及び関連するフィンガリード１８が分離され
且つ図２に示した如く互いに電気的に分離される。キュ
ア即ち硬化させた封止物質はダムバーストリップ２８
（図１）によって以前に画定されていた外側の矩形状の
周辺部へ延在する通常矩形状のモールドされた本体３２
（図２，５，６）を形成する。当業者にとって明らかな
如く、ピン２０は支持用回路基板上に形成されている対
応するノードへの取付けを容易とするために、モールド
成形した封止物質からなる本体３２（図２）に隣接して
ピン２０を下方向へ折曲させることが可能である。
【００２０】次に主に図３及び５を参照して、基板組立
体１４の構成及びマウントについて説明すると、基板組
立体１４は、約１ｍｍの厚さを有しており例えばエポキ
シファイバガラス等の非導電性物質からなる少なくとも
一個の平坦状の基板１４ａ（図５）を有している。図示
した実施例においては、基板組立体１４は、後に更に詳
細に説明する如く、互いに積層させた第一及び第二基板
１４ａ，１４ｂを有している。矩形状の凹所３６が介挿
体基板組立体１４を受納するためのリードフレーム１２
の中央に形成されており、介挿体基板組立体は支持構成
体３８上に着座しており、支持構成体３８は、好適には
介挿体基板組立体１４の厚さにほぼ等しい距離だけ周囲
の半径方向に延在するフィンガリード１８の面より下側
に凹設されている。
【００２１】支持構成体３８は、当該技術分野において
「タイバー」として知られる半径方向に延在するスパイ
ダ４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄによって支持される
床部４２（図５）を画定する。図４に示した如く、平面
図において矩形状の形態のフレーム４０を有しており、
尚スパイダ４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄは、封止の
後に隣接するフィンガリードから物理的に分離される
が、図５及び６に示した如く、支持構成体３８へは物理
的に接続されたままである。図６に最もよく示される如
く、典型的なスパイダ４４ｂは基板組立体１４から外側
に離れた位置４５において下方向へ屈曲されており、そ
の場合に矩形状のフレーム４０は隣接するフィンガリー
ド１８の下側に凹設されている。このスパイダ４４ａ，
４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの屈曲は、当該技術分野におい
て公知のプロセスによって、図示していない対応する上
側及び下側のスタンピングモールドによってシート２１
（図１）の初期的な切断及びスタンピング期間中に行な
われる。主に図５を参照すると、介挿体基板組立体１４
は支持構成体３８の床部４２上の凹所３６内に着座され
ており、基板組立体１４の上表面４６は導電性フィンガ
１８によって画定される面と実質的に平行に整合してお
り、且つその下表面４８は矩形状のフレーム４０によっ
て形成される床部４２上に載置されている。
【００２２】基板組立体１４は、例えばエポキシ等の適
宜の接着剤によって、支持構成体３８へ固着されてい
る。図４に最も明瞭に示される如く、矩形状の支持構成
体３８は、中央部分が切除されており、中央に矩形状の
開口５０を画定している。図４においてより明瞭に示さ
れる如く、本実施例における支持構成体３８は基板組立
体１４の外側周辺部と整合し且つその下側を延在する矩
形状のフレーム状の突起を構成しており、その場合に基
板組立体は開口５０を横断して延在している。以下の説
明からより詳細に理解される如く、開口５０は開口５０
を横断して延在する基板下表面４８の一部の上にデカッ
プリングコンデンサ５２ａ，５２ｂ等の部品をマウント
即ち搭載することを可能としており、その場合にこれら
のコンデンサは開口５０を介して下方向へ突出してい
る。この構成から得られる利点は、以下の説明からより
明瞭となる。
【００２３】主に図５を参照すると、介挿体基板組立体
１４は、好適には、非導電性基板層１４ａ，１４ｂから
形成されており、該層は、好適には、夫々、上側に後に
説明すべき導電性ストリップ及び導体が形成されている
エポキシファイバガラスからなる非導電性のラミネート
