JPH06195696A

JPH06195696A - 磁気記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH06195696A
Application number: JP24121593A
Authority: JP
Inventors: Kenji Kuwabara; 賢次桑原; Mikio Murai; 幹夫村居; Kiyoshi Takahashi; 喜代司高橋; Masaru Odagiri; 優小田桐; Hideyuki Ueda; 英之植田; Hiroshi Seki; 博司関
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-10-20
Filing date: 1993-09-28
Publication date: 1994-07-15

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、強磁性金属薄膜を磁気記録層とす
る磁気記録媒体およびその製造方法に関するもので、耐
候保存性、スチルライフ、走行耐久性等の総合耐久性に
優れた磁気記録媒体を得ることを目的とする。【構成】非磁性基板５上に強磁性金属薄膜４を形成
し、その上に含窒素有機系化合物、含硫黄有機系化合
物、含リン有機系化合物、含酸素有機系化合物から選ば
れた少なくとも１種以上の有機系化合物からなる緻密な
防錆剤層３を有機蒸着法もしくはプラズマＣＶＤ法で形
成し、さらにこの上に炭素膜２を真空成膜法で設け、ト
ップコート層として潤滑剤層１を形成せしめた、三重の
薄層構成にすることを特徴とする磁気記録媒体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度磁気記録に適す
る強磁性金属媒体を磁気記録層とする磁気記録媒体に関
するものであり、さらに詳しくは、デジタルビデオテー
プレコーダや高精細度ビデオテープレコーダに最適の磁
気記録媒体、およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、記
録、再生機器のデジタル化、小型化、長時間化等の高性
能化に伴い、高密度磁気記録媒体の開発が活発に行なわ
れており、最近では磁性体が樹脂中に分散した塗布型磁
気記録媒体に代わって、短波長記録に極めて有利な連続
薄膜型磁気記録媒体が実用化されつつある。

【０００３】連続薄膜型の磁気記録媒体においては、磁
性層表面は極めて平滑な表面性を有し、且つ硬度が低
く、塑性変形しやすいために、磁気信号の記録、再生過
程における磁気ヘッドとの間の摩擦係数の上昇により、
摩耗、損傷され、その結果、耐久性の低下を招いた。ま
た、磁性層表面は酸化被膜が形成され保護されているも
のの、高湿環境下における耐食性は不十分であるという
問題を有していた。

【０００４】そこで従来より、強磁性金属薄膜を磁気記
録層とする磁気記録媒体においては、様々な方法により
耐候保存性、スチルライフ、走行耐久性を向上する試み
が続けられてきた。例えば、強磁性金属薄膜上にカルボ
ン酸系やリン酸系の潤滑剤層を設ける方法、さらに強磁
性金属薄膜上に非磁性金属の保護膜を設ける方法、また
は特開昭５９−２２９７４３号公報に述べられているＳ
ｉＯ₂のような酸化物の保護膜を設ける方法がある。し
かし、これらの保護膜では未だに耐候保存性、スチルラ
イフ、走行耐久性が十分に改善されないのが現状であ
る。

【０００５】最近では、特開昭６１−１４２５２５号公
報、特開昭６１−２０８６２２号公報のようにカーボン
系の保護膜を設けたり、特開昭６２−２１９３１４号公
報、特開昭６１−２１０５１８号公報のようにダイヤモ
ンド状炭素膜を保護膜として用いている。また、特開昭
５８−１８９８３３号公報には強磁性金属薄膜上に防錆
剤層、防錆剤を含ませた潤滑剤層を順次設けることが、
特開昭６２−２３６１１９号公報には強磁性金属薄膜上
に防錆剤を添加した潤滑剤層を設けることが、特開昭６
３−８１３号公報には強磁性金属薄膜上に防錆剤層、潤
滑剤層を順次設けることが、特開昭６３−２００３１５
号公報には強磁性金属薄膜上に不働態膜層を設け、この
不働態膜層上に防錆剤層を設けることが各々述べられて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の方法では耐候保存性、スチルライフ、走行
耐久性が十分な磁気記録媒体を得ることが困難である。
特に、強磁性金属薄膜上の保護膜としてダイヤモンド状
炭素膜を用いると、スチルライフ、走行耐久性が向上し
たが、ダイヤモンド状炭素膜が不活性なために潤滑剤の
配向が悪く、発水性が低くなる。その結果、高温高湿環
境下におけるテープの保存で磁性層が剥離したり、錆が
発生しやすく、ドロップアウトが増加し、出力が低下
し、さらにはスチルライフが低下するという問題があっ
た。

【０００７】さらに、強磁性金属薄膜上に防錆剤層、防
錆剤を含ませた潤滑剤層を順次設けた媒体、強磁性金属
薄膜上に防錆剤を添加した潤滑剤層を設けた媒体では、
防錆剤、潤滑剤とが混合した状態で存在するため潤滑剤
の働きが半減し、摩擦係数が高くなり走行耐久性が低下
する。また、強磁性金属薄膜上に防錆剤層、潤滑剤層を
順次設けた媒体、強磁性金属薄膜上に不働態膜層を設
け、この不働態膜層上に防錆剤層を設けた媒体では、防
錆効果、潤滑効果は向上するものの未だ不十分であり、
また媒体の硬度不足でせん断応力が低く、耐久性が低
い。

【０００８】さらに、強磁性金属薄膜をＣｏ−Ｏのみに
したものや、さらに磁性膜中の酸素量を少なくした高出
力テープにおいては、ダイヤモンド状炭素膜を付与して
も耐候保存性の低下がより大きくなることが問題であっ
た。

【０００９】本発明は上記問題に鑑み、電磁変換特性を
損なうことなく、ドロップアウトの増加や出力の低下の
ない、耐候保存性、スチルライフ、走行耐久性等の総合
耐久性に優れた磁気記録媒体を提供するものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は非磁性基板上に強磁性金属薄膜を真空成
膜法で形成し、前記強磁性金属薄膜上に窒素原子を含む
複素環式化合物、極性基−ＮＨ₂、＞ＮＨ、−ＮＣＯ、
−ＣＯＮＨ₂、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ₂、−ＣＳＮＨ
₂、−ＣＳＮＨＲ、−ＣＳＮＲ₂、−ＰＯＮＨ₂、−ＰＯ
ＮＨＲ、−ＰＯＮＲ₂を有する含窒素有機系化合物、硫
黄原子を含む複素環式化合物、極性基−ＳＨ、−ＳＯ₃
Ｍを有する含硫黄有機系化合物、極性基＞ＰＲ、＞ＰＲ
₂、＞Ｐ（ＯＲ）、＞Ｐ（ＯＲ）₂、＞Ｐ（Ｏ）Ｒ、−Ｏ
ＰＯ（ＯＲ）₂、−ＰＯ（ＯＨ）₂、＞ＰＳＲ、＞Ｐ（Ｓ
Ｒ）₂を有する含リン有機系化合物、酸素原子を含む複
素環式化合物、極性基−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲを有する
含酸素有機系化合物（ただし、Ｒは炭素数１〜２２の炭
化水素基、Ｍは水素、アルカリ金属またはアルカリ土類
金属）から選ばれた少なくとも１種以上の有機系化合物
からなる緻密な防錆剤層を有機蒸着法もしくはプラズマ
ＣＶＤ法で形成し、さらにこの防錆剤層上に炭素膜を真
空成膜法で形成し、トップコート層として潤滑剤層を設
けたことを特徴とする磁気記録媒体に関するものであ
り、前記三重の薄層構成により上記問題を解決するもの
である。

【００１１】

【作用】本発明は強磁性金属薄膜上に有機蒸着法もしく
はプラズマＣＶＤ法により、湿式塗布法では得られない
緻密な防錆剤層を形成し、さらにこの防錆剤層上に炭素
膜を形成し、トップコート層として潤滑剤層を各々形成
せしめた三重の薄層構成により上記問題を解決するもの
である。つまり、潤滑剤層および炭素膜の各々の効果が
相まって走行性、スチルライフの向上や走行耐久試験に
おける出力低下、磁気ヘッドの目づまり等が改善され
る。防錆剤層は炭素膜形成時の強磁性金属薄膜へのエッ
チング等ダメージを緩和する効果があるとともに、強磁
性金属薄膜と炭素膜間の付着強度も向上する。さらに防
錆剤層は強磁性金属薄膜に水分および潤滑剤成分が吸
着、反応したり透過することによる劣化、即ち、錆や強
磁性金属薄膜と非磁性基板との剥離等を妨げる。これら
の効果の役割分担が上記三重の薄層構成によって十分に
発揮される結果、電磁変換特性を損なうことなく、ドロ
ップアウトの増加や出力の低下のない、耐候保存性、ス
チルライフ、走行耐久性等の総合耐久性に優れた磁気記
録媒体が得られる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を説明する。（図１）は金属薄
膜型磁気テープの断面略図であり、この構成について説
明する。

【００１３】（図１）において１は含フッ素カルボン酸
を主とする潤滑剤層であり、厚みは３ｎｍから５ｎｍで
ある。含フッ素カルボン酸の単独使用、あるいは含フッ
素カルボン酸エステルとの混合でもよい。例としてはＣ
₅Ｆ₁₁（ＣＨ₂）₁₀ＣＯＯＨやＣ₅Ｆ₁₁（ＣＨ₂）₁₀ＣＯＯ
Ｃ₈Ｈ₁₇があげられる。この潤滑剤層は湿式塗布法もし
くは有機蒸着法等により形成される。

【００１４】２は炭素膜で、膜のビッカース硬度が約２
５００ｋｇ／ｍｍ²と高く、磁気テープのダメージを潤
滑剤と共に防いでいる。厚みは１０ｎｍから２０ｎｍが
信頼性と出力とのバランス上最適である。この炭素膜は
プラズマＣＶＤ法、イオンビームミキシング法等により
形成される。

【００１５】３は窒素原子を含む複素環式化合物、極性
基−ＮＨ₂、＞ＮＨ、−ＮＣＯ、−ＣＯＮＨ₂、−ＣＯＮ
ＨＲ、−ＣＯＮＲ₂、−ＣＳＮＨ₂、−ＣＳＮＨＲ、−Ｃ
ＳＮＲ₂、−ＰＯＮＨ₂、−ＰＯＮＨＲ、−ＰＯＮＲ₂を
有する含窒素有機系化合物、硫黄原子を含む複素環式化
合物、極性基−ＳＨ、−ＳＯ₃Ｍを有する含硫黄有機系
化合物、極性基＞ＰＲ、＞ＰＲ₂、＞Ｐ（ＯＲ）、＞Ｐ
（ＯＲ）₂、＞Ｐ（Ｏ）Ｒ、−ＯＰＯ（ＯＲ）₂、−ＰＯ
（ＯＨ）₂、＞ＰＳＲ、＞Ｐ（ＳＲ）₂を有する含リン有
機系化合物、酸素原子を含む複素環式化合物、極性基−
ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲを有する含酸素有機系化合物（た
だし、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素基、Ｍは水素、ア
ルカリ金属またはアルカリ土類金属）から選ばれた少な
くとも１種以上の有機系化合物からなる緻密な防錆剤層
であり、その厚さは１ｎｍから５ｎｍが最適である。こ
の防錆剤層は有機蒸着法またはプラズマＣＶＤ法により
形成される。

【００１６】上記、含窒素有機系化合物、含硫黄有機系
化合物、含リン有機系化合物、含酸素有機系化合物につ
いて具体的に例示すると、カテコール、レゾルシン、ハ
イドロキノン等、およびこれらのアルキノアミノ、ニト
ロ、ニトロソ、ハロゲノ置換体、例えば４−メチルレゾ
ルシノール、２−アミノレゾルシノール、２−ニトロレ
ゾルシノール等の二価フェノール類、ｏ−クレゾール、
ｍ−エチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル等の一価フェノールのアルキル置換体等アルキルフェ
ノール類、α−ナフトール、β−ナフトール、１、２−
ナフタレンジオール等、およびこれらのアミノ、ニト
ロ、ニトロソ、アルキル、アルキルニトロソ、ハロゲノ
置換体、例えば１−アミノ−２−ナフトール、１−ニト
ロ−２−ナフトール、１−ニトロソ−２−ナフトール等
のナフトール類、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノ
ン、１、２ナフトキノン等、およびこれらの誘導体等の
キノン類、ベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノ
ン、４−ヒドロキシベンゾフェノン、４−アミノベンゾ
フェノン、４−メトキシ−２−ヒドロキシベンゾフエノ
ン等のベンゾフェノン誘導体等ジアリルケトン類、アク
リジン、ベンジルピリジン、４−キノリノール、イソニ
コチン酸、５−アミノ−１Ｈ−１、２、４−トリアゾー
ル、ウラシル等の窒素原子を含む複素環式化合物、スル
ホラン、３−メチルスルホラン、ローダニン、３−アミ
ノローダニン、チアゾリン−４−カルボン酸等の硫黄原
子を含む複素環式化合物、トコフェロール、ケルセチ
ン、レゾルフィン、３−アミノフタルイミド、チミジン
等の酸素原子を含む複素環式化合物、２−ベンゾオキサ
ゾールチオール、チオフェノール、プロパンチオール、
チオオキシン、５−ニトロ−２−ベンズイミダゾールチ
オール等のメルカプト基を有する化合物、ジアゾスルフ
ィド、ベンゾチアゾール、２−メチルベンゾチアゾー
ル、ベンゾチアゾリン等のチアゾール系化合物、これら
の他、アルキルアミン、アルキルアミンの脂肪酸塩等の
塩基性窒素化合物、アルキルホスフェート、アルキルチ
オホスフェート、アルキルハイドロジェン・リン酸エス
テル、および亜リン酸エステル等のリン化合物、石油ス
ルホネート、マホガニー酸スルホネート、ジノニルナフ
タレンスルホネート等のスルホン酸塩、等が挙げられ
る。

【００１７】４は真空成膜法で形成される強磁性金属薄
膜であり、材料としてはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ等が使用可能である。その厚みは５０ｎｍから
３００ｎｍが一般的である。

【００１８】前記、強磁性金属薄膜４、防錆剤層３、炭
素膜２、潤滑剤層１は真空中において、連続成膜が可能
である。

【００１９】５は非磁性基板であり、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、芳香族ポリア
ミド、芳香族ポリイミド等のフイルムやアルミ基板、ガ
ラス基板等が使用可能である。基板の磁性面側表面は１
０ｎｍから３０ｎｍの突起形成処理が施されているもの
が信頼性とＲＦ出力を両立するうえで最適である。

【００２０】６はバックコート層で、材料としてはポリ
ウレタン、ニトロセルロース、ポリエステルとカーボ
ン、炭酸カルシウム等を含んでいる。厚みは５００ｎｍ
である。

【００２１】（図２）は本発明の磁気記録媒体の製造装
置の一例である。（図２）において、７は真空槽であり
１０^-4Ｔｏｒｒから１０^-3Ｔｏｒｒに管理されている。
これは排気口８から真空ポンプ９で排気して管理する。

【００２２】１０は防錆剤層を形成する有機蒸着用のノ
ズルであり、この中の抵抗加熱器１１の中へ有機系化合
物を入れ、抵抗加熱用電源１２から６０Ｈｚ、１００Ｖ
を抵抗加熱器１１に印加して蒸発させる。

【００２３】１３は防錆剤層をプラズマＣＶＤ法により
製造する場合の放電管であり、プラズマ発生用電源１４
より交流電圧と直流電圧とを重畳させ電極１５に印加す
る。有機系化合物ガスは原料ガス導入口１６または１７
から減圧導入する。１８は巻出しロールで、巻出された
金属薄膜型磁気テープ１９は冷却用のキャン２０に沿っ
て走行し、巻取りリール２１により巻取られる。

【００２４】同じく１３は炭素膜を製造する放電管であ
り、プラズマ発生用電源１４より交流電圧と直流電圧が
電極１５に印加される。ガスは炭化水素とアルゴン等の
不活性ガスを使用し、原料ガス導入口１６、１７から導
入する。

【００２５】１８は巻出しロールで、巻出された金属薄
膜型磁気テープ１９は冷却用のキャン２０に沿って走行
し、巻取りリール２１によって巻取られる。

【００２６】（実施例１）以下、製造条件も含めて詳し
く説明する。

【００２７】５００ｍｍ幅のポリエチレンテレフタレー
ト表面に、ＳＴＭ分析で高さが３０ｎｍ、直径が２００
ｎｍの突起が１ｍｍ²あたり１０⁵から１０⁹個形成され
た非磁性基板５上へ、斜方真空蒸着法により酸素を導入
しながら、Ｃｏ（８０）−Ｎｉ（２０）からなる強磁性
金属薄膜４を１８０ｎｍの厚みで形成する。その後、リ
バースロールコータによりポリウレタン、ニトロセルロ
ース、カーボンブラックより構成された固形分３０％の
メチルエチルケトン／トルエン／シクロヘキサノン溶液
を乾燥後のバックコート層６の厚みが５００ｎｍになる
ように塗布する。

【００２８】この強磁性金属薄膜４上に、有機蒸着法に
より、窒素原子を含む複素環式化合物として５−メチル
ベンゾトリアゾールを有機蒸着用ノズル１０内の抵抗加
熱器１１内から蒸発させ、３ｎｍ厚に形成し防錆剤層３
を得た。

【００２９】この防錆剤層３上に、アルゴンガスとヘキ
サンガスを１：４の比で混合し、トータルガス圧を０．
３Ｔｏｒｒに保って、周波数２０ＫＨｚ電圧１５００Ｖ
の交流と１０００Ｖの直流を放電管１３内の電極に重畳
し、プラズマＣＶＤ法により炭素膜２を１５ｎｍの厚み
で形成した。

【００３０】その後、炭素膜２上に潤滑剤として含フッ
素カルボン酸、Ｃ₅Ｆ₁₁（ＣＨ₂）₁₀ＣＯＯＨのイソプロ
ピルアルコール２０００ｐｐｍ溶液を湿式塗布法（リバ
ースロールコータ）で塗布し、４ｎｍ厚の潤滑剤層１を
形成した。

【００３１】これらサンプルをスリツタで８ｍｍ幅に裁
断し、８ｍｍテープ試料（５４ｍ長）を作製した。

【００３２】（実施例２）（実施例１）の窒素原子を含
む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをシク
ロヘキシルアミン（極性基−ＮＨ₂）にかえた以外は
（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製し
た。

【００３３】（実施例３）（実施例１）の窒素原子を含
む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをアロ
キサン（極性基＞ＮＨ）にかえた以外は（実施例１）と
同様にして８ｍｍテープ試料を作製した。

【００３４】（実施例４）（実施例１）の窒素原子を含
む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをヘキ
サンアミド（極性基＞ＣＯＮＨ₂）にかえた以外は（実
施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製した。

【００３５】（実施例５）（実施例１）の窒素原子を含
む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをアセ
ト酢酸アニリド（極性基＞ＣＯＮＨＲ）にかえた以外は
（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製し
た。

【００３６】（実施例６）（実施例１）の窒素原子を含
む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをＮ−
ジメチルアセトアミド（極性基＞ＣＯＮＲ₂）にかえた
以外は（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作
製した。

【００３７】（実施例７）（実施例１）の窒素原子を含
む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールを硫黄
原子を含む複素環式化合物３−スルホレンにかえた以外
は（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製し
た。

【００３８】（実施例８）（実施例１）の窒素原子を含
む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールを２−
メルカプトベンゾチアゾール（極性基−ＳＨ）にかえた
以外は（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作
製した。

【００３９】（実施例９）（実施例１）の窒素原子を含
む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールを１−
ニトロソ−２−ナフトール−３、６−ジスルホン酸二ナ
トリウム（極性基−ＳＯ₃Ｍ）にかえた以外は（実施例
１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製した。

【００４０】（実施例１０）（実施例１）の窒素原子を
含む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをト
リエチルホスフィン（極性基＞ＰＲ）にかえた以外は
（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製し
た。

【００４１】（実施例１１）（実施例１）の窒素原子を
含む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールを亜
リン酸トリエチル（極性基＞Ｐ（ＯＲ））にかえた以外
は（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製し
た。

【００４２】（実施例１２）（実施例１）の窒素原子を
含む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをリ
ン酸トリエチル（極性基＞Ｐ（ＯＲ）₂）にかえた以外
は（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製し
た。

【００４３】（実施例１３）（実施例１）の窒素原子を
含む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをジ
メチルホスフィン酸（極性基＞Ｐ（Ｏ）Ｒ）にかえた以
外は（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製
した。

【００４４】（実施例１４）（実施例１）の窒素原子を
含む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをリ
ン酸トリフェニル（極性基−ＯＰＯ（ＯＲ）₂）にかえ
た以外は（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を
作製した。

【００４５】（実施例１５）（実施例１）の窒素原子を
含む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールを１
Ｈ、１Ｈ−ペンタデカフルオロオクタンチオール（極性
基＞ＰＳＲ）にかえた以外は（実施例１）と同様にして
８ｍｍテープ試料を作製した。

【００４６】（実施例１６）（実施例１）の窒素原子を
含む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールを酸
素原子を含む複素環式化合物ウリジンにかえた以外は
（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製し
た。

【００４７】（実施例１７）（実施例１）の窒素原子を
含む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをキ
ニン酸（極性基−ＣＯＯＨ）にかえた以外は（実施例
１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製した。

【００４８】（実施例１８）（実施例１）の窒素原子を
含む複素環式化合物５−メチルベンゾトリアゾールをソ
ルビタンモノオレート（極性基−ＣＯＯＲ）にかえた以
外は（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を作製
した。

【００４９】（比較例１）（実施例１）の防錆剤層を防
錆剤層なしにした以外は（実施例１）と同様にして８ｍ
ｍテープ試料を作製した。

【００５０】（比較例２）（実施例１）の防錆剤層を防
錆剤層なしにし、潤滑剤含フッ素カルボン酸、Ｃ ₅Ｆ₁₁
（ＣＨ₂）₁₀ＣＯＯＨのイソプロピルアルコール２００
０ｐｐｍ溶液にシクロヘキシルアミン（極性基−Ｎ
Ｈ₂）のイソプロピルアルコール２０００ｐｐｍ溶液を
混合し、湿式塗布法（リバースロールコータ）で塗布し
た以外は（実施例１）と同様にして８ｍｍテープ試料を
作製した。

【００５１】（比較例３）（実施例１）の炭素膜のビッ
カース硬度２５００ｋｇ／ｍｍ²をビッカース硬度１３
００ｋｇ／ｍｍ²の炭素膜にかえた以外は（実施例１）
と同様にして８ｍｍテープ試料を作製した。

【００５２】（実施例１９）（実施例１）の有機蒸着法
による防錆剤層の付与を、プラズマＣＶＤ法による防錆
剤層の付与にかえた以外は（実施例１）と同様にして８
ｍｍテープ試料を作製した。

【００５３】（比較例４）（実施例１）の有機蒸着法に
よる防錆剤層の付与を、湿式塗布法による防錆剤層の付
与にかえた以外は（実施例１）と同様にして８ｍｍテー
プ試料を作製した。

【００５４】以上の各実施例および比較例で得られた８
ｍｍテープ試料について、それぞれ以下に示す評価試験
をおこなった。（１）錆、剥離各８ｍｍテープ試料を４０℃９０％ＲＨの環境下で３０
日間放置する耐候保存性試験をおこなつた。耐候保存性
試験後にテープ試料を微分干渉顕微鏡で状態観察をし、
５段階評価をおこなった。評価は実用的に全く問題のな
いものを５とし、実用的に問題を発生したものを１とし
た。（２）耐候保存性試験後のドロップアウト変化（以下
Ｄ．Ｏ．変化と略す）、出力低下（１）による耐候保存性試験前に、ドロップアウト測定
用、ＲＦ出力測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用い、各
８ｍｍテープ試料に映像信号を記録し、ドロップアウ
ト、出力低下を各々測定した。その試験後にもドロップ
アウト、出力低下を測定し、試験前に対する試験後の変
化率を倍率、デシベル表示で各々示した。なお、ドロッ
プアウトは、ドロップアウトカウンタ（（株）シバソク
製、ＶＨ０１ＣＺ）を用い、設定条件を幅１５μｓ、深
さ１６ｄＢとしそれより大きい単位時間あたりのドロッ
プアウトを計数した。出力低下は走行中に再生したＲＦ
出力を整流し、ペンレコーダ（松下通信（株）製、ＶＰ
−６５２４Ａ）に記録し測定した。（３）スチルライフ（１）による耐候保存性試験後に、８ｍｍＶＴＲ（ＭＶ
Ｓ−５０００、松下電器（株）製）を用い、２３℃１０
％ＲＨ環境下におけるスチルライフを測定した。（４）走行耐久性試験後のＤ．Ｏ．変化、出力低下、ヘ
ッド目づまりドロップアウト測定用、ＲＦ出力測定用に改造した８ｍ
ｍＶＴＲを用い、各８ｍｍテープ試料を４０℃８０％Ｒ
Ｈの環境下で３００パス、３００時間走行させる耐久性
試験をおこなった。その試験前に映像信号を記録し、試
験前後にドロップアウト、出力低下を各々測定した。ド
ロップアウト、出力低下の測定条件は（２）の測定条件
と同様とした。なお、ヘッド目づまりの測定はＲＦ出力
が６ｄＢ以上低下したところをヘッド目づまりとし、そ
のトータル時間を計測した。

【００５５】得られた結果を（表１）、（表２）、（表
３）に示す。

【００５６】

【表１】

【００５７】

【表２】

【００５８】

【表３】

【００５９】（表１）、（表２）、（表３）から明らか
なように、本発明によれば、非磁性基板上に強磁性金属
薄膜を真空成膜法で形成し、前記強磁性金属薄膜上に窒
素原子を含む複素環式化合物、極性基−ＮＨ₂、＞Ｎ
Ｈ、−ＮＣＯ、−ＣＯＮＨ₂、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮ
Ｒ₂、−ＣＳＮＨ₂、−ＣＳＮＨＲ、−ＣＳＮＲ₂、−Ｐ
ＯＮＨ₂、−ＰＯＮＨＲ、−ＰＯＮＲ₂を有する含窒素有
機系化合物、硫黄原子を含む複素環式化合物、極性基−
ＳＨ、−ＳＯ₃Ｍを有する含硫黄有機系化合物、極性基
＞ＰＲ、＞ＰＲ₂、＞Ｐ（ＯＲ）、＞Ｐ（ＯＲ）₂、＞Ｐ
（Ｏ）Ｒ、−ＯＰＯ（ＯＲ）₂、−ＰＯ（ＯＨ）₂、＞Ｐ
ＳＲ、＞Ｐ（ＳＲ）₂を有する含リン有機系化合物、酸
素原子を含む複素環式化合物、極性基−ＣＯＯＨ、−Ｃ
ＯＯＲを有する含酸素有機系化合物（ただし、Ｒは炭素
数１〜２２の炭化水素基、Ｍは水素、アルカリ金属また
はアルカリ土類金属）から選ばれた少なくとも１種以上
の有機系化合物からなる緻密な防錆剤層を有機蒸着法も
しくはプラズマＣＶＤ法で形成し、さらにこの防錆剤層
上に炭素膜を真空成膜法で、トップコート層として潤滑
剤層を各々形成せしめた三重の薄層構成にすることによ
り、耐候保存性、スチルライフ、走行耐久性等に優れた
磁気記録媒体を得るものである。

【００６０】なお、上記実施例では８ｍｍＶＴＲ用薄膜
テープのみについて説明したが、これに限定されるもの
ではなく他の強磁性金属薄膜型磁気テープ、磁気ディス
ク等についても適用できる。

【００６１】また、上記実施例では含窒素複素環式化合
物、含硫黄複素環式化合物、含酸素複素環式化合物およ
び極性基として−ＮＨ₂、＞ＮＨ、−ＣＯＮＨ₂、−ＣＯ
ＮＨＲ、−ＣＯＮＲ₂を有する含窒素有機系化合物、−
ＳＨ、−ＳＯ₃Ｍを有する含硫黄有機系化合物、＞Ｐ
Ｒ、＞Ｐ（ＯＲ）、＞Ｐ（ＯＲ）₂、＞Ｐ（Ｏ）Ｒ、−
ＯＰＯ（ＯＲ）₂、＞ＰＳＲ、を有する含リン有機系化
合物、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲを有する含酸素有機系化
合物についてのみ示したが、−ＮＣＯ、−ＣＳＮＨ ₂、
−ＣＳＮＨＲ、−ＣＳＮＲ₂、−ＰＯＮＨ₂、−ＰＯＮＨ
Ｒ、−ＰＯＮＲ₂を有する含窒素有機系化合物、＞Ｐ
Ｒ₂、−ＰＯ（ＯＨ）₂、＞Ｐ（ＳＲ）₂有する含リン有
機系化合物から選ばれた少なくともひとつの極性基を有
する有機系化合物であれば同様に適用可能である。

【００６２】さらに、上記実施例では炭素膜をプラズマ
ＣＶＤ法で形成したが、イオンビームミキシング法で形
成しても、全く同じ作用効果を有するものである。

【００６３】さらに、上記実施例では潤滑剤層を湿式塗
布法（リバースロールコータ）で塗布したが、有機蒸着
法で形成しても全く同じ作用効果を有するものである。

【００６４】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれば
非磁性基板上に強磁性金属薄膜を真空成膜法で形成し、
前記強磁性金属薄膜上に窒素原子を含む複素環式化合
物、極性基−ＮＨ₂、＞ＮＨ、−ＮＣＯ、−ＣＯＮＨ₂、
−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ₂−ＣＳＮＨ₂、−ＣＳＮＨ
Ｒ、−ＣＳＮＲ₂、−ＰＯＮＨ₂、−ＰＯＮＨＲ、−ＰＯ
ＮＲ₂を有する含窒素有機系化合物、硫黄原子を含む複
素環式化合物、極性基−ＳＨ、−ＳＯ₃Ｍを有する含硫
黄有機系化合物、極性基＞ＰＲ、＞ＰＲ₂、＞Ｐ（Ｏ
Ｒ）、＞Ｐ（ＯＲ）₂、＞Ｐ（Ｏ）Ｒ、−ＯＰＯ（Ｏ
Ｒ）₂、−ＰＯ（ＯＨ）₂、＞ＰＳＲ、＞Ｐ（ＳＲ）₂を
有する含リン有機系化合物、酸素原子を含む複素環式化
合物、極性基−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲを有する含酸素有
機系化合物（ただし、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素
基、Ｍは水素、アルカリ金属またはアルカリ土類金属）
から選ばれた少なくとも１種以上の有機系化合物からな
る緻密な防錆剤層を有機蒸着法もしくはプラズマＣＶＤ
法で形成し、さらにこの防錆剤層上に炭素膜を真空成膜
法で設け、トップコート層として潤滑剤層を各々形成せ
しめ、三重の薄層構成にすることにより、耐候保存性、
スチルライフ、走行耐久性等の総合耐久性に優れた磁気
記録媒体を得ることができ、その実用上の価値は大なる
ものがある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例である金属薄膜型磁気テープの
断面略図

【図２】本発明の実施例である防錆剤層、炭素膜形成装
置の略図

【符号の説明】

１潤滑剤層２炭素膜３防錆剤層４強磁性金属薄膜５非磁性基板６バックコート層７真空槽８排気口９真空ポンプ１０有機蒸着用ノズル１１抵抗加熱器１２抵抗加熱用電源１３放電管１４プラズマ発生用電源１５電極１６原料ガス導入口１７原料ガス導入口１８巻出しリール１９金属薄膜型磁気テープ２０冷却用キャン２１巻取りリール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小田桐優大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者植田英之大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者関博司大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
前記強磁性金属薄膜上に含窒素有機系化合物からなる防
錆剤層を形成し、さらにこの防錆剤層上に炭素膜を形成
し、トップコート層として潤滑剤層を設けることを特徴
とする磁気記録媒体。
【請求項２】含窒素有機系化合物が、窒素原子を含む複
素環式化合物であることを特徴とする請求項１記載の磁
気記録媒体。
【請求項３】含窒素有機系化合物が、−ＮＨ₂、＞Ｎ
Ｈ、−ＮＣＯ、−ＣＯＮＨ₂、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮ
Ｒ₂、−ＣＳＮＨ₂、−ＣＳＮＨＲ、−ＣＳＮＲ₂、−Ｐ
ＯＮＨ₂、−ＰＯＮＨＲ、−ＰＯＮＲ₂（ただし、Ｒは炭
素数１〜２２の炭化水素基）から選ばれた少なくともひ
とつの極性基を有する含窒素有機系化合物であることを
特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
前記強磁性金属薄膜上に含硫黄有機系化合物からなる防
錆剤層を形成し、さらにこの防錆剤層上に炭素膜を形成
し、トップコート層として潤滑剤層を設けることを特徴
とする磁気記録媒体。
【請求項５】含硫黄有機系化合物が、硫黄原子を含む複
素環式化合物であることを特徴とする請求項４記載の磁
気記録媒体。
【請求項６】含硫黄有機系化合物が、−ＳＨ、−ＳＯ₃
Ｍ（ただし、Ｍは水素、アルカリ金属またはアルカリ土
類金属）から選ばれた少なくともひとつの極性基を有す
る含硫黄有機系化合物であることを特徴とする請求項４
記載の磁気記録媒体。
【請求項７】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
前記強磁性金属薄膜上に含リン有機系化合物からなる防
錆剤層を形成し、さらにこの防錆剤層上に炭素膜を形成
し、トップコート層として潤滑剤層を設けることを特徴
とする磁気記録媒体。
【請求項８】含リン有機系化合物が、＞ＰＲ、＞Ｐ
Ｒ₂、＞Ｐ（ＯＲ）、＞Ｐ（ＯＲ）₂、＞Ｐ（Ｏ）Ｒ、−
ＯＰＯ（ＯＲ）₂、−ＰＯ（ＯＨ）₂、＞ＰＳＲ、＞Ｐ
（ＳＲ）₂（ただし、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素
基）から選ばれた少なくともひとつの極性基を有する含
リン有機系化合物であることを特徴とする請求項７記載
の磁気記録媒体。
【請求項９】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
前記強磁性金属薄膜上に含酸素有機系化合物からなる防
錆剤層を形成し、さらにこの防錆剤層上に炭素膜を形成
し、トップコート層として潤滑剤層を設けることを特徴
とする磁気記録媒体。
【請求項１０】含酸素有機系化合物が、酸素原子を含む
複素環式化合物であることを特徴とする請求項９記載の
磁気記録媒体。
【請求項１１】含酸素有機系化合物が、−ＣＯＯＨ、−
ＣＯＯＲ（ただし、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素基）
から選ばれた少なくともひとつの極性基を有する含酸素
有機系化合物であることを特徴とする請求項９記載の磁
気記録媒体。
【請求項１２】防錆剤層上の炭素膜のビッカース硬度が
１５００ｋｇ／ｍｍ²以上であることを特徴とする請求
項１、４、７、９のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を真空成
膜法で形成し、前記強磁性金属薄膜上に防錆剤層を有機
蒸着法で、さらにこの防錆剤層上に炭素膜を真空成膜法
で、各々形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。
【請求項１４】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を真空成
膜法で形成し、前記強磁性金属薄膜上に防錆剤層をプラ
ズマＣＶＤ法で、さらにこの防錆剤層上に炭素膜を真空
成膜法で、各々形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
【請求項１５】強磁性金属薄膜上の防錆剤層が、含窒素
有機系化合物、含硫黄有機系化合物、含リン有機系化合
物、含酸素有機系化合物から選ばれた少なくとも１種以
上の有機系化合物からなる防錆剤層であることを特徴と
する請求項１３または１４記載の磁気記録媒体の製造方
法。