JPH06132336A - トランスファモールド装置 - Google Patents
トランスファモールド装置Info
- Publication number
- JPH06132336A JPH06132336A JP4304554A JP30455492A JPH06132336A JP H06132336 A JPH06132336 A JP H06132336A JP 4304554 A JP4304554 A JP 4304554A JP 30455492 A JP30455492 A JP 30455492A JP H06132336 A JPH06132336 A JP H06132336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- runner
- mold
- resin
- lead frame
- ejector pin
- Prior art date
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- Withdrawn
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/38—Cutting-off equipment for sprues or ingates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置のトランスファ成形において、ラ
ンナ樹脂残部の切離のための特別な装置を必要とせず、
且つリードフレームの変形等を有効に防止し得るように
する。 【構成】 充填用のキャビティ２，２′を有する上型
１′と下型１との間に、半導体素子２０を実装したリー
ドフレーム２１を挟持する。ランナ６が設けられている
下型１の一部を、下型１とは独立して離型方向へ作動す
るランナブロック９として構成し、このランナブロック
９においてランナ６内に離型用エジェクタピン１０を設
けると共に、ランナ６の近傍にリードフレーム用支持ピ
ン１１を設け、またランナ６に対応して上型１′に離型
用エジェクタピン１０′を設ける。樹脂モールド部２２
の成形後に、リードフレーム用支持ピン１１によりリー
ドフレーム２１を保持した状態で、離型用エジェクタピ
ン１０′を突き出させると共にランナブロック９を離型
方向へ作動させ、ランナ樹脂残部２４ａを樹脂モールド
部２２及びリードフレーム２１から切離する。
ンナ樹脂残部の切離のための特別な装置を必要とせず、
且つリードフレームの変形等を有効に防止し得るように
する。 【構成】 充填用のキャビティ２，２′を有する上型
１′と下型１との間に、半導体素子２０を実装したリー
ドフレーム２１を挟持する。ランナ６が設けられている
下型１の一部を、下型１とは独立して離型方向へ作動す
るランナブロック９として構成し、このランナブロック
９においてランナ６内に離型用エジェクタピン１０を設
けると共に、ランナ６の近傍にリードフレーム用支持ピ
ン１１を設け、またランナ６に対応して上型１′に離型
用エジェクタピン１０′を設ける。樹脂モールド部２２
の成形後に、リードフレーム用支持ピン１１によりリー
ドフレーム２１を保持した状態で、離型用エジェクタピ
ン１０′を突き出させると共にランナブロック９を離型
方向へ作動させ、ランナ樹脂残部２４ａを樹脂モールド
部２２及びリードフレーム２１から切離する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を実装した
リードフレームを熱硬化性樹脂により封止するようにし
たトランスファモールド装置、特にその金型に関する。
リードフレームを熱硬化性樹脂により封止するようにし
たトランスファモールド装置、特にその金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体素子用のトランスファモー
ルド装置において、その金型は、図８に示したように、
樹脂封止を行うためのキャビティ２を有する下型１とキ
ャビティ２′を有する上型１′との間に、半導体素子２
０と接合したリードフレーム２１を挟み込むようになっ
ている。上記下型１には、熱硬化性樹脂のタブレットを
装填するプランジャブロック４とこのタブレットを加圧
して押し出すためのプランジャ５とが隣接配置されてい
る。また、リードフレーム２１の下面に沿って、上記プ
ランジャ５によって押し出された樹脂を上記キャビティ
２，２′内に流入させるためのランナ６が下型１に形成
されている。
ルド装置において、その金型は、図８に示したように、