層を有している。このような導体は、好適には、金等の
非腐食性金属でメッキした銅等の導電性金属からなる層
から形成されており、導体及びストリップのパターンは
当業者に公知の選択的エッチングプロセスによって形成
する。主に図３及び５を参照すると、好適には平面図に
おいて四角の形態の導電性接地層５４が上述した選択的
エッチングプロセスによって基板組立体１４の上表面４
６（図５）上の中央に形成されている。以下に更に詳細
に説明する如く、本実施例においては、導電性接地層５
４がＩＣチップ１６内の接地回路及び外部接地への電気
的接続を与える第一接地回路Ｇ1 の一部を形成してい
る。集積回路チップ１６は、接地層５４上に中央に位置
されており、好適にはエポキシ接着剤によってその上表
面へ接着されている。
【００２４】以下に更に詳細に説明する如く、回路組立
体１０の本実施例の集積回路チップ１６は第一及び第二
電源及び接地回路Ｐ1 ，Ｐ2 及びＧ1 ，Ｇ2 を有してお
り、それらはチップ１６の下側に形成された中央接地層
５４と半径方向に延在するフィンガリード１８との間に
おいて、基板組立体１４の上表面４６上に形成した層間
導電性要素を介して外部電源と接地との間に接続してい
る。説明の便宜上、Ｐ1 及びＰ2 を第一及び第二電源回
路に対して使用し、且つＧ1 及びＧ2 を第一及び第二接
地回路に対して使用する。
【００２５】図３を参照すると、Ｇ1 導電層５４から離
隔されており且つその周辺周りに延在する平面図におい
て矩形状の形態のＰ1 電源面ストリップ５６が、ＩＣチ
ップ１６に対して典型的に３乃至５ＶＤＣの正の電源電
圧を分配するために設けられている。電源面ストリップ
５６は半径方向に延在する導電性フィンガ乃至はトレー
スセグメント５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄと一体的
に形成されており、該セグメントはリードワイヤ６２
ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄによって隣接するフィンガ
リード１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄと夫々電気的に
接続されている。介挿体基板組立体１４の夫々の導電性
要素と集積回路チップ１６のノードとの間の電気的接続
は、好適には、微細な金ワイヤ６２によって与えられて
いる。
【００２６】例えば、１．３ミルの直径を有する金ワイ
ヤは低電流信号に適しており、ある実施例においては、
例えば５ミル等の幾分大きなワイヤがより高い電流の電
源ワイヤ用に適しているが、殆どの適用例においては、
ワイヤは一様な寸法のものである。ノード及び基板導体
への金ワイヤ５２のボンディングは、好適には当業者に
とって公知な従来の熱音波ボールボンディング技術によ
って行なうことが可能である。その後に、金ワイヤは封
止物３２によって支持され且つ絶縁される。更に図２を
参照すると、典型例としてのフィンガリード１８ａはピ
ン２０ａと電気的に連続的であり、外部電源（不図示）
からのＰ1 電圧源と接続することを可能としている。
【００２７】集積回路チップ１６は、複数個のＰ1 電源
端子乃至はノード、例えばノード６４ａ，６４ｂ，６４
ｃ（図３）を有しており、それらはＰ1 電源の夫々のセ
クションへ内部的に接続している。Ｐ1 電源ノード６４
ａ，６４ｂ，６４ｃは夫々のリードワイヤ６６ａ，６６
ｂ，６６ｃによってＰ1 電源面ストリップ５６へ接続し
ている。従って、Ｐ1 電源面ストリップ５６は例えばリ
ード６６ａ，６６ｂ，６６ｃ等の短い導電性リードによ
ってＩＣチップ上の複数個のＰ1 電源ノードへの便宜的
な接続を与えることを可能とする共通バスを与える導電
性ループを与えており、Ｐ1 ノードを夫々のフィンガリ
ードへ接続するためのより大きな長さの複数個のリード
を設けることの必要性を解消している。
【００２８】Ｐ1 電源ストリップ５６及びＧ1 接地層５
４に加えて、回路組立体１０は、更に、介挿体基板組立
体１４の下表面４８上に形成した共通導体を使用してお
り、その際にＩＣチップ１６へ接続した電気回路の集積
度を増加させることを可能としており、且つ夫々の電
