JPH06196700A - 電子装置 - Google Patents
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- JPH06196700A JPH06196700A JP24867792A JP24867792A JPH06196700A JP H06196700 A JPH06196700 A JP H06196700A JP 24867792 A JP24867792 A JP 24867792A JP 24867792 A JP24867792 A JP 24867792A JP H06196700 A JPH06196700 A JP H06196700A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子装置の製造過程などで生じる静電気によ
り絶縁破壊しない合金の酸化物を適用した電子装置を提
供する。 【構成】 ガラス基板１１上に、Ｔａ−Ｓｉ合金からな
るゲート電極１２とこのゲート電極１２の表面を陽極酸
化して得られる絶縁膜１３を設け、さらにａ−Ｓｉ層１
４、エッチストッパー用絶縁膜１５、ｎ+ −Ｓｉ層１
６、ソ−ス電極１７およびドレイン電極１８を形成して
ＴＦＴとした。
り絶縁破壊しない合金の酸化物を適用した電子装置を提
供する。 【構成】 ガラス基板１１上に、Ｔａ−Ｓｉ合金からな
るゲート電極１２とこのゲート電極１２の表面を陽極酸
化して得られる絶縁膜１３を設け、さらにａ−Ｓｉ層１
４、エッチストッパー用絶縁膜１５、ｎ+ −Ｓｉ層１
６、ソ−ス電極１７およびドレイン電極１８を形成して
ＴＦＴとした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属の酸化物からなる
絶縁膜を用いた電子装置に関する。
絶縁膜を用いた電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、時計、電卓をはじめとしてコンピ
ュター端末やパソコンなどに用いられる表示素子とし
て、低電力で表示できる液晶表示素子やエレクトロルミ
ネッセンス表示素子などが注目され、実用化されてい
る。特に最近では、より高い解像度を有する表示が求め
られてきているが、従来の単純マトリックス型表示素子
は走査線数に限界があり、また走査線数の増加に伴って
表示品位が低下するので、各画素にＭＩＭ（Metal-Insu
lator-Metal ）素子や薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
という）などを設けたアクティブマトリックス駆動方式
による表示素子（以下、アクティブ素子という）が盛ん
に開発されている。
ュター端末やパソコンなどに用いられる表示素子とし
て、低電力で表示できる液晶表示素子やエレクトロルミ
ネッセンス表示素子などが注目され、実用化されてい
る。特に最近では、より高い解像度を有する表示が求め
られてきているが、従来の単純マトリックス型表示素子
は走査線数に限界があり、また走査線数の増加に伴って
表示品位が低下するので、各画素にＭＩＭ（Metal-Insu
lator-Metal ）素子や薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
という）などを設けたアクティブマトリックス駆動方式
による表示素子（以下、アクティブ素子という）が盛ん
に開発されている。
【０００３】従来のアクティブ素子の一例としてＴＦＴ
の概略断面図を図８および図９に示す。図８は、ゲート
電極上にゲート絶縁膜を形成したＴＦＴの概略断面図、
図９はゲート電極の表面を陽極酸化により酸化物を形成
したＴＦＴの概略断面図である。図８および図９におい
て、同一の構成要素には同一の記号を付す。図８におい
て１はガラス基板、２はガラス基板１の上に形成された
ゲート電極、３はゲート電極２の上に形成されたゲート
絶縁膜、４はａ−Ｓｉ膜、５はエッチストッパーとして
の絶縁膜、６はｎ+ −Ｓｉ膜、７はソ−ス電極、８はド
レイン電極である。また図９において、９はゲート電極
２の表面を陽極酸化することにより形成した絶縁膜であ