樹脂封止を行うためのキャビティ２を有する下型１とキ
ャビティ２′を有する上型１′との間に、半導体素子２
０と接合したリードフレーム２１を挟み込むようになっ
ている。上記下型１には、熱硬化性樹脂のタブレットを
装填するプランジャブロック４とこのタブレットを加圧
して押し出すためのプランジャ５とが隣接配置されてい
る。また、リードフレーム２１の下面に沿って、上記プ
ランジャ５によって押し出された樹脂を上記キャビティ
２，２′内に流入させるためのランナ６が下型１に形成
されている。
【０００３】次に、従来のトランスファモールド装置の
金型において、半導体素子２０を封止する場合の工程を
説明する。下型１のプランジャブロック４に装填された
樹脂タブレットを加熱しながら、プランジャ５が樹脂を
加圧して押し出すことにより、ランナ６を介して該樹脂
がキャビティ２，２′に充填される。これによりモール
ド部２２が成形され、半導体装置２３として構成される
が、この成形終了後、図９に示されるように、キャビテ
ィ２′に設けたエジェクタピン３′と上型１′のプラン
ジャブロック４′に設けたエジェクタピン７とによっ
て、上記モールド部２２とランナ６やプランジャブロッ
ク４等に残る樹脂残部２４とを突き出して離型させる。
金型において、半導体素子２０を封止する場合の工程を
説明する。下型１のプランジャブロック４に装填された
樹脂タブレットを加熱しながら、プランジャ５が樹脂を
加圧して押し出すことにより、ランナ６を介して該樹脂
がキャビティ２，２′に充填される。これによりモール
ド部２２が成形され、半導体装置２３として構成される
が、この成形終了後、図９に示されるように、キャビテ
ィ２′に設けたエジェクタピン３′と上型１′のプラン
ジャブロック４′に設けたエジェクタピン７とによっ
て、上記モールド部２２とランナ６やプランジャブロッ
ク４等に残る樹脂残部２４とを突き出して離型させる。
【０００４】下型１及びそのプランジャブロック４を下
降させ、次いで図１０に示したように、樹脂残部２４が
付着したリードフレーム２１が、下型１側のエジェクタ
ピン３とプランジャ５とによって突き出される。このよ
うに、リードフレーム２１の下面に樹脂残部２４が付着
したままの状態で、半導体装置２３は下型１から取り出
されるが、最後に図１１に示したように、樹脂残部２４
はモールド部２２及びリードフレーム２１から切離され
る。
降させ、次いで図１０に示したように、樹脂残部２４が
付着したリードフレーム２１が、下型１側のエジェクタ
ピン３とプランジャ５とによって突き出される。このよ
うに、リードフレーム２１の下面に樹脂残部２４が付着
したままの状態で、半導体装置２３は下型１から取り出
されるが、最後に図１１に示したように、樹脂残部２４
はモールド部２２及びリードフレーム２１から切離され
る。
【０００５】なお、ここで特公平３−５４０４６号公報
によれば、この種のモールド成形品に対してランナ・ゲ
ート除去装置が開示されている。この装置は、トランス
ファ成形機によって樹脂封止された電子部品とこれに付
着しているランナ及びゲート部分とで成る成形品を、所
定位置にセットして上記ランナ及びゲート部分を除去す
るようにしたものである。
によれば、この種のモールド成形品に対してランナ・ゲ
ート除去装置が開示されている。この装置は、トランス
ファ成形機によって樹脂封止された電子部品とこれに付
着しているランナ及びゲート部分とで成る成形品を、所
定位置にセットして上記ランナ及びゲート部分を除去す
るようにしたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来のトランスファモールド装置では、樹脂残部２４を
モールド部２２及びリードフレーム２１から切離するた
めの特別な装置を必要とする。例えば、上記公報に記載
されたランナ・ゲート除去装置にしても、この装置はト
ランスファモールド装置とは別の機械設備であり、トラ
ンスファ成形工程とは別工程で上記ランナ及びゲート部
分を除去するようになっている。また、リードフレーム
２１の下面に接着した樹脂残部２４を剥離させるため
に、相当な大きさの力が必要になり、このため樹脂を剥
離する際にリードフレーム２１を変形させる危険があっ
た。
従来のトランスファモールド装置では、樹脂残部２４を
モールド部２２及びリードフレーム２１から切離するた
めの特別な装置を必要とする。例えば、上記公報に記載
されたランナ・ゲート除去装置にしても、この装置はト
ランスファモールド装置とは別の機械設備であり、トラ
ンスファ成形工程とは別工程で上記ランナ及びゲート部
分を除去するようになっている。また、リードフレーム
