JPH07134216A - テーパ導波路の作製方法 - Google Patents
テーパ導波路の作製方法Info
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- JPH07134216A JPH07134216A JP5280768A JP28076893A JPH07134216A JP H07134216 A JPH07134216 A JP H07134216A JP 5280768 A JP5280768 A JP 5280768A JP 28076893 A JP28076893 A JP 28076893A JP H07134216 A JPH07134216 A JP H07134216A
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- Japan
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- photoresist
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- tapered
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
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- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 テーパ長が比較的短く、光学的損失の少ない
テーパ導波路を、量産に適した方法で作成する。 【構成】 従来のシャドウマスク法とは異なり、フォト
レジストパターンをマスクのかわりにして、これに垂直
方向からではなく、斜め方向から成膜を行う。テーパ形
状は、成膜装置の構成やフォトレジストパターンの厚さ
によって変わるが、テーパ長はフォトレジストパターン
の厚さと同じ程度で、テーパ比１：１０前後の、任意の
形状のものが得られる。 【効果】 ミクロンオーダーのテーパ長で光学的損失の
少ないテーパ導波路が、ＩＣの技術で容易に作製でき、
光導波路素子の集積化、生産性の向上が図れる。
テーパ導波路を、量産に適した方法で作成する。 【構成】 従来のシャドウマスク法とは異なり、フォト
レジストパターンをマスクのかわりにして、これに垂直
方向からではなく、斜め方向から成膜を行う。テーパ形
状は、成膜装置の構成やフォトレジストパターンの厚さ
によって変わるが、テーパ長はフォトレジストパターン
の厚さと同じ程度で、テーパ比１：１０前後の、任意の
形状のものが得られる。 【効果】 ミクロンオーダーのテーパ長で光学的損失の
少ないテーパ導波路が、ＩＣの技術で容易に作製でき、
光導波路素子の集積化、生産性の向上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上にテーパ導波路
を有する光集積回路素子に於ける、上記テーパ導波路の
作製方法に関するものである。
を有する光集積回路素子に於ける、上記テーパ導波路の
作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光学部品の小型化・集積化が進め
られ、サブミクロンオーダーの微細加工技術も確立され
てきた。通常の成膜やエッチングはその速度をできるだ
け均一にし、成膜厚さやエッチング深さを均一にする
（基板と平行な面での加工を行う）のが一般的である
が、場合によっては、意図的にその速度に分布をもた
せ、テーパ状の構造を得ることがある。特に光導波路中
のテーパ形状部分（テーパ導波路）は、その厚さ方向へ
損失なく光を曲げたり、実効屈折率の異なる領域の境界
を損失なく光を横切らせたりする場合に利用される重要
な構造である。
られ、サブミクロンオーダーの微細加工技術も確立され
てきた。通常の成膜やエッチングはその速度をできるだ
け均一にし、成膜厚さやエッチング深さを均一にする
（基板と平行な面での加工を行う）のが一般的である
が、場合によっては、意図的にその速度に分布をもた
せ、テーパ状の構造を得ることがある。特に光導波路中
のテーパ形状部分（テーパ導波路）は、その厚さ方向へ
損失なく光を曲げたり、実効屈折率の異なる領域の境界