り、図８のゲート絶縁膜３の代わりに形成されている。
一般に図８に示したゲート絶縁膜３としては、タンタル
酸化物（以下、Ｔａ2Ｏ5 という）、アルミニウム酸化
物（以下、Ａｌ2 Ｏ3 という）あるいはシリコン窒化膜
（以下、Ｓｉ3 Ｎ4 という）が用いられており、また図
９に示した酸化物９としては、タンタルからなるゲート
電極２の表面を陽極酸化することにより形成したＴａ2
Ｏ5 が用いられている。
の概略断面図を図８および図９に示す。図８は、ゲート
電極上にゲート絶縁膜を形成したＴＦＴの概略断面図、
図９はゲート電極の表面を陽極酸化により酸化物を形成
したＴＦＴの概略断面図である。図８および図９におい
て、同一の構成要素には同一の記号を付す。図８におい
て１はガラス基板、２はガラス基板１の上に形成された
ゲート電極、３はゲート電極２の上に形成されたゲート
絶縁膜、４はａ−Ｓｉ膜、５はエッチストッパーとして
の絶縁膜、６はｎ+ −Ｓｉ膜、７はソ−ス電極、８はド
レイン電極である。また図９において、９はゲート電極
２の表面を陽極酸化することにより形成した絶縁膜であ
り、図８のゲート絶縁膜３の代わりに形成されている。
一般に図８に示したゲート絶縁膜３としては、タンタル
酸化物（以下、Ｔａ2Ｏ5 という）、アルミニウム酸化
物（以下、Ａｌ2 Ｏ3 という）あるいはシリコン窒化膜
（以下、Ｓｉ3 Ｎ4 という）が用いられており、また図
９に示した酸化物９としては、タンタルからなるゲート
電極２の表面を陽極酸化することにより形成したＴａ2
Ｏ5 が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のアクティブ素子に用いられる絶縁膜は、図
８に示すような構造では、ゲート電極２のエッジによる
段差部において、ゲ−ト絶縁膜３の膜厚が薄くなった
り、またこの膜中にピンホールなどの欠陥が生じて絶縁
耐圧が低くなりやすくなる。したがって、アクティブ素
子の製造過程などで生じる静電気により、ゲート電極２
とドレイン電極７との間、またはゲート電極２とソース
電極８との間でゲ−ト絶縁膜３に絶縁破壊が生じやすく
なるため、製造上の歩留りが低いという問題があった。
一方、このような問題を解決するために、図９に示すよ
うに、タンタルからなるゲート電極２の表面を陽極酸化
して得られたＴａ2 Ｏ5 からなる絶縁膜９を前記ゲート
絶縁膜３の代わりに用いた構造が提案されているが、Ｔ
ａ2 Ｏ5 の絶縁耐圧は２ＭＶ／cm2 程度と十分ではない
ので、この構造によるアクティブ素子も製造過程などに
おいて生じる静電気により絶縁破壊が起こりやすく、製
造上の歩留りが低いという問題がある。
ような従来のアクティブ素子に用いられる絶縁膜は、図
８に示すような構造では、ゲート電極２のエッジによる
段差部において、ゲ−ト絶縁膜３の膜厚が薄くなった
り、またこの膜中にピンホールなどの欠陥が生じて絶縁
耐圧が低くなりやすくなる。したがって、アクティブ素
子の製造過程などで生じる静電気により、ゲート電極２
とドレイン電極７との間、またはゲート電極２とソース
電極８との間でゲ−ト絶縁膜３に絶縁破壊が生じやすく
なるため、製造上の歩留りが低いという問題があった。
一方、このような問題を解決するために、図９に示すよ
うに、タンタルからなるゲート電極２の表面を陽極酸化
して得られたＴａ2 Ｏ5 からなる絶縁膜９を前記ゲート
絶縁膜３の代わりに用いた構造が提案されているが、Ｔ
ａ2 Ｏ5 の絶縁耐圧は２ＭＶ／cm2 程度と十分ではない
ので、この構造によるアクティブ素子も製造過程などに
おいて生じる静電気により絶縁破壊が起こりやすく、製
造上の歩留りが低いという問題がある。
【０００５】そこで最近では、ゲ−ト絶縁膜として、Ｔ
ａＯｘ−ＳｉＮｘやＡｌＯｘ−ＳｉＮｘなど各種絶縁材
料を組み合わせたものが用いられているが、これらによ
っても前記問題を解決できない。本発明はこのような問
題点に鑑みてなされたもので、電子装置の絶縁膜として
電極の表面を酸化させて得られる酸化膜を用いても、製
造過程などで生じる静電気により絶縁破壊が起こること
のない電子装置を提供することを目的としている。
ａＯｘ−ＳｉＮｘやＡｌＯｘ−ＳｉＮｘなど各種絶縁材