２１の下面に接着した樹脂残部２４を剥離させるため
に、相当な大きさの力が必要になり、このため樹脂を剥
離する際にリードフレーム２１を変形させる危険があっ
た。
【０００７】本発明はかかる実情に鑑み、この種のトラ
ンスファ成形において、ランナ樹脂残部の切離のための
特別な装置を必要とせず、且つリードフレームの変形等
を有効に防止し得るトランスファモールド装置を提供す
ることを目的とする。
ンスファ成形において、ランナ樹脂残部の切離のための
特別な装置を必要とせず、且つリードフレームの変形等
を有効に防止し得るトランスファモールド装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のトランスファモ
ールド装置は、半導体素子を実装したリードフレームを
樹脂充填用のキャビティを備えた上型と下型との間に挟
持し、上記リードフレームの下面に沿って上記下型に設
けられたランナを介して上記キャビティに樹脂を流入さ
せて、樹脂モールド部を成形するように構成したトラン
スファモールド装置において、上記ランナが設けられて
いる上記下型の一部を、この下型とは独立して離型方向
へ作動可能なランナブロックとして構成し、このランナ
ブロックの上記ランナの近傍に突出自在のリードフレー
ム用支持ピンを設けると共に、上記ランナブロックの上
記ランナに対応させて上記上型に突出自在の切離用エジ
ェクタピンを設け、上記樹脂モールド部の成形後に、上
記リードフレーム用支持ピンを突出させて上記リードフ
レームを上記上型に接触させた状態で、上記切離用エジ
ェクタピンを突出させると共に上記ランナブロックを離
型方向へ作動させることによって、上記ランナ内に残っ
て上記リードフレームの下面に付着したランナ樹脂残部
を上記樹脂モールド部及び上記リードフレームから切離
するように構成したものである。
ールド装置は、半導体素子を実装したリードフレームを
樹脂充填用のキャビティを備えた上型と下型との間に挟
持し、上記リードフレームの下面に沿って上記下型に設
けられたランナを介して上記キャビティに樹脂を流入さ
せて、樹脂モールド部を成形するように構成したトラン
スファモールド装置において、上記ランナが設けられて
いる上記下型の一部を、この下型とは独立して離型方向
へ作動可能なランナブロックとして構成し、このランナ
ブロックの上記ランナの近傍に突出自在のリードフレー
ム用支持ピンを設けると共に、上記ランナブロックの上
記ランナに対応させて上記上型に突出自在の切離用エジ
ェクタピンを設け、上記樹脂モールド部の成形後に、上
記リードフレーム用支持ピンを突出させて上記リードフ
レームを上記上型に接触させた状態で、上記切離用エジ
ェクタピンを突出させると共に上記ランナブロックを離
型方向へ作動させることによって、上記ランナ内に残っ
て上記リードフレームの下面に付着したランナ樹脂残部
を上記樹脂モールド部及び上記リードフレームから切離
するように構成したものである。
【０００９】特に、上記ランナブロックの上記ランナ内
に突出自在の離型用エジェクタピンを設け、上記ランナ
樹脂残部の切離後に、上記離型用エジェクタピンを突出
させて上記ランナ樹脂残部を上記ランナ内から離型する
ように構成されている。
に突出自在の離型用エジェクタピンを設け、上記ランナ
樹脂残部の切離後に、上記離型用エジェクタピンを突出
させて上記ランナ樹脂残部を上記ランナ内から離型する
ように構成されている。
【００１０】また、上記ランナ樹脂残部の切離後に、上
記樹脂モールド部を上記上型から離型させると共に上記
下型を離型方向へ作動させることによって、上記ランナ
ブロックを上記下型に対する所定位置に復帰させるよう
に構成されている。
記樹脂モールド部を上記上型から離型させると共に上記
下型を離型方向へ作動させることによって、上記ランナ
ブロックを上記下型に対する所定位置に復帰させるよう
に構成されている。
【００１１】さらに、上記ランナブロックの上記ランナ
内に突出自在の離型用エジェクタピンを設け、上記ラン
ナブロックを上記所定位置に復帰させて、上記樹脂モー
ルド部を上記下型から離型させた後、上記離型用エジェ
クタピンを突出させて上記ランナ樹脂残部を上記ランナ
内から離型するように構成されている。
内に突出自在の離型用エジェクタピンを設け、上記ラン
ナブロックを上記所定位置に復帰させて、上記樹脂モー
ルド部を上記下型から離型させた後、上記離型用エジェ
クタピンを突出させて上記ランナ樹脂残部を上記ランナ
内から離型するように構成されている。
【００１２】
【作用】本発明によるトランスファモールド装置では、
