JPS58189835A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS58189835A JPS58189835A JP57073608A JP7360882A JPS58189835A JP S58189835 A JPS58189835 A JP S58189835A JP 57073608 A JP57073608 A JP 57073608A JP 7360882 A JP7360882 A JP 7360882A JP S58189835 A JPS58189835 A JP S58189835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin metallic
- ferromagnetic
- ferromagnetic thin
- film
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、走行安定性、耐久性の改善された強磁性金属
薄膜型磁気記録媒体に関するものである１、鉄、コバル
ト、ニッケル、またはこれらを主成分とする合金、ある
いは、それらに酸素を含有せしめた金属薄膜を、真空蒸
着、スパッタリング。
薄膜型磁気記録媒体に関するものである１、鉄、コバル
ト、ニッケル、またはこれらを主成分とする合金、ある
いは、それらに酸素を含有せしめた金属薄膜を、真空蒸
着、スパッタリング。
イオンブレーティング等の真空中製膜法でポリエステル
フィルム、ポリイミドフィルム等の高分子フィルム−や
、非磁性金属薄板等より成る基板ＩＩ ＩＣ形成した強
磁ｆト金属薄膜型磁気記録媒体は、従来の塗布型磁気記
録媒体に比べて記録密度を飛躍的に向上せしめることが
可能であるが、この高密度化実現のためには、磁気ヘッ
ドのギャップを小さくシ、併せて磁気記録媒体の表面を
平滑化せしめてスペーシングロスを極力減少せしめる必
要がある。具体的なスペーシングの値としては６００Å
以下、さらに好ましくは３００Å以下が要求されている
。−１磁気記録媒体表面形状を微細に制御することによ
り、ヘッドタッチ、走行性はかなり改善され得るものの
、本質的に、ヘッド−媒体間の接触面積を大巾に減少せ
しめることは困難であり、摩擦係数が大きくなる傾向は
避は難い。
フィルム、ポリイミドフィルム等の高分子フィルム−や
、非磁性金属薄板等より成る基板ＩＩ ＩＣ形成した強
磁ｆト金属薄膜型磁気記録媒体は、従来の塗布型磁気記
録媒体に比べて記録密度を飛躍的に向上せしめることが
可能であるが、この高密度化実現のためには、磁気ヘッ
ドのギャップを小さくシ、併せて磁気記録媒体の表面を
平滑化せしめてスペーシングロスを極力減少せしめる必
要がある。具体的なスペーシングの値としては６００Å
以下、さらに好ましくは３００Å以下が要求されている
。−１磁気記録媒体表面形状を微細に制御することによ
り、ヘッドタッチ、走行性はかなり改善され得るものの
、本質的に、ヘッド−媒体間の接触面積を大巾に減少せ
しめることは困難であり、摩擦係数が大きくなる傾向は
避は難い。
また、一般に強磁性体金属は高温度中で腐食を生じ易く
、これを避けるために、磁性層の合理化。
、これを避けるために、磁性層の合理化。
酸素含有化等の改善化に加えて防錆剤の適用が提案され
ている。防錆剤は、通常、強磁性金属イオンと結合する
特定の極性基を有する化合物であり、強ｈａ性薄膜上に
吸着せしめることにより錆発生を防１卜するものである
が、ヘッドタッチ、走行性の改善効果はほとんどなく、
過剰に付着せしめるとヘッド目つまりを発生させるとい
う欠点があることが明らかになった。
ている。防錆剤は、通常、強磁性金属イオンと結合する
特定の極性基を有する化合物であり、強ｈａ性薄膜上に
吸着せしめることにより錆発生を防１卜するものである
が、ヘッドタッチ、走行性の改善効果はほとんどなく、
過剰に付着せしめるとヘッド目つまりを発生させるとい
う欠点があることが明らかになった。
他方、ヘッド−磁気記録媒体間の摩擦係数を下げる目的
で各種の滑剤の適用が提案されているが特殊なものを除
外すれば、これらの滑剤は防錆効果は示さず、時には腐
食促進剤となる場合もあることが明らかとなった。
で各種の滑剤の適用が提案されているが特殊なものを除
外すれば、これらの滑剤は防錆効果は示さず、時には腐
食促進剤となる場合もあることが明らかとなった。
本発明は、上記の防錆剤および滑剤の各欠点を補い長所
を活用できる構成の提案に係るものであり、走行安定性
、耐久性の優れた強磁性金属薄膜型磁気記録媒体に関す
るものである。
を活用できる構成の提案に係るものであり、走行安定性
、耐久性の優れた強磁性金属薄膜型磁気記録媒体に関す
るものである。
すなわち本発明は、非磁性基板上に形成された強磁性金
属薄膜の表面に防錆剤の吸着層を設け、前記吸着層上に
滑剤層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体に関する
。
属薄膜の表面に防錆剤の吸着層を設け、前記吸着層上に
滑剤層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体に関する
。
第１〜３図は本発明の磁気記録媒体の構成例を模型的に
示したものである。図中、１．１’、１″は基板、２．