料を組み合わせたものが用いられているが、これらによ
っても前記問題を解決できない。本発明はこのような問
題点に鑑みてなされたもので、電子装置の絶縁膜として
電極の表面を酸化させて得られる酸化膜を用いても、製
造過程などで生じる静電気により絶縁破壊が起こること
のない電子装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による電子装置
は、シリサイドの酸化物からなる絶縁膜を有することを
特徴とする。すなわち本発明は、電子装置の電極上に形
成される絶縁膜として、電極の表面を酸化させて得られ
る絶縁膜が電子装置の製造過程などにおいて生じる静電
気により絶縁破壊しないようにする必要がある、という
観点で創案された。
は、シリサイドの酸化物からなる絶縁膜を有することを
特徴とする。すなわち本発明は、電子装置の電極上に形
成される絶縁膜として、電極の表面を酸化させて得られ
る絶縁膜が電子装置の製造過程などにおいて生じる静電
気により絶縁破壊しないようにする必要がある、という
観点で創案された。
【０００７】シリサイドの酸化物からなる絶縁膜を用い
た電子装置は、上記要求を満足する。さらに詳述すれ
ば、シリサイドは高い導電性を有するとともに、この酸
化物は６ＭＶ／cm2 〜１０ＭＶ／cm2 という大きな絶縁
耐圧を有するので、この電子装置の電極としてシリサイ
ドを適用し、かつ絶縁膜としてこの電極表面の酸化物を
適用すると、電子装置の製造過程において生じる静電気
により絶縁破壊が生じることはない。特にこの酸化膜と
しては、陽極酸化して得られるものが好適に用いられ、
例えばシリサイド、特にアルミニウム−シリコン合金
（Ａｌ−Ｓｉ合金）、タンタル−シリコン合金（Ｔａ−
Ｓｉ合金）などが好適に用いられる。
た電子装置は、上記要求を満足する。さらに詳述すれ
ば、シリサイドは高い導電性を有するとともに、この酸
化物は６ＭＶ／cm2 〜１０ＭＶ／cm2 という大きな絶縁
耐圧を有するので、この電子装置の電極としてシリサイ
ドを適用し、かつ絶縁膜としてこの電極表面の酸化物を
適用すると、電子装置の製造過程において生じる静電気
により絶縁破壊が生じることはない。特にこの酸化膜と
しては、陽極酸化して得られるものが好適に用いられ、
例えばシリサイド、特にアルミニウム−シリコン合金
（Ａｌ−Ｓｉ合金）、タンタル−シリコン合金（Ｔａ−
Ｓｉ合金）などが好適に用いられる。
【０００８】
【作用】本発明によれば、電子装置の絶縁膜としてシリ
サイドを陽極酸化することにより得られる絶縁膜を用い
たので、この絶縁膜の絶縁耐圧が高いため、製造過程な
どにおいて生じる静電気により絶縁破壊が生じることな
く電子装置を製造することができる。したがって本発明
によれば、電子装置の製造上の歩留りを向上させること
ができる。
サイドを陽極酸化することにより得られる絶縁膜を用い
たので、この絶縁膜の絶縁耐圧が高いため、製造過程な
どにおいて生じる静電気により絶縁破壊が生じることな
く電子装置を製造することができる。したがって本発明
によれば、電子装置の製造上の歩留りを向上させること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。具
体的な電子装置への適用例に先立ち、シリサイドの酸化
物の一例としてタンタル（Ｔａ）とシリコン（Ｓｉ）、
およびアルミニウム（Ａｌ）とシリコン（Ｓｉ）の合金
の酸化膜の特性について実験結果に基づいて説明する。
まず、ガラス基板上にＴａとＳｉの組成比を種々変えた
Ｔａ−Ｓｉ合金をスパッタ法により２０００Ａ（オング
ストローム）成膜した。このようにして得られたＴａ−
Ｓｉ合金膜をクエン酸０．０１重量％水溶液で２０℃〜
７０℃の温度で陽極酸化した。この陽極酸化の条件は、
１００Ｖまでは電流密度０．５ｍＡ／cm2 で３０分間定
電流酸化を行い、引き続いて１００Ｖで１時間定電圧酸
化を行った。これらのＴａ−Ｓｉ合金膜の陽極酸化膜に
ついて絶縁耐圧を測定した結果を図４に示す。図４にお
いて横軸はＴａの組成比（原子％）を、縦軸はＴａ−Ｓ
ｉ合金膜の陽極酸化膜の絶縁耐圧（ＭＶ／cm2 ）を示
す。この図から、陽極酸化膜はＴａ自身の陽極酸化膜の
絶縁耐圧よりも優れた絶縁耐圧性を示し、特にＴａが９
５原子％以下のＴａ−Ｓｉ合金は６ＭＶ／cm2 以上の絶
縁耐圧を有することが分かった。次に、ガラス基板上に
ＡｌとＳｉの組成比を種々変えたＡｌ−Ｓｉ合金膜をス
パッタ法により２０００Ａ成膜した。このようにして得
られたＡｌ−Ｓｉ合金膜をアジピン酸アンモニウムの水
溶液で３０℃〜５０℃の温度で陽極酸化した。この陽極
酸化の条件は、６０Ｖまでは電流密度０．１ｍＡ／cm2
で３０分間定電流酸化を行い、引き続いて６０Ｖで３０
分間定電圧酸化を行った。これらのＡｌ−Ｓｉ合金膜の
陽極酸化膜について絶縁耐圧を測定した結果、この絶縁
耐圧特性は図４に示すＴａ−Ｓｉ合金膜のそれとほぼ同
様の特性を示すことが分かった。次に本発明による具体
的な電子装置について説明する。
体的な電子装置への適用例に先立ち、シリサイドの酸化
物の一例としてタンタル（Ｔａ）とシリコン（Ｓｉ）、
およびアルミニウム（Ａｌ）とシリコン（Ｓｉ）の合金
の酸化膜の特性について実験結果に基づいて説明する。
まず、ガラス基板上にＴａとＳｉの組成比を種々変えた
Ｔａ−Ｓｉ合金をスパッタ法により２０００Ａ（オング
ストローム）成膜した。このようにして得られたＴａ−
Ｓｉ合金膜をクエン酸０．０１重量％水溶液で２０℃〜
７０℃の温度で陽極酸化した。この陽極酸化の条件は、
１００Ｖまでは電流密度０．５ｍＡ／cm2 で３０分間定
電流酸化を行い、引き続いて１００Ｖで１時間定電圧酸
化を行った。これらのＴａ−Ｓｉ合金膜の陽極酸化膜に
ついて絶縁耐圧を測定した結果を図４に示す。図４にお
いて横軸はＴａの組成比（原子％）を、縦軸はＴａ−Ｓ
ｉ合金膜の陽極酸化膜の絶縁耐圧（ＭＶ／cm2 ）を示
す。この図から、陽極酸化膜はＴａ自身の陽極酸化膜の
絶縁耐圧よりも優れた絶縁耐圧性を示し、特にＴａが９
５原子％以下のＴａ−Ｓｉ合金は６ＭＶ／cm2 以上の絶
縁耐圧を有することが分かった。次に、ガラス基板上に
ＡｌとＳｉの組成比を種々変えたＡｌ−Ｓｉ合金膜をス
パッタ法により２０００Ａ成膜した。このようにして得
られたＡｌ−Ｓｉ合金膜をアジピン酸アンモニウムの水
溶液で３０℃〜５０℃の温度で陽極酸化した。この陽極
酸化の条件は、６０Ｖまでは電流密度０．１ｍＡ／cm2
で３０分間定電流酸化を行い、引き続いて６０Ｖで３０
分間定電圧酸化を行った。これらのＡｌ−Ｓｉ合金膜の
陽極酸化膜について絶縁耐圧を測定した結果、この絶縁
耐圧特性は図４に示すＴａ−Ｓｉ合金膜のそれとほぼ同
様の特性を示すことが分かった。次に本発明による具体
的な電子装置について説明する。
【００１０】（実施例１）図１は、本発明の第１実施例
によるＴＦＴの概略断面図である。これを製造工程に従
って説明する。まず、ガラス基板１１の表面にスパッタ
リング法によりＴａ（３３原子％）−Ｓｉ（６７原子
％）のＴａ−Ｓｉ合金膜を、Ａｒガス圧６×１０-3Ｔｏ
ｒｒ、ＤＣパワー５Ｗ／cm2 、基板温度３００℃で２０
００Ａ成膜し、ついでフッ酸と硝酸からなる水溶液を用
いてウエットエッチングにより所定パターンのゲート電
極１２を形成した。次にこのゲート電極１２をクエン酸
０．０１重量％水溶液で３０℃〜５０℃の温度で１時間
陽極酸化を行って絶縁膜１３を形成した。この陽極酸化
の条件は、１００Ｖまでは０．５ｍＡ／cm2 で３０分間
定電流酸化とし、引き続いて１００Ｖで１時間定電圧酸
化を行った。ついで真空熱処理炉により温度３００℃２
Ｈｒにて表面処理を行った。次に、この絶縁膜１３を有
するゲート電極１２が形成されたガラス基板１１の表面
にプラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ層１４を１０００Ａ
堆積させ、さらに連続的にエッチストッパーとしてＳｉ
3 Ｎ4 を２０００Ａ堆積させた後このＳｉ3Ｎ4 に対し
てフォトリソにより所定形状にパターニングしてエッチ
ストッパー用絶縁膜１５とした。プラズマＣＶＤ法によ
るＳｉ3 Ｎ4 の堆積条件は、基板温度３５０℃、圧力
０．１Ｔｏｒｒ、ＲＦパワ−４００Ｗとし原料ガスとし
てモノシラン（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ4 ）と水
