JPH06194285A - 薄膜分析方法 - Google Patents
薄膜分析方法Info
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- JPH06194285A JPH06194285A JP34211292A JP34211292A JPH06194285A JP H06194285 A JPH06194285 A JP H06194285A JP 34211292 A JP34211292 A JP 34211292A JP 34211292 A JP34211292 A JP 34211292A JP H06194285 A JPH06194285 A JP H06194285A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料裏面からの深さ方向分析に好適な試料を
調製する。 【構成】 基板上に形成された薄膜の深さ方向の元素の
濃度分布を調べる方法において、基板と薄膜との間に基
板を除去するためのエッチャントに対して不活性な中間
層を設けて分析用試料を調製することを特徴とする薄膜
分析方法。
調製する。 【構成】 基板上に形成された薄膜の深さ方向の元素の
濃度分布を調べる方法において、基板と薄膜との間に基
板を除去するためのエッチャントに対して不活性な中間
層を設けて分析用試料を調製することを特徴とする薄膜
分析方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は物理分析法による薄膜分
析方法に関し、特に、試料裏面からの深さ方向組成分析
のための試料調製方法に関するものである。
析方法に関し、特に、試料裏面からの深さ方向組成分析
のための試料調製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年発達してきた半導体素子、表示素
子、記録媒体等のいわゆる電子デバイスは、通常、基板
上に薄膜が積層された構成であり、これら薄膜の積層状
態を分析する方法が要望されている。特に、これらの薄
膜の深さ方向の組成分布の迅速かつ正確な分析は、電子
デバイスの特性と関連して重要な課題である。
子、記録媒体等のいわゆる電子デバイスは、通常、基板
上に薄膜が積層された構成であり、これら薄膜の積層状
態を分析する方法が要望されている。特に、これらの薄
膜の深さ方向の組成分布の迅速かつ正確な分析は、電子
デバイスの特性と関連して重要な課題である。
【０００３】通常、このような深さ方向分析は試料表面
から実施される。しかし、試料表面から分析したのでは
充分な情報が得られないケースがある。このような場
合、裏面から分析する事で有用な情報が得られることが
ある。
から実施される。しかし、試料表面から分析したのでは
充分な情報が得られないケースがある。このような場
合、裏面から分析する事で有用な情報が得られることが
ある。
【０００４】例えば、試料表面が粗い場合、試料表面か
ら破壊的な分析手段で深さ方向の分析を行っても、その
粗さ分だけ深さ方向分解能は低下し、正確な情報は得ら
れない。このような場合、裏面からの分析が有効とな
る。川島，中山，第３３回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集（１９８６）３ａ−ＺＡ−５，ｐ３６４にお
いては、試料を裏面より機械研磨＋ケミカルエッチング
を用いて薄片化（１μm以下）し、その面を鏡面化し、
裏面より分析する方法が開示されている。裏面からの分
析は、表面の粗さの影響を受けることなく深さ方向の情
報を知ることが出来る。
ら破壊的な分析手段で深さ方向の分析を行っても、その
粗さ分だけ深さ方向分解能は低下し、正確な情報は得ら
れない。このような場合、裏面からの分析が有効とな
る。川島，中山，第３３回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集（１９８６）３ａ−ＺＡ−５，ｐ３６４にお
いては、試料を裏面より機械研磨＋ケミカルエッチング
を用いて薄片化（１μm以下）し、その面を鏡面化し、
裏面より分析する方法が開示されている。裏面からの分
