JP2008134242A - 分析試料の作製方法 - Google Patents
分析試料の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008134242A JP2008134242A JP2007281686A JP2007281686A JP2008134242A JP 2008134242 A JP2008134242 A JP 2008134242A JP 2007281686 A JP2007281686 A JP 2007281686A JP 2007281686 A JP2007281686 A JP 2007281686A JP 2008134242 A JP2008134242 A JP 2008134242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- sample
- analysis
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上に分析対象となる薄膜又は薄膜積層体を形成し、薄膜の最表面又は薄膜積層体の最上層の最表面に支持体を貼りあわせ、薄膜又は薄膜積層体を基板から剥離することで分析試料を作製する。基板と、薄膜又は薄膜積層体と、の間に剥離層を形成し、該剥離層をきっかけとすることが好ましい。更に好ましくは、剥離層と、薄膜又は薄膜積層体と、の間に緩和層を形成する。該分析試料はSIMS分析に用いることができ、剥離した分析試料を裏面側からSIMS分析することで、従来のSIMS分析法では必要であった研磨工程を経ることなく、従来のSIMS分析法と同様に高精度な濃度分析を行うことができる。
【選択図】図2
Description
102 薄膜積層体
103 緩和層
104 剥離層
105 基板
106 開口部
200 容量結合型プラズマCVD装置
202 基板電極板
204 高周波電極板
206 ガス導入部
208 排気口
208A 排気口
208B 排気口
208C 排気口
208D 排気口
210 交流電源
212 処理室
214 残留するフッ素
302 支持体
304 分析対象となる膜
306 剥離層
308 基板
310 ドープされた領域
401 イオン源
402 検出器
403 中和銃
404 分析試料
405 一次イオン
406 二次イオン
Claims (10)
- 基板上に分析対象となる薄膜又は薄膜積層体を形成し、
前記薄膜の最表面又は前記薄膜積層体の最上層の最表面に支持体を貼りあわせ、
前記薄膜又は薄膜積層体を前記基板から剥離することを特徴とする分析試料の作製方法。 - 請求項1において、
前記支持体は、基材、及び該基材の一主表面に設けられた粘着材を有し、
前記粘着材はオルガノポリシロキサンを主成分とすることを特徴とする分析試料の作製方法。 - 基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に分析対象となる薄膜又は薄膜積層体を形成し、
前記薄膜の最表面又は薄膜積層体の最上層の最表面に支持体を貼りあわせ、
前記薄膜又は薄膜積層体を前記剥離層から剥離することを特徴とする分析試料の作製方法。 - 二次イオン質量分析法により分析する試料の作製方法であって、
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に分析対象となる薄膜又は薄膜積層体を形成し、
前記薄膜の最表面又は薄膜積層体の最上層の最表面に支持体を貼りあわせ、
前記薄膜又は薄膜積層体を前記剥離層から剥離することを特徴とする分析試料の作製方法。 - 請求項3又は請求項4において、
前記剥離層と、前記分析対象となる薄膜又は薄膜積層体と、の間には緩和層が形成されることを特徴とする分析試料の作製方法。 - 請求項5において、
前記剥離層には、前記緩和層よりもフッ素濃度が高い膜を形成することを特徴とする分析試料の作製方法。 - 請求項5又は請求項6において、
前記剥離層及び前記緩和層として、フッ素濃度が1×1017atoms/cm3以上2×1019atoms/cm3以下であり、水素濃度が1×1021atoms/cm3以上1×1022atoms/cm3以下であり、炭素濃度が1×1015atoms/cm3以上2×1018atoms/cm3以下であり、窒素濃度が1×1018atoms/cm3以上1×1020atoms/cm3以下であり、且つ酸素濃度が1×1015atoms/cm3以上1×1019atoms/cm3以下である膜を形成することを特徴とする分析試料の作製方法。 - 請求項3乃至請求項7のいずれか一において、
前記支持体は、基材、及び該基材の一主表面に設けられた粘着材を有し、
前記粘着材はオルガノポリシロキサンを主成分とすることを特徴とする分析試料の作製方法。 - 請求項3乃至請求項8のいずれか一において、
前記剥離層として、フッ素を有する非晶質珪素膜を形成することを特徴とする分析試料の作製方法。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一に記載の作製方法により作製された分析試料に対して一次イオンを照射することを特徴とする二次イオン質量分析法による分析方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007281686A JP5046860B2 (ja) | 2006-10-31 | 2007-10-30 | 試料の分析方法、分析試料の作製方法、分析試料、sims分析試料の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006296745 | 2006-10-31 | ||
JP2006296745 | 2006-10-31 | ||
JP2007281686A JP5046860B2 (ja) | 2006-10-31 | 2007-10-30 | 試料の分析方法、分析試料の作製方法、分析試料、sims分析試料の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008134242A true JP2008134242A (ja) | 2008-06-12 |
JP2008134242A5 JP2008134242A5 (ja) | 2010-09-16 |
JP5046860B2 JP5046860B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=39559171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007281686A Expired - Fee Related JP5046860B2 (ja) | 2006-10-31 | 2007-10-30 | 試料の分析方法、分析試料の作製方法、分析試料、sims分析試料の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5046860B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63172939A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Daicel Chem Ind Ltd | 薄膜の組成分析方法 |