源、接地、信号回路の間の不所望の誘導性干渉を防止す
るために、チップ１６内の複数個の電源、接地、信号回
路をリードフレーム組立体１２の夫々のフィンガリード
１８へ接続するトレース導体及びワイヤリードは可及的
に短く且つ相互に充分に離隔している。続いて図３を参
照すると、導体６８ａ，６８ｂ，６８ｃが典型的なもの
である複数個のＰ2 トレース導体が、Ｐ1電源面ストリ
ップ５６から外側へ離隔しており基板組立体１４の上表
面４６上に形成されており、且つＰ1 電源面ストリップ
５６からフィンガリード１８へ向かって半径方向外側へ
延在している。典型的なものとして第一Ｐ2 導体６８ａ
に関して説明すると、ワイヤリード７０はトレース導体
６８ａとＩＣチップ１６上の隣接するＰ2 電源ノード７
２との間に接続されており、且つ第二ワイヤリード７４
がＰ2 トレース導体６８ａと隣接するフィンガリード１
８ｅとの間に接続されており、該リード１８ｅは外部電
源（不図示）とＩＣチップ１６内のＰ2 電源ノード７２
との間に電気的接続を与えるピン２０ｅ（図２）と電気
的に連続している。Ｐ2 トレース導体６８ａ，６８ｂ，
６８ｃは、夫々の層間ビアコネクタ７６ａ，７６ｂ，７
６ｃを介して、基板組立体１４の下表面４８上に形成さ
れている第二のＰ2 電源面ストリップ７４へ接続してい
る。
【００２９】更に図９を参照すると、ビア７６ａが典型
的なものであるビアコネクタ７６は基板組立体１４を垂
直方向に貫通して形成されている対応するボアを貫通し
て延在する筒状部材として形成することが望ましい。従
って、ビア７６ａは基板組立体１４を貫通して延在して
おり、且つ基板組立体上表面及び下表面４６，４８の夫
々の上に形成されている例えば要素６８ａ，７４等のよ
うな隣接する電気的導電性要素と電気的接触状態でその
上に延在して形成されている上部及び下部金属はと目形
状のフランジ８０，８２を有する筒状本体７８を有して
いる。従って、層間ビア７６ａ，７６ｂ，７６ｃ（図
３）は、Ｐ2 導体６８ａ，６８ｂ，６８ｃと、Ｐ2 コネ
クタ６８ａ，６８ｂ，６８ｃの下側でそれと整合してい
る基板組立体下表面４８の周りに延在する矩形形状の閉
じたループを画定するＰ2 電源面ストリップ７４（図４
及び７）との間に電気的接続を与えている。その他の番
号を付していないＰ2 トレースコネクタ及びビアはＰ2
電源面ストリップ７４と整合してチップ１６のその他の
三つの側部上の上表面４６上に形成されており、且つ同
様にストリップ７４へ接続している。
【００３０】同様に、平面図においてＵ形状の形態をし
ており且つ脚部８６ａ，８６ｂを具備する第二のＰ1 電
源面ストリップ８６（図４及び７）が上側の第一のＰ1
電源面ストリップ５６と整合し且つＰ2 電源ストリップ
７４内において横方向に離隔されて基板組立体下表面４
８上に形成されている。（上側）第一及び（下側）第二
のＰ1 電源面ストリップ５６及び８６は、例えばビア８
８等の層間ビアによって電気的に接続されている。図７
において、基板組立体下表面４８上に形成されている導
電性要素が、基板組立体１４を介して観察者が下方向に
覗き込んだように見える状態で示されており、上表面４
６に形成されている対応する導電性要素との及び層間ビ
アとの相関関係を理解することを容易としている。回路
組立体下側の位置から観察した場合のそれらの様相及び
方位は図４に示してあり、そこには支持構成体３８も示
してある。基板組立体下表面４８上には共通のＧ1 ，Ｇ
2接地層９０も形成されている。
【００３１】図４に最も明瞭に示される如く、本実施例
における共通接地層９０は、Ｕ形状の第二のＰ1 電源面
ストリップ８６の脚部８６ａ，８６ｂの間に延在する中
央の大略矩形状の部分９０ａを有すると共に、ストリッ
プ８６と矩形状のＰ2 電源ストリップ７４との間におい
てＵ形状の第二のＰ1 電源面ストリップ８６の周辺部周
りに延在するＵ形状の閉ループストリップ部分９０ｂを
有している。例えばビア９２ａ，９２ｂ，９２ｃ等の層
間ビアが上側Ｇ1 接地層５４と下側Ｇ1 ，Ｇ2共通接地
層９０の中央部分９０ａとの間に延在している。層間Ｇ
1 ビア９２ａ，９２ｂ，９２ｃは、基板組立体上表面及
び下表面４６，４８上に形成されている電気部品と導電