を損失なく光を横切らせたりする場合に利用される重要
な構造である。
【０００３】図５は従来の光情報記録再生装置（特開平
４ー２８９５３１）の側面図である。基板２１に形成さ
れた光導波路層２３と、この光導波路層２３と接続され
た光検出器２４と、光導波路層２３上に形成されその光
導波路層２３よりも低い屈折率をもつ第一ギャップ層２
５と、この第一ギャップ層２５上に形成され開口部２７
を有し光導波路層２３よりも低い屈折率をもつ第二ギャ
ップ層２６と、この第二ギャップ層２６の開口部２７を
満たし第一ギャップ層２５と接着し光導波路層２３より
も高い屈折率をもつ接着層２８と、この接着層２８の上
部で接着固定され光導波路層２３よりも高い屈折率をも
つ誘電体からなるプリズム２９とよりなる光集積検出素
子２０を配設している。なお、２２はバッファ層であ
る。また、１６は半導体レーザ、１７はコリメートレン
ズ、１８は対物レンズ、１９は光ディスクである。第二
ギャップ層２６の一部２６ａがテーパ状の構造になって
いる。
４ー２８９５３１）の側面図である。基板２１に形成さ
れた光導波路層２３と、この光導波路層２３と接続され
た光検出器２４と、光導波路層２３上に形成されその光
導波路層２３よりも低い屈折率をもつ第一ギャップ層２
５と、この第一ギャップ層２５上に形成され開口部２７
を有し光導波路層２３よりも低い屈折率をもつ第二ギャ
ップ層２６と、この第二ギャップ層２６の開口部２７を
満たし第一ギャップ層２５と接着し光導波路層２３より
も高い屈折率をもつ接着層２８と、この接着層２８の上
部で接着固定され光導波路層２３よりも高い屈折率をも
つ誘電体からなるプリズム２９とよりなる光集積検出素
子２０を配設している。なお、２２はバッファ層であ
る。また、１６は半導体レーザ、１７はコリメートレン
ズ、１８は対物レンズ、１９は光ディスクである。第二
ギャップ層２６の一部２６ａがテーパ状の構造になって
いる。
【０００４】図６は、光導波路４３中の光を受光素子４
５に導入する部分の構造である（特開平４ー５５８０
２）。４１は基板、４２はバッファ層、４４はテーパ形
状部である。
５に導入する部分の構造である（特開平４ー５５８０
２）。４１は基板、４２はバッファ層、４４はテーパ形
状部である。
【０００５】次に、これらのテーパ形状の作製方法につ
いて説明する。方法としては公知のスパッタ法、蒸着
法、ＣＶＤ法で、一部をしゃへいすることにより、しゃ
へい部への粒子のまわり込みを利用して作製したり、ド
ライやウェットのエッチングや、イオンミリング、切
削、研磨、酸化等の方法により作製することが考えられ
る。そのうちのシャドウマスク法とエッチング法の応用
例を図で説明する。
いて説明する。方法としては公知のスパッタ法、蒸着
法、ＣＶＤ法で、一部をしゃへいすることにより、しゃ
へい部への粒子のまわり込みを利用して作製したり、ド
ライやウェットのエッチングや、イオンミリング、切
削、研磨、酸化等の方法により作製することが考えられ
る。そのうちのシャドウマスク法とエッチング法の応用
例を図で説明する。
【０００６】図７は、シャドウマスクスパッタ法の原理
を示すものである。（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈ
ｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．８、Ｎ
ｏ．４、ｐｐ５８７−５９３、Ａｐｒｉｌ １９９０）
金属製のマスク６１がシリコンのスペーサ６２によって
Ｓｉ基板６３からある間隔を保たれて位置している。こ
の状態で上方からスパッタリングを行うと、マスクの陰
になる部分にスパッタ粒子がまわり込むことによって膜
厚に分布ができ、図示するようにテーパ状の構造部分６
４が得られる。テーパの形状は、マスクの断面形状やマ
スク〜基板間距離、ターゲットの大きさと基板からの距
離などによって決まるが、基本的にはスパッタ粒子の方
向が下方向だけでなく斜め方向のものもあるためにマス
クの陰が不鮮明になることに起因する。
を示すものである。（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈ
ｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．８、Ｎ
ｏ．４、ｐｐ５８７−５９３、Ａｐｒｉｌ １９９０）
金属製のマスク６１がシリコンのスペーサ６２によって
Ｓｉ基板６３からある間隔を保たれて位置している。こ
の状態で上方からスパッタリングを行うと、マスクの陰
になる部分にスパッタ粒子がまわり込むことによって膜
厚に分布ができ、図示するようにテーパ状の構造部分６
４が得られる。テーパの形状は、マスクの断面形状やマ
スク〜基板間距離、ターゲットの大きさと基板からの距
離などによって決まるが、基本的にはスパッタ粒子の方
向が下方向だけでなく斜め方向のものもあるためにマス
クの陰が不鮮明になることに起因する。
【０００７】図８は、エッチングによるテーパ形状作製
工程を示したものである。Ｓｉ基板５１上に熱酸化Ｓｉ
Ｏ2膜５２があり、その上にエッチング速度を制御でき
る第２のＳｉＯ2膜５３、さらにその上にはフォトレジ
ストパターン５４が形成されている。第２のＳｉＯ2層
５３は、バッファ層５２（熱酸化ＳｉＯ2膜）よりエッ
チング速度が大きいため、フォトレジスト５４の内側に
エッチングが進行する。しかし、バッファ層５２は比較
的エッチング速度が小さいため、徐々にエッチングが行
われ、エッチング液に触れた時間に比例してエッチング
が行われるようになる。従って、バッファ層５２のうち
フォトレジスト５４のない外側は大きく、内側は小さく
エッチングされるようになり、結果的に図に示すような
テーパ形状部５５が得られることとなる。５６は光導波
路である。（特開平４ー５５８０２）
工程を示したものである。Ｓｉ基板５１上に熱酸化Ｓｉ
Ｏ2膜５２があり、その上にエッチング速度を制御でき
る第２のＳｉＯ2膜５３、さらにその上にはフォトレジ
ストパターン５４が形成されている。第２のＳｉＯ2層
５３は、バッファ層５２（熱酸化ＳｉＯ2膜）よりエッ
チング速度が大きいため、フォトレジスト５４の内側に
エッチングが進行する。しかし、バッファ層５２は比較
的エッチング速度が小さいため、徐々にエッチングが行
われ、エッチング液に触れた時間に比例してエッチング
が行われるようになる。従って、バッファ層５２のうち
フォトレジスト５４のない外側は大きく、内側は小さく
エッチングされるようになり、結果的に図に示すような
テーパ形状部５５が得られることとなる。５６は光導波
路である。（特開平４ー５５８０２）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記のシャドウマスク
法で得られるテーパは、マスクやギャップが〜１ｍｍ程
度であるため、テーパ長が数ｍｍになり、素子の小型
化、集積化の妨げになる。また、テーパ作製に用いるシ
ャドウマスクの取り付け、取り外し、洗浄などの作業が
量産を困難にする。
法で得られるテーパは、マスクやギャップが〜１ｍｍ程
度であるため、テーパ長が数ｍｍになり、素子の小型
化、集積化の妨げになる。また、テーパ作製に用いるシ
ャドウマスクの取り付け、取り外し、洗浄などの作業が
量産を困難にする。
【０００９】一方、ウェットエッチングでは、テーパ長
の比較的短いものが得られるが、エッチングされた表面
の状態が成膜時より劣化し、光学的損失の原因になるこ
とがある。
の比較的短いものが得られるが、エッチングされた表面
の状態が成膜時より劣化し、光学的損失の原因になるこ
とがある。
【００１０】本発明は上記問題点を解決したテーパ導波
路の作製方法を提供するものである。
路の作製方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のテーパ導波路の
作製方法は、基板上に所定パターンのフォトレジストを
形成し、該フォトレジストが形成された基板に対して垂
直方向からではなく、斜め方向から成膜することによ
り、基板上にテーパ導波路を作製することを特徴とす
る。
作製方法は、基板上に所定パターンのフォトレジストを
形成し、該フォトレジストが形成された基板に対して垂
直方向からではなく、斜め方向から成膜することによ
り、基板上にテーパ導波路を作製することを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】斜め方向から成膜することにより、フォトレジ
ストの影になる部分にテーパ形状部分が形成される。こ
れにより、テーパ長の短く（フォトレジスト厚さ程度、
１μｍ程度）、集積化に適した、光学的損失の少ないテ
ーパ状光導波路が、ＩＣの技術の応用で効率よく作製で
きる。
ストの影になる部分にテーパ形状部分が形成される。こ
れにより、テーパ長の短く（フォトレジスト厚さ程度、
１μｍ程度）、集積化に適した、光学的損失の少ないテ
ーパ状光導波路が、ＩＣの技術の応用で効率よく作製で
きる。
【００１３】
【実施例】図１で本発明の実施例について説明する。成
膜は１例としてスパッタ法により行う。図に示すよう
に、フォトレジストパターン１の形成された基板２は、
装置のターゲット５と試料テーブル６の間に立て掛ける
ように位置してある。立て掛けることにより、冷却され
ている試料テーブル６から基板２が離れてしまうため、
熱伝導性の良い金属製の治具４で基板はセットするよう
にしている。また、治具４と基板２の間は真空グリース
３を充填し、放熱性の向上を図っている。スパッタリン
グ中は、スパッタ粒子９は基板上のフォトレジストパタ
ーン１に対して斜め方向から入射し、フォトレジストの
ない基板表面に、陰に相当する膜厚分布（スパッタレー
ト）をもちながら積層していく。成膜後はリフトオフと
呼ばれる操作を行う。具体的には、フォトレジスト１が
可溶なアセトンなどの溶剤で、フォトレジスト１とその
上に積層した不要な膜８を除去し、目的のテーパ形状端
をもつ膜７が得られる。テーパ形状については後で述べ
るように、ターゲットの大きさ、基板との距離、フォト
レジストパターンの厚みなどでほぼ決定される。
膜は１例としてスパッタ法により行う。図に示すよう
に、フォトレジストパターン１の形成された基板２は、
装置のターゲット５と試料テーブル６の間に立て掛ける
ように位置してある。立て掛けることにより、冷却され
ている試料テーブル６から基板２が離れてしまうため、
熱伝導性の良い金属製の治具４で基板はセットするよう
にしている。また、治具４と基板２の間は真空グリース
３を充填し、放熱性の向上を図っている。スパッタリン
グ中は、スパッタ粒子９は基板上のフォトレジストパタ
ーン１に対して斜め方向から入射し、フォトレジストの
ない基板表面に、陰に相当する膜厚分布（スパッタレー
ト）をもちながら積層していく。成膜後はリフトオフと
呼ばれる操作を行う。具体的には、フォトレジスト１が
可溶なアセトンなどの溶剤で、フォトレジスト１とその
上に積層した不要な膜８を除去し、目的のテーパ形状端
をもつ膜７が得られる。テーパ形状については後で述べ
るように、ターゲットの大きさ、基板との距離、フォト
レジストパターンの厚みなどでほぼ決定される。
【００１４】次に、別の実施例について図２を用いて説
明する。フォトレジストパターン１を形成した基板２
は、ターゲット５の真正面から離れた位置で試料テーブ
ル６上に直接セットしてある。基板と試料テーブルの間
は必要に応じて真空グリースなどを充填することにより
放熱性の向上を図る。第１の実施例と同様に、スパッタ
粒子９は基板上のフォトレジストパターンに対して斜め
方向から入射し、フォトレジストのない基板表面に、陰
に相当する膜厚分布（スパッタレート）をもちながら積
層していく。同様にリフトオフによって不要な部分の膜
８を除去し、目的のテーパ形状端をもつ膜７が得られ
る。この方法では基板を立て掛ける必要がなく、比較的
大きな基板上への成膜が可能である。
明する。フォトレジストパターン１を形成した基板２
は、ターゲット５の真正面から離れた位置で試料テーブ
ル６上に直接セットしてある。基板と試料テーブルの間
は必要に応じて真空グリースなどを充填することにより
放熱性の向上を図る。第１の実施例と同様に、スパッタ
粒子９は基板上のフォトレジストパターンに対して斜め
方向から入射し、フォトレジストのない基板表面に、陰
に相当する膜厚分布（スパッタレート）をもちながら積
層していく。同様にリフトオフによって不要な部分の膜
８を除去し、目的のテーパ形状端をもつ膜７が得られ
る。この方法では基板を立て掛ける必要がなく、比較的
大きな基板上への成膜が可能である。
【００１５】なお、説明では一例としてスパッタ法によ
る成膜を示したが、蒸着法、ＣＶＤ法など、その他の方
法でも行える。
る成膜を示したが、蒸着法、ＣＶＤ法など、その他の方
法でも行える。
【００１６】次に、これらの方法で作製されるテーパの