JPH02102430A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Toshiba Corp | 光学顕微鏡観察用試料の作成方法 |
JPH06194285A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Canon Inc | 薄膜分析方法 |
JPH09210885A (ja) * | 1996-02-02 | 1997-08-15 | Nec Corp | 裏面からの成分分析の試料作成方法 |
JP2005065624A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Nitto Denko Corp | 微生物量の測定方法およびキット |
-
2007
- 2007-10-30 JP JP2007281686A patent/JP5046860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63172939A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Daicel Chem Ind Ltd | 薄膜の組成分析方法 |
JPH02102430A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Toshiba Corp | 光学顕微鏡観察用試料の作成方法 |
JPH06194285A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Canon Inc | 薄膜分析方法 |
JPH09210885A (ja) * | 1996-02-02 | 1997-08-15 | Nec Corp | 裏面からの成分分析の試料作成方法 |
JP2005065624A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Nitto Denko Corp | 微生物量の測定方法およびキット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5046860B2 (ja) | 2012-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8149562B2 (en) | System for decharging a wafer or substrate after dechucking from an electrostatic chuck | |
TWI527151B (zh) | 用以生產soi基板及半導體裝置的方法 | |
KR101234938B1 (ko) | 플라즈마의 전기적 특성 세트를 측정하기 위한 장치 | |
JP4902088B2 (ja) | ガスクラスターイオンビーム処理による薄膜を改良するためのシステムおよび方法 | |
JP4695606B2 (ja) | 被処理基板の載置装置におけるフォーカスリングの熱伝導改善方法 | |
JP5536041B2 (ja) | 微量気体濃度の監視によるウエハプラズマ処理中のアーキング現象を検出する方法、及び、プラズマ処理装置 | |
TWI442468B (zh) | Plasma processing device and plasma processing method | |
US7932097B2 (en) | Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample | |
TW200823977A (en) | Plasma doping method and plasma doping apparatus | |
JP2007324154A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2010010214A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、及び記憶媒体 | |
US20060051893A1 (en) | Thin substrate support | |
SG183904A1 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
JP5046860B2 (ja) | 試料の分析方法、分析試料の作製方法、分析試料、sims分析試料の作製方法 | |
JP2017103389A (ja) | 静電チャック及び半導体製造装置 | |
WO2013027584A1 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
JP2008288348A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR20100016479A (ko) | 건식 식각 방법 | |
JP6142305B2 (ja) | 静電吸着方法及び静電吸着装置 | |
JP2010021380A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JPH0766271A (ja) | 静電吸着装置 | |
Lauer et al. | Surface potential measurements of vacuum ultraviolet irradiated Al/sub 2/O/sub 3/, Si/sub 3/N/sub 4/, and SiO/sub 2 | |
RU2535228C1 (ru) | Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для субмикронных технологий | |
JPS6350854B2 (ja) | ||
JP6067210B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100729 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120717 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |