JPH06151712A - 構造体およびコンデンサの製造方法 - Google Patents
構造体およびコンデンサの製造方法Info
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Abstract
材料の層剥離を防止する。 【構成】 誘電体(例えばチタン酸塩バリウムストロン
チウム22)と、誘電体に形成された電気接続部は導電
性非金属含有化合物、例えば窒化ルテニウム、二酸化ル
テニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チタンおよび一酸化チ
タンから成る。示された新規構造体の例としては、窒化
ルテニウムの2つの層70,24の間にチタン酸塩バリ
ウムストロンチウムの層から成るコンデンサがある。か
かる構造体の利点としては、金属化合物が拡散バリアと
して働くので、誘電体と周辺材料との汚染か減少するこ
とである。反応済み金属とすると、更に反応が進むこと
が減少し、これにより接続材料の層剥離が防止される。
接続部は製造環境中で、より容易かつ経済的に処理でき
るよう単一層となっている。非導電性界面酸化物により
生じる直列浮遊容量は、一般的にこれら構造体により防
止される。
Description
構造体において、例えば高誘電率を有する材料に、電気
的な接続部を設けることに関する。
するための現在の方法に関連して、本発明の背景を説明
するが、この説明は本発明の範囲を限定するものではな
い。
る)は(一般に20よりも大きい)高誘電率を示し、こ
のためこれら材料は多数の電気デバイス例えばコンデン
サの製造に有効である。これらHDC材料の例として
は、チタン酸塩例えばチタン酸塩バリウムストロンチウ
ムおよびチタン酸塩鉛ジルコン、一つ以上のアクセプタ
例えばアルカリ土類金属(すなわちIIA族の元素)で
ドープされたチタン酸塩および一つ以上のドナー例えば
希土類元素(すなわちランタン系列の元素およびイット
リウム)でドープされたチタン酸塩がある。多くの強誘
電体および遷移金属酸化物(すなわち原子番号21〜2
9、39〜47、57〜79および89以上の元素の酸
化物)も高誘電率を示す。しかしながら、電気接続部が
電子デバイス内で有効であるには、これらHDC材料の
有効な特性を低下させない信頼性ある電気接続部を製造
しなければならない。
属層を用いてHDC材料へ電気的接点を一般に形成して
いた。例えば半導体基体の表面にコンデンサを形成する
HDC材料に電気接続部を設けるため、とりわけ次の技
術が用いられている。(a)誘電体/白金/基体、
(b)誘電体/白金/タンタル/基体、(c)誘電体/
金/基体、(d)誘電体/金パラジウム/基体、(e)
誘電体/金パラジウム/タングステン/基体。上記の例
における層の順は、頂部から基体(例えばシリコン)ま
での順である。コンデンサ構造体を完成するには誘電体
膜の頂部に対して同じような金属化が必要である。一般
に現在の方法では、接着層として働く他の金属と共に貴
金属を用いて誘電体に接触させている。
し、誘電材料成分による基体材料の汚染を防止し、接続
材料の層剥離を防止することにより、誘電材料のバルク
誘電率を保持しながら低抵抗率で誘電材料へ電気接続部
を形成する方法を、一般的に実施しなければならない。
さらに製造方法を簡略にするためにバルク層の数は一般
に減少する必要がある。
部を設けるための現在の方法は次のような好ましくない
結果を生じることがあることがこれまで判っている。す
なわち、接触金属と誘電体との間の界面酸化物により形
成される直列浮遊容量により有効誘電率が低下するこ
と、接着層が酸化する結果接触抵抗が大きくなること、
誘電体を構成する元素により例えばシリコンをベースと
する部品が汚染されること、接触金属層により誘電体が
汚染されること、接触金属層が剥離すること、多数の層
(貴金属接触層とさらなる金属接着層)が必要なために
製造プロセスが困難になること、等の好ましくない結果
が生じる。
体は、誘電体(例えば強誘電体)と、この誘電体に形成
された少なくとも一つの電気接続部から成る。この接続
材料は、導電性の非金属を含む化合物(非金属を含む化
合物とは、金属でない少なくとも一つの成分を有する化
合物である)である。かかる化合物の例としては窒化ル
テニウム、二酸化ルテニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チ
タンおよび一酸化チタンがある。電気接続部として電気
伝導率を増やすようにドープされた化合物も使用でき
る。提供される新規な構造体の例としては、窒化ルテニ
ウムの2つの層の間に設けられたチタン酸バリウムスト
ロンチウムの層から成るコンデンサがある。
する電気接続部を形成している第1構造体がある。開示
された構造体は、現在の構造体の欠点を生じることな
く、HDC材料に電気接続部を設ける目的のすべてを一
般に達成するものである。接続層が反応済み金属である
場合、接続層は誘電体すなわち周辺材料の拡散および汚
染に対してより不活性である。この反応済み金属材料
は、HDC材料とその周辺材料との間の拡散バリアとし
ても働くことができるので、周辺材料によるHDC材料
(およびこの逆)の汚染を防止する。反応金属とするこ
とにより、さらなる反応が最小となり、これにより層の
剥離が防止される。接続部は製造環境中でより容易かつ
経済的に処理できるように単一層となっている。
または堆積されるので、酸化物が導電性となるような電
気接続部の構成材料が選択される。これにより現行の方
法の結果生じることがあった非導電性の界面酸化物によ
る直列浮遊容量がなくなる。本発明の新規な事項と考え
られる特徴は、添付された特許請求の範囲に記載されて
いる。しかしながら発明事態は、その特徴および利点と
同じように、添付図面を参照して次の詳細な説明を読め
ば最良に理解されよう。
好ましい実施例は、コンデンサであり、このコンデンサ
は3つの層、すなわち窒化ルテニウムから成る第1接続
層20と、チタン酸バリウムストロンチウムから成る誘
電体層22と、また窒化ルテニウムから成る第2接続層
24から成る。
26の表面上にかかるコンデンサ構造体を設けることが
できる。半導体の表面の一部の上に窒化ルテニウムの層
28が堆積され、次にチタン酸バリウムストロンチウム
の誘電層30が堆積され、次に窒化ルテニウムの第2接
続層32が堆積される。半導体上またはこの内部に設け
られた他のデバイスへの電気接続部には、代表的にはア
ルミニウムから成る金属接点34を設けることができ
る。図2は、コンデンサの要素のすべてを平面形状とし
て示しているが、本発明は、半導体表面の凹部内に形成
されたコンデンサを含む、より複雑な形状のコンデンサ
構造体にも等しく適用される。
コンデンサ構造体は2つの化合物を使用して形成でき、
HDC材料30への電気接点、(a)導電性窒化金属層
28および(b)それぞれの導電性金属酸化物36で形
成するものである。窒化金属層28は、拡散バリアとし
て働き、金属酸化物層36はHDC30との安定した導
電性接点として働く。これらの二重層を形成するには少
なくとも2つの方法がある。第1の方法は、窒化金属を
堆積し、次にHDCに接触すべき酸化金属を堆積する方
法である。もう一つの方法は、窒化金属層を堆積し、こ
の窒化金属層をHDC材料堆積時に導電性酸化金属に部
分的に変換する。導電性窒化物および酸化物を形成する
金属の例としては、ルテニウム(窒化ルテニウム/酸化
ルテニウム)および錫(窒化錫/酸化錫)がある。
材料としては、チタン酸塩、例えばチタン酸鉛ジルコ
ン、一つ以上の希土類元素でドープされたチタン酸塩、
一つ以上のアルカリ土類金属でドープされたチタン酸
塩、遷移金属酸化物、例えば五酸化タンタルおよび五酸
化ニオブ、および強誘電体材料がある。
の別の材料としては、窒化錫および酸化錫、窒化チタン
および一酸化チタン、窒化錫および酸化錫がある。これ
ら化合物は、電気伝導率を増すようにドープしたもの、
例えばインジウムでドープした窒化錫、アルミニウムで
ドープした窒化亜鉛、インジウムでドープした酸化錫お
よびアルミニウムでドープした酸化亜鉛とすることがで
きる。
リン化インジウムを含む他の多くの半導体基体も使用で
きる。化合物半導体は、特に汚染を受けやすいことが多
く、この汚染はこれら新規な構造体により一般に阻止さ
れるので、化合物半導体上に製造されたコンデンサは、
これら新規な構造体から最大の利点を得る。下記の単一
の表は、いくつかの実施例および図面を外観するもので
ある。
た。本発明の範囲は、特許請求の範囲内で上記の実施例
と異なる例をも含むと解すべきである。上記構造体を参
照すると、かかる構造体への電気接続部は、オーミック
性、整流性、容量性、介入回路を介したり、介さない直
接または間接的なものである。シリコン、ゲルマニウ
ム、ヒ化ガリウムまたは他の電子材料ファミリーの個別
部品または完全集積回路を製造することも意図してい
る。
明したが、この説明は本発明を限定するものではない。
当業者が発明の説明を読めば、本発明の他の実施例だけ
でなく、種々の変形例および図示した実施例の組み合わ
せが明らかとなろう。したがって特許請求の範囲は、か
かる変形例および実施例を含むものである。
る。 (1)誘電体と、該誘電体への少なくとも一つの電気接
続部とから成り、前記電気接続部は、導電性の非金属含
有化合物から成る構造体。 (2)前記誘電体は強誘電体材料である第1項記載の構
造体。 (3)前記誘電体は、遷移金属酸化物、チタン酸塩、一
つ以上の希土類元素でドープされたチタン酸塩、一つ以
上のアルカリ土類金属でドープされたチタン酸塩および
これらの組み合わせから成る群から選択された第2項記
載の構造体。
3、SrTiO3、TiO3、PbTiO3、KNbO
3、KTaO3、(Pb,Mg)NbO3、Bi4Ti
3O12またはこれらの組み合わせから成る群から選択
された第1項記載の構造体。 (5)前記誘電体は、La又はNbでドープされた(B
a、Sr、Pb)(Ti、Zr)O3である第1項記載
の構造体。 (6)前記導電性化合物は、窒化ランタン、二酸化ルテ
ニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チタン、一酸化チタン、
およびこれらの組み合わせから成る群から選択された第
1項記載の構造体。
実質的に増加するようドープされている第1項記載の構
造体。 (8)前記ドープされた金属化合物は、インジウムでド
ープされた窒化錫、アルミニウムでドープされた窒化亜
鉛、インジウムでドープされた酸化錫、アルミニウムで
ドープされた酸化亜鉛、およびこれらの組み合わせから
成る群から選択された第7項記載の構造体。 (9)前記誘電体はチタン酸 バリウムストロンチウム
である第1項記載の構造体。 (10)前記誘電体はチタン酸塩鉛ジルコンである第1
項記載の構造体。 (11)前記誘電体は五酸化タンタルである第1項記載
の構造体。 (12)前記誘電体は五酸化ニオブである第1項記載の
構造体。 (13)窒化ルテニウムの2つの層の間に設けられたチ
タン酸バリウムストロンチウムの層から成るコンデン
サ。
塩、一つ以上の希土類元素でドープされたチタン酸塩、
一つ以上のアルカリ土類金属およびそれらの組み合わせ
から成る群から選択した誘電体の層を導電性非金属含有
化合物の第1層の上に形成し、(b)前記誘電体の層の
上に導電性非金属含有化合物の第2層を形成する工程だ
ら成るコンデンサを形成する方法。 (15)前記導電性化合物は、窒化ランタン、二酸化ル
テニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チタン、一酸化チタ
ン、およびこれらの組み合わせから成る群から選択され
た第14項記載の方法。 (16)前記導電性化合物の電気伝導率を実質的に増加
するよう前記導電性化合物のドーピング工程を更に実施
する第14項記載の方法。 (17)本発明の要旨である構造体は、誘電体(例えば
チタン酸塩バリウムストロンチウム22)と、該誘電体
に形成された電気接続部(例えば、窒化ルテニウム2
0、24)とから成る。この接続部は導電性非金属含有
化合物(すなわち、金属でない少なくとも一つの成分を
有する金属化合物)、例えば窒化ルテニウム二酸化ルテ
ニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チタンおよび一酸化チタ
ンから成る。示された新規構造体の例としては、窒化ル
テニウムの2つの層の間にチタン酸塩バリウムストロン
チウムの層から成るコンデンサがある。かかる構造体の
利点としては、金属化合物が拡散バリアとして働くの
で、誘電体と周辺材料との汚染が減少することである。
反応済み金属とすると、更に反応が進むことが減少し、
これにより接続材料の層剥離が防止される。接続部は製
造環境中で、より容易かつ経済的に処理できるよう単一
層となっている。非導電性界面酸化物により生じる直列
浮遊容量は、一般的にこれら構造体により防止される。
細横断面図である。
細横断面図である。
構造体において、例えば高誘電率を有する材料に、電気
的な接続部を設けることに関する。
するための現在の方法に関連して、本発明の背景を説明
するが、この説明は本発明の範囲を限定するものではな
い。
る)は(一般に20よりも大きい)高誘電率を示し、こ
のためこれら材料は多数の電気デバイス例えばコンデン
サの製造に有効である。これらHDC材料の例として
は、チタン酸塩例えばチタン酸塩バリウムストロンチウ
ムおよびチタン酸塩鉛ジルコン、一つ以上のアクセプタ
例えばアルカリ土類金属(すなわちIIA族の元素)で
ドープされたチタン酸塩および一つ以上のドナー例えば
希土類元素(すなわちランタン系列の元素およびイット
リウム)でドープされたチタン酸塩がある。多くの強誘
電体および遷移金属酸化物(すなわち原子番号21〜2
9、39〜47、57〜79および89以上の元素の酸
化物)も高誘電率を示す。しかしながら、電気接続部が
電子デバイス内で有効であるには、これらHDC材料の
有効な特性を低下させない信頼性ある電気接続部を製造
しなければならない。
属層を用いてHDC材料へ電気的接点を一般に形成して
いた。例えば半導体基体の表面にコンデンサを形成する
HDC材料に電気接続部を設けるため、とりわけ次の技
術が用いられている。(a)誘電体/白金/基体、
(b)誘電体/白金/タンタル/基体、(c)誘電体/
金/基体、(d)誘電体/金パラジウム/基体、(e)
誘電体/金パラジウム/タングステン/基体。上記の例
における層の順は、頂部から基体(例えばシリコン)ま
での順である。コンデンサ構造体を完成するには誘電体
膜の頂部に対して同じような金属化が必要である。一般
に現在の方法では、接着層として働く他の金属と共に貴
金属を用いて誘電体に接触させている。
し、誘電材料成分による基体材料の汚染を防止し、接続
材料の層剥離を防止することにより、誘電材料のバルク
誘電率を保持しながら低抵抗率で誘電材料へ電気接続部
を形成する方法を、一般的に実施しなければならない。
さらに製造方法を簡略にするためにバルク層の数は一般
に減少する必要がある。
部を設けるための現在の方法は次のような好ましくない
結果を生じることがあることがこれまで判っている。す
なわち、接触金属と誘電体との間の界面酸化物により形
成される直列浮遊容量により有効誘電率が低下するこ
と、接着層が酸化する結果接触抵抗が大きくなること、
誘電体を構成する元素により例えばシリコンをベースと
する部品が汚染されること、接触金属層により誘電体が
汚染されること、接触金属層が剥離すること、多数の層
(貴金属接触層とさらなる金属接着層)が必要なために
製造プロセスが困難になること、等の好ましくない結果
が生じる。
体は、誘電体(例えば強誘電体)と、この誘電体に形成
された少なくとも一つの電気接続部から成る。この接続
材料は、導電性の非金属を含む化合物(非金属を含む化
合物とは、金属でない少なくとも一つの成分を有する化
合物である)である。かかる化合物の例としては窒化ル
テニウム、二酸化ルテニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チ
タンおよび一酸化チタンがある。電気接続部として電気
伝導率を増やすようにドープされた化合物も使用でき
る。提供される新規な構造体の例としては、窒化ルテニ
ウムの2つの層の間に設けられたチタン酸バリウムスト
ロンチウムの層から成るコンデンサがある。
する電気接続部を形成している第1構造体がある。開示
された構造体は、現在の構造体の欠点を生じることな
く、HDC材料に電気接続部を設ける目的のすべてを一
般に達成するものである。接続層が反応済み金属である
場合、接続層は誘電体すなわち周辺材料の拡散および汚
染に対してより不活性である。この反応済み金属材料
は、HDC材料とその周辺材料との間の拡散バリアとし
ても働くことができるので、周辺材料によるHDC材料
(およびこの逆)の汚染を防止する。反応金属とするこ
とにより、さらなる反応が最小となり、これにより層の
剥離が防止される。接続部は製造環境中でより容易かつ
経済的に処理できるように単一層となっている。
または堆積されるので、酸化物が導電性となるような電
気接続部の構成材料が選択される。これにより現行の方
法の結果生じることがあった非導電性の界面酸化物によ
る直列浮遊容量がなくなる。本発明の新規な事項と考え