析は、表面の粗さの影響を受けることなく深さ方向の情
報を知ることが出来る。
【０００５】また、電子デバイスにおける電極材料の試
料内での拡散状態を２次イオン質量分析法（以下、ＳＩ
ＭＳ）により調べる際、試料表面をスパッタすることに
より電極材料が内部へ拡散し、本来の拡散状態を測定で
きない場合がある。そこで、試料を試料裏面からリフト
オフ法により薄片化・鏡面化し、裏面からＳＩＭＳによ
り分析することにより電極材料の拡散状態を調べる方法
が提案されている（Ｒ．Ａ．Ｂｒｕｃｅ，Ｗ．Ｔ．Ｍｏ
ｏｒｅ，Ｔ．Ｌｅｓｔｅｒ，Ｄ．Ａ．Ｃｌａｒｋａｎｄ
Ａ．Ｊ．ＳｐｒｉｎｇＴｈｏｒｐｅ，Ｉｎｓｔ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｃｏｎｆ．（１９８９），１００（８），６７
１）。
料内での拡散状態を２次イオン質量分析法（以下、ＳＩ
ＭＳ）により調べる際、試料表面をスパッタすることに
より電極材料が内部へ拡散し、本来の拡散状態を測定で
きない場合がある。そこで、試料を試料裏面からリフト
オフ法により薄片化・鏡面化し、裏面からＳＩＭＳによ
り分析することにより電極材料の拡散状態を調べる方法
が提案されている（Ｒ．Ａ．Ｂｒｕｃｅ，Ｗ．Ｔ．Ｍｏ
ｏｒｅ，Ｔ．Ｌｅｓｔｅｒ，Ｄ．Ａ．Ｃｌａｒｋａｎｄ
Ａ．Ｊ．ＳｐｒｉｎｇＴｈｏｒｐｅ，Ｉｎｓｔ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｃｏｎｆ．（１９８９），１００（８），６７
１）。
【０００６】この様に薄膜積層体を裏面から分析するこ
とにより、表面からの分析では得られない情報を得るこ
とが出来る。充分に信頼性のあるデータを得るには試料
裏面からの薄片化、鏡面化が重要であるが、この点にお
いて従来行なわれてきた機械研磨＋ケミカルエッチング
を用いた試料作成法では、（１）膜厚制御が困難である
（ケミカルエッチングでは数μｍ ／ｍｉｎ程度のエッ
チングレートとなる）、（２）薄片化された面と本来の
試料表面との平行性を保ちづらい、（３）材料によって
は必ずしもこの方法が使えないという問題点があった。
とにより、表面からの分析では得られない情報を得るこ
とが出来る。充分に信頼性のあるデータを得るには試料
裏面からの薄片化、鏡面化が重要であるが、この点にお
いて従来行なわれてきた機械研磨＋ケミカルエッチング
を用いた試料作成法では、（１）膜厚制御が困難である
（ケミカルエッチングでは数μｍ ／ｍｉｎ程度のエッ
チングレートとなる）、（２）薄片化された面と本来の
試料表面との平行性を保ちづらい、（３）材料によって
は必ずしもこの方法が使えないという問題点があった。
【０００７】加工上留意する点は、いかに深さ方向分解
能を低下させないように薄片化、鏡面化するかである。
そのためには充分薄くすることと薄片面が試料表面と平
行であることが必要である。これらの観点から上記
（１）、（２）は大きな問題点となる。
能を低下させないように薄片化、鏡面化するかである。
そのためには充分薄くすることと薄片面が試料表面と平
行であることが必要である。これらの観点から上記
（１）、（２）は大きな問題点となる。
【０００８】また、リフトオフ法は被分析層と基板との
間の中間層のみをエッチングで取り除くことにより被分
析層のみを分離するが、この方法では中間層のみを取り
除くことが条件であるため中間層を構成する材料はごく
１部の材料に限定される。更に、薄い被分析層のみが支
持膜（エポキシ樹脂等）に接着しているだけなので、薄
片試料は試料自身の内部応力や支持膜の内部応力による
応力変位を起こしやすい。応力変位は、裏面からの分析
を行う上で深さ方向分解能を低下させるという問題点に
つながる。
間の中間層のみをエッチングで取り除くことにより被分
析層のみを分離するが、この方法では中間層のみを取り
除くことが条件であるため中間層を構成する材料はごく
１部の材料に限定される。更に、薄い被分析層のみが支
持膜（エポキシ樹脂等）に接着しているだけなので、薄
片試料は試料自身の内部応力や支持膜の内部応力による
応力変位を起こしやすい。応力変位は、裏面からの分析
を行う上で深さ方向分解能を低下させるという問題点に