性要素との間に電気遮蔽を与えるために、基板層１４
ａ，１４ｂの対向表面のうちの一つの上に付着形成した
上側及び下側基板層１４ａ，１４ｂの間に形成した中間
接地層９４と電気的に接続している。
【００３２】更に図８に示す如く、典型的なものとして
示したビア９３ａ，９３ｂ，９３ｃは中間導電性接地層
９４とＧ1 接地層５４との間に接続されているが、下側
の基板表面４８へは延在していない。同様に、共通のＧ
1 ，Ｇ2 下側接地層９０のループ型のＵ形状をしたスト
リップ部分９０ｂは、例えばビア９６ａ，９６ｂ，９６
ｃ等のビアによって夫々の基板組立体上表面４６上に形
成されているＧ2 導電性トレース９８ａ，９８ｂ，９８
ｃ（図３）へ接続している。複数個のＧ2 トレースのう
ちの典型的なものとして示されているトレース９８ａ
（図３）は、ワイヤリード１００を介してＩＣチップ１
６のＧ2 接地ノード１０２への接続を与えており、且つ
ワイヤリード１０４を介してフィンガリード１８ｆへの
接続を与えており、外部接地との接続を与えている。
【００３３】前述した如く、このような小型の回路組立
体における隣接する回路要素間において誘起される場合
のある不所望の高周波数信号を減衰させるか又は阻止す
ることの必要性のために、従来の回路においては、隣接
する電源線と接地線との間にブロッキング乃至はシャン
ト用コンデンサを接続させていた。本回路組立体におい
ては、好適には１μＦの容量レベルを有するセラミック
コンデンサ５２ａ，５２ｂをＰ1 及びＰ2 回路と接地と
の間に接続している。主に図４を参照すると、コンデン
サ５２ａが共通のＧ1 ，Ｇ2 接地層９０とＰ2 電源スト
リップ７４との間に接続している。同様に、コンデンサ
５２ｂが共通のＧ1 ，Ｇ2 接地層９０とＰ1 電源ストリ
ップ８６の脚部８６ｂとの間に接続している。図１０を
参照すると、典型的なものとして示されているコンデン
サ５２ａは、好適には、例えばアミコン（Ａｍｉｃｏ
ｎ）ＣＴ−５０４７−２等の銀充填型エポキシ接着剤等
の導電性接着剤によって接地層９０及びＰ2 電源ストリ
ップ７４へ夫々ボンディングされている第一及び第二導
電性端部キャップ１０８ａ，１０８ｂとの間に接続され
ている非導電性矩形状本体１０６を有している。従っ
て、コンデンサ５２ａ，５２ｂは、高周波数スイッチン
グ信号を除去するために、接地とＰ2 及びＰ1 電源回路
との間に接続されているシャント用乃至はブロッキング
用のコンデンサとして作用する。
【００３４】従って、回路組立体１０は集積回路上の個
別的ノードとフィンガリード１８との間に接続した導電
線ラインの長さを最小とし複数個の電源線と接地線との
間のインダクタンスを最小とする目的のためにいくつか
のオーバーラップした基板表面上に位置決めした共通の
電源及び接地導体を与えており、その場合に集積回路ノ
ードとフィンガリード１８の夫々のものとの間に直接的
に接続した複数個のオーバーラップしたリードを設ける
ことは必要ではない。
【００３５】図３を参照してＰ1 回路のうちの一つにつ
いて説明する。Ｐ1 正電圧が、第一Ｐ1 電源面ストリッ
プ５６と一体的なトレース導体５８ａへ微細ワイヤリー
ド６２ａを介して接続されているフィンガリード１８ａ
を介して印加される。電源ストリップ５６上のＰ1 電圧
は、例えばリード６６ａ等の複数個のワイヤリードを介
して、集積回路チップ１６内のＰ1 電源回路の夫々の部
分へパワーを供給する対応する夫々のＰ1 ノード６４ａ
へ供給される。Ｐ1 回路はＧ1 接地回路を介して完成さ
れており、且つ典型的なものとして示されているＧ1 ノ
ード１１２は、ワイヤリード１１４を介してＧ1 導電層
５４へ接続しており、該導電層５４は例えばビア９２ｂ
等の表面間ビアを介して基板組立体１４の下表面４８上
に形成されている共通のＧ1 ，Ｇ2 接地層９０へ接続し
ている。
【００３６】共通接地層９０は、例えばビア９６ａ等の
ビアを介して、上表面４６上に形成されている例えば導
体９８ａ等のＧ2 トレース導体へ接続しており、Ｇ2 ト
レース導体９６ａは外部接地へ接続されているフィンガ
リード１８ｆへワイヤリード１０４によって接続されて
おり、その回路を完成している。同様に、Ｐ2 電圧は例
えばリード１８ｅ等のフィンガリードを介し、ワイヤリ
ード７４を介してＰ2トレース導体６８ａへ印加され、
該導体６８ａはワイヤリード７２ａを介して集積回路チ
ップ１６上のＰ2 入力ノード７２へ接続している。第二
電源回路はＧ2トレース導体９８を介して接地へ帰還し
ている。代表的なＧ2 ノード１０２は、ワイヤリード１
００を介して、Ｇ2 トレース導体９８ａへ接続してお
り、該導体９８ａはワイヤリード１０４を介してフィン
ガリード１８ｆへ接続しており、フィンガリード１８ｆ
は外部接地へ接続している。更に、Ｐ2 トレース導体６
８ａは表面間ビア７６ａを介して接続されており、該ビ
ア７６ａは、図６に最も明瞭に示した如く、下方向に延
在しており且つ基板組立体下表面４８の周りに周辺方向
に延在するＰ2 電源ストリップ７４と電気的に接続して
いる。
【００３７】従って、Ｐ2 回路を介して印加される電圧
は、ビア７６ａを介してＰ2 電源ストリップ７４へ経路
付けされており、且つ第一ブロッキングコンデンサ５２
ａを介して共通Ｇ1 ，Ｇ2 接地要素９０へ経路付けされ
ており、Ｐ2 電源回路内の不所望の高周波数スイッチン
グ信号をシャントし且つ取除いている。同様に、Ｐ1電
源回路を介して印加される高周波数信号は、例えばビア
８８等の層間ビアを介して基板組立体下表面４８上にマ
ウントされているＰ1 第二電源ストリップ８６へ導通さ
れ、それを介して、該信号はコンデンサ５２ｂを介して
共通接地層９０へ導通されてＰ1 回路から不所望なスイ
ッチング信号が取除かれる。
【００３８】図１１を参照すると、回路組立体の典型的
な部分が模式的に示されており、コンデンサ５２ａ及び
５２ｂが共通接地Ｇ1 ，Ｇ2 とＰ2 ，Ｐ1 との間に夫々
接続されている。更に、複数個の信号リード１２０がＩ
Ｃチップ１６内の回路の夫々の部分へ接続している。更
に、図３を参照すると、典型的なものとして示されてい
る信号リード１２０がノード１１８とリード１２４によ
って信号フィンガリード１２６へ接続されているトレー
ス要素１２２との間に接続している。本回路組立体は二
つのフィルタ型電源回路を与えるものであるが、付加的
な導電性要素を使用することによって付加的な電源回路
を設けることが可能であることを理解すべきである。更
に、特定の適用のために必要な場合には、付加的な基板
層の上に付加的な回路要素をマウントすることが可能で
ある。
【００３９】図４及び５を参照すると、支持構成体３８
は周囲のフィンガリード１８のレベルの下側へ凹設され
ているので、上方向へ突出する集積回路チップ１６及び
下方向へ突出するコンデンサ５２ａ及び５２ｂを具備す
る基板組立体１４を封止本体３２内に中央にマウントす
ることが可能であり、その場合に基板組立体の上表面上
に形成したトレース導体はリードフィンガ１８と実質的
に同一面状であり、且つ例えばリード７４（図６）等の
フィンガをトレース導体へ接続するリードは基板組立体
１４の下表面と整合するリードフィンガへ延在すること
が必要とされる場合よりも実質的に短いものとすること
が可能である。更に、基板組立体１４が矩形状のフレー
ム４０の床部４２上に着座しており且つ矩形状の開口５
０にわたって延在しているので、コンデンサ５２ａ，５
２ｂは封止本体３２内の開口５０を介して下方向へ突出
することが可能である。この構成は、封止本体３２内に
封止されている回路組立体は小型であり且つ基板組立体
１４の上表面上にコンデンサをマウントすることが必要
である場合よりもより薄い構成であるという点において
従来の回路組立体と比較して重要な利点を与えている。
更に、コンデンサ５２ａ，５２ｂを夫々の電源回路Ｐ
1 ，Ｐ2 と接続する導電性ビアは、コンデンサが封止本
体３２の外部にマウントされる場合には封止本体３２の
外部においてこのようなディスクリートなコンデンサに
対しての導電線の経路付けを行なうことが必要となりそ
のために必要とされる導電性要素及び配線よりも実質的
に長さが短いものである。従って、回路組立体１０は小
型で堅固なパッケージを与えており、複数個のディスク
リートな電源回路に対して内部的な誘導性ノイズを減少
させている。
【００４０】反対側の表面上で且つ夫々の内部表面上に
導電性の導体乃至はストリップを形成しており且つ層間
ビアコネクタによって接続されている介挿体基板組立体
１４を使用することによって、チップ上の種々の電源及
び信号回路及びフィンガリードの相互接続が簡単化され
且つ電源回路及び接地回路の経路付けを効率的なものと
しており、その際に回路組立体１０は集積度が増加され
ているが、小型で且つ堅牢な構成を有するものとなって
いる。支持構成体３８の刻設した開口５０は、デカップ
リングコンデンサ５０ａ，５０ｂをチップ１６と対向さ
せて介挿体基板組立体１４の下側にマウントすることを
可能としており、その際に上述した如く、モジュール本
体３２を小型の構成としており、且つデカップリングコ
ンデンサ５０ａ，５０ｂを包含する回路組立体１０全体
を封止物質によって保護している。当業者によって理解
される如く、電源回路Ｐ1 ，Ｐ2 の間の誘導性干渉はそ
れによって著しく減少され、且つ装置の集積度は著しく
増加させることが可能である。更に、本回路組立体によ
って可能とされる如く、基板組立体１４の両側にマウン
トして例えば５６，７４，８６，９０等の複数個の分離
された電源及び接地分配導体を使用することによって、
リードの長さを更に最小のものとし且つ隣接する導電性
要素間の不所望の干渉を防止することに貢献する。
【００４１】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 フィンガリードフレーム組立体のパターンが
形成されている支持用導電性シート上にマウントした介
挿体基板組立体及び集積回路チップを示した製造の予備
段階における本発明の好適実施例の回路組立体を示した
概略平面図。
【図２】 製造における後の段階におけるフィンガリー
ドフレーム組立体を示した図１と同様の概略平面図。
【図３】 介挿体基板組立体上表面及び集積回路を示し
ており、且つチップの夫々の要素と隣接する導電性要素
との間に接続したリードを示すと共に導電性要素と夫々
の隣接するフィンガリードとの間に接続したリードを示
す拡大概略平面図。
【図４】 介挿体基板組立体の下表面及びフィルタ用コ
ンデンサを示すと共に介挿体基板組立体を支持するフレ
ーム構成体を示した概略平面図。
【図５】 集積回路チップと介挿体基板組立体とフィル
タ用コンデンサとを示した図３のＶ−Ｖ線に沿ってとっ
た概略断面図。
【図６】 基板組立体の一部及び支持構成体を示した図
３のＶＩ−ＶＩ線に沿ってとった部分概略断面図。
【図７】 図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿ってとった基板
組立体の下表面上に形成した導電性要素を示した下方向
に方向付けされた概略平面図。
【図８】 図５のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿ってとった
基板組立体の中間導電層の下方向に方向付けした概略平
面図。
【図９】 表面間スルーホールコネクタの一つを示した
介挿体基板組立体の一部の拡大一部概略断面図。
【図１０】 介挿体基板の一部への電気的接続を示した
デカップリングコンデンサの一つを示した概略斜視図。
【図１１】 基板組立体上に形成した電気回路の一部を
示した概略図。
【符号の説明】
１０ 回路組立体 １２ マルチフィンガリードフレーム組立体 １４ 介挿体基板組立体 １６ 集積回路チップ １８ フィンガ ２０ ピン ２１ 導電性物質からなるストリップ ３２ モールド成形した封止本体 ３８ 支持構成体

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回路組立体において、 複数個の導電性フィンガリードを具備すると共に支持構
    成体を具備するフィンガリード組立体が設けられてお
    り、 前記支持構成体上にマウントした介挿体基板組立体が設
    けられており、前記基板組立体は前記支持構成体に隣接
    した第一表面と反対側に面した第二表面とを具備してお
    り、 前記基板組立体の第二表面に隣接して前記基板組立体上
    にマウントした電子回路装置が設けられており、前記回
    路装置はパワー回路を具備すると共に前記パワー回路へ
