JPH10188253A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH10188253A JPH10188253A JP34091496A JP34091496A JPH10188253A JP H10188253 A JPH10188253 A JP H10188253A JP 34091496 A JP34091496 A JP 34091496A JP 34091496 A JP34091496 A JP 34091496A JP H10188253 A JPH10188253 A JP H10188253A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁変換特性を損なうことなく、スチル寿
命，走行耐久性，耐候保存性等の総合耐久性に優れた磁
気記録媒体およびその製造方法を得る。 【解決手段】 非磁性基板４と、この非磁性基板４上に
形成した強磁性金属薄膜３と、この強磁性金属薄膜３上
に形成しケイ素原子濃度が最表面から深さ方向に向かっ
て増加するケイ素原子含有炭素膜２と、このケイ素原子
含有炭素膜上に形成した潤滑剤層１とを備えたものであ
る。
命，走行耐久性，耐候保存性等の総合耐久性に優れた磁
気記録媒体およびその製造方法を得る。 【解決手段】 非磁性基板４と、この非磁性基板４上に
形成した強磁性金属薄膜３と、この強磁性金属薄膜３上
に形成しケイ素原子濃度が最表面から深さ方向に向かっ
て増加するケイ素原子含有炭素膜２と、このケイ素原子
含有炭素膜上に形成した潤滑剤層１とを備えたものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、デジタルビデオ
テープレコーダや高精細度ビデオテープレコーダに最適
の強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体およ
びその製造方法に関するものである。
テープレコーダや高精細度ビデオテープレコーダに最適
の強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体およ
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、記
録，再生機器のデジタル化，小型化，長時間化等の高性
能化に伴い、高密度磁気記録媒体の開発が活発に行なわ
れており、最近では塗布型磁気記録媒体に代わって、短
波長記録に極めて有利な連続薄膜型磁気記録媒体が実用
化されている。
録，再生機器のデジタル化，小型化，長時間化等の高性
能化に伴い、高密度磁気記録媒体の開発が活発に行なわ
れており、最近では塗布型磁気記録媒体に代わって、短
波長記録に極めて有利な連続薄膜型磁気記録媒体が実用
化されている。
【０００３】連続薄膜型磁気記録媒体においては、従来
から様々な方法によりスチル寿命，走行耐久性，耐候保
存性を向上する試みが続けられてきた。例えば、強磁性
金属薄膜上にカルボン酸系やリン酸系の潤滑剤層を設け
る方法、さらに強磁性金属薄膜上に非磁性金属の保護膜
を設ける方法、または特開昭５９−２２９７４３号公報
に述べられているＳｉＯ2 のような酸化物の保護膜を設
ける方法がある。しかし、これらの保護膜では未だにス
チル寿命，走行耐久性，耐候保存性が十分に改善されな
いのが現状である。
から様々な方法によりスチル寿命，走行耐久性，耐候保
存性を向上する試みが続けられてきた。例えば、強磁性
金属薄膜上にカルボン酸系やリン酸系の潤滑剤層を設け
る方法、さらに強磁性金属薄膜上に非磁性金属の保護膜
を設ける方法、または特開昭５９−２２９７４３号公報
に述べられているＳｉＯ2 のような酸化物の保護膜を設
ける方法がある。しかし、これらの保護膜では未だにス
チル寿命，走行耐久性，耐候保存性が十分に改善されな
いのが現状である。
【０００４】最近では、特開昭６１−１４２５２５号公
報，特開昭６１−２０８６２２号公報のようにカーボン
系の保護膜を設けたり、特開昭６２−２１９３１４号公
報，特開昭６１−２１０５１８号公報のようにダイヤモ
ンド状炭素膜を保護膜として用いている。また、特開昭
６３−１６２８７１号公報にシリコン，リンを含有する
硬質非晶質炭素膜を設けることが、特開平３−２７４２
６９号公報に窒素を含むダイヤモンド状薄膜を設けるこ
とが、特開昭６１−２０４８３４号公報にはカーボン保
護膜上に二酸化ケイ素保護膜を順次設けることが各々開
示されている。
報，特開昭６１−２０８６２２号公報のようにカーボン
系の保護膜を設けたり、特開昭６２−２１９３１４号公
報，特開昭６１−２１０５１８号公報のようにダイヤモ
ンド状炭素膜を保護膜として用いている。また、特開昭
６３−１６２８７１号公報にシリコン，リンを含有する
硬質非晶質炭素膜を設けることが、特開平３−２７４２
６９号公報に窒素を含むダイヤモンド状薄膜を設けるこ
とが、特開昭６１−２０４８３４号公報にはカーボン保
護膜上に二酸化ケイ素保護膜を順次設けることが各々開
示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の方法では、スチル寿命，走行耐久性，耐候
保存性が十分な磁気記録媒体を得ることが困難である。
特に、強磁性金属薄膜上の保護膜としてダイヤモンド状
炭素膜を用いると、スチル寿命，走行耐久性は向上した
が、ダイヤモンド状炭素膜が不活性なために潤滑剤の配
向が悪く、発水性が低くなる。その結果、高温高湿環境
下におけるテープの保存で磁性層が剥離したり、錆が発
生しやすく、ＲＦ出力が低下し、さらにはスチル寿命が
低下するという問題があった。
ような従来の方法では、スチル寿命，走行耐久性，耐候
保存性が十分な磁気記録媒体を得ることが困難である。
特に、強磁性金属薄膜上の保護膜としてダイヤモンド状
炭素膜を用いると、スチル寿命，走行耐久性は向上した
が、ダイヤモンド状炭素膜が不活性なために潤滑剤の配
向が悪く、発水性が低くなる。その結果、高温高湿環境
下におけるテープの保存で磁性層が剥離したり、錆が発
生しやすく、ＲＦ出力が低下し、さらにはスチル寿命が
低下するという問題があった。
【０００６】さらに最近では、強磁性金属薄膜をＣｏ−
Ｏのみにしたものや、さらに磁性膜中の酸素量を少なく
した高出力テープにおいては、ダイヤモンド状炭素膜を
付与しても耐候保存性の低下がより大きくなることが問
題であった。また、シリコンおよびリン、あるいは窒素
を含むダイヤモンド状炭素膜を保護膜として用いた場合
は、潤滑剤の配向性が向上するものの媒体の硬度不足に
より、せん断応力が低く、スチル寿命，走行耐久性は未
だ不十分である。
Ｏのみにしたものや、さらに磁性膜中の酸素量を少なく
した高出力テープにおいては、ダイヤモンド状炭素膜を
付与しても耐候保存性の低下がより大きくなることが問
題であった。また、シリコンおよびリン、あるいは窒素
を含むダイヤモンド状炭素膜を保護膜として用いた場合
は、潤滑剤の配向性が向上するものの媒体の硬度不足に
より、せん断応力が低く、スチル寿命，走行耐久性は未
だ不十分である。
【０００７】この発明は上記問題に鑑み、電磁変換特性
を損なうことなく、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存
性等の総合耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造
方法を提供するものである。
を損なうことなく、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存
性等の総合耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造
方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の磁気記録媒体
は、非磁性基板と、この非磁性基板上に形成した強磁性
金属薄膜と、この強磁性金属薄膜上に形成しケイ素原子
濃度が最表面から深さ方向に向かって増加するケイ素原
子含有炭素膜と、このケイ素原子含有炭素膜上に形成し
た潤滑剤層とを備えたものである。
は、非磁性基板と、この非磁性基板上に形成した強磁性
金属薄膜と、この強磁性金属薄膜上に形成しケイ素原子
濃度が最表面から深さ方向に向かって増加するケイ素原
子含有炭素膜と、このケイ素原子含有炭素膜上に形成し
た潤滑剤層とを備えたものである。
【０００９】請求項２の磁気記録媒体は、請求項１にお
いて、ケイ素原子含有炭素膜に関するラマンスペクトル
が１３８０ｃｍ-1付近に存在する第１のピークと１５５
０ｃｍ-1付近に存在する第２のピークとを持ち、第１の