られる特徴は、添付された特許請求の範囲に記載されて
いる。しかしながら発明事態は、その特徴および利点と
同じように、添付図面を参照して次の詳細な説明を読め
ば最良に理解されよう。
好ましい実施例は、コンデンサであり、このコンデンサ
は3つの層、すなわち窒化ルテニウムから成る第1接続
層20と、チタン酸バリウムストロンチウムから成る誘
電体層22と、また窒化ルテニウムから成る第2接続層
24から成る。
26の表面上にかかるコンデンサ構造体を設けることが
できる。半導体の表面の一部の上に窒化ルテニウムの層
28が堆積され、次にチタン酸バリウムストロンチウム
の誘電層30が堆積され、次に窒化ルテニウムの第2接
続層32が堆積される。半導体上またはこの内部に設け
られた他のデバイスへの電気接続部には、代表的にはア
ルミニウムから成る金属接点34を設けることができ
る。図2は、コンデンサの要素のすべてを平面形状とし
て示しているが、本発明は、半導体表面の凹部内に形成
されたコンデンサを含む、より複雑な形状のコンデンサ
構造体にも等しく適用される。
コンデンサ構造体は2つの化合物を使用して形成でき、
HDC材料30への電気接点、(a)導電性窒化金属層
28および(b)それぞれの導電性金属酸化物36で形
成するものである。窒化金属層28は、核酸バリアとし
て働き、金属酸化物層36はHDC30との安定した導
電性接点として働く。これらの二重層を形成するには少
なくとも2つの方法がある。第1の方法は、窒化金属を
堆積し、次にHDCに接触すべき酸化金属を堆積する方
法である。もう一つの方法は、窒化金属層を堆積し、こ
の窒化金属層をHDC材料堆積時に導電性酸化金属に部
分的に変換する。導電性窒化物および酸化物を形成する
金属の例としては、ルテニウム(窒化ルテニウム/酸化
ルテニウム)および錫(窒化錫/酸化錫)がある。
材料としては、チタン酸塩、例えばチタン酸鉛ジルコ
ン、一つ以上の希土類元素でドープされたチタン酸塩、
一つ以上のアルカリ土類金属でドープされたチタン酸
塩、遷移金属酸化物、例えば五酸化タンタルおよび五酸
化ニオブ、および強誘電体材料がある。
の別の材料としては、窒化錫および酸化錫、窒化チタン
および一酸化チタン、窒化錫および酸化錫がある。これ
ら化合物は、電気伝導率を増すようにドープしたもの、
例えばインジウムでドープした窒化錫、アルミニウムで
ドープした窒化亜鉛、インジウムでドープした酸化錫お
よびアルミニウムでドープした酸化亜鉛とすることがで
きる。
リン化インジウムを含む他の多くの半導体基体も使用で
きる。化合物半導体は、特に汚染を受けやすいことが多
く、この汚染はこれら新規な構造体により一般に阻止さ
れるので、化合物半導体上に製造されたコンデンサは、
これら新規な構造体から最大の利点を得る。下記の単一
の表は、いくつかの実施例および図面を外観するもので
ある。
た。本発明の範囲は、特許請求の範囲内で上記の実施例
と異なる例をも含むと解すべきである。上記構造体を参
照すると、かかる構造体への電気接続部は、オーミック
性、整流性、容量性、介入回路を介したり、介さない直
接または間接的なものである。シリコン、ゲルマニウ
ム、ヒ化ガリウムまたは他の電子材料ファミリーの個別
部品または完全集積回路を製造することも意図してい
る。
明したが、この説明は本発明を限定するものではない。
当業者が発明の説明を読めば、本発明の他の実施例だけ
でなく、種々の変形例および図示した実施例の組み合わ
せが明らかとなろう。したがって特許請求の範囲は、か
かる変形例および実施例を含むものである。
る。 (1)誘電体と、該誘電体への少なくとも一つの電気接
続部とから成り、前記電気接続部は、導電性の非金属含
有化合物から成る構造体。 (2)前記誘電体は強誘電体材料である第1項記載の構
造体。 (3)前記誘電体は、遷移金属酸化物、チタン酸塩、一
つ以上の希土類元素でドープされたチタン酸塩、一つ以
上のアルカリ土類金属でドープされたチタン酸塩および
これらの組み合わせから成る群から選択された第2項記
載の構造体。
3、SrTiO3、TiO3、PbTiO3、KNbO
3、KTaO3、(Pb,Mg)NbO3、Bi4Ti
3O12またはこれらの組み合わせから成る群から選択
された第1項記載の構造体。 (5)前記誘電体は、La又はNbでドープされた(B
a、Sr、Pb)(Ti、Zr)O3である第1項記載