形状について説明する。第２実施例に示した場合を例に
とって図３を用いて説明する。
形状について説明する。第２実施例に示した場合を例に
とって図３を用いて説明する。
【００１７】フォトレジストパターン１の厚さをｄ、フ
ォトレジストパターン１とターゲット５の距離をｌ、タ
ーゲットの直径をｒとする。また、フォトレジストパタ
ーンのエッジ部分の位置を原点Ｏにとり、試料テーブル
面に投影したときのターゲットの縁と原点Ｏとの距離を
ｘとする。試料テーブル面からターゲットを見たとき、
フォトレジストパターンのエッジでターゲットがかくれ
る（ターゲットからのスパッタ粒子がエッジによって陰
になる）領域がａ〜ｂ間で、この間がスパッタレートに
分布をもつテーパ領域となる。
ォトレジストパターン１とターゲット５の距離をｌ、タ
ーゲットの直径をｒとする。また、フォトレジストパタ
ーンのエッジ部分の位置を原点Ｏにとり、試料テーブル
面に投影したときのターゲットの縁と原点Ｏとの距離を
ｘとする。試料テーブル面からターゲットを見たとき、
フォトレジストパターンのエッジでターゲットがかくれ
る（ターゲットからのスパッタ粒子がエッジによって陰
になる）領域がａ〜ｂ間で、この間がスパッタレートに
分布をもつテーパ領域となる。
【００１８】 （ａ〜ｂ）＝ｄｔａｎθｒ−ｄｔａｎθｘ＝ｄｒ／ｌ テーパの先端をａ点、終点をｂ点で示しているが、実際
にはターゲットから放出されるスパッタ粒子の角度分布
がターゲット材料やスパッタ条件（圧力など）によって
変化したり、またスパッタ中にフォトレジストパターン
１上にも成膜されて見かけのｄが徐々に増加したり、さ
らには基板に到達した粒子が基板上で移動するなどの理
由から、ａ、ｂ点ははっきりとは現れず、断面はゆるや
かな曲線状になる。テーパ形状は、図３に示したｒ，
ｘ，ｌ，ｄ，スパッタ粒子の角度分布，成膜厚さを変え
ることで制御できる。また、上述した理由から、テーパ
部分の先端がフォトレジストパターンと接しないように
するには、距離ｘを十分にとる必要がある。ｘ≦０、例
えばμｍオーダーの厚さのフォトレジストパターンに垂
直方向から成膜した場合は、フォトレジストパターンの
壁面まで成膜されてしまい、リフトオフが困難になり、
テーパ導波路は得られない。
にはターゲットから放出されるスパッタ粒子の角度分布
がターゲット材料やスパッタ条件（圧力など）によって
変化したり、またスパッタ中にフォトレジストパターン
１上にも成膜されて見かけのｄが徐々に増加したり、さ
らには基板に到達した粒子が基板上で移動するなどの理
由から、ａ、ｂ点ははっきりとは現れず、断面はゆるや
かな曲線状になる。テーパ形状は、図３に示したｒ，
ｘ，ｌ，ｄ，スパッタ粒子の角度分布，成膜厚さを変え
ることで制御できる。また、上述した理由から、テーパ
部分の先端がフォトレジストパターンと接しないように
するには、距離ｘを十分にとる必要がある。ｘ≦０、例
えばμｍオーダーの厚さのフォトレジストパターンに垂
直方向から成膜した場合は、フォトレジストパターンの
壁面まで成膜されてしまい、リフトオフが困難になり、
テーパ導波路は得られない。
【００１９】実際に得られたテーパ導波路の断面形状測
定結果を図４に示す。測定は、フォトレジストを除去し
た後、表面粗さ計を用いて行った。成膜に用いた装置に
おけるそれぞれの値は次のようであった。
定結果を図４に示す。測定は、フォトレジストを除去し
た後、表面粗さ計を用いて行った。成膜に用いた装置に
おけるそれぞれの値は次のようであった。
【００２０】 ターゲット直径（ｒ） ７５ｍｍ ターゲットの縁と原点Ｏ間の距離（ｘ） ５５ｍｍ ターゲットから基板までの距離（ｌ） １０５ｍｍ フォトレジストパターン厚さ（ｄ） １μｍ この数値をもとに計算したテーパ長さと、作製したテー
パの実測値は、表１に示す値であり、ほぼ設定通りの形
状が得られることがわかる。（実測値はリフトオフ後に
測定したもので、Ｏ点がはっきりしないためＯ〜ｂ間の
距離は求められない。）
パの実測値は、表１に示す値であり、ほぼ設定通りの形
状が得られることがわかる。（実測値はリフトオフ後に
測定したもので、Ｏ点がはっきりしないためＯ〜ｂ間の
距離は求められない。）
【００２１】
【表１】
【００２２】テーパ角度は成膜厚さとテーパ長によって
制御することができる。図４は約８０ｎｍの厚さに成膜