２’、グは強磁性金属薄膜、３．３’、プは防錆剤の吸
着層、４，４′、４″は滑剤層、６は酸素含有強磁性金
属薄膜層の表面を覆っている強磁性金属の酸化物層であ
る。第１図の例では、防錆剤３の上に滑剤４が均一に吸
着している。第２図の例では、防錆剤３′の上に滑剤４
′は凝集して、島状に吸着している。第３図は第１，２
図より、ミクロ的な見方をした例であって、微址の酸素
ガスの存在下で強磁性金属を斜め蒸着して得られる。
示したものである。図中、１．１’、１″は基板、２．
２’、グは強磁性金属薄膜、３．３’、プは防錆剤の吸
着層、４，４′、４″は滑剤層、６は酸素含有強磁性金
属薄膜層の表面を覆っている強磁性金属の酸化物層であ
る。第１図の例では、防錆剤３の上に滑剤４が均一に吸
着している。第２図の例では、防錆剤３′の上に滑剤４
′は凝集して、島状に吸着している。第３図は第１，２
図より、ミクロ的な見方をした例であって、微址の酸素
ガスの存在下で強磁性金属を斜め蒸着して得られる。
表面が酸化物層で被膜された柱状結晶構造から成る強磁
性金属薄膜２′上に防錆剤吸着層百′、その表向に滑剤
層４′を存在せしめた例を示している。これらの図から
明らかなように、本発明の磁気記録媒体ＶＣおいては、
強磁性金属薄膜が防錆剤吸着層で覆われているため耐食
性良好であり、表面に存在せしめた滑剤層の助けで、ヘ
ッドとの摩擦係数も低下し繰り返し走行における磁気記
録媒体光面の耐摩耗性も向上する。また、意外なことに
強磁性金属薄膜に直接、滑剤を吸着させた場合よりも、
防錆剤層を介在させることによって、滑剤の吸着がより
強固になるということが明らかになった。
性金属薄膜２′上に防錆剤吸着層百′、その表向に滑剤
層４′を存在せしめた例を示している。これらの図から
明らかなように、本発明の磁気記録媒体ＶＣおいては、
強磁性金属薄膜が防錆剤吸着層で覆われているため耐食
性良好であり、表面に存在せしめた滑剤層の助けで、ヘ
ッドとの摩擦係数も低下し繰り返し走行における磁気記
録媒体光面の耐摩耗性も向上する。また、意外なことに
強磁性金属薄膜に直接、滑剤を吸着させた場合よりも、
防錆剤層を介在させることによって、滑剤の吸着がより
強固になるということが明らかになった。
非磁性基板としては、ポリエステルフィルム。
ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム。
アルミ板、ステンレス板等の金属板、ガラス板。
セラミック板等の無機質の板などが用いられる。
強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の表面性は磁性層厚さか
０１〜０６μｍ程度と非常に小さいため、基板の表面形
状に依存する度合いが太きい。したがって、特開昭６３
−１１６１１６号公報、特開昭６６−１６９３７号公報
、特開昭６７−３７７１９号公報等に記載されている表
面形状を微細に制御したものが本発明用基板としてはと
くに望ましい。
０１〜０６μｍ程度と非常に小さいため、基板の表面形
状に依存する度合いが太きい。したがって、特開昭６３
−１１６１１６号公報、特開昭６６−１６９３７号公報
、特開昭６７−３７７１９号公報等に記載されている表
面形状を微細に制御したものが本発明用基板としてはと
くに望ましい。
強磁性金属薄膜としては、鉄、コノくルト、ニッケル、
またはそれらの合金を真空蒸着、イオンプレーティ／グ
、スパッタリング等により基板上に直接、あるいは、ア
ルミニウム、チタン、クロム等の非磁性下地薄膜を介し
て薄膜状に形成させたもの、あるいは、上記非磁性薄膜
を強磁性薄膜の中間セパレータとして挿入したもの等が
使用でき、とくに、強磁性薄膜および下地薄膜に酸素を
含有させる（金属を部分的に酸化させる）ことにより基
板との付着強度や耐食性、磁気特性等を改善したものが
とくに望ましい。後者については、特公昭５６−２３２
０８号公報、特開昭５３−４２０１０号公報、特開昭５
６−１５０１４号公報、特開昭６７−３７７１９号公報
等に記載されている。
またはそれらの合金を真空蒸着、イオンプレーティ／グ
、スパッタリング等により基板上に直接、あるいは、ア
ルミニウム、チタン、クロム等の非磁性下地薄膜を介し
て薄膜状に形成させたもの、あるいは、上記非磁性薄膜
を強磁性薄膜の中間セパレータとして挿入したもの等が
使用でき、とくに、強磁性薄膜および下地薄膜に酸素を
含有させる（金属を部分的に酸化させる）ことにより基
板との付着強度や耐食性、磁気特性等を改善したものが
とくに望ましい。後者については、特公昭５６−２３２
０８号公報、特開昭５３−４２０１０号公報、特開昭５
６−１５０１４号公報、特開昭６７−３７７１９号公報
等に記載されている。
防錆剤吸着層を形成すべき防錆剤としては、酸素をとく
に含有させない強磁性金属薄膜に対しては、一般の金属
に使用されている防錆剤が使用でき、それらの例として
は、アルキルアミン、アルキルアミンの脂肪酸塩等の塩
基性窒素化合物、アルキルホスフェート、アルキルチオ
ホスフェートアルキルハイドロジエン・リン酸エステル
および亜リン酸エステル等のリン化合物２朽油スルホネ
ート、マホガニー酸スルホネート、ジノニルナフタレン
スルホネート等のスルホン酸塩、ソルビタンモノオレエ
ート、有機酸のメチルエステル等の特定のエステル類２
石油酸・アビエチン酸の金属石ケン、α−メルカプトス