の構造体。 (6)前記導電性化合物は、窒化ランタン、二酸化ルテ
ニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チタン、一酸化チタン、
およびこれらの組み合わせから成る群から選択された第
1項記載の構造体。
実質的に増加するようドープされている第1項記載の構
造体。 (8)前記ドープされた金属化合物は、インジウムでド
ープされた窒化錫、アルミニウムでドープされた窒化亜
鉛、インジウムでドープされた酸化錫、アルミニウムで
ドープされた酸化亜鉛、およびこれらの組み合わせから
成る群から選択された第7項記載の構造体。 (9)前記誘電体はチタン酸バリウムストロンチウムで
ある第1項記載の構造体。 (10)前記誘電体はチタン酸塩鉛ジルコンである第1
項記載の構造体。 (11)前記誘電体は五酸化タンタルである第1項記載
の構造体。 (12)前記誘電体は五酸化ニオブである第1項記載の
構造体。 (13)窒化ルテニウムの2つの層の間に設けられたチ
タン酸バリウムストロンチウムの層から成るコンデン
サ。
塩、一つ以上の希土類元素でドープされたチタン酸塩、
一つ以上のアルカリ土類金属およびそれらの組み合わせ
から成る群から選択した誘電体の層を導電性非金属含有
化合物の第1層の上に形成し、(b)前記誘電体の層の
上に導電性非金属含有化合物の第2層を形成する工程だ
ら成るコンデンサを形成する方法。 (15)前記導電性化合物は、窒化ランタン、二酸化ル
テニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チタン、一酸化チタ
ン、およびこれらの組み合わせから成る群から選択され
た第14項記載の方法。 (16)前記導電性化合物の電気伝導率を実質的に増加
するよう前記導電性化合物のドーピング工程を更に実施
する第14項記載の方法。 (17)本発明の要旨である構造体は、誘電体(例えば
チタン酸塩バリウムストロンチウム22)と、該誘電体
に形成された電気接続部(例えば、窒化ルテニウム2
0、24)とから成る。この接続部は導電性非金属含有
化合物(すなわち、金属でない少なくとも一つの成分を
有する金属化合物)、例えば窒化ルテニウム、二酸化ル
テニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チタンおよび一酸化チ
タンから成る。示された新規構造体の例としては、窒化
ルテニウムの2つの層の間にチタン酸塩バリウムストロ
ンチウムの層から成るコンデンサがある。かかる構造体
の利点としては、金属化合物が拡散バリアとして働くの
で、誘電体と周辺材料との汚染が減少することである。
反応済み金属とすると、更に反応が進むことが減少し、
これにより接続材料の層剥離が防止される。接続部は製
造環境中で、より容易かつ経済的に処理できるよう単一
層となっている。非導電性界面酸化物により生じる直列
浮遊容量は、一般的にこれら構造体により防止される。
細横断面図である。
細横断面図である。
Claims (2)
- 【請求項 1】誘電体と、 該誘電体への少なくとも一つの電気接続部とから成り、
前記電気接続部は、導電性の非金属含有化合物から成る
構造体。 - 【請求項 2】(a)酸化遷移金属、チタン酸塩、一つ
以上の希土類元素でドープされたチタン酸塩、一つ以上
のアルカリ土類金属およびそれらの組み合わせから成る
群から選択した誘電体の層を導電性非金属含有化合物の
第1層の上に形成し、(b)前記誘電体の層の上に導電
性非金属含有化合物の第2層を形成する工程から成るコ
ンデンサを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US87186492A | 1992-04-20 | 1992-04-20 | |
US871864 | 1992-04-20 |
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EP (2) | EP0567062A1 (ja) |
JP (1) | JP3351856B2 (ja) |
KR (1) | KR100325967B1 (ja) |
TW (1) | TW353186B (ja) |
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