素（Ｈ2 ）とを用いた。
によるＴＦＴの概略断面図である。これを製造工程に従
って説明する。まず、ガラス基板１１の表面にスパッタ
リング法によりＴａ（３３原子％）−Ｓｉ（６７原子
％）のＴａ−Ｓｉ合金膜を、Ａｒガス圧６×１０-3Ｔｏ
ｒｒ、ＤＣパワー５Ｗ／cm2 、基板温度３００℃で２０
００Ａ成膜し、ついでフッ酸と硝酸からなる水溶液を用
いてウエットエッチングにより所定パターンのゲート電
極１２を形成した。次にこのゲート電極１２をクエン酸
０．０１重量％水溶液で３０℃〜５０℃の温度で１時間
陽極酸化を行って絶縁膜１３を形成した。この陽極酸化
の条件は、１００Ｖまでは０．５ｍＡ／cm2 で３０分間
定電流酸化とし、引き続いて１００Ｖで１時間定電圧酸
化を行った。ついで真空熱処理炉により温度３００℃２
Ｈｒにて表面処理を行った。次に、この絶縁膜１３を有
するゲート電極１２が形成されたガラス基板１１の表面
にプラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ層１４を１０００Ａ
堆積させ、さらに連続的にエッチストッパーとしてＳｉ
3 Ｎ4 を２０００Ａ堆積させた後このＳｉ3Ｎ4 に対し
てフォトリソにより所定形状にパターニングしてエッチ
ストッパー用絶縁膜１５とした。プラズマＣＶＤ法によ
るＳｉ3 Ｎ4 の堆積条件は、基板温度３５０℃、圧力
０．１Ｔｏｒｒ、ＲＦパワ−４００Ｗとし原料ガスとし
てモノシラン（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ4 ）と水
素（Ｈ2 ）とを用いた。
【００１１】ついで、プラズマＣＶＤ法によりｎ+ −Ｓ
ｉ層を基板温度２５０℃、圧力０．４Ｔｏｒｒで２００
０Ａ堆積し、さらにこの上にスパッタリング法によりＣ
ｒ層を２００Ａ、Ａｌ層を２００Ａ成膜した。次にフォ
トリソによりＣｒ層とＡｌ層をエッチングし、さらにウ
エットエッチングによりｎ+ −Ｓｉ層を所定のパターン
にエッチングすることによりｎ+ −Ｓｉ層１６、ソ−ス
電極１７およびドレイン電極１８を形成した。このよう
にして得られたＴＦＴの特性を図５に示す。図５におい
て横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はソース電極とドレイ
ン電極間に流れる電極値を示す。図４および図５から、
本発明によるＴＦＴは、絶縁抵抗が１０13Ωcmと高くか
つ絶縁耐圧が６ＭＶ／cm2 〜１０ＭＶ／cm2 と高いの
で、信頼性に優れているとともに製造過程などで生じる
静電気により絶縁破壊が起きることがない。
ｉ層を基板温度２５０℃、圧力０．４Ｔｏｒｒで２００
０Ａ堆積し、さらにこの上にスパッタリング法によりＣ
ｒ層を２００Ａ、Ａｌ層を２００Ａ成膜した。次にフォ
トリソによりＣｒ層とＡｌ層をエッチングし、さらにウ
エットエッチングによりｎ+ −Ｓｉ層を所定のパターン
にエッチングすることによりｎ+ −Ｓｉ層１６、ソ−ス
電極１７およびドレイン電極１８を形成した。このよう
にして得られたＴＦＴの特性を図５に示す。図５におい
て横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はソース電極とドレイ
ン電極間に流れる電極値を示す。図４および図５から、
本発明によるＴＦＴは、絶縁抵抗が１０13Ωcmと高くか
つ絶縁耐圧が６ＭＶ／cm2 〜１０ＭＶ／cm2 と高いの
で、信頼性に優れているとともに製造過程などで生じる
静電気により絶縁破壊が起きることがない。
【００１２】図２および図３は、図１に示している第１
実施例の変形例を示している。図２に示す変形例では、
図１に示すＴＦＴの絶縁膜１３とａ−Ｓｉ層１４とのあ
いだにＳｉ3 Ｎ4 からなる第２の絶縁膜１９が介在され
ている。この変形例による効果は、図１に示す実施例よ
りも著しく大きな絶縁耐圧を示すので、製造上の歩留り
を極めて高くすることができる。また図３に示す変形例
では、図１に示すＴＦＴのゲート電極１２が例えばＡｌ
などの導電性が大きな材料からなる導電部材２０の表面
を覆うように形成されている。この効果は、図１に示す