テアリン酸等の特定カルボン酸誘導体類があり、さらに
、ジシクロヘキシルアンモニウムナイトライト、ジイン
プロピルアンモニウムナイトライト、シクロヘキシルア
ミンカルバメート等のいわゆる気化性防錆剤も使用可能
である。これらの例につい・ては、たとえば「金属表面
技術便覧」新版、金属表面技術協会編（昭和３８年発行
２発行元、日刊工業新聞社）の１４１７〜１４３９ペー
ジに記載されている。
に含有させない強磁性金属薄膜に対しては、一般の金属
に使用されている防錆剤が使用でき、それらの例として
は、アルキルアミン、アルキルアミンの脂肪酸塩等の塩
基性窒素化合物、アルキルホスフェート、アルキルチオ
ホスフェートアルキルハイドロジエン・リン酸エステル
および亜リン酸エステル等のリン化合物２朽油スルホネ
ート、マホガニー酸スルホネート、ジノニルナフタレン
スルホネート等のスルホン酸塩、ソルビタンモノオレエ
ート、有機酸のメチルエステル等の特定のエステル類２
石油酸・アビエチン酸の金属石ケン、α−メルカプトス
テアリン酸等の特定カルボン酸誘導体類があり、さらに
、ジシクロヘキシルアンモニウムナイトライト、ジイン
プロピルアンモニウムナイトライト、シクロヘキシルア
ミンカルバメート等のいわゆる気化性防錆剤も使用可能
である。これらの例につい・ては、たとえば「金属表面
技術便覧」新版、金属表面技術協会編（昭和３８年発行
２発行元、日刊工業新聞社）の１４１７〜１４３９ペー
ジに記載されている。
丑だ、酸素を含有する強磁性金属薄膜に対しては、前記
の一般金属に使用される防錆剤が必ずしも適当であると
はいえず、実際それらの防錆剤を適用すると逆に腐食を
促進させる場合もあるため公知の防錆剤とは別に酸素を
含む強磁性薄膜にコ閥合するものを使用することが肝要
である。この目的に合った防錆剤としては、二価フェノ
ール類。
の一般金属に使用される防錆剤が必ずしも適当であると
はいえず、実際それらの防錆剤を適用すると逆に腐食を
促進させる場合もあるため公知の防錆剤とは別に酸素を
含む強磁性薄膜にコ閥合するものを使用することが肝要
である。この目的に合った防錆剤としては、二価フェノ
ール類。
ジアリルケトン類、アルキルフェノール、ナフトール類
、キノン類、ニトロソ化合物、オキンム化合物等があり
、これらをさらに詳細に示すと次のようになる。
、キノン類、ニトロソ化合物、オキンム化合物等があり
、これらをさらに詳細に示すと次のようになる。
二価フェノール類とは、ハイドロキノン、レゾルシン、
カテコール等の純フェノール類、およびそれらの、アル
キルアミノ、ニトロ、ニトロン。
カテコール等の純フェノール類、およびそれらの、アル
キルアミノ、ニトロ、ニトロン。
ハロゲン置換体、たとえば、２−メチルハイドロキノン
、４−メチルレゾルシノール、６−メチルレゾルシノー
ル、４−メチルピロカテコール、２゜６−シメチルハイ
ドロキノン、４，６−シメチルレゾルシノール、２，６
−シメチルレゾルシノール、２−インブロビル−６−メ
チルハイドロキノン、２−ｔａｒｔ −グチルハイドロ
キノン、２，５−ジーｔｅｒｔ −ブチルハイドロキ
ノン、４−ｔｅｒｔ −フチルカテコール、２−アミル
ゾルシノール、２−ニトロレゾルシノール、２．５−ジ
クロロヒドロキノン、等を指すものである。
、４−メチルレゾルシノール、６−メチルレゾルシノー
ル、４−メチルピロカテコール、２゜６−シメチルハイ
ドロキノン、４，６−シメチルレゾルシノール、２，６
−シメチルレゾルシノール、２−インブロビル−６−メ
チルハイドロキノン、２−ｔａｒｔ −グチルハイドロ
キノン、２，５−ジーｔｅｒｔ −ブチルハイドロキ
ノン、４−ｔｅｒｔ −フチルカテコール、２−アミル
ゾルシノール、２−ニトロレゾルシノール、２．５−ジ
クロロヒドロキノン、等を指すものである。
ジアリルケトン類とは、ベンゾフェノ／およびその誘導
体を指し、たとえば、ベンゾフェノン、４−メチルベン
ゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、３，４−ジメ
チルベンゾフェノン、４゜４′−ジメチルベンゾフェノ
ン、３．４’−ジメチルベンゾフェノン、４−エチルベ
ンゾフェノン等ノアルキル置換体、４−ヒドロキシベン
ゾフェノン、４．４′−ジヒドロキシベンゾフェノン、
２，３゜４− ） ！Ｊヒドロベンゾフェノン、２，４
−ジヒドロキシベンゾフェノン、２．２’、６．６’−
テトラヒドロベンゾフェノン、２ 、３’、４ 、４’
、 ６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等のヒドロ
キシベンゾフェノン類、４−アミノベンゾフェノン、４
゜４′−ジアミノベンゾフェノン等のアミノベンゾフェ
ノン類、あるいは２種以上の置換基を有するベンゾフェ
ノン類、たとえば、４−メトキシ−２−ヒドロキシベン
ゾフェノン、２．２′−ジヒドロキシ−４，４′−ジメ
トキシベンゾフェノン、２．６−シヒドロキンー４−メ
トキシベンゾフェノン等、を指すものである。
体を指し、たとえば、ベンゾフェノン、４−メチルベン
ゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、３，４−ジメ
チルベンゾフェノン、４゜４′−ジメチルベンゾフェノ
ン、３．４’−ジメチルベンゾフェノン、４−エチルベ
ンゾフェノン等ノアルキル置換体、４−ヒドロキシベン
ゾフェノン、４．４′−ジヒドロキシベンゾフェノン、
２，３゜４− ） ！Ｊヒドロベンゾフェノン、２，４
−ジヒドロキシベンゾフェノン、２．２’、６．６’−
テトラヒドロベンゾフェノン、２ 、３’、４ 、４’
、 ６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等のヒドロ
キシベンゾフェノン類、４−アミノベンゾフェノン、４
゜４′−ジアミノベンゾフェノン等のアミノベンゾフェ
ノン類、あるいは２種以上の置換基を有するベンゾフェ
ノン類、たとえば、４−メトキシ−２−ヒドロキシベン
ゾフェノン、２．２′−ジヒドロキシ−４，４′−ジメ
トキシベンゾフェノン、２．６−シヒドロキンー４−メ
トキシベンゾフェノン等、を指すものである。
アルキルフェノールとは、−価フエノールのアルギル置
換体を指し、たとえば、０−クレゾール。
換体を指し、たとえば、０−クレゾール。
ｍ−クレゾール、ｐ−：９レゾール、０エチルフエ／−
ノし、ｍ−エチルフェノール、ｐ−１チル７ユノール、
２，３−ジメチルフェノール、２．５−メチルフェノー
ル、２，６−ジメチルフェノール。
ノし、ｍ−エチルフェノール、ｐ−１チル７ユノール、
２，３−ジメチルフェノール、２．５−メチルフェノー
ル、２，６−ジメチルフェノール。
３．４−ジメチルフゴノール、３，６−ジツチルフエノ
ール、２，４．６−）ジメチルフェノール。
ール、２，４．６−）ジメチルフェノール。
２．４．５−トリメチルフェノール、５−イソプロピル
−２−メチルフェノール、２−イソプロピル−５−メチ
ルフェノール、 ｐ −ｔｅｒｔ −フ゛チルフユノ
ール、２，６−ジーｔｅｘ ｔ −ブチル−ｐ−クレゾ
ール、 ４ 、４′−メチレンビス−２，６−シーｔｅ
ｒｔ−フチルフェノール、２，６−シメチルー ４−
ｔｅｒ ｔ −フ′チルフェノール、 ２− ｔｅｒ
ｔ −アミル−４−メチルフェノール、２−メチル（。
−２−メチルフェノール、２−イソプロピル−５−メチ
ルフェノール、 ｐ −ｔｅｒｔ −フ゛チルフユノ
ール、２，６−ジーｔｅｘ ｔ −ブチル−ｐ−クレゾ
ール、 ４ 、４′−メチレンビス−２，６−シーｔｅ
ｒｔ−フチルフェノール、２，６−シメチルー ４−
ｔｅｒ ｔ −フ′チルフェノール、 ２− ｔｅｒ
ｔ −アミル−４−メチルフェノール、２−メチル（。
６−ジーｔｅｒｔ −ブチルフェノール、２．４．６−
トリーｔｅｒ ｔ −）゛チルフェノール、等がある。
トリーｔｅｒ ｔ −）゛チルフェノール、等がある。
ナフトール類とはα−ナフトール、β−ナフトール、１
，２−ナフタレンジオール、１，４．６−ナフタレンジ
オール、１．２，５．８−ナフタレンテトラオール等の
純ナフトール類および、ニトロ、ニトロソ、アミノ、ハ
ロゲノ置換ナフトール類、たとえば、１−クロロ−２−
ナフトール、２．４−ジクロロ−１−ナフトール、１−
ニトロ−２−ナフトール、１，６−シニトロー２−ナフ
トール、１−二トロソー２−ナフトール、２−ニトロン
−１−ナフトール、１−アミノ−２−ナフトール、等ヲ
指すものである。
，２−ナフタレンジオール、１，４．６−ナフタレンジ
オール、１．２，５．８−ナフタレンテトラオール等の
純ナフトール類および、ニトロ、ニトロソ、アミノ、ハ
ロゲノ置換ナフトール類、たとえば、１−クロロ−２−
ナフトール、２．４−ジクロロ−１−ナフトール、１−
ニトロ−２−ナフトール、１，６−シニトロー２−ナフ
トール、１−二トロソー２−ナフトール、２−ニトロン
−１−ナフトール、１−アミノ−２−ナフトール、等ヲ
指すものである。
キノン類とは、Ｐ−ベンゾキノン、○−ベンゾキノン、
１，２−ナフトキノン、１，４−太フトキノン、２，６
−ナフドキノン、アントラキノン。
１，２−ナフトキノン、１，４−太フトキノン、２，６
−ナフドキノン、アントラキノン。
９−１０−７エナンスレンキノン、ジフェノキノン等の
置換基のないキノン、メチル−Ｐ−ペンソキノン、２，
３〜ジメチル−Ｐ−ベンゾキノン。
置換基のないキノン、メチル−Ｐ−ペンソキノン、２，
３〜ジメチル−Ｐ−ベンゾキノン。
２−メチル−１，４ナフトキノン、２−メチルアントラ
キノン等のメチルキノン等、２，５−ジヒドロキソ−Ｐ
−ベンゾキノン、テトラヒドロキン−Ｐ−ベンゾキノン
、５−ヒドロキノ−１，４−ナフトキノン、２，３−ジ
ヒドロキシ−１，４−ナツドキノン、５，８−ジヒドロ
キン−１，４−ナツトキノン、２−ヒドロキシアントラ
キン、１゜２−ジヒドロキシアントラキノン、１，２．
３−トリヒドロキンアントラキノン、１，２．４−トリ
ヒドロキシアントラキノン、１，２．５−）ジヒドロキ
シアントラキノン、１，２．６−）ジヒドロキシアント
ラキノン、１．２．７−トリヒドロキシアントラキノン
、等のヒドロキンキノン類。
キノン等のメチルキノン等、２，５−ジヒドロキソ−Ｐ
−ベンゾキノン、テトラヒドロキン−Ｐ−ベンゾキノン
、５−ヒドロキノ−１，４−ナフトキノン、２，３−ジ
ヒドロキシ−１，４−ナツドキノン、５，８−ジヒドロ
キン−１，４−ナツトキノン、２−ヒドロキシアントラ
キン、１゜２−ジヒドロキシアントラキノン、１，２．
３−トリヒドロキンアントラキノン、１，２．４−トリ
ヒドロキシアントラキノン、１，２．５−）ジヒドロキ
シアントラキノン、１，２．６−）ジヒドロキシアント
ラキノン、１．２．７−トリヒドロキシアントラキノン
、等のヒドロキンキノン類。
２−アミノ−アントラキノン、１．２−ジアミノアント
ラキノン等のアミノキノン類、１−ニトロアノトラキノ
ン、１，５−ジニトロアントラキノン等ノニトロキノン
類、２．６−シクロローｐ−ベンゾキノン、テトラクロ
ロ−Ｐ−ベンゾキノン。
ラキノン等のアミノキノン類、１−ニトロアノトラキノ
ン、１，５−ジニトロアントラキノン等ノニトロキノン
類、２．６−シクロローｐ−ベンゾキノン、テトラクロ
ロ−Ｐ−ベンゾキノン。
テトラブロモ−Ｐ−ベンゾキノン等のハロゲンキノン類
、あるいに１２種以上の置換基を有するキノン類、たと
えば、２，６−ジクロロ−３，６−シヒドロキ７−Ｐ−
ベンゾキノン、１−メチル−２−ヒドロキン−１，４−
ナフトキノン等を指すものである。
、あるいに１２種以上の置換基を有するキノン類、たと
えば、２，６−ジクロロ−３，６−シヒドロキ７−Ｐ−
ベンゾキノン、１−メチル−２−ヒドロキン−１，４−
ナフトキノン等を指すものである。
ニトロソ化合物と汀、水酸基とニトロン基の両方を有す
る有機化合物であって、ニトロソフェノール系およびニ
トロソナフトール系有機化合物などである。具体的には
、１−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロノー１−
ナフトール、１−ニトロノー２−ナフトール３，６−ジ
スルホン酸２すトリウム塩にトロノＲ塩）、４−ニトロ
ン−２−メトキン−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−’ｆ−トキンー１−フェノール、４−ニトロソカルバ
クロール、６−ニトロン−〇−クレゾール。
る有機化合物であって、ニトロソフェノール系およびニ
トロソナフトール系有機化合物などである。具体的には
、１−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロノー１−
ナフトール、１−ニトロノー２−ナフトール３，６−ジ
スルホン酸２すトリウム塩にトロノＲ塩）、４−ニトロ
ン−２−メトキン−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−’ｆ−トキンー１−フェノール、４−ニトロソカルバ
クロール、６−ニトロン−〇−クレゾール。
４−ニトロノーｍ−クレゾール、０−ニトロソフェ／−
ル、２−．＝−トロンレゾルンン、４−ニトロルゾル７
ノ、２−ニトロンレゾルシンモノメチルエーテル、Ｎ−
ニトロンフェニルヒドロキシル’ｌ”７ンモニウム塩（
クペロン）、Ｐ −＝ト。
ル、２−．＝−トロンレゾルンン、４−ニトロルゾル７
ノ、２−ニトロンレゾルシンモノメチルエーテル、Ｎ−
ニトロンフェニルヒドロキシル’ｌ”７ンモニウム塩（
クペロン）、Ｐ −＝ト。
フェノール、２−ニトロン−１−ナフトール−４−スル
ホン酸、５−ニトロソ−８−キノリノールなとを指すも
のである。
ホン酸、５−ニトロソ−８−キノリノールなとを指すも
のである。
オキシム化合物とは、ベンジルオキシム、グリオキ／ム
、ベンズアルドキシム、ベンズアミドオキシｌい、ａ−
ベンゾインオキシム、アセトフェノンギンム、ベンゾフ
ェノンキシム、：、＞メチルクリオキ／ｌ・、サリチル
アルドキシム等を指すものである５、 強磁＋＜＋−金属薄膜表向に防錆剤の吸着層を設ける方
法としては、−１−記防錆剤を溶剤で希釈して強磁性金
属薄膜上に薄く塗布したり、防錆剤を大気中。
、ベンズアルドキシム、ベンズアミドオキシｌい、ａ−
ベンゾインオキシム、アセトフェノンギンム、ベンゾフ
ェノンキシム、：、＞メチルクリオキ／ｌ・、サリチル
アルドキシム等を指すものである５、 強磁＋＜＋−金属薄膜表向に防錆剤の吸着層を設ける方
法としては、−１−記防錆剤を溶剤で希釈して強磁性金
属薄膜上に薄く塗布したり、防錆剤を大気中。
不活ｆ１ガス中、あるいは真空中で気化せしめてその蒸
気を・強磁性金属表向に当てるなどの手段で竹なう０、
この場合、防錆剤は単体でも複数（Φの混合体ても良い
。防錆剤の吸着を完全ならしめるために吸着時、または
、吸着後に適度の加熱処理をすることも可能である。過
剰に付着した防錆剤は浴剤で洗浄し、て除去することが
望ましい。通常、防錆剤は強磁性金属薄膜表面に化学吸
着かそれに近い状態で強固に吸着するため、溶剤により
除去されることはない。このことは、溶剤洗浄後にも充
分防錆効果が得られる事実から推」１１できＸ線光電子
分光法（ＥＳＣＡ） のケミカル７７ト測定によっても
判別できる。
気を・強磁性金属表向に当てるなどの手段で竹なう０、
この場合、防錆剤は単体でも複数（Φの混合体ても良い
。防錆剤の吸着を完全ならしめるために吸着時、または
、吸着後に適度の加熱処理をすることも可能である。過
剰に付着した防錆剤は浴剤で洗浄し、て除去することが
望ましい。通常、防錆剤は強磁性金属薄膜表面に化学吸
着かそれに近い状態で強固に吸着するため、溶剤により
除去されることはない。このことは、溶剤洗浄後にも充
分防錆効果が得られる事実から推」１１できＸ線光電子
分光法（ＥＳＣＡ） のケミカル７７ト測定によっても
判別できる。
滑剤層は、次Ｖ（述べる滑剤から構成される。滑剤層に
に１帯電防ｌトー剤、防カビ剤などを必要に応じて添加
することもできる。
に１帯電防ｌトー剤、防カビ剤などを必要に応じて添加
することもできる。
滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド
、金属石けん、脂肪族アルコール、パラフィン、ノリコ
ーン、フッ素系界面活性剤などが使丹ｊてきる。この中
で、脂肪酸、フッ素系界面活怖剤なとの一部のものは、
強磁性金属薄膜に対し防錆効果を小すものもあるが、前
述の防錆剤吸着層上（・′こ保存せしめることにより、
それらを単独で使用した場合と比較して、史にその効果
が向−１ニすることから本発明ＶＣおいては滑剤として
使用するのが適当である。
、金属石けん、脂肪族アルコール、パラフィン、ノリコ
ーン、フッ素系界面活性剤などが使丹ｊてきる。この中
で、脂肪酸、フッ素系界面活怖剤なとの一部のものは、
強磁性金属薄膜に対し防錆効果を小すものもあるが、前
述の防錆剤吸着層上（・′こ保存せしめることにより、
それらを単独で使用した場合と比較して、史にその効果
が向−１ニすることから本発明ＶＣおいては滑剤として
使用するのが適当である。
脂肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸。
パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、
リノール酸、リルン酸等の炭素数が１２〜２２個のもの
が使用できる。
リノール酸、リルン酸等の炭素数が１２〜２２個のもの
が使用できる。
脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル。
ステアリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン
酸モノグリセリド、パルミチン酸モノグリセリド、オレ
イン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトールデトラス
テアレート等が使用できる。
酸モノグリセリド、パルミチン酸モノグリセリド、オレ
イン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトールデトラス
テアレート等が使用できる。
脂肪酸−アミドとし、てに１、カプロン酸アミド、カプ
リン酸アミド、ラウリン酸アミｌ−，パルミチン酸アミ
ド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸アミド。
リン酸アミド、ラウリン酸アミｌ−，パルミチン酸アミ
ド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸アミド。
オレイン酸アミド、リノール酸アミド、メチレンヒスス
テアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド等
か使用できる。
テアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド等
か使用できる。
＆ｍ石けんとしては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パル
ミチン酸、ステアリン酸、ベヘ７酸、オレイン酸、リノ
ール酸、リルン酸等の亜鉛、鉛。
ミチン酸、ステアリン酸、ベヘ７酸、オレイン酸、リノ
ール酸、リルン酸等の亜鉛、鉛。
二、ケル、コハル）、鉄、アルミニウム、マクネ／ウム
、ストロンチウム、銅２等との塩、ラウリ／Ｌ／ 、
ハルミｆル、 ミ’）スチル、ステアリルベヘニル、オ
レイル、リノール、リルン等のスルホン酸と上記各種金
属との塩等か使用できる。脂肪族アルコールトシては、
セチルアルコール、ステアリルアルコール等が使用でき
る。
、ストロンチウム、銅２等との塩、ラウリ／Ｌ／ 、
ハルミｆル、 ミ’）スチル、ステアリルベヘニル、オ
レイル、リノール、リルン等のスルホン酸と上記各種金
属との塩等か使用できる。脂肪族アルコールトシては、
セチルアルコール、ステアリルアルコール等が使用でき
る。
パラフィンとし、では、ｎ−オクタデカン、ｎ−ノナデ
カン、ｎ−トリデカン、ｎ−トコサン、ｎ−トドリアコ
ンタン等の飽和炭化水素が使用できる５） ７リコーノと１−７ては、水素がアルキル基−！たは７
ｓニール基で部分置換されたポリシロキサンおよびそ
れらを・、脂肪酸、脂肪族アルコール、酸アミド等で変
ｔ＋しだもの等か使用できる。
カン、ｎ−トリデカン、ｎ−トコサン、ｎ−トドリアコ
ンタン等の飽和炭化水素が使用できる５） ７リコーノと１−７ては、水素がアルキル基−！たは７
ｓニール基で部分置換されたポリシロキサンおよびそ
れらを・、脂肪酸、脂肪族アルコール、酸アミド等で変
ｔ＋しだもの等か使用できる。
フッ素糸界面活性剤としては、パーフロロアルキルカル
ホン酸あ・よひパーフロロアルキルスルホン酸とナトリ
ウム、カリウム、マグネンウム、亜鉛、アルミニウム、
鉄、コバルト、ニッケル等トの塩、バーフロロアルキル
リン酸エステル、パーフロロアルキルベタイン、パーフ
ロロアルキルトリメチルアンモニウム塩、ハーフ０口エ
チレンオキサイド、パーフロロアルキル脂肪酸エステル
等〃；使用できる。
ホン酸あ・よひパーフロロアルキルスルホン酸とナトリ
ウム、カリウム、マグネンウム、亜鉛、アルミニウム、
鉄、コバルト、ニッケル等トの塩、バーフロロアルキル
リン酸エステル、パーフロロアルキルベタイン、パーフ
ロロアルキルトリメチルアンモニウム塩、ハーフ０口エ
チレンオキサイド、パーフロロアルキル脂肪酸エステル
等〃；使用できる。
滑剤１１、Ｑｊ、体でも複数種の混合体でも良い。滑剤
層安定化のために滑剤層形成後熱処理を・行なうことも
可能である。
層安定化のために滑剤層形成後熱処理を・行なうことも
可能である。
滑剤層の厚さに１０００Å以下、でき得れば２００八以
下にすることが望捷しい。強磁性薄膜が斜１ｊ蒸着等で
形成された柱状結晶構造をとる場合にｒｌ、第３図に示
すごとく、柱状結晶表面全域にわたり滑剤層を形成して
も良いが、第２図に示すとと〈滑剤が表面に局部的に析
出した状態であっても本発明の効果が得られる。
下にすることが望捷しい。強磁性薄膜が斜１ｊ蒸着等で
形成された柱状結晶構造をとる場合にｒｌ、第３図に示
すごとく、柱状結晶表面全域にわたり滑剤層を形成して
も良いが、第２図に示すとと〈滑剤が表面に局部的に析
出した状態であっても本発明の効果が得られる。
次に本発明の実施例につき説明する。
厚さ１０μｍで表面に表面粒さＲｍ ａ ｘ−約３００
人の波形突起を有するポリエステルフィルムを円筒キャ
ンのｌｍ１Ｍ１上に沿わせて５Ｘ１０ Ｔｏｒｒの真
空度て酸素ガス’ｚ０３Ｑ／ｍｉｎの流速で導入して′
屯二ｒ−ビーム加熱により耐融したＣｏＮｉ合金（Ｎｉ
含有昂２０ｗｔ％）を連続斜め蒸着（低入射角度成分３
ｄ以下カツト）シ、厚さ１０００人の酸素含イＪ′Ｃｏ
Ｎｉ強磁件薄膜をフィルム」−に形成せしめたもΩ（試
料Ａ）と、上記と類似の条件で真空度６ Ｘ １０−６
Ｔｏｒｒ 、酸素ガス導入なしで蒸着して得た酸素を含
有せしめないＣｏＮｉ強磁性薄膜を形成せしめたもの（
試料Ｂ）を用意した。膜中の酸素をオージェ電子分光分
析法を主体に測定し／も結果、試料Ａの膜中の平均酸素
量はＣＯとＮ１に対する原Ｂのそれは１係以下であった
。これらの試料の表面に各種防錆剤を、水、アルコール
、アセトン。
人の波形突起を有するポリエステルフィルムを円筒キャ
ンのｌｍ１Ｍ１上に沿わせて５Ｘ１０ Ｔｏｒｒの真
空度て酸素ガス’ｚ０３Ｑ／ｍｉｎの流速で導入して′
屯二ｒ−ビーム加熱により耐融したＣｏＮｉ合金（Ｎｉ
含有昂２０ｗｔ％）を連続斜め蒸着（低入射角度成分３
ｄ以下カツト）シ、厚さ１０００人の酸素含イＪ′Ｃｏ
Ｎｉ強磁件薄膜をフィルム」−に形成せしめたもΩ（試
料Ａ）と、上記と類似の条件で真空度６ Ｘ １０−６
Ｔｏｒｒ 、酸素ガス導入なしで蒸着して得た酸素を含
有せしめないＣｏＮｉ強磁性薄膜を形成せしめたもの（
試料Ｂ）を用意した。膜中の酸素をオージェ電子分光分
析法を主体に測定し／も結果、試料Ａの膜中の平均酸素
量はＣＯとＮ１に対する原Ｂのそれは１係以下であった
。これらの試料の表面に各種防錆剤を、水、アルコール
、アセトン。
酢酸エチル、トルエン等に溶解せしめて塗布したのち、
それらの溶剤で洗浄し乾燥して試料表面にμｂ錆剤の吸
着層を形成せしめた。その表面に、各（Φの滑剤を溶剤
に希釈し、塗布乾燥することにより滑剤層を形成せしめ
た。また、適当な溶剤が存在しない場合には、真空中、
大気中あるいは不活ＰＩガス中にて加熱し、試料表面を
滑剤の蒸気に露らして、滑剤層を形成せしめた（塗布量
は１０〜１ｏ ｏ ｒｒｂｙ／ｍ” となるように調
節した。）。
それらの溶剤で洗浄し乾燥して試料表面にμｂ錆剤の吸
着層を形成せしめた。その表面に、各（Φの滑剤を溶剤
に希釈し、塗布乾燥することにより滑剤層を形成せしめ
た。また、適当な溶剤が存在しない場合には、真空中、
大気中あるいは不活ＰＩガス中にて加熱し、試料表面を
滑剤の蒸気に露らして、滑剤層を形成せしめた（塗布量
は１０〜１ｏ ｏ ｒｒｂｙ／ｍ” となるように調
節した。）。
その後、これらの試料を所定［１］にスリットし、磁気
テープとした。これらのテープ試料を６０℃、９０ ％
Ｒ，Ｈ，雰囲気中に放置し、その間、Ａ試料では、３
日毎、Ｂ試料では１日毎に取り出し１、ビデオデツキで
録画・再生を行なってヘッド目づまりの発生を調べ、併
せて、磁性層側表面を顕微鏡観察することにより錆発生
状態を調べた５、その結果を・次の人に示す。
テープとした。これらのテープ試料を６０℃、９０ ％
Ｒ，Ｈ，雰囲気中に放置し、その間、Ａ試料では、３
日毎、Ｂ試料では１日毎に取り出し１、ビデオデツキで
録画・再生を行なってヘッド目づまりの発生を調べ、併
せて、磁性層側表面を顕微鏡観察することにより錆発生
状態を調べた５、その結果を・次の人に示す。
（以下余白）
なお前記実施例は、ＣｏＮｉ系磁性薄膜に関するもので
あるが、この効果はＣｏ薄膜、Ｆｅ−Ｎｉ薄膜。
あるが、この効果はＣｏ薄膜、Ｆｅ−Ｎｉ薄膜。
Ｆｅ−Ｃｏ薄膜等においても類似していた。ｆ、た、強
磁性薄膜中に酸素を含有せしめたものは純令属薄膜に比
べて効果大であるが、この傾向は、酸素含有量３〜４５
％で顕著に得られるものである１゜以−トから明らかな
ように、本発明の磁気記録媒体は、耐食性、走行性、ヘ
ッド目づ１りを含ｙ）だ総合耐久性を改善したものであ
り、その実用的価値は非常に大きいものである。
磁性薄膜中に酸素を含有せしめたものは純令属薄膜に比
べて効果大であるが、この傾向は、酸素含有量３〜４５
％で顕著に得られるものである１゜以−トから明らかな
ように、本発明の磁気記録媒体は、耐食性、走行性、ヘ
ッド目づ１りを含ｙ）だ総合耐久性を改善したものであ
り、その実用的価値は非常に大きいものである。
第１図、第２図、第３図はそれぞれ、本発明、／）実施
例における磁気記録媒体の断面図である、。 １．１’、１″・・・・・・基板、２ 、２’ 、 ２
！’・・・・・・強磁ｆ１金属薄膜、３，３′、コ′・
・・・・・防錆剤の吸着層、４．４′、４″・・・・・
・滑剤層、５・・・・・・酸化物層。
例における磁気記録媒体の断面図である、。 １．１’、１″・・・・・・基板、２ 、２’ 、 ２
！’・・・・・・強磁ｆ１金属薄膜、３，３′、コ′・
・・・・・防錆剤の吸着層、４．４′、４″・・・・・
・滑剤層、５・・・・・・酸化物層。
Claims (1)
- 非磁性基板上に形成された強磁性金属薄膜１−に防錆剤
の吸着層を設け、かつ前期吸着層−Ｌに滑剤層を設けた
ことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073608A JPS58189835A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 磁気記録媒体 |
| EP19820108607 EP0093194B1 (en) | 1982-04-30 | 1982-09-17 | Magnetic recording medium |
| DE198282108607T DE93194T1 (de) | 1982-04-30 | 1982-09-17 | Magnetisches aufzeichnungsmedium. |
| DE8282108607T DE3278980D1 (en) | 1982-04-30 | 1982-09-17 | Magnetic recording medium |
| US06/419,457 US4425404A (en) | 1982-04-30 | 1982-09-17 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073608A JPS58189835A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189835A true JPS58189835A (ja) | 1983-11-05 |
| JPH0355886B2 JPH0355886B2 (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=13523212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57073608A Granted JPS58189835A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189835A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263312A (ja) * | 1984-06-09 | 1985-12-26 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS62172523A (ja) * | 1986-01-25 | 1987-07-29 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0194518A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS569531U (ja) * | 1979-07-02 | 1981-01-27 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS569531B2 (ja) * | 1972-11-21 | 1981-03-02 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57073608A patent/JPS58189835A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS569531U (ja) * | 1979-07-02 | 1981-01-27 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263312A (ja) * | 1984-06-09 | 1985-12-26 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0560167B2 (ja) * | 1984-06-09 | 1993-09-01 | Hitachi Maxell | |
| JPS62172523A (ja) * | 1986-01-25 | 1987-07-29 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0194518A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355886B2 (ja) | 1991-08-26 |
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