つながる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上に示したように、
従来例の問題点を鑑み、本発明の目的とするところは、
裏面からの深さ方向分析の試料を作製するにあたり、
（１）薄片化した面が本来の試料面と平行になるような
薄片化方法を実現すること、（２）従来よりも中間層の
材料の選択幅が広がるような薄片化方法を実現するこ
と、（３）薄片化試料の形状において応力変位しにくい
形状を実現することにある。
従来例の問題点を鑑み、本発明の目的とするところは、
裏面からの深さ方向分析の試料を作製するにあたり、
（１）薄片化した面が本来の試料面と平行になるような
薄片化方法を実現すること、（２）従来よりも中間層の
材料の選択幅が広がるような薄片化方法を実現するこ
と、（３）薄片化試料の形状において応力変位しにくい
形状を実現することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、基板上に形成された薄膜の深さ方向の元素の濃度
分布を調べる方法において、基板と薄膜との間に基板を
除去するためのエッチャントに対して不活性な中間層を
設けて分析用試料を調製することを特徴とする薄膜分析
方法である。
明は、基板上に形成された薄膜の深さ方向の元素の濃度
分布を調べる方法において、基板と薄膜との間に基板を
除去するためのエッチャントに対して不活性な中間層を
設けて分析用試料を調製することを特徴とする薄膜分析
方法である。
【００１１】又、本発明は、基板をエッチャントにより
除去し、中間層側から試料の深さ方向の組成を調べるこ
とを含むものである。
除去し、中間層側から試料の深さ方向の組成を調べるこ
とを含むものである。
【００１２】又、本発明は、基板をエッチャントにより
除去した後、中間層側から試料の縁部の少なくとも１部
を除く部分を薄片化し、中間層側から試料の深さ方向の
組成を調べることを含むものである。
除去した後、中間層側から試料の縁部の少なくとも１部
を除く部分を薄片化し、中間層側から試料の深さ方向の
組成を調べることを含むものである。
【００１３】
【作用】本発明においては、基板を化学的手法にて除去
する際に中間層は除去されずに残るので、薄片面は本来
の試料表面と平行になり、鏡面性も向上する。
する際に中間層は除去されずに残るので、薄片面は本来
の試料表面と平行になり、鏡面性も向上する。
【００１４】又、平坦に加工できる物理的な手法を用い
て、中間層側から中間層の周辺は残し、中央部のみを平
坦に薄片化することにより、試料の周囲はある程度厚み
を持っているので、試料全体としての剛性が増し応力変
位は最小限に抑えられる。
て、中間層側から中間層の周辺は残し、中央部のみを平
坦に薄片化することにより、試料の周囲はある程度厚み
を持っているので、試料全体としての剛性が増し応力変
位は最小限に抑えられる。
【００１５】以下、本発明について詳細に説明する。
【００１６】本発明は半導体素子、表示素子、記録媒体
等のいわゆる電子デバイスの深さ方向分析に好適であ
り、これら電子デバイスの基板としては、一般にＧａＡ
ｓ、Ｓｉ等が使用される。従って、これらの基板を化学
的に除去する方法としては、エッチングが好適であり、
エッチャントとしては、Ｈ2Ｏ2とＮＨ4ＯＨとの混合
液、ＫＯＨ、Ｎ（ＣＨ3）3ＯＨ等を挙げることができ
る。Ｈ2Ｏ2とＮＨ4ＯＨとの混合液は、３０％のＨ2Ｏ2
溶液と、２８％のＮＨ4ＯＨ溶液とを２０：１の割合で
混合したものが好ましい。
等のいわゆる電子デバイスの深さ方向分析に好適であ
り、これら電子デバイスの基板としては、一般にＧａＡ
ｓ、Ｓｉ等が使用される。従って、これらの基板を化学
的に除去する方法としては、エッチングが好適であり、
エッチャントとしては、Ｈ2Ｏ2とＮＨ4ＯＨとの混合
液、ＫＯＨ、Ｎ（ＣＨ3）3ＯＨ等を挙げることができ
る。Ｈ2Ｏ2とＮＨ4ＯＨとの混合液は、３０％のＨ2Ｏ2
溶液と、２８％のＮＨ4ＯＨ溶液とを２０：１の割合で
混合したものが好ましい。
【００１７】基板を除去するための上記エッチャントに
対して不活性な中間層としては、ＡｌＧａＡｓ、ＳｉＯ
2、Ｓｉ3Ｎ4等を挙げることができる。
対して不活性な中間層としては、ＡｌＧａＡｓ、ＳｉＯ
2、Ｓｉ3Ｎ4等を挙げることができる。
【００１８】本発明分析方法は、特にＳＩＭＳ分析、Ａ
ＥＳ（オージェ電子分光）分析、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分
光）分析において有用である。
ＥＳ（オージェ電子分光）分析、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分
光）分析において有用である。
【００１９】又、基板を除去した後の試料の縁部を残
し、中央部のみを薄片化する手段としては、イオンエッ
チング等が好適である。尚、薄片化する中央部の孔径は
数十μｍ以上とすることが好ましい。
し、中央部のみを薄片化する手段としては、イオンエッ
チング等が好適である。尚、薄片化する中央部の孔径は
数十μｍ以上とすることが好ましい。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２１】本方法の薄片化工程を図１に示す。
【００２２】基板３の上に中間層２を形成し、その上に
被分析層１を形成する（同図（１））。ただし、中間層
２は基板３のエッチャントに対して不活性である材料を
用いる。このような、３層構成をもった試料４をガラス
基板５の上にワックス６で張り付ける（同図（２））。
機械研磨治具７を用いて（同図（３））基板３を厚さ十
数μｍまで機械的に研磨しかつその表面を鏡面に仕上げ
る（同図（４））。試料４を治具から取り外し、化学的
手法で基板３を取り除く（同図（５））。この時、中間
層２はほとんど除去されないので薄片面は試料表面と平
行となり、かつより滑らかとなる。低加速のイオンビー
ムを用いて中間層の周辺は残し、中央部のみを平坦にス
パッタする（同図（６））。
被分析層１を形成する（同図（１））。ただし、中間層
２は基板３のエッチャントに対して不活性である材料を
用いる。このような、３層構成をもった試料４をガラス
基板５の上にワックス６で張り付ける（同図（２））。
機械研磨治具７を用いて（同図（３））基板３を厚さ十
数μｍまで機械的に研磨しかつその表面を鏡面に仕上げ
る（同図（４））。試料４を治具から取り外し、化学的
手法で基板３を取り除く（同図（５））。この時、中間
層２はほとんど除去されないので薄片面は試料表面と平
行となり、かつより滑らかとなる。低加速のイオンビー
ムを用いて中間層の周辺は残し、中央部のみを平坦にス
パッタする（同図（６））。
【００２３】実施例１ （薄片化面と試料表面の平行性）図１に示した方法によ
り、厚さ４００μｍのＧａＡｓ基板上に、中間層として
厚さ５．０μｍのＡｌＧａＡｓ層、被分析層として厚さ
０．５μｍのＧａＡｓ層、厚さ２ｎｍ程度のＡｕ層を順
次積層した試料を、前記手法により薄片化し、１０ｍｍ
2 以上の試料の中央７ｍｍφを平坦にスパッタし、試料
中央の膜厚１．５μｍ、試料縁部の膜厚５．５μｍの凹
状試料を作製した。試料凹部を裏面よりＳＩＭＳ分析
（但し、１次イオンＣｓ+の打ち込みエネルギー１４．
５ｅＶ、２次イオンは陰イオンである）した結果を図２
に示した。
り、厚さ４００μｍのＧａＡｓ基板上に、中間層として
厚さ５．０μｍのＡｌＧａＡｓ層、被分析層として厚さ
０．５μｍのＧａＡｓ層、厚さ２ｎｍ程度のＡｕ層を順
次積層した試料を、前記手法により薄片化し、１０ｍｍ
2 以上の試料の中央７ｍｍφを平坦にスパッタし、試料
中央の膜厚１．５μｍ、試料縁部の膜厚５．５μｍの凹
状試料を作製した。試料凹部を裏面よりＳＩＭＳ分析
（但し、１次イオンＣｓ+の打ち込みエネルギー１４．
５ｅＶ、２次イオンは陰イオンである）した結果を図２
に示した。
【００２４】Ａｕは最表面に蒸着しただけでありＧａＡ
ｓ中には存在していない。測定結果を見るとＡｓの信号
が落ちると同時にＡｕの信号が急俊に立ち上がってい
る。これは薄片面と試料表面との平行性が高いことを示
している。
ｓ中には存在していない。測定結果を見るとＡｓの信号
が落ちると同時にＡｕの信号が急俊に立ち上がってい
る。これは薄片面と試料表面との平行性が高いことを示
している。
【００２５】実施例２ （凹状の加工）実施例１の試料を薄片化した際のイオン
ビームによるスパッタの様子を図３に示した。
ビームによるスパッタの様子を図３に示した。
【００２６】１０ｍｍ2 以上の試料の中央７ｍｍφのみ
を平坦にスパッタしているのがよくわかる。この場合、
試料の中央では、膜厚１．５μｍ、周辺では５．５μｍ
となっている。このように凹状の形状にすることで試料
全体の剛性が向上し、応力変位しにくくなる。
を平坦にスパッタしているのがよくわかる。この場合、
試料の中央では、膜厚１．５μｍ、周辺では５．５μｍ
となっている。このように凹状の形状にすることで試料
全体の剛性が向上し、応力変位しにくくなる。
【００２７】実施例３ （測定することによって拡散してしまうような元素の深
さ方向分析）図１に示した方法により、厚さ４００μｍ
のＧａＡｓ基板上に、中間層として厚さ５．０μｍのＡ
ｌＧａＡｓ層、被分析層として厚さ０．３５μｍのＧａ
Ａｓ（Ａｕ：イオン注入）層を順次積層した試料を、前
記手法により薄片化し、１０ｍｍ2 以上の試料の中央７
ｍｍφを平坦にスパッタし、試料中央の膜厚１．３５μ
ｍ、試料縁部の膜厚５．３５μｍの凹状試料を作製し
た。試料凹部を裏面より実施例１と同様にＳＩＭＳ分析
した結果を図４に示した。
さ方向分析）図１に示した方法により、厚さ４００μｍ
のＧａＡｓ基板上に、中間層として厚さ５．０μｍのＡ
ｌＧａＡｓ層、被分析層として厚さ０．３５μｍのＧａ
Ａｓ（Ａｕ：イオン注入）層を順次積層した試料を、前
記手法により薄片化し、１０ｍｍ2 以上の試料の中央７
ｍｍφを平坦にスパッタし、試料中央の膜厚１．３５μ
ｍ、試料縁部の膜厚５．３５μｍの凹状試料を作製し
た。試料凹部を裏面より実施例１と同様にＳＩＭＳ分析
した結果を図４に示した。
【００２８】４０ＫｅＶでＧａＡｓに注入されたＡｕの
プロファイルは裏面分析より、表面から８０ｎｍ程度の
深さの範囲に分布していることが示された。試料表面よ
りＳＩＭＳ分析した場合、測定操作によってＡｕが拡散
し、本来のプロファイルが得られなかった（図５）。
プロファイルは裏面分析より、表面から８０ｎｍ程度の
深さの範囲に分布していることが示された。試料表面よ
りＳＩＭＳ分析した場合、測定操作によってＡｕが拡散
し、本来のプロファイルが得られなかった（図５）。
【００２９】
【発明の効果】以上示したように、裏面からの深さ方向
分析のための試料作製において本発明は以下のような効
果がある。 （１）被分析層と基板の間に基板のエッチャントに対し
不活性な中間層を入れ、基板のみを取り除くという方法
で薄片化することにより、薄片面と試料表面の平行性を
向上でき、試料作製に起因する深さ方向分解能の低下を
最小限に抑えることができる。 （２）又、基板を化学的な手法で取り除く際、中間層は
除去されなければよいので、従来よりも中間層の選択の
幅が広がる。 （３）更に、中間層側から中間層の周辺部を残し中央部
のみを平坦になるように薄片化することによって試料全
体の剛性を高め試料の応力変位を最小限に抑えることが
でき、応力変位による分析時の深さ方向分解能の低下を
最小限に抑えることができる。
分析のための試料作製において本発明は以下のような効
果がある。 （１）被分析層と基板の間に基板のエッチャントに対し
不活性な中間層を入れ、基板のみを取り除くという方法
で薄片化することにより、薄片面と試料表面の平行性を
向上でき、試料作製に起因する深さ方向分解能の低下を
最小限に抑えることができる。 （２）又、基板を化学的な手法で取り除く際、中間層は
除去されなければよいので、従来よりも中間層の選択の
幅が広がる。 （３）更に、中間層側から中間層の周辺部を残し中央部
のみを平坦になるように薄片化することによって試料全
体の剛性を高め試料の応力変位を最小限に抑えることが
でき、応力変位による分析時の深さ方向分解能の低下を
最小限に抑えることができる。
【図１】本発明にかかる試料調製方法の１態様を示す工
程図である。
程図である。
【図２】本発明方法により薄膜の深さ方向の組成を分析
した結果を示すプロファイルである。
した結果を示すプロファイルである。
【図３】本発明にかかる試料をイオンビームによりスパ
ッタした状態を示すプロファイルである。