した場合の例であり、テーパ比は１：１０程度である。
制御することができる。図４は約８０ｎｍの厚さに成膜
した場合の例であり、テーパ比は１：１０程度である。
【００２３】
【発明の効果】本発明の方法により導波路を作製するこ
とで、テーパ長１μｍ程度と比較的短い、なめらかな任
意の形状が得られる。このようなテーパ導波路を用いる
ことにより、光学的損失が少なく、従来より微小なテー
パ導波路の作製が可能となる。また、従来のＩＣの技術
を応用していることで、量産性も向上する。
とで、テーパ長１μｍ程度と比較的短い、なめらかな任
意の形状が得られる。このようなテーパ導波路を用いる
ことにより、光学的損失が少なく、従来より微小なテー
パ導波路の作製が可能となる。また、従来のＩＣの技術
を応用していることで、量産性も向上する。
【図１】本発明の実施例を示す側面図である。
【図２】本発明の別の実施例を示す側面図である。
【図３】本発明の実施例における機構を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明で得られたテーパ導波路の断面形状を表
す図である。
す図である。
【図５】従来例を示す断面図である。
【図６】従来例を示す断面図である。
【図７】従来のシャドウマスク法を示す構成図である。
【図８】ウェットエッチング法によるテーパ形状作製手
順を示す図である。
順を示す図である。
１ フォトレジストパターン ２ 基板 ５ ターゲット ７ テーパ導波路 ９ スパッタ粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 圭男 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 岡田 訓明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 南 功治 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にテーパ導波路を作製する方法に
おいて、上記基板上に所定パターンのフォトレジストを
形成し、該フォトレジストが形成された基板に対して斜
め方向から成膜することにより、基板上にテーパ導波路
を作製することを特徴とする、テーパ導波路の作製方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280768A JP3009986B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | テーパ導波路の作製方法 |
| CA002135091A CA2135091C (en) | 1993-11-10 | 1994-11-04 | Method for producing a tapered waveguide |
| DE4440047A DE4440047C2 (de) | 1993-11-10 | 1994-11-09 | Verfahren zum Herstellen eines sich verjüngenden Wellenleiters |
| US08/337,247 US5576149A (en) | 1993-11-10 | 1994-11-10 | Method for producing a tapered waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280768A JP3009986B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | テーパ導波路の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07134216A true JPH07134216A (ja) | 1995-05-23 |
| JP3009986B2 JP3009986B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=17629694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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