実施例よりもゲート電極の抵抗を低くすることができる
ので、ゲート電極１３のパルスのひずみによる表示品質
の劣化を防止することができ、したがって表示画面内に
色ムラを生じることなく均一な表示を実現できる。 （実施例２）本実施例では、図１に示すゲート電極１２
をＡｌ（９５原子％）−Ｓｉ（５原子％）のＡｌ−Ｓｉ
合金により形成して陽極酸化した以外は実施例１と同様
の構成のＴＦＴを作成した。なお、このＡｌ−Ｓｉ合金
のウエットエッチングにりん酸の水溶液を用いた。また
陽極酸化の条件はアジピン酸アンモニウムの水溶液で３
０℃〜５０℃の温度で１時間陽極酸化を行った。この陽
極酸化の条件は、６０Ｖまでは電流密度０．１ｍＡ／cm
2 で３０分間定電流酸化を行い、引き続いて６０Ｖで３
０分間定電圧酸化を行った。このようにして得られるＴ
ＦＴの特性は、図５に示す特性とほぼ同様の特性となっ
た。したがって本実施例によるＴＦＴは、絶縁抵抗が１
０13Ωcmと高くかつ絶縁耐圧が６ＭＶ／cm2 〜１０ＭＶ
／cm2 と高いので信頼性に優れており、かつ製造過程な
どで生じる静電気により絶縁破壊が生じることがない。
実施例の変形例を示している。図２に示す変形例では、
図１に示すＴＦＴの絶縁膜１３とａ−Ｓｉ層１４とのあ
いだにＳｉ3 Ｎ4 からなる第２の絶縁膜１９が介在され
ている。この変形例による効果は、図１に示す実施例よ
りも著しく大きな絶縁耐圧を示すので、製造上の歩留り
を極めて高くすることができる。また図３に示す変形例
では、図１に示すＴＦＴのゲート電極１２が例えばＡｌ
などの導電性が大きな材料からなる導電部材２０の表面
を覆うように形成されている。この効果は、図１に示す
実施例よりもゲート電極の抵抗を低くすることができる
ので、ゲート電極１３のパルスのひずみによる表示品質
の劣化を防止することができ、したがって表示画面内に
色ムラを生じることなく均一な表示を実現できる。 （実施例２）本実施例では、図１に示すゲート電極１２
をＡｌ（９５原子％）−Ｓｉ（５原子％）のＡｌ−Ｓｉ
合金により形成して陽極酸化した以外は実施例１と同様
の構成のＴＦＴを作成した。なお、このＡｌ−Ｓｉ合金
のウエットエッチングにりん酸の水溶液を用いた。また
陽極酸化の条件はアジピン酸アンモニウムの水溶液で３
０℃〜５０℃の温度で１時間陽極酸化を行った。この陽
極酸化の条件は、６０Ｖまでは電流密度０．１ｍＡ／cm
2 で３０分間定電流酸化を行い、引き続いて６０Ｖで３
０分間定電圧酸化を行った。このようにして得られるＴ
ＦＴの特性は、図５に示す特性とほぼ同様の特性となっ
た。したがって本実施例によるＴＦＴは、絶縁抵抗が１
０13Ωcmと高くかつ絶縁耐圧が６ＭＶ／cm2 〜１０ＭＶ
／cm2 と高いので信頼性に優れており、かつ製造過程な
どで生じる静電気により絶縁破壊が生じることがない。
【００１３】（実施例３）図６は、本発明をＭＩＭ素子
に適用した一実施例の概略断面図である。これを製造工
程に従って説明する。まず、ガラス基板２１の表面にス
パッタリング法によりＴａ（３３原子％）−Ｓｉ（６７
原子％）のＴａ−Ｓｉ合金膜を３０００Ａ成膜し、つい
でウエットエッチングにより下部電極２２を所定パター
ンに形成した。次に下部電極２２の端子部をフォトレジ
ストでカバーして１時間陽極酸化を行ってこの表面に絶
縁膜２３を形成し、さらにこの上にスパッタリング法に
よりＣｒ膜を１５００Ａ成膜し、ついでウエットエッチ
ングにより上部電極２４を所定パターンに形成し、ＭＩ
Ｍ素子とした。ここで、陽極酸化処理条件は、実施例１
と同等の条件とした。以上の製造工程において、下部電
極２２の成膜の条件および陽極酸化処理の条件は、実施
例１におけるゲート電極１２のそれぞれの条件と同一と
した。
に適用した一実施例の概略断面図である。これを製造工
程に従って説明する。まず、ガラス基板２１の表面にス
パッタリング法によりＴａ（３３原子％）−Ｓｉ（６７
原子％）のＴａ−Ｓｉ合金膜を３０００Ａ成膜し、つい
でウエットエッチングにより下部電極２２を所定パター
ンに形成した。次に下部電極２２の端子部をフォトレジ
ストでカバーして１時間陽極酸化を行ってこの表面に絶
縁膜２３を形成し、さらにこの上にスパッタリング法に
よりＣｒ膜を１５００Ａ成膜し、ついでウエットエッチ
ングにより上部電極２４を所定パターンに形成し、ＭＩ
Ｍ素子とした。ここで、陽極酸化処理条件は、実施例１
と同等の条件とした。以上の製造工程において、下部電
極２２の成膜の条件および陽極酸化処理の条件は、実施
例１におけるゲート電極１２のそれぞれの条件と同一と
した。
【００１４】このようにして得られたＭＩＭ素子の特性
を図７に示す。図７において横軸は上部電極２４と下部
電極２２とのあいだに印加される電圧、縦軸は上部電極
２４と下部電極２２間に流れるリーク電流値（Ａ）を示
す。下部電極２２としてＴａを適用し、絶縁膜２３とし
てＴａ2 Ｏ5 を適用した従来のＭＩＭ素子の電圧−電流
特性が非対称であるため、これを駆動回路により補正し
なければならないのに対して、図７に示すように、本発
明によるＭＩＭ素子は電圧−電流特性は対称性を示すと
ともに、さらにリーク電流値が小さいことが分かった。
したがって、本発明のＭＩＭ素子によれば単純な構成で
優れた特性が得られるとともに駆動回路を構成する上か
らも有利である。さらにこのＭＩＭ素子の下部電極とし
てＡｌ（９５原子％）−Ｓｉ（５原子％）のＡｌ−Ｓｉ
合金膜を用いたものであっても同様の効果が得られるこ
とが分かった。このように、電子装置の電極としてシリ
サイドを、その電極上の絶縁膜としてシリサイドの酸化
物を適用すると、電子装置の製造過程などにおいて生じ
る静電気により絶縁膜に絶縁破壊を生じることを防止で
き、電子装置の歩留りを向上させることができる。
を図７に示す。図７において横軸は上部電極２４と下部
電極２２とのあいだに印加される電圧、縦軸は上部電極
２４と下部電極２２間に流れるリーク電流値（Ａ）を示
す。下部電極２２としてＴａを適用し、絶縁膜２３とし
てＴａ2 Ｏ5 を適用した従来のＭＩＭ素子の電圧−電流
特性が非対称であるため、これを駆動回路により補正し
なければならないのに対して、図７に示すように、本発
明によるＭＩＭ素子は電圧−電流特性は対称性を示すと
ともに、さらにリーク電流値が小さいことが分かった。
したがって、本発明のＭＩＭ素子によれば単純な構成で
優れた特性が得られるとともに駆動回路を構成する上か
らも有利である。さらにこのＭＩＭ素子の下部電極とし
てＡｌ（９５原子％）−Ｓｉ（５原子％）のＡｌ−Ｓｉ
合金膜を用いたものであっても同様の効果が得られるこ
とが分かった。このように、電子装置の電極としてシリ
サイドを、その電極上の絶縁膜としてシリサイドの酸化
物を適用すると、電子装置の製造過程などにおいて生じ
る静電気により絶縁膜に絶縁破壊を生じることを防止で
き、電子装置の歩留りを向上させることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電子装置
の絶縁膜としてシリサイドの酸化物を用いたので、製造
過程などにおいて生じる静電気により絶縁破壊が生じる
ことを防止でき電子装置の製造上の歩留りを向上させる
ことができる。
の絶縁膜としてシリサイドの酸化物を用いたので、製造
過程などにおいて生じる静電気により絶縁破壊が生じる
ことを防止でき電子装置の製造上の歩留りを向上させる
ことができる。
【図１】本発明の第１実施例によるＴＦＴの概略断面図
【図２】本発明の第１実施例の変形例を示すＴＦＴの概
略断面図
略断面図
【図３】本発明の第１実施例の他の変形例を示すＴＦＴ
の概略断面図
の概略断面図
【図４】本発明のＴａ−Ｓｉ合金膜の陽極酸化膜の絶縁
耐圧と各Ｔａの組成（原子％）との関係を示す図
耐圧と各Ｔａの組成（原子％）との関係を示す図
【図５】本発明の第１実施例によるＴＦＴの特性図
【図６】本発明の第３実施例によるＭＩＭ素子の概略断
面図
面図
【図７】本発明の第３実施例によるＭＩＭ素子の電流−
電圧特性図
電圧特性図
１、１１、２１ ガラス基板 ２、１２ ゲート電極 ９、１３、２３ 絶縁膜 ４、１４ ａ−Ｓｉ膜 ５、１５ エッチストッパー用絶縁膜 ６、１６ ｎ+ −Ｓｉ膜 ７、１７ ドレイン電極 ８、１８ ソース電極 ２０ 導電部材 ２２ 下部電極 ２４ 上部電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例によるＴＦＴの概略断面図
【図２】本発明の第１実施例の変形例を示すＴＦＴの概
略断面図
略断面図
【図３】本発明の第１実施例の他の変形例を示すＴＦＴ
の概略断面図
の概略断面図
【図４】本発明のＴａ−Ｓｉ合金膜の陽極酸化膜の絶縁
耐圧と各Ｔａの組成（原子％）との関係を示す図
耐圧と各Ｔａの組成（原子％）との関係を示す図
【図５】本発明の第１実施例によるＴＦＴの特性図
【図６】本発明の第３実施例によるＭＩＭ素子の概略断
面図
面図
【図７】本発明の第３実施例によるＭＩＭ素子の電流−
電圧特性図
電圧特性図
【図８】従来のＴＦＴの一例を示す概略断面図
【図９】従来のＴＦＴの他の例を示す概略断面図
【符号の説明】 １、１１、２１ ガラス基板 ２、１２ ゲート電極 ９、１３、２３ 絶縁膜 ４、１４ ａ−Ｓｉ膜 ５、１５ エッチストッパー用絶縁膜 ６、１６ ｎ＋−Ｓｉ膜 ７、１７ ドレイン電極 ８、１８ ソース電極 ２０ 導電部材 ２２ 下部電極 ２４ 上部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 シリサイドの酸化物からなる絶縁膜を有
することを特徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24867792A JPH06196700A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24867792A JPH06196700A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196700A true JPH06196700A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=17181697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24867792A Pending JPH06196700A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196700A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003536260A (ja) * | 2000-06-03 | 2003-12-02 | ザ・ユニバーシティ・オブ・リバプール | 電子構成部品の製造方法及び電子構成部品 |
| JP2006269344A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Hitachi Ltd | 画像表示装置とその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5091260A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 | ||
| JPS63140580A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP24867792A patent/JPH06196700A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5091260A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 | ||
| JPS63140580A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003536260A (ja) * | 2000-06-03 | 2003-12-02 | ザ・ユニバーシティ・オブ・リバプール | 電子構成部品の製造方法及び電子構成部品 |
| JP2006269344A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Hitachi Ltd | 画像表示装置とその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970520 |