    接続したパワーノード及び接地ノードを具備しており、 前記基板組立体の第一表面に隣接して前記基板組立体上
    にマウントしてコンデンサが設けられており、 前記第一及び第二基板組立体表面間に延在する層間接続
    体を具備しており前記回路装置のパワーノードと接地ノ
    ードとの間に前記コンデンサを接続する電気的接続手段
    が設けられている、 ことを特徴とする回路組立体。
  2. 【請求項２】 請求項１において、前記フィンガリード
    組立体、介挿体基板、電子回路装置、及びコンデンサが
    非導電性物質からなる本体内に封止されていることを特
    徴とする回路組立体。
  3. 【請求項３】 請求項１において、前記フィンガリード
    組立体のフィンガリードが、前記介挿体基板組立体の第
    二表面と実質的に同一面状であることを特徴とする回路
    組立体。
  4. 【請求項４】 請求項１において、前記リードフレーム
    組立体の支持構成体が前記フィンガリードの下側に凹設
    されており、前記支持構成体が前記フィンガリードと並
    列した関係で前記介挿体基板組立体を支持する手段を有
    することを特徴とする回路組立体。
  5. 【請求項５】 請求項４において、前記支持構成体が前
    記基板組立体と整合した開口を有しており、前記コンデ
    ンサが前記開口を介して突出していることを特徴とする
    回路組立体。
  6. 【請求項６】 回路組立体において、 非導電性物質からなる本体が設けられており、 前記非導電性物質からなる本体内に封止されたフィンガ
    リード組立体が設けられており、前記フィンガリード組
    立体は支持構成体を有すると共に、前記支持構成体に隣
    接しており且つそこから半径方向外側に延在し実質的に
    同一面状のアレイの形態をした複数個の導電性フィンガ
    リードを有すると共に、前記支持構成体へ接続されてお
    り且つそこから外側へ延在する複数個の支持部材を有し
    ており、前記支持構成体は前記フィンガリードの下側に
    凹設された着座部を画定しており、前記着座部はそれを
    貫通して開口を有しており、 前記支持構成体によって画定されている前記着座部上に
    マウントして介挿体基板組立体が設けられており、前記
    基板組立体は上表面を有すると共に反対側に面しており
    前記着座部に隣接した下表面を有しており、 前記基板組立体の上表面に隣接して電子回路装置がマウ
    ントされており、前記回路装置はパワー回路を有すると
    共に前記パワー回路へ接続した正ノード及び接地ノード
    を有しており、 前記基板組立体の下表面上にコンデンサがマウントされ
    ており、前記コンデンサは、前記支持構成体によって画
    定されている開口を貫通して前記支持構成体下側へ延在
    しており、 前記基板組立体の上表面と下表面との間に延在する層間
    接続体を有しており前記回路装置のパワーノードと接地
    ノードとの間に前記コンデンサを接続するための電気的
    接続手段が設けられている、 ことを特徴とする回路組立体。
  7. 【請求項７】 請求項６において、前記電子回路装置が
    複数個の個別的なパワー回路を有しており、各パワー回
    路は、少なくとも一個の電源供給端子と少なくとも一個
    の接地端子とを有しており、且つ複数個のコンデンサが
    前記介挿体基板組立体の第二表面に隣接してマウントさ
    れており、夫々のパワー回路内の高周波数信号をフィル
    タするために夫々のパワーノードと接地ノードとを横断
    してコンデンサを接続するために層間接続手段が設けら
    れていることを特徴とする回路組立体。
  8. 【請求項８】 請求項６において、前記支持構成体が前
    記着座部を画定する上表面を有する矩形状の突起を有し
    ており、前記基板組立体が前記矩形状の突起と整合し且
    つ前記開口を横断して延在し前記支持構成体内に入れ子
    状態とされていることを特徴とする回路組立体。
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