樹脂モールド部の成形後に、ランナブロックのリードフ
レーム用支持ピンの突出によりリードフレームが上型に
接触されて保持された状態で、上型の切離用エジェクタ
ピンが突出されると共にランナブロックが離型方向へ作
動される。これによって、ランナ樹脂残部がランナ内に
保持されたまま押圧されて樹脂モールド部から切断され
且つリードフレームの下面から剥離される。従って、ラ
ンナ樹脂残部の切離のための特別な装置及び工程が必要
なく、金型自体において樹脂モールド部の成形及びその
ランナ樹脂残部の切離が行われる。また、樹脂モールド
部の成形直後で樹脂が完全に硬化していない状態のた
め、軽い力で容易に切離が行われる。しかも、切離の際
にリードフレーム用支持ピンによりリードフレームが保
持されているので、そのリードフレームの変形が未然に
防止される。
樹脂モールド部の成形後に、ランナブロックのリードフ
レーム用支持ピンの突出によりリードフレームが上型に
接触されて保持された状態で、上型の切離用エジェクタ
ピンが突出されると共にランナブロックが離型方向へ作
動される。これによって、ランナ樹脂残部がランナ内に
保持されたまま押圧されて樹脂モールド部から切断され
且つリードフレームの下面から剥離される。従って、ラ
ンナ樹脂残部の切離のための特別な装置及び工程が必要
なく、金型自体において樹脂モールド部の成形及びその
ランナ樹脂残部の切離が行われる。また、樹脂モールド
部の成形直後で樹脂が完全に硬化していない状態のた
め、軽い力で容易に切離が行われる。しかも、切離の際
にリードフレーム用支持ピンによりリードフレームが保
持されているので、そのリードフレームの変形が未然に
防止される。
【００１３】そして、ランナ樹脂残部の切離後に、ラン
ナ内の離型用エジェクタピンを突出させてランナ樹脂残
部をランナ内から離型することによって、そのランナ樹
脂残部がランナブロックから極めて簡単に取り出され
る。
ナ内の離型用エジェクタピンを突出させてランナ樹脂残
部をランナ内から離型することによって、そのランナ樹
脂残部がランナブロックから極めて簡単に取り出され
る。
【００１４】また特に、ランナ樹脂残部の切離後に、樹
脂モールド部を上型から離型させると共に下型を離型方
向へ作動させて、ランナブロックを下型に対する所定位
置に復帰させ、さらに、樹脂モールド部を下型から離型
させた後、離型用エジェクタピンを突出させてランナ樹
脂残部をランナ内から離型すると、樹脂モールド部の成
形、ランナ樹脂残部の切離、樹脂モールド部及びランナ
樹脂残部の離型までが、最少限の一連の動作によって円
滑に行われる。
脂モールド部を上型から離型させると共に下型を離型方
向へ作動させて、ランナブロックを下型に対する所定位
置に復帰させ、さらに、樹脂モールド部を下型から離型
させた後、離型用エジェクタピンを突出させてランナ樹
脂残部をランナ内から離型すると、樹脂モールド部の成
形、ランナ樹脂残部の切離、樹脂モールド部及びランナ
樹脂残部の離型までが、最少限の一連の動作によって円
滑に行われる。
【００１５】
【実施例】以下、図１乃至図７に基づき、従来例と同一
部材には同一符号を用いて、本発明のトランスファモー
ルド装置の一実施例を説明する。本発明に係る金型は、
それぞれキャビティ２，２′を有する下型１，上型１′
に離型用エジェクタピン３，３′が設けられ、下型１及
び上型１′間に半導体素子２０と接合したリードフレー
ム２１を挟持するようになっている。
部材には同一符号を用いて、本発明のトランスファモー
ルド装置の一実施例を説明する。本発明に係る金型は、
それぞれキャビティ２，２′を有する下型１，上型１′
に離型用エジェクタピン３，３′が設けられ、下型１及
び上型１′間に半導体素子２０と接合したリードフレー
ム２１を挟持するようになっている。
【００１６】図１は特に上記下型１の構成例を示してお
り、図においてキャビティ２の周囲適所に複数の位置合
わせピン８が植設され、この位置合わせピン８によって
上記リードフレーム２１が位置決めされる。また本実施
例では、ランナ６はキャビティ２の角部と接続するよう
に形成されているが、かかるランナ６が配設されている
下型１の一部が、ランナブロック９として構成されてい
る。ランナブロック９は下型１を構成しているが、それ
自体は下型１から独立して上下に作動し得るようになっ
ている。さらに図において、１０は上記ランナブロック
９におけるランナ６内に突出自在に設けられた離型用エ
ジェクタピン、１１はランナブロック９のランナ６の近
傍に突出自在に設けられたリードフレーム用支持ピンで
ある。
り、図においてキャビティ２の周囲適所に複数の位置合
わせピン８が植設され、この位置合わせピン８によって
上記リードフレーム２１が位置決めされる。また本実施
例では、ランナ６はキャビティ２の角部と接続するよう
に形成されているが、かかるランナ６が配設されている
下型１の一部が、ランナブロック９として構成されてい
る。ランナブロック９は下型１を構成しているが、それ
自体は下型１から独立して上下に作動し得るようになっ
ている。さらに図において、１０は上記ランナブロック
９におけるランナ６内に突出自在に設けられた離型用エ
ジェクタピン、１１はランナブロック９のランナ６の近
傍に突出自在に設けられたリードフレーム用支持ピンで
ある。
【００１７】上記ランナ部用エジェクタピン１０は、図
２に示されるように、ランナ６内に配置されるが、その
配設位置及び個数はランナ６の形状等により適宜選定さ
れ、例えばリードフレーム２１の外側に位置するように
配置される場合もある。また、上記リードフレーム用支
持ピン１１は、リードフレーム２１を支持し得るよう
に、その下側の対応位置に配置されている。なおリード
フレーム用支持ピン１１の配設位置及び個数は、リード
フレーム２１の寸法もしくは形状パターン等により適宜
選定される。
２に示されるように、ランナ６内に配置されるが、その
配設位置及び個数はランナ６の形状等により適宜選定さ
れ、例えばリードフレーム２１の外側に位置するように
配置される場合もある。また、上記リードフレーム用支
持ピン１１は、リードフレーム２１を支持し得るよう
に、その下側の対応位置に配置されている。なおリード
フレーム用支持ピン１１の配設位置及び個数は、リード
フレーム２１の寸法もしくは形状パターン等により適宜
選定される。
【００１８】一方、図３を参照して、上型１′において
は、上記ランナブロック９のランナ６に対応して、離型
用エジェクタピン１０′が突出自在に設けられており、
このエジェクタピン１０′によってランナ６内の樹脂残
部であるランナ部２４ａを押圧するようになっている。
なお、当然ながら、離型用エジェクタピン１０′は、下
型１及び上型１′間に挟持されるリードフレーム２１と
干渉しないように、該リードフレーム２１を避けて配置
されている。
は、上記ランナブロック９のランナ６に対応して、離型
用エジェクタピン１０′が突出自在に設けられており、
このエジェクタピン１０′によってランナ６内の樹脂残
部であるランナ部２４ａを押圧するようになっている。
なお、当然ながら、離型用エジェクタピン１０′は、下
型１及び上型１′間に挟持されるリードフレーム２１と
干渉しないように、該リードフレーム２１を避けて配置
されている。
【００１９】次に本発明によるトランスファモールド装
置の作用を説明する。先ず、図３に示されるようにリー
ドフレーム２１を挟持した下型１及び上型１′におい
て、下型１のプランジャ５が、樹脂タブレットを加圧し
て押し上げ、これによりランナ６を介してキャビティ
２，２′に樹脂が充填される。そして、半導体装置２３
のモールド部２２が成形されるが、このときにはランナ
部２４ａ及びプランジャ部２４ｂで成る樹脂残部２４が
同時に形成され、この樹脂残部２４は上記モールド部２
２と一体化している。
置の作用を説明する。先ず、図３に示されるようにリー
ドフレーム２１を挟持した下型１及び上型１′におい
て、下型１のプランジャ５が、樹脂タブレットを加圧し
て押し上げ、これによりランナ６を介してキャビティ
２，２′に樹脂が充填される。そして、半導体装置２３
のモールド部２２が成形されるが、このときにはランナ
部２４ａ及びプランジャ部２４ｂで成る樹脂残部２４が
同時に形成され、この樹脂残部２４は上記モールド部２
２と一体化している。
【００２０】上記モールド部２２の成形後、図４に示し
たように、ランナブロック９が上型１′から離脱するよ
うに下降すると共に、リードフレーム用支持ピン１１が
リードフレーム２１の適所を支持して上型１′に接触さ
せた状態で、上型１′の離型用エジェクタピン１０′が
ランナ部２４ａのみを下方に突き出して、これによりラ
ンナ部２４ａはモールド部２２から切断されると共に、
リードフレーム２１の下面から剥離される。このように
下方に突き出され切離されたランナ部２４ａはランナ６
内に保持される。なお、プランジャ部２４ｂはそのまま
プランジャ５上に保持されている。即ちランナ部２４ａ
は、モールド部２２及びプランジャ部２４ｂの双方から
切離する。
たように、ランナブロック９が上型１′から離脱するよ
うに下降すると共に、リードフレーム用支持ピン１１が
リードフレーム２１の適所を支持して上型１′に接触さ