ピークと第２のピークの積分強度比が、０．６〜３．５
であることを特徴とするものである。請求項１および請
求項２の磁気記録媒体によると、強磁性金属薄膜とケイ
素原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素膜と潤
滑剤層間の付着強度が向上し、これらの相乗効果によ
り、電磁変換特性を損なうことなく、スチル寿命，走行
耐久性，耐候保存性等の総合耐久性が向上する。
いて、ケイ素原子含有炭素膜に関するラマンスペクトル
が１３８０ｃｍ-1付近に存在する第１のピークと１５５
０ｃｍ-1付近に存在する第２のピークとを持ち、第１の
ピークと第２のピークの積分強度比が、０．６〜３．５
であることを特徴とするものである。請求項１および請
求項２の磁気記録媒体によると、強磁性金属薄膜とケイ
素原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素膜と潤
滑剤層間の付着強度が向上し、これらの相乗効果によ
り、電磁変換特性を損なうことなく、スチル寿命，走行
耐久性，耐候保存性等の総合耐久性が向上する。
【００１０】請求項３の磁気記録媒体は、非磁性基板
と、この非磁性基板上に形成した強磁性金属薄膜と、こ
の強磁性金属薄膜上に形成したケイ素原子含有炭素膜
と、このケイ素原子含有炭素膜上に形成した炭素膜と、
この炭素膜上に形成した潤滑剤層とを備え、ケイ素原子
含有炭素膜の膜厚を炭素膜全膜厚の３０％以下としたも
のである。
と、この非磁性基板上に形成した強磁性金属薄膜と、こ
の強磁性金属薄膜上に形成したケイ素原子含有炭素膜
と、このケイ素原子含有炭素膜上に形成した炭素膜と、
この炭素膜上に形成した潤滑剤層とを備え、ケイ素原子
含有炭素膜の膜厚を炭素膜全膜厚の３０％以下としたも
のである。
【００１１】請求項４の磁気記録媒体は、請求項３にお
いて、ケイ素原子含有炭素膜および炭素膜に関するラマ
ンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存在する第１のピ
ークと１５５０ｃｍ-1付近に存在する第２のピークとを
持ち、第１のピークと第２のピークの積分強度比が、ケ
イ素原子含有炭素膜は０．６〜３．５であり、炭素膜は
０．４〜３．０であることを特徴とするものである。
いて、ケイ素原子含有炭素膜および炭素膜に関するラマ
ンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存在する第１のピ
ークと１５５０ｃｍ-1付近に存在する第２のピークとを
持ち、第１のピークと第２のピークの積分強度比が、ケ
イ素原子含有炭素膜は０．６〜３．５であり、炭素膜は
０．４〜３．０であることを特徴とするものである。
【００１２】請求項３および請求項４の磁気記録媒体に
よると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，炭素
膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，炭素膜と潤滑剤層
間の付着強度が向上し、これらの相乗効果により、電磁
変換特性を損なうことなく、スチル寿命，走行耐久性，
耐候保存性等の総合耐久性が向上する。請求項５の磁気
記録媒体は、非磁性基板と、この非磁性基板上に形成し
た強磁性金属薄膜と、この強磁性金属薄膜上に形成した
ケイ素原子含有炭素膜と、このケイ素原子含有炭素膜上
に形成した窒素原子含有炭素膜と、この窒素原子含有炭
素膜上に形成した潤滑剤層とを備え、ケイ素原子含有炭
素膜の膜厚を炭素膜全膜厚の３０％以下としたものであ
る。
よると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，炭素
膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，炭素膜と潤滑剤層
間の付着強度が向上し、これらの相乗効果により、電磁
変換特性を損なうことなく、スチル寿命，走行耐久性，
耐候保存性等の総合耐久性が向上する。請求項５の磁気
記録媒体は、非磁性基板と、この非磁性基板上に形成し
た強磁性金属薄膜と、この強磁性金属薄膜上に形成した
ケイ素原子含有炭素膜と、このケイ素原子含有炭素膜上
に形成した窒素原子含有炭素膜と、この窒素原子含有炭
素膜上に形成した潤滑剤層とを備え、ケイ素原子含有炭
素膜の膜厚を炭素膜全膜厚の３０％以下としたものであ
る。
【００１３】請求項６の磁気記録媒体は、請求項５にお
いて、ケイ素原子含有炭素膜および窒素原子含有炭素膜
に関するラマンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存在
する第１のピークと１５５０ｃｍ-1付近に存在する第２
のピークとを持ち、第１のピークと第２のピークの積分
強度比が、ケイ素原子含有炭素膜は０．６〜３．５であ
り、窒素原子含有炭素膜は１．２〜３．０であることを
特徴とするものである。
いて、ケイ素原子含有炭素膜および窒素原子含有炭素膜
に関するラマンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存在
する第１のピークと１５５０ｃｍ-1付近に存在する第２
のピークとを持ち、第１のピークと第２のピークの積分
強度比が、ケイ素原子含有炭素膜は０．６〜３．５であ
り、窒素原子含有炭素膜は１．２〜３．０であることを
特徴とするものである。
【００１４】請求項５および請求項６の磁気記録媒体に
よると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，窒素
原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，窒素
原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強度が向上し、これ
らの相乗効果により、電磁変換特性を損なうことなく、
スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の総合耐久性が
向上する。
よると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，窒素
原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，窒素
原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強度が向上し、これ
らの相乗効果により、電磁変換特性を損なうことなく、
スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の総合耐久性が
向上する。
【００１５】請求項７の磁気記録媒体は、請求項１また
は請求項３または請求項５において、ケイ素原子含有炭
素膜中の炭素に対するケイ素の原子比率が０．５％〜
３．０％であることを特徴とするものである。請求項８
の磁気記録媒体は、請求項５において、窒素原子含有炭
素膜中の炭素に対する窒素の原子比率が５．０％〜２
０．０％であることを特徴とするものである。
は請求項３または請求項５において、ケイ素原子含有炭
素膜中の炭素に対するケイ素の原子比率が０．５％〜
３．０％であることを特徴とするものである。請求項８
の磁気記録媒体は、請求項５において、窒素原子含有炭
素膜中の炭素に対する窒素の原子比率が５．０％〜２
０．０％であることを特徴とするものである。
【００１６】請求項９の磁気記録媒体は、請求項１また
は請求項３または請求項５において、ケイ素原子含有炭
素膜，炭素膜および窒素原子含有炭素膜の密度が１．５
ｇ／ｃｍ3 以上であることを特徴とするものである。請
求項１０の磁気記録媒体は、請求項１または請求項３ま
たは請求項５において、ケイ素原子含有炭素膜，炭素膜
および窒素原子含有炭素膜のビッカース硬度が１８００
ｋｇ／ｍｍ2 以上であることを特徴とするものである。
は請求項３または請求項５において、ケイ素原子含有炭
素膜，炭素膜および窒素原子含有炭素膜の密度が１．５
ｇ／ｃｍ3 以上であることを特徴とするものである。請
求項１０の磁気記録媒体は、請求項１または請求項３ま
たは請求項５において、ケイ素原子含有炭素膜，炭素膜
および窒素原子含有炭素膜のビッカース硬度が１８００
ｋｇ／ｍｍ2 以上であることを特徴とするものである。
【００１７】請求項１１の磁気記録媒体は、請求項１ま
たは請求項３または請求項５において、潤滑剤層が、−
ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ、−ＯＨ、−ＮＨ2 、＞ＮＨ、−
ＳＨ、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ2 、−Ｃ（Ｓ）ＮＲ2 、−Ｐ
（Ｏ）ＮＲ2 、−Ｐ（Ｓ）ＮＲ2、＞ＰＲ、＞Ｐ（Ｏ
Ｒ）、＞Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ）、＞Ｐ（ＳＲ）、＞Ｐ（＝
Ｓ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）
（ＯＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（ＯＲ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝
Ｏ）（ＯＲ）（ＳＲ）、＞Ｐ（ＯＲ）（ＳＲ）、−ＳＯ
3Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素基または
水素、Ｍは水素，アルカリ金属またはアルカリ土類金
属）から選ばれた一種類以上の極性基を有する含フッ素
系潤滑剤層であることを特徴とするものである。
たは請求項３または請求項５において、潤滑剤層が、−
ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ、−ＯＨ、−ＮＨ2 、＞ＮＨ、−
ＳＨ、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ2 、−Ｃ（Ｓ）ＮＲ2 、−Ｐ
（Ｏ）ＮＲ2 、−Ｐ（Ｓ）ＮＲ2、＞ＰＲ、＞Ｐ（Ｏ
Ｒ）、＞Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ）、＞Ｐ（ＳＲ）、＞Ｐ（＝
Ｓ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）
（ＯＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（ＯＲ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝
Ｏ）（ＯＲ）（ＳＲ）、＞Ｐ（ＯＲ）（ＳＲ）、−ＳＯ
3Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素基または
水素、Ｍは水素，アルカリ金属またはアルカリ土類金
属）から選ばれた一種類以上の極性基を有する含フッ素
系潤滑剤層であることを特徴とするものである。
【００１８】請求項１２の磁気記録媒体の製造方法は、
非磁性基板上に強磁性金属薄膜を真空成膜法で形成し、
強磁性金属薄膜上にケイ素原子含有炭素膜と、炭素膜ま
たは窒素原子含有炭素膜をプラズマＣＶＤ法で、真空を
破ることなく、順次連続形成することを特徴とするもの
である。請求項１２の磁気記録媒体の製造方法による
と、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，炭素膜、
窒素原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，
炭素膜、窒素原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強度が
向上し、これらの相乗効果により、電磁変換特性を損な
うことなく、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の
総合耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
非磁性基板上に強磁性金属薄膜を真空成膜法で形成し、
強磁性金属薄膜上にケイ素原子含有炭素膜と、炭素膜ま
たは窒素原子含有炭素膜をプラズマＣＶＤ法で、真空を
破ることなく、順次連続形成することを特徴とするもの
である。請求項１２の磁気記録媒体の製造方法による
と、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，炭素膜、
窒素原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，
炭素膜、窒素原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強度が
向上し、これらの相乗効果により、電磁変換特性を損な
うことなく、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の
総合耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
【００１９】
第１の実施の形態 この発明の第１の実施の形態に関する金属薄膜型磁気テ
ープの断面図を図１に示す。図１において、１は含フッ
素系潤滑剤層であり、例えば、含フッ素カルボン酸の単
独使用、あるいは含フッ素カルボン酸エステルとの混合
使用でもよく、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＨやＣ5 Ｆ
11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＣ8 Ｈ17が挙げられる。厚みは３
ｎｍから５ｎｍであるが、使用する潤滑剤の種類により
最適膜厚が存在する。この潤滑剤層１は、湿式塗布法も
しくは有機蒸着法等により形成される。
ープの断面図を図１に示す。図１において、１は含フッ
素系潤滑剤層であり、例えば、含フッ素カルボン酸の単
独使用、あるいは含フッ素カルボン酸エステルとの混合
使用でもよく、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＨやＣ5 Ｆ
11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＣ8 Ｈ17が挙げられる。厚みは３
ｎｍから５ｎｍであるが、使用する潤滑剤の種類により
最適膜厚が存在する。この潤滑剤層１は、湿式塗布法も
しくは有機蒸着法等により形成される。
【００２０】２はケイ素原子濃度が最表面から深さ方向
に向かって増加するケイ素原子含有炭素膜で、ビッカー
ス硬度は約２５００ｋｇ／ｍｍ2 と高く、磁気テープの
ダメージを潤滑剤層１と共に防いでいる。厚みは、１０
ｎｍから２０ｎｍが信頼性と出力とのバランス上最適で
ある。このケイ素原子含有炭素膜２は、プラズマＣＶＤ
法により形成される。
に向かって増加するケイ素原子含有炭素膜で、ビッカー
ス硬度は約２５００ｋｇ／ｍｍ2 と高く、磁気テープの
ダメージを潤滑剤層１と共に防いでいる。厚みは、１０
ｎｍから２０ｎｍが信頼性と出力とのバランス上最適で
ある。このケイ素原子含有炭素膜２は、プラズマＣＶＤ
法により形成される。
【００２１】なお、ケイ素原子濃度が最表面から深さ方
向に向かって増加するケイ素原子含有炭素膜２の形成
は、ケイ素原子含有炭素膜を成膜した後に、二層目の炭
素膜を成膜することにより実現する。つまり、ケイ素原
子含有炭素膜２は二層になるが、炭素膜の成膜条件によ
っては一層目のケイ素原子含有炭素膜がエッチングされ
つつ二層目の炭素膜が成膜されるため、二層目の最表面
にもケイ素原子が存在することになり、実質的にケイ素
原子濃度が最表面から深さ方向に向かって増加する一層
のケイ素原子含有炭素膜２となる。
向に向かって増加するケイ素原子含有炭素膜２の形成
は、ケイ素原子含有炭素膜を成膜した後に、二層目の炭
素膜を成膜することにより実現する。つまり、ケイ素原
子含有炭素膜２は二層になるが、炭素膜の成膜条件によ
っては一層目のケイ素原子含有炭素膜がエッチングされ
つつ二層目の炭素膜が成膜されるため、二層目の最表面
にもケイ素原子が存在することになり、実質的にケイ素
原子濃度が最表面から深さ方向に向かって増加する一層
のケイ素原子含有炭素膜２となる。
【００２２】３は真空成膜法で形成される強磁性金属薄
膜であり、材料としてはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ等が使用可能である。その厚みは、５０ｎｍか
ら３００ｎｍが一般的である。なお、強磁性金属薄膜
３，ケイ素原子含有炭素膜２，および潤滑剤層１は、真
空中において連続成膜が可能である。
膜であり、材料としてはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ等が使用可能である。その厚みは、５０ｎｍか
ら３００ｎｍが一般的である。なお、強磁性金属薄膜
３，ケイ素原子含有炭素膜２，および潤滑剤層１は、真
空中において連続成膜が可能である。
【００２３】４は非磁性基板であり、ポリエチレンテレ
フタレート，ポリエチレンナフタレート，芳香族ポリア
ミド，芳香族ポリイミド等のフイルムやアルミ基板，ガ
ラス基板等が使用可能である。基板の磁性面側表面は、
１０ｎｍから３０ｎｍの突起形成処理が施されているも
のが信頼性とＲＦ出力を両立する上で最適である。５は
バックコート層で、材料としてはポリウレタン，ニトロ
セルロース，ポリエステルとカーボン，炭酸カルシウム
等を含んでいる。厚みは５００ｎｍである。
フタレート，ポリエチレンナフタレート，芳香族ポリア
ミド，芳香族ポリイミド等のフイルムやアルミ基板，ガ
ラス基板等が使用可能である。基板の磁性面側表面は、
１０ｎｍから３０ｎｍの突起形成処理が施されているも
のが信頼性とＲＦ出力を両立する上で最適である。５は
バックコート層で、材料としてはポリウレタン，ニトロ
セルロース，ポリエステルとカーボン，炭酸カルシウム
等を含んでいる。厚みは５００ｎｍである。
【００２４】第２の実施の形態 この発明の第２の実施の形態に関する金属薄膜型磁気テ
ープの断面図を図２に示す。図２において、６は含フッ
素系潤滑剤層であり、例えば、含フッ素カルボン酸の単
独使用、あるいは含フッ素カルボン酸エステルとの混合
使用でもよく、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＨやＣ5 Ｆ
11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＣ8 Ｈ17が挙げられる。厚みは、
３ｎｍから５ｎｍであるが、使用する潤滑剤の種類によ
り最適膜厚が存在する。この潤滑剤層６は湿式塗布法も
しくは有機蒸着法等により形成される。
ープの断面図を図２に示す。図２において、６は含フッ
素系潤滑剤層であり、例えば、含フッ素カルボン酸の単
独使用、あるいは含フッ素カルボン酸エステルとの混合
使用でもよく、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＨやＣ5 Ｆ
11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＣ8 Ｈ17が挙げられる。厚みは、
３ｎｍから５ｎｍであるが、使用する潤滑剤の種類によ
り最適膜厚が存在する。この潤滑剤層６は湿式塗布法も
しくは有機蒸着法等により形成される。
【００２５】７は炭素膜もしくは窒素原子含有炭素膜で
あり、８はケイ素原子含有炭素膜であり、二層で構成さ
れる。ビッカース硬度は炭素膜７の場合は約２５００ｋ
ｇ／ｍｍ2 、同じく窒素原子含有炭素膜７の場合は２３
００ｋｇ／ｍｍ2 、ケイ素原子含有炭素膜８は２３００
ｋｇ／ｍｍ2 と高く、磁気テープのダメージを潤滑剤層
６と共に防いでいる。厚みは１０ｎｍから２０ｎｍが信
頼性と出力とのバランス上最適である。この炭素膜７も
しくは窒素原子含有炭素膜７、ならびにケイ素原子含有
炭素膜８はプラズマＣＶＤ法により形成される。
あり、８はケイ素原子含有炭素膜であり、二層で構成さ
れる。ビッカース硬度は炭素膜７の場合は約２５００ｋ
ｇ／ｍｍ2 、同じく窒素原子含有炭素膜７の場合は２３
００ｋｇ／ｍｍ2 、ケイ素原子含有炭素膜８は２３００
ｋｇ／ｍｍ2 と高く、磁気テープのダメージを潤滑剤層
６と共に防いでいる。厚みは１０ｎｍから２０ｎｍが信
頼性と出力とのバランス上最適である。この炭素膜７も
しくは窒素原子含有炭素膜７、ならびにケイ素原子含有
炭素膜８はプラズマＣＶＤ法により形成される。
【００２６】９は真空成膜法で形成される強磁性金属薄
膜であり、材料としてはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ等が使用可能である。その厚みは、５０ｎｍか
ら３００ｎｍが一般的である。なお、強磁性金属薄膜
９，ケイ素原子含有炭素膜８，炭素膜もしくは窒素原子
含有炭素膜７，および潤滑剤層６は、真空中において連
続成膜が可能である。
膜であり、材料としてはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ等が使用可能である。その厚みは、５０ｎｍか
ら３００ｎｍが一般的である。なお、強磁性金属薄膜
９，ケイ素原子含有炭素膜８，炭素膜もしくは窒素原子
含有炭素膜７，および潤滑剤層６は、真空中において連
続成膜が可能である。
【００２７】１０は非磁性基板であり、ポリエチレンテ
レフタレート，ポリエチレンナフタレート，芳香族ポリ
アミド，芳香族ポリイミド等のフイルムやアルミ基板，
ガラス基板等が使用可能である。基板の磁性面側表面
は、１０ｎｍから３０ｎｍの突起形成処理が施されてい
るものが、信頼性とＲＦ出力を両立する上で最適であ
る。
レフタレート，ポリエチレンナフタレート，芳香族ポリ
アミド，芳香族ポリイミド等のフイルムやアルミ基板，
ガラス基板等が使用可能である。基板の磁性面側表面
は、１０ｎｍから３０ｎｍの突起形成処理が施されてい
るものが、信頼性とＲＦ出力を両立する上で最適であ
る。
【００２８】１１はバックコート層で、材料としてはポ
リウレタン，ニトロセルロース，ポリエステルとカーボ
ン，炭酸カルシウム等を含んでいる。厚みは５００ｎｍ
である。図３は、この発明の磁気記録媒体の製造装置の
一例である。図３において、１２は真空槽であり１０-4
Ｔｏｒｒから１０-3Ｔｏｒｒに管理されている。これは
排気口１３から真空ポンプ１４で排気して管理する。
リウレタン，ニトロセルロース，ポリエステルとカーボ
ン，炭酸カルシウム等を含んでいる。厚みは５００ｎｍ
である。図３は、この発明の磁気記録媒体の製造装置の
一例である。図３において、１２は真空槽であり１０-4
Ｔｏｒｒから１０-3Ｔｏｒｒに管理されている。これは
排気口１３から真空ポンプ１４で排気して管理する。
【００２９】１５は一層目のケイ素原子含有炭素膜をプ
ラズマＣＶＤ法により製造する放電管であり、プラズマ
発生用電源１６より交流電圧と直流電圧とを重畳させ電
極１７に印加される。ガスは、ケイ素系炭化水素化合物
とアルゴン等の不活性ガス、もしくはこれらと炭化水素
ガスを使用し、原料ガス導入口１８，１９から減圧導入
する。
ラズマＣＶＤ法により製造する放電管であり、プラズマ
発生用電源１６より交流電圧と直流電圧とを重畳させ電
極１７に印加される。ガスは、ケイ素系炭化水素化合物
とアルゴン等の不活性ガス、もしくはこれらと炭化水素
ガスを使用し、原料ガス導入口１８，１９から減圧導入
する。
【００３０】２０は二層目の炭素膜もしくは窒素原子含
有炭素膜をプラズマＣＶＤ法により製造する放電管であ
り、プラズマ発生用電源２１より交流電圧と直流電圧と
を重畳させ電極２２に印加される。ガスは、炭化水素と
アルゴン等の不活性ガス、もしくはこれらと窒素系炭化
水素化合物ガスを使用し、原料ガス導入口２３，２４か
ら減圧導入する。
有炭素膜をプラズマＣＶＤ法により製造する放電管であ
り、プラズマ発生用電源２１より交流電圧と直流電圧と
を重畳させ電極２２に印加される。ガスは、炭化水素と
アルゴン等の不活性ガス、もしくはこれらと窒素系炭化
水素化合物ガスを使用し、原料ガス導入口２３，２４か
ら減圧導入する。
【００３１】これらのケイ素原子含有炭素膜，窒素原子
含有炭素膜は、一旦真空を破ることなく、順次連続形成
が可能となることから、大気中の放置による表面の汚染
を防止でき、その結果、良好な膜質のケイ素原子含有炭
素膜，窒素原子含有炭素膜を得ることができる。また、
２５は巻出しロールで、巻出された金属薄膜型磁気テー
プ２６は冷却用のキャン２７に沿って走行し、巻取りリ
ール２８によって巻取られる。
含有炭素膜は、一旦真空を破ることなく、順次連続形成
が可能となることから、大気中の放置による表面の汚染
を防止でき、その結果、良好な膜質のケイ素原子含有炭
素膜，窒素原子含有炭素膜を得ることができる。また、
２５は巻出しロールで、巻出された金属薄膜型磁気テー
プ２６は冷却用のキャン２７に沿って走行し、巻取りリ
ール２８によって巻取られる。
【００３２】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。実施例１〜３は、図１に示した第１の実施の形
態に対応するものである。実施例４は、図２に示した第
２の実施の形態において、ケイ素原子含有炭素膜８上に
炭素膜７を形成したものに対応する。実施例５，６は、
図２に示した第２の実施の形態において、ケイ素原子含
有炭素膜８上に窒素原子含有炭素膜７を形成したものに
対応する。 （実施例１）５００ｍｍ幅のポリエチレンテレフタレー
ト表面に、ＳＴＭ分析で高さが３０ｎｍ，直径が２００
ｎｍの突起を１ｍｍ2 あたり１０5 から１０9 個形成さ
れた非磁性基板４上へ、斜方真空蒸着法により酸素を導
入しながら、Ｃｏ（８０）−Ｎｉ（２０）からなる強磁
性金属薄膜３を１８０ｎｍの厚みで形成する。その後、
リバースロールコータによりポリウレタン，ニトロセル
ロース，カーボンブラックより構成された固形分３０％
のメチルエチルケトン／トルエン／シクロヘキサノン溶
液を、乾燥後のバックコート層５の厚みが５００ｎｍに
なるように塗布する。
明する。実施例１〜３は、図１に示した第１の実施の形
態に対応するものである。実施例４は、図２に示した第
２の実施の形態において、ケイ素原子含有炭素膜８上に
炭素膜７を形成したものに対応する。実施例５，６は、
図２に示した第２の実施の形態において、ケイ素原子含
有炭素膜８上に窒素原子含有炭素膜７を形成したものに
対応する。 （実施例１）５００ｍｍ幅のポリエチレンテレフタレー
ト表面に、ＳＴＭ分析で高さが３０ｎｍ，直径が２００
ｎｍの突起を１ｍｍ2 あたり１０5 から１０9 個形成さ
れた非磁性基板４上へ、斜方真空蒸着法により酸素を導
入しながら、Ｃｏ（８０）−Ｎｉ（２０）からなる強磁
性金属薄膜３を１８０ｎｍの厚みで形成する。その後、
リバースロールコータによりポリウレタン，ニトロセル
ロース，カーボンブラックより構成された固形分３０％
のメチルエチルケトン／トルエン／シクロヘキサノン溶
液を、乾燥後のバックコート層５の厚みが５００ｎｍに
なるように塗布する。
【００３３】この強磁性金属薄膜３上に、テトラメチル
シランガスとヘキサンガスとアルゴンガスとを１：４：
１の比で混合し、トータルガス圧を０．３Ｔｏｒｒに保
って、周波数２０ＫＨｚ，電圧１５００Ｖの交流と電圧
１０００Ｖの直流を放電管１５内の電極に重畳印加し、
放電管２０内にはヘキサンガスとアルゴンガスを４：１
の比で混合した以外は同様にして、プラズマＣＶＤ法に
より一旦真空を破ることなく、前者は４ｎｍの厚みに、
後者は１１ｎｍの厚みになるように連続形成し、１５ｎ
ｍ厚のケイ素原子濃度が最表面から深さ方向に向かって
増加する実質的に１層のケイ素原子含有炭素膜２を得
た。
シランガスとヘキサンガスとアルゴンガスとを１：４：
１の比で混合し、トータルガス圧を０．３Ｔｏｒｒに保
って、周波数２０ＫＨｚ，電圧１５００Ｖの交流と電圧
１０００Ｖの直流を放電管１５内の電極に重畳印加し、
放電管２０内にはヘキサンガスとアルゴンガスを４：１
の比で混合した以外は同様にして、プラズマＣＶＤ法に
より一旦真空を破ることなく、前者は４ｎｍの厚みに、
後者は１１ｎｍの厚みになるように連続形成し、１５ｎ
ｍ厚のケイ素原子濃度が最表面から深さ方向に向かって
増加する実質的に１層のケイ素原子含有炭素膜２を得
た。
【００３４】その後、ケイ素原子含有炭素膜２上に潤滑
剤として含フッ素カルボン酸，Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2 ）10Ｃ
ＯＯＨのイソプロピルアルコール２０００ｐｐｍ溶液を
湿式塗布法（リバースロールコータ）で塗布し、４ｎｍ
厚の潤滑剤層１を形成した。これらサンプルをスリッタ
で６．３５ｍｍ幅に裁断し、図１に示す構成のデジタル
ビデオカセットテープ（ＤＶテープ）試料（７１ｍ長）
を作製した。 （実施例２）（実施例１）のヘキサンガスをベンゼンガ
スに変えた以外は（実施例１）と同様にしてテープ試料
を作製した。 （実施例３）（実施例１）のトータルガス圧を０．３Ｔ
ｏｒｒから２．５Ｔｏｒｒに変えた以外は（実施例１）
と同様にしてテープ試料を作製した。 （比較例１）（実施例１）のテトラメチルシランガスと
ヘキサンガスとアルゴンガスを１：４：１の比から３：
２：１に変え、トータルガス圧を０．３Ｔｏｒｒから
２．５Ｔｏｒｒに変えた以外は（実施例１）と同様にし
てテープ試料を作製した。 （実施例４）（実施例１）の放電管２０内の電極に重畳
する電圧を周波数２０ＫＨｚ，電圧１５００Ｖの交流と
電圧１０００Ｖの直流とあるを、周波数２０ＫＨｚ，電
圧１０００Ｖの交流と電圧６７０Ｖの直流に変えて炭素
膜７を形成した以外は（実施例１）と同様にして、図２
に示す構成のテープ試料を作製した。 （比較例２）（実施例４）のテトラメチルシランガスと
ヘキサンガスとアルゴンガスを１：４：１の比からヘキ
サメチルジシラザンとヘキサンガスとアルゴンガスを
３：２：１に変えた以外は（実施例４）と同様にしてテ
ープ試料を作製した。 （比較例３）（実施例４）のケイ素原子含有炭素膜８の
膜厚を、炭素膜全膜厚の２７％から３５％に変えた以外
は（実施例４）と同様にしてテープ試料を作製した。 （実施例５）（実施例１）のヘキサンガスとアルゴンガ
スの混合比４：１をｎ−プロピルアミンガスとヘキサン
ガスとアルゴンガスの混合比１：４：１に変え、窒素原
子含有炭素膜７を形成した以外は（実施例１）と同様に
して、図２に示す構成のテープ試料を作製した。 （実施例６）（実施例５）のｎ−プロピルアミンガスと
ヘキサンガスとアルゴンガスの混合比１：４：１を混合
比２：３：１に変え、窒素原子含有炭素膜７を形成した
以外は（実施例５）と同様にしてテープ試料を作製し
た。 （比較例４）（実施例５）のｎ−プロピルアミンガスと
ヘキサンガスとアルゴンガスの混合比１：４：１を４：
１：１に変え、窒素原子含有炭素膜７を形成した以外は
（実施例５）と同様にしてテープ試料を作製した。 （比較例５）（実施例５）のケイ素原子含有炭素膜８の
膜厚を、炭素膜全膜厚の２７％から３５％に変えた以外
は（実施例５）と同様にしてテープ試料を作製した。 （比較例６）（実施例１）の１５ｎｍ厚のケイ素原子含
有炭素膜２の形成を、１５ｎｍ厚の炭素膜の形成に変え
た以外は（実施例１）と同様にしてテープ試料を作製し
た。 （比較例７）（実施例１）のケイ素原子含有炭素膜２の
形成に際し、ケイ素原子含有炭素膜と炭素膜を一旦真空
を破ることなく連続形成したことを、ケイ素原子含有炭
素膜を形成した後、２３℃６０％ＲＨ環境下にて２４時
間放置後に引続き炭素膜を形成したことに変えた以外は
（実施例１）と同様にしてテープ試料を作製した。
剤として含フッ素カルボン酸，Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2 ）10Ｃ
ＯＯＨのイソプロピルアルコール２０００ｐｐｍ溶液を
湿式塗布法（リバースロールコータ）で塗布し、４ｎｍ
厚の潤滑剤層１を形成した。これらサンプルをスリッタ
で６．３５ｍｍ幅に裁断し、図１に示す構成のデジタル
ビデオカセットテープ（ＤＶテープ）試料（７１ｍ長）
を作製した。 （実施例２）（実施例１）のヘキサンガスをベンゼンガ
スに変えた以外は（実施例１）と同様にしてテープ試料
を作製した。 （実施例３）（実施例１）のトータルガス圧を０．３Ｔ
ｏｒｒから２．５Ｔｏｒｒに変えた以外は（実施例１）
と同様にしてテープ試料を作製した。 （比較例１）（実施例１）のテトラメチルシランガスと
ヘキサンガスとアルゴンガスを１：４：１の比から３：
２：１に変え、トータルガス圧を０．３Ｔｏｒｒから
２．５Ｔｏｒｒに変えた以外は（実施例１）と同様にし
てテープ試料を作製した。 （実施例４）（実施例１）の放電管２０内の電極に重畳
する電圧を周波数２０ＫＨｚ，電圧１５００Ｖの交流と
電圧１０００Ｖの直流とあるを、周波数２０ＫＨｚ，電
圧１０００Ｖの交流と電圧６７０Ｖの直流に変えて炭素
膜７を形成した以外は（実施例１）と同様にして、図２
に示す構成のテープ試料を作製した。 （比較例２）（実施例４）のテトラメチルシランガスと
ヘキサンガスとアルゴンガスを１：４：１の比からヘキ
サメチルジシラザンとヘキサンガスとアルゴンガスを
３：２：１に変えた以外は（実施例４）と同様にしてテ
ープ試料を作製した。 （比較例３）（実施例４）のケイ素原子含有炭素膜８の
膜厚を、炭素膜全膜厚の２７％から３５％に変えた以外
は（実施例４）と同様にしてテープ試料を作製した。 （実施例５）（実施例１）のヘキサンガスとアルゴンガ
スの混合比４：１をｎ−プロピルアミンガスとヘキサン
ガスとアルゴンガスの混合比１：４：１に変え、窒素原
子含有炭素膜７を形成した以外は（実施例１）と同様に
して、図２に示す構成のテープ試料を作製した。 （実施例６）（実施例５）のｎ−プロピルアミンガスと
ヘキサンガスとアルゴンガスの混合比１：４：１を混合
比２：３：１に変え、窒素原子含有炭素膜７を形成した
以外は（実施例５）と同様にしてテープ試料を作製し
た。 （比較例４）（実施例５）のｎ−プロピルアミンガスと
ヘキサンガスとアルゴンガスの混合比１：４：１を４：
１：１に変え、窒素原子含有炭素膜７を形成した以外は
（実施例５）と同様にしてテープ試料を作製した。 （比較例５）（実施例５）のケイ素原子含有炭素膜８の
膜厚を、炭素膜全膜厚の２７％から３５％に変えた以外
は（実施例５）と同様にしてテープ試料を作製した。 （比較例６）（実施例１）の１５ｎｍ厚のケイ素原子含
有炭素膜２の形成を、１５ｎｍ厚の炭素膜の形成に変え
た以外は（実施例１）と同様にしてテープ試料を作製し
た。 （比較例７）（実施例１）のケイ素原子含有炭素膜２の
形成に際し、ケイ素原子含有炭素膜と炭素膜を一旦真空
を破ることなく連続形成したことを、ケイ素原子含有炭
素膜を形成した後、２３℃６０％ＲＨ環境下にて２４時
間放置後に引続き炭素膜を形成したことに変えた以外は
（実施例１）と同様にしてテープ試料を作製した。
【００３５】以上の各実施例および比較例で得られた
６．３５ｍｍ幅ＤＶテープ試料について、それぞれ以下
に示す評価試験を行った。 （１）ラマンピークの積分強度比 励起光としてアルゴンイオンレーザー（波長：５１４．
５ｎｍ）を利用したラマン分光分析（ＲＳ）により得ら
れた二つのラマンピーク、すなわち１３８０ｃｍ-1付近
に存在する第１のピークと１５５０ｃｍ-1付近に存在す
る第２のピークを二本のガウス曲線にて波形分離処理
し、波形分離処理後の第１のラマンピークの積分強度を
波形分離処理後の第２のラマンピークの積分強度で徐し
た値に相当する。 （２）炭素に対するケイ素の原子比率および炭素に対す
る窒素の原子比率 角度分解Ｘ線光電子分光法（Ａｎｇｌｅ Ｒｅｓｏｌｖ
ｅｄ ＸＰＳ：パーキンエルマーＰＨＩ社製、５４００
ＭＣ）による表面分析である。炭素膜二層の場合は別途
サンプルを試作し、各々表面分析を行った。 （３）密度 炭素膜の密度は、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢ
Ｓ）の測定データより算出した。 （４）硬度 炭素膜の硬度は、別途１〜３μｍ程度形成させた試料を
作製し、微小硬度計を用いてビッカース硬度を測定、そ
の膜厚依存性から外挿法によりビッカース硬度を算出し
た。 （５）スチル寿命 市販デジタルＶＴＲ（ＤＶＣ：ＮＶ−ＤＪ１、松下電器
（株）製）を改造し、３℃５％ＲＨ環境下におけるスチ
ル寿命を測定した。 （６）走行耐久性試験後のエラーレート変化率、出力低
下 エラーレート測定用，ＲＦ出力測定用に改造した市販デ
ジタルＶＴＲ（ＮＶ−ＤＪ１、松下電器（株）製）を用
い、各６．３５ｍｍ幅テープ試料に映像信号を記録し、
エラーレート，ＲＦ出力を各々測定した。その後、４０
℃８０％ＲＨの環境下で３００パス，３００時間走行さ
せた。その試験後にも、エラーレート，ＲＦ出力を測定
し、試験前に対する試験後の変化率を倍率，デシベル表
示で各々示した。なお、出力低下は走行中に再生したＲ
Ｆ出力を整流し、ペンレコーダ（松下通信（株）製、Ｖ
Ｐ−６５２４Ａ）に記録し測定した。 （７）錆、剥離 各６．３５ｍｍ幅テープ試料を４０℃９０％ＲＨの環境
下で、３０日間放置する耐候保存性試験を行った。耐候
保存性試験後に、テープ試料を微分干渉顕微鏡で状態観
察をし、５段階評価を行った。評価は実用的に全く問題
のないものを５とし、実用的に問題を発生したものを１
とした。 （８）（７）の耐候保存性試験後に、ＲＦ出力測定用に
改造した市販デジタルＶＴＲ（ＮＶ−ＤＪ１、松下電器
（株）製）を用い、２３℃６０％ＲＨの環境下で１００
パス，１００時間走行させた。その試験前に映像を記録
し、走行中に再生したＲＦ出力を整流し、ペンレコーダ
（松下通信（株）製、ＶＰ−６５２４Ａ）に記録し、目
づまりを測定した。目づまりは６ｄＢ以上低下したとこ
ろをヘッド目づまりとし、そのトータル時間を計測し
た。
６．３５ｍｍ幅ＤＶテープ試料について、それぞれ以下
に示す評価試験を行った。 （１）ラマンピークの積分強度比 励起光としてアルゴンイオンレーザー（波長：５１４．
５ｎｍ）を利用したラマン分光分析（ＲＳ）により得ら
れた二つのラマンピーク、すなわち１３８０ｃｍ-1付近
に存在する第１のピークと１５５０ｃｍ-1付近に存在す
る第２のピークを二本のガウス曲線にて波形分離処理
し、波形分離処理後の第１のラマンピークの積分強度を
波形分離処理後の第２のラマンピークの積分強度で徐し
た値に相当する。 （２）炭素に対するケイ素の原子比率および炭素に対す
る窒素の原子比率 角度分解Ｘ線光電子分光法（Ａｎｇｌｅ Ｒｅｓｏｌｖ
ｅｄ ＸＰＳ：パーキンエルマーＰＨＩ社製、５４００
ＭＣ）による表面分析である。炭素膜二層の場合は別途
サンプルを試作し、各々表面分析を行った。 （３）密度 炭素膜の密度は、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢ
Ｓ）の測定データより算出した。 （４）硬度 炭素膜の硬度は、別途１〜３μｍ程度形成させた試料を
作製し、微小硬度計を用いてビッカース硬度を測定、そ
の膜厚依存性から外挿法によりビッカース硬度を算出し
た。 （５）スチル寿命 市販デジタルＶＴＲ（ＤＶＣ：ＮＶ−ＤＪ１、松下電器
（株）製）を改造し、３℃５％ＲＨ環境下におけるスチ
ル寿命を測定した。 （６）走行耐久性試験後のエラーレート変化率、出力低
下 エラーレート測定用，ＲＦ出力測定用に改造した市販デ
ジタルＶＴＲ（ＮＶ−ＤＪ１、松下電器（株）製）を用
い、各６．３５ｍｍ幅テープ試料に映像信号を記録し、
エラーレート，ＲＦ出力を各々測定した。その後、４０
℃８０％ＲＨの環境下で３００パス，３００時間走行さ
せた。その試験後にも、エラーレート，ＲＦ出力を測定
し、試験前に対する試験後の変化率を倍率，デシベル表
示で各々示した。なお、出力低下は走行中に再生したＲ
Ｆ出力を整流し、ペンレコーダ（松下通信（株）製、Ｖ
Ｐ−６５２４Ａ）に記録し測定した。 （７）錆、剥離 各６．３５ｍｍ幅テープ試料を４０℃９０％ＲＨの環境
下で、３０日間放置する耐候保存性試験を行った。耐候
保存性試験後に、テープ試料を微分干渉顕微鏡で状態観
察をし、５段階評価を行った。評価は実用的に全く問題
のないものを５とし、実用的に問題を発生したものを１
とした。 （８）（７）の耐候保存性試験後に、ＲＦ出力測定用に
改造した市販デジタルＶＴＲ（ＮＶ−ＤＪ１、松下電器
（株）製）を用い、２３℃６０％ＲＨの環境下で１００
パス，１００時間走行させた。その試験前に映像を記録
し、走行中に再生したＲＦ出力を整流し、ペンレコーダ
（松下通信（株）製、ＶＰ−６５２４Ａ）に記録し、目
づまりを測定した。目づまりは６ｄＢ以上低下したとこ
ろをヘッド目づまりとし、そのトータル時間を計測し
た。
【００３６】得られた結果を表１，表２に示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【表２】
【００３９】表１，表２から明らかなように、実施例１
〜６のスチル寿命はいずれも６０分以上であり、エラー
レート変化率ならびに出力低下は小さく、錆／剥離の評
価は４以上であり、ヘッド目づまりのトータル時間は２
秒以下であった。このように、強磁性金属薄膜３上にケ
イ素原子濃度が最表面から深さ方向に向かって増加する
ケイ素原子含有炭素膜２，潤滑剤層１を順次形成するこ
とを特徴とする実施例１〜３、ならびに強磁性金属薄膜
９上にケイ素原子含有炭素膜８，炭素膜７，潤滑剤層６
を順次形成し、かつケイ素原子含有炭素膜８の膜厚が炭
素膜全膜厚の３０％以下であることを特徴とする実施例
４、ならびに強磁性金属薄膜９上にケイ素原子含有炭素
膜８，窒素原子を含有する炭素膜７，潤滑剤層６を順次
形成し、かつケイ素原子含有炭素膜８の膜厚が炭素膜全
膜厚の３０％以下であることを特徴とする実施例５，６
の各実施例において、スチル寿命，走行耐久性，耐候保
存性等の総合耐久性の点で優れていることが明らかであ
る。
〜６のスチル寿命はいずれも６０分以上であり、エラー
レート変化率ならびに出力低下は小さく、錆／剥離の評
価は４以上であり、ヘッド目づまりのトータル時間は２
秒以下であった。このように、強磁性金属薄膜３上にケ
イ素原子濃度が最表面から深さ方向に向かって増加する
ケイ素原子含有炭素膜２，潤滑剤層１を順次形成するこ
とを特徴とする実施例１〜３、ならびに強磁性金属薄膜
９上にケイ素原子含有炭素膜８，炭素膜７，潤滑剤層６
を順次形成し、かつケイ素原子含有炭素膜８の膜厚が炭
素膜全膜厚の３０％以下であることを特徴とする実施例
４、ならびに強磁性金属薄膜９上にケイ素原子含有炭素
膜８，窒素原子を含有する炭素膜７，潤滑剤層６を順次
形成し、かつケイ素原子含有炭素膜８の膜厚が炭素膜全
膜厚の３０％以下であることを特徴とする実施例５，６
の各実施例において、スチル寿命，走行耐久性，耐候保
存性等の総合耐久性の点で優れていることが明らかであ
る。
【００４０】また、図１に示す非磁性基板４上に強磁性
金属薄膜３を真空成膜法で形成し、前記強磁性金属薄膜
３上にケイ素原子含有炭素膜２をプラズマＣＶＤ法で、
真空を破ることなく、順次連続形成してなる磁気記録媒
体においても、あるいは図２に示す非磁性基板１０上に
強磁性金属薄膜９を真空成膜法で形成し、前記強磁性金
属薄膜９上にケイ素原子含有炭素膜８と、炭素膜７また
は窒素原子含有炭素膜７をプラズマＣＶＤ法で、真空を
破ることなく、順次連続形成してなる磁気記録媒体にお
いても、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の総合
耐久性の点で優れていることが明らかである。
金属薄膜３を真空成膜法で形成し、前記強磁性金属薄膜
３上にケイ素原子含有炭素膜２をプラズマＣＶＤ法で、
真空を破ることなく、順次連続形成してなる磁気記録媒
体においても、あるいは図２に示す非磁性基板１０上に
強磁性金属薄膜９を真空成膜法で形成し、前記強磁性金
属薄膜９上にケイ素原子含有炭素膜８と、炭素膜７また
は窒素原子含有炭素膜７をプラズマＣＶＤ法で、真空を
破ることなく、順次連続形成してなる磁気記録媒体にお
いても、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の総合
耐久性の点で優れていることが明らかである。
【００４１】なお、上記実施の形態では、市販デジタル
ＶＴＲ用テープのみについて説明したが、これに限定さ
れるものではなく、他の強磁性金属薄膜型磁気テープ，
磁気ディスク等についても適用できる。また、上記実施
の形態では、含フッ素系潤滑剤層１，６の極性基として
−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲについてのみ示したが、−Ｏ
Ｈ、−ＮＨ2 、＞ＮＨ、−ＳＨ、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ2 、−
Ｃ（Ｓ）ＮＲ2 、−Ｐ（Ｏ）ＮＲ2 、−Ｐ（Ｓ）Ｎ
Ｒ2 、＞ＰＲ、＞Ｐ（ＯＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ）、
＞Ｐ（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）
（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（ＯＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（Ｏ
Ｒ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ）（ＳＲ）、＞Ｐ
（ＯＲ）（ＳＲ）、−ＳＯ3 Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１
〜２２の炭化水素基または水素、Ｍは水素，アルカリ金
属またはアルカリ土類金属）から選ばれた一種類以上の
極性基を有する含フッ素系潤滑剤層であれば同様に適用
可能である。
ＶＴＲ用テープのみについて説明したが、これに限定さ
れるものではなく、他の強磁性金属薄膜型磁気テープ，
磁気ディスク等についても適用できる。また、上記実施
の形態では、含フッ素系潤滑剤層１，６の極性基として
−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲについてのみ示したが、−Ｏ
Ｈ、−ＮＨ2 、＞ＮＨ、−ＳＨ、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ2 、−
Ｃ（Ｓ）ＮＲ2 、−Ｐ（Ｏ）ＮＲ2 、−Ｐ（Ｓ）Ｎ
Ｒ2 、＞ＰＲ、＞Ｐ（ＯＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ）、
＞Ｐ（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）
（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（ＯＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（Ｏ
Ｒ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ）（ＳＲ）、＞Ｐ
（ＯＲ）（ＳＲ）、−ＳＯ3 Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１
〜２２の炭化水素基または水素、Ｍは水素，アルカリ金
属またはアルカリ土類金属）から選ばれた一種類以上の
極性基を有する含フッ素系潤滑剤層であれば同様に適用
可能である。
【００４２】さらに、上記実施の形態では潤滑剤層１，
６を湿式塗布法（リバースロールコータ）で塗布した
が、有機蒸着法で形成しても全く同じ作用効果を有する
ものである。
６を湿式塗布法（リバースロールコータ）で塗布した
が、有機蒸着法で形成しても全く同じ作用効果を有する
ものである。
【００４３】
【発明の効果】請求項１および請求項２の磁気記録媒体
によると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜間、
およびケイ素原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強度が
向上し、これらの相乗効果により、電磁変換特性を損な
うことなく、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の
総合耐久性が向上するという効果が得られる。
によると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜間、
およびケイ素原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強度が
向上し、これらの相乗効果により、電磁変換特性を損な
うことなく、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の
総合耐久性が向上するという効果が得られる。
【００４４】請求項３および請求項４の磁気記録媒体に
よると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，炭素
膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，炭素膜と潤滑剤層
間の付着強度が向上し、これらの相乗効果により、電磁
変換特性を損なうことなく、スチル寿命，走行耐久性，
耐候保存性等の総合耐久性が向上するという効果が得ら
れる。
よると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，炭素
膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，炭素膜と潤滑剤層
間の付着強度が向上し、これらの相乗効果により、電磁
変換特性を損なうことなく、スチル寿命，走行耐久性，
耐候保存性等の総合耐久性が向上するという効果が得ら
れる。
【００４５】請求項５および請求項６の磁気記録媒体に
よると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，窒素
原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，窒素
原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強度が向上し、これ
らの相乗効果により、電磁変換特性を損なうことなく、
スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の総合耐久性が
向上するという効果が得られる。
よると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，窒素
原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素膜，窒素
原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強度が向上し、これ
らの相乗効果により、電磁変換特性を損なうことなく、
スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性等の総合耐久性が
向上するという効果が得られる。
【００４６】請求項１２の磁気記録媒体の製造方法によ
ると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，炭素
膜、窒素原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素
膜，炭素膜、窒素原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強
度が向上し、これらの相乗効果により、電磁変換特性を
損なうことなく、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性
等の総合耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
ると、強磁性金属薄膜とケイ素原子含有炭素膜，炭素
膜、窒素原子含有炭素膜間、およびケイ素原子含有炭素
膜，炭素膜、窒素原子含有炭素膜と潤滑剤層間の付着強
度が向上し、これらの相乗効果により、電磁変換特性を
損なうことなく、スチル寿命，走行耐久性，耐候保存性
等の総合耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
【図１】第１の実施の形態である金属薄膜型磁気テープ
の断面図である。
の断面図である。
【図２】第２の実施の形態である金属薄膜型磁気テープ
の断面図である。
の断面図である。
【図３】この発明の炭素膜形成装置の概略図である。
１，６ 潤滑剤層 ２ ケイ素原子含有炭素膜 ３，９ 強磁性金属薄膜 ４，１０ 非磁性基板 ５，１１ バックコート層 ７ 炭素膜もしくは窒素原子含有炭素膜 ８ ケイ素原子含有炭素膜 １２ 真空槽 １３ 排気口 １４ 真空ポンプ １５，２０ 放電管 １６，２１ プラズマ発生用電源 １７，２２ 電極 １８，１９，２３，２４ 原料ガス導入口 ２５ 巻出しリール ２６ 金属薄膜型磁気テープ ２７ 冷却用キャン ２８ 巻取りリール
フロントページの続き (72)発明者 村居 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 非磁性基板と、この非磁性基板上に形成
した強磁性金属薄膜と、この強磁性金属薄膜上に形成し
ケイ素原子濃度が最表面から深さ方向に向かって増加す
るケイ素原子含有炭素膜と、このケイ素原子含有炭素膜
上に形成した潤滑剤層とを備えた磁気記録媒体。 - 【請求項２】 ケイ素原子含有炭素膜に関するラマンス
ペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存在する第１のピーク
と１５５０ｃｍ-1付近に存在する第２のピークとを持
ち、前記第１のピークと前記第２のピークの積分強度比
が、０．６〜３．５であることを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板と、この非磁性基板上に形成
した強磁性金属薄膜と、この強磁性金属薄膜上に形成し
たケイ素原子含有炭素膜と、このケイ素原子含有炭素膜
上に形成した炭素膜と、この炭素膜上に形成した潤滑剤
層とを備え、前記ケイ素原子含有炭素膜の膜厚を炭素膜
全膜厚の３０％以下とした磁気記録媒体。 - 【請求項４】 ケイ素原子含有炭素膜および炭素膜に関
するラマンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存在する
第１のピークと１５５０ｃｍ-1付近に存在する第２のピ
ークとを持ち、前記第１のピークと前記第２のピークの
積分強度比が、ケイ素原子含有炭素膜は０．６〜３．５
であり、炭素膜は０．４〜３．０であることを特徴とす
る請求項３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板と、この非磁性基板上に形成
した強磁性金属薄膜と、この強磁性金属薄膜上に形成し
たケイ素原子含有炭素膜と、このケイ素原子含有炭素膜
上に形成した窒素原子含有炭素膜と、この窒素原子含有
炭素膜上に形成した潤滑剤層とを備え、前記ケイ素原子
含有炭素膜の膜厚を炭素膜全膜厚の３０％以下とした磁
気記録媒体。 - 【請求項６】 ケイ素原子含有炭素膜および窒素原子含
有炭素膜に関するラマンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付
近に存在する第１のピークと１５５０ｃｍ-1付近に存在
する第２のピークとを持ち、前記第１のピークと前記第
２のピークの積分強度比が、ケイ素原子含有炭素膜は
０．６〜３．５であり、窒素原子含有炭素膜は１．２〜
３．０であることを特徴とする請求項５記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項７】 ケイ素原子含有炭素膜中の炭素に対する
ケイ素の原子比率が０．５％〜３．０％であることを特
徴とする請求項１または請求項３または請求項５記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項８】 窒素原子含有炭素膜中の炭素に対する窒
素の原子比率が５．０％〜２０．０％であることを特徴
とする請求項５記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 ケイ素原子含有炭素膜，炭素膜および窒
素原子含有炭素膜の密度が１．５ｇ／ｃｍ3 以上である
ことを特徴とする請求項１または請求項３または請求項
５記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 ケイ素原子含有炭素膜，炭素膜および
窒素原子含有炭素膜のビッカース硬度が１８００ｋｇ／
ｍｍ2 以上であることを特徴とする請求項１または請求
項３または請求項５記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 潤滑剤層が、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ
Ｒ、−ＯＨ、−ＮＨ2 、＞ＮＨ、−ＳＨ、−Ｃ（Ｏ）Ｎ
Ｒ2 、−Ｃ（Ｓ）ＮＲ2 、−Ｐ（Ｏ）ＮＲ2 、−Ｐ
（Ｓ）ＮＲ2 、＞ＰＲ、＞Ｐ（ＯＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）
（ＯＲ）、＞Ｐ（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（ＳＲ）、＞Ｐ
（＝Ｏ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｓ）（ＯＲ）、＞Ｐ（＝
Ｓ）（ＯＲ）（ＳＲ）、＞Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ）（Ｓ
Ｒ）、＞Ｐ（ＯＲ）（ＳＲ）、−ＳＯ3 Ｍ（ただし、Ｒ
は炭素数１〜２２の炭化水素基または水素、Ｍは水素，
アルカリ金属またはアルカリ土類金属）から選ばれた一
種類以上の極性基を有する含フッ素系潤滑剤層であるこ
とを特徴とする請求項１または請求項３または請求項５
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 非磁性基板上に強磁性金属薄膜を真空
成膜法で形成し、前記強磁性金属薄膜上にケイ素原子含
有炭素膜と、炭素膜または窒素原子含有炭素膜をプラズ
マＣＶＤ法で、真空を破ることなく、順次連続形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34091496A JPH10188253A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34091496A JPH10188253A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188253A true JPH10188253A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18341473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34091496A Pending JPH10188253A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10188253A (ja) |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34091496A patent/JPH10188253A/ja active Pending
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