ッタした状態を示すプロファイルである。
【図４】本発明方法によりＡｕイオンの薄膜中への拡散
状態を測定した結果を示すプロファイルである。
状態を測定した結果を示すプロファイルである。
【図５】従来法により、Ａｕイオンの薄膜中への拡散状
態を測定した結果を示すプロファイルである。
態を測定した結果を示すプロファイルである。
１ 被分析層 ２ 中間層 ３ 基板 ４ ３層構成の試料 ５ ガラス基板 ６ ワックス ７ 機械研磨治具 ８ 化学的手法により基板を除去した試料 ９ イオンビームで試料中央部のみを平坦にエッチン
グした試料
グした試料
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された薄膜の深さ方向の元
素の濃度分布を調べる方法において、基板と薄膜との間
に基板を除去するためのエッチャントに対して不活性な
中間層を設けて分析用試料を調製することを特徴とする
薄膜分析方法。 - 【請求項２】 基板をエッチャントにより除去し、中間
層側から試料の深さ方向の元素の濃度分布を調べる請求
項１に記載の薄膜分析方法。 - 【請求項３】 基板をエッチャントにより除去した後、
中間層側から試料の縁部の少なくとも１部を除く部分を
薄片化し、中間層側から試料の深さ方向の組成を調べる
請求項２に記載の薄膜分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34211292A JP3213417B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 薄膜分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34211292A JP3213417B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 薄膜分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06194285A true JPH06194285A (ja) | 1994-07-15 |
| JP3213417B2 JP3213417B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=18351245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34211292A Expired - Fee Related JP3213417B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 薄膜分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3213417B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002005857A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の検査方法 |
| JP2008134242A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 分析試料の作製方法 |
-
1992
- 1992-12-22 JP JP34211292A patent/JP3213417B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002005857A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の検査方法 |
| JP2008134242A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 分析試料の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3213417B2 (ja) | 2001-10-02 |
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