せた状態で、上型１′の離型用エジェクタピン１０′が
ランナ部２４ａのみを下方に突き出して、これによりラ
ンナ部２４ａはモールド部２２から切断されると共に、
リードフレーム２１の下面から剥離される。このように
下方に突き出され切離されたランナ部２４ａはランナ６
内に保持される。なお、プランジャ部２４ｂはそのまま
プランジャ５上に保持されている。即ちランナ部２４ａ
は、モールド部２２及びプランジャ部２４ｂの双方から
切離する。
【００２１】上記のようにランナ部２４ａが切離される
際、リードフレーム２１はリードフレーム用支持ピン１
１によって上型１′に接触した状態で保持されているの
で、その変形が防止される。
際、リードフレーム２１はリードフレーム用支持ピン１
１によって上型１′に接触した状態で保持されているの
で、その変形が防止される。
【００２２】つぎに、図５に示したように、上型１′の
離型用エジェクタピン３′，３′及びこれに隣接するプ
ランジャ部用エジェクタピン７が下方に突き出ると共
に、下型１及びこれに隣接するプランジャブロック４が
下降する。また、リードフレーム用支持ピン１１はリー
ドフレーム２１を支持したまま、下型１と共に下降す
る。これにより、上型１′からのモールド部２２の離型
が完了すると同時に、既に下降しているランナブロック
９が下型１に対する元の所定位置に復帰する。
離型用エジェクタピン３′，３′及びこれに隣接するプ
ランジャ部用エジェクタピン７が下方に突き出ると共
に、下型１及びこれに隣接するプランジャブロック４が
下降する。また、リードフレーム用支持ピン１１はリー
ドフレーム２１を支持したまま、下型１と共に下降す
る。これにより、上型１′からのモールド部２２の離型
が完了すると同時に、既に下降しているランナブロック
９が下型１に対する元の所定位置に復帰する。
【００２３】さらに、図６に示したように、下型１の離
型用エジェクタピン３，３がそのキャビティ２からモー
ルド部２２を上方に突き出し、これにより半導体装置２
３が下型１からの離型されて金型から取り出される。そ
して半導体装置２３の取出後、図７に示したように、離
型用エジェクタピン３，３及び３′，３′、離型用エジ
ェクタピン１０′及びプランジャ部用エジェクタピン７
が後退して元の所定位置に復帰し、離型用エジェクタピ
ン１０及びプランジャ５がそれぞれランナ部２４ａ及び
プランジャ部２４ｂを同時に上方に突き出すことによ
り、樹脂残部２４がランナブロック９及びプランジャブ
ロック４から離型される。
型用エジェクタピン３，３がそのキャビティ２からモー
ルド部２２を上方に突き出し、これにより半導体装置２
３が下型１からの離型されて金型から取り出される。そ
して半導体装置２３の取出後、図７に示したように、離
型用エジェクタピン３，３及び３′，３′、離型用エジ
ェクタピン１０′及びプランジャ部用エジェクタピン７
が後退して元の所定位置に復帰し、離型用エジェクタピ
ン１０及びプランジャ５がそれぞれランナ部２４ａ及び
プランジャ部２４ｂを同時に上方に突き出すことによ
り、樹脂残部２４がランナブロック９及びプランジャブ
ロック４から離型される。
【００２４】なお、本発明でいう上型及び下型の関係は
相対的なものであり、上記実施例においては、プランジ
ャ５及びランナブロック９を下型１側に配置した例を説
明したが、これらは下型１及び上型１′のいずれに設け
てもよく、上記実施例を同様な作用効果を得ることがで
きる。
相対的なものであり、上記実施例においては、プランジ
ャ５及びランナブロック９を下型１側に配置した例を説
明したが、これらは下型１及び上型１′のいずれに設け
てもよく、上記実施例を同様な作用効果を得ることがで
きる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、こ
の種の半導体装置の製造工程において、成形後の樹脂モ
ールド部と一体化し且つリードフレームに付着したラン
ナ樹脂残部の切離を、成形直後のランナブロック及び切
離用エジェクタピンの作動によって行うので、特別な装
置を使用することなく簡単且つ確実に切離することでき
る。その場合、成形直後において樹脂が完全に硬化しな
いうちに行うので、軽い力で容易に切離することでき、
しかもその際、リードフレーム用支持ピンによりリード
フレームを保持しているので、リードフレームの変形を
防止することができる。。従って製造設備及び製造工程
を簡略化することにより、生産効率を高めると共に、生
産コストを低減し得る等の利点がある。さらに、リード
フレームを変形させる等の危険がなく、高品質の半導体
装置を実現することができる。
の種の半導体装置の製造工程において、成形後の樹脂モ
ールド部と一体化し且つリードフレームに付着したラン
ナ樹脂残部の切離を、成形直後のランナブロック及び切
離用エジェクタピンの作動によって行うので、特別な装
置を使用することなく簡単且つ確実に切離することでき
る。その場合、成形直後において樹脂が完全に硬化しな
いうちに行うので、軽い力で容易に切離することでき、
しかもその際、リードフレーム用支持ピンによりリード
フレームを保持しているので、リードフレームの変形を
防止することができる。。従って製造設備及び製造工程
を簡略化することにより、生産効率を高めると共に、生
産コストを低減し得る等の利点がある。さらに、リード
フレームを変形させる等の危険がなく、高品質の半導体
装置を実現することができる。
【図１】本発明のトランスファモールド装置の一実施例
による下型の斜視図である。
による下型の斜視図である。
【図２】本発明に係る上記下型に設けたランナブロック
の構成例を示す部分拡大平面図である。
の構成例を示す部分拡大平面図である。
【図３】本発明の上記トランスファモールド装置におけ
る樹脂モールド部の成形状態を示す金型の縦断面図であ
る。
る樹脂モールド部の成形状態を示す金型の縦断面図であ
る。
【図４】本発明の上記トランスファモールド装置におけ
るランナ樹脂残部の切離状態を示す金型の縦断面図であ
る。
るランナ樹脂残部の切離状態を示す金型の縦断面図であ
る。
【図５】本発明の上記トランスファモールド装置におけ
る上型からの樹脂モールド部の離型状態を示す金型の縦
断面図である。
る上型からの樹脂モールド部の離型状態を示す金型の縦
断面図である。
【図６】本発明の上記トランスファモールド装置におけ
る下型からの樹脂モールド部の離型状態を示す金型の縦
断面図である。
る下型からの樹脂モールド部の離型状態を示す金型の縦
断面図である。
【図７】本発明の上記トランスファモールド装置におけ
るランナ樹脂残部の離型状態を示す金型の縦断面図であ
る。
るランナ樹脂残部の離型状態を示す金型の縦断面図であ
る。
【図８】従来のトランスファモールド装置における樹脂
モールド部の成形状態を示す金型の縦断面図である。
モールド部の成形状態を示す金型の縦断面図である。
【図９】従来のトランスファモールド装置における上型
からの樹脂モールド部の離型状態を示す金型の縦断面図
である。
からの樹脂モールド部の離型状態を示す金型の縦断面図
である。
【図１０】従来のトランスファモールド装置における下
型からの樹脂モールド部の離型状態を示す金型の縦断面
図である。
型からの樹脂モールド部の離型状態を示す金型の縦断面
図である。
【図１１】従来のトランスファモールド装置により成形
された樹脂モールド部及びその樹脂残部の側断面図であ
る。
された樹脂モールド部及びその樹脂残部の側断面図であ
る。
１ 下型 １′ 上型 ２ キャビティ ２′ キャビティ ３ 離型用エジェクタピン ３′ 離型用エジェクタピン ４ プランジャブロック ４′ プランジャブロック ５ プランジャ ６ ランナ ７ プランジャ部用エジェクタピン ９ ランナブロック １０ 離型用エジェクタピン １０′ 離型用エジェクタピン １１ リードフレーム用支持ピン ２０ 半導体素子 ２１ リードフレーム ２２ モールド部 ２３ 半導体装置 ２４ 樹脂残部 ２４ａ ランナ部 ２４ｂ プランジャ部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子を実装したリードフレームを
樹脂充填用のキャビティを備えた上型と下型との間に挟
持し、上記リードフレームの下面に沿って上記下型に設
けられたランナを介して上記キャビティに樹脂を流入さ
せて、樹脂モールド部を成形するように構成したトラン
スファモールド装置において、 上記ランナが設けられている上記下型の一部を、この下
型とは独立して離型方向へ作動可能なランナブロックと
して構成し、このランナブロックの上記ランナの近傍に
突出自在のリードフレーム用支持ピンを設けると共に、
上記ランナブロックの上記ランナに対応させて上記上型
に突出自在の切離用エジェクタピンを設け、 上記樹脂モールド部の成形後に、上記リードフレーム用
支持ピンを突出させて上記リードフレームを上記上型に
接触させた状態で、上記切離用エジェクタピンを突出さ
せると共に上記ランナブロックを離型方向へ作動させる
ことによって、上記ランナ内に残って上記リードフレー
ムの下面に付着したランナ樹脂残部を上記樹脂モールド
部及び上記リードフレームから切離するように構成した
ことを特徴とするトランスファモールド装置。 - 【請求項２】 上記ランナブロックの上記ランナ内に突
出自在の離型用エジェクタピンを設け、上記ランナ樹脂
残部の切離後に、上記離型用エジェクタピンを突出させ
て上記ランナ樹脂残部を上記ランナ内から離型するよう
に構成したことを特徴とする請求項１に記載のトランス
ファモールド装置。 - 【請求項３】 上記ランナ樹脂残部の切離後に、上記樹
脂モールド部を上記上型から離型させると共に上記下型
を離型方向へ作動させることによって、上記ランナブロ
ックを上記下型に対する所定位置に復帰させるように構
成したことを特徴とする請求項１に記載のトランスファ
モールド装置。 - 【請求項４】 上記ランナブロックの上記ランナ内に突
出自在の離型用エジェクタピンを設け、上記ランナブロ
ックを上記所定位置に復帰させて、上記樹脂モールド部
を上記下型から離型させた後、上記離型用エジェクタピ
ンを突出させて上記ランナ樹脂残部を上記ランナ内から
離型するように構成したことを特徴とする請求項３に記
載のトランスファモールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4304554A JPH06132336A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | トランスファモールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4304554A JPH06132336A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | トランスファモールド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132336A true JPH06132336A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17934394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4304554A Withdrawn JPH06132336A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | トランスファモールド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132336A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011104926A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 樹脂封止用金型、樹脂封止装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN109016330A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-18 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种包封模具及其包封方法 |
| JP2019209665A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂成形装置および樹脂成形品の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP4304554A patent/JPH06132336A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011104926A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 樹脂封止用金型、樹脂封止装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2019209665A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂成形装置および樹脂成形品の製造方法 |
| CN109016330A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-18 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种包封模具及其包封方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |