JPH06275670A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法

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JPH06275670A
JPH06275670A JP5063674A JP6367493A JPH06275670A JP H06275670 A JPH06275670 A JP H06275670A JP 5063674 A JP5063674 A JP 5063674A JP 6367493 A JP6367493 A JP 6367493A JP H06275670 A JPH06275670 A JP H06275670A
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板の回路パターンを損傷することなく、カ
ルを基板から容易に分離できるモールドプレス装置を提
供すること。 【構成】 チップ23が搭載された基板22をモールド
プレス装置の上型31と下型32の間にセットし、ゲー
ト溝35,36からキャビティ33の内部に溶融樹脂4
4を圧入してこのチップ23を保護するモールド体24
を形成した後、上型31と下型32を分離して基板22
を上型31と下型32の間から取り出し、次にゲート溝
35,36の内部で硬化したリブ25〜28と基板22
を切断装置50により一緒に打抜くことにより、電子部
品21を得る。 【効果】 リブ25〜28を基板22と一緒に打抜くこ
とにより、基板22の回路パターンを損傷することな
く、カル44a,44bを基板22から容易に分離でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に搭載されたチッ
プを樹脂封止して得られる電子部品の製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】基板にチップを搭載した後、モールドプ
レス装置により、このチップを保護するモールド体を形
成して電子部品を得ることが行われる。次に図7を参照
しながら、モールド体の成形方法を説明する。チップ1
が搭載された基板2を上型3と下型4の間に密閉したう
えで、ヒータにより加熱されて樹脂収納孔5内で溶融し
た溶融樹脂6をプランジャ7により押し上げながら、ゲ
ート溝8を通して基板2側へ圧送し、チップ1を包囲す
るキャビティ9に圧入して充填する。次いでこの溶融樹
脂を固化させた後、上型3と下型4を開いて、キャビテ
ィ9内で固化した樹脂(すなわちモールド体)をエジェ
クタピン10により下方から突き上げ、基板2を取り出
す。11はキャビティ9の内圧を測定する感圧素子、1
2は突き上げ板、13は突き上げロッドである。
【0003】図8は、上型3と下型4の間から取り出さ
れた基板2に付着する樹脂の残滓(ゲート溝8内で固化
した樹脂で、カル、コールドスラグ等と呼ばれている)
6aを基板2から剥離して分離する様子を示している。
図示するように基板2の中央には、チップ1が搭載され
ている。このチップ1の周囲には、回路パターン14が
形成されており、更にこの回路パターン14を被うレジ
スト膜15が塗布されている。16はチップ1と回路パ
ターン14を接続するワイヤである。なおチップがフリ
ップチップやタブ(TAB)法により造られたチップの
場合は、ワイヤ16は不要である。6bはキャビティ9
内で樹脂が固化して出来たモールド体であり、チップ1
やワイヤ16を被覆して保護する。
【0004】図示するように、カル6aを時計方向に回
転させることにより、基板2から剥離して分離する。と
ころがカル6aはレジスト膜15にしっかり密着して固
化しているため、レジスト膜15や回路パターン14が
カル6aと一体となって剥離されやすい問題点があっ
た。
【0005】このような問題点を解決する方法として、
特開平4−184944号公報に開示された手段が提案
されている。このものは、特にその第1図(a)(b)
に記載されているように、溶融樹脂の通路であるゲート
に封鎖片を設けている。そしてこの封鎖片の上面を迂回
させて溶融樹脂をキャビティに圧入して、溶融樹脂を硬
化させた後、封鎖片を上昇させることにより、封鎖片の
上面に残存する樹脂を樹脂基板から分離するようにして
いる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、封鎖片や、この封鎖片を上下動させるた
めの駆動機構を設けねばならず、更には封鎖片の上面に
残存する樹脂の回収手段を別途設けねばならないため、
構造や装置の運転が複雑となり、また封鎖片を上下動さ
せるための時間を要するため生産能率が低下するという
問題点があった。
【0007】そこで本発明は、基板の回路パターンを傷
めることなく、簡単にカルを基板から分離することがで
きる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、チ
ップが搭載された基板をモールドプレス装置の上型と下
型の間にセットし、ゲート溝からキャビティの内部に溶
融樹脂を圧入してこのチップを保護するモールド体を形
成した後、上型と下型を分離して前記基板を上型と下型
の間から取り出し、次にゲート溝の内部で硬化したリブ
と前記基板を切断装置により一緒に打抜くことにより、
電子部品を得るようにしている。
【0009】
【作用】上記構成によれば、チップを保護するモールド
体を形成した後、リブと基板を一緒に切断することによ
り電子部品が得られるが、この場合、リブを基板と一緒
に切断することによりカルは基板から分離されるので、
基板の回路パターンを損傷することはない。
【0010】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
【0011】図1は本発明に係る電子部品の製造方法で
製造された電子部品の斜視図である。この電子部品21
は、基板22の上面に搭載されたチップ23をモールド
体24により樹脂封止して形成されている。モールド体
24は、その四隅にテーパ状のリブ25,26,27,
28を一体的に有している。29はチップ23の電極と
基板22の電極を接続するワイヤである。次に、この電
子部品21を製造するためのモールドプレス装置の説明
を行う。
【0012】図2はモールドプレス装置の上型31と下
型32の斜視図である。上型31の下面には、4角形の
キャビティ33と、円孔34と、キャビティ33と円孔
34を連通させるゲート溝35が形成されている。また
キャビティ33の四隅には小溝36,37,38,39
が外方へ延出するように形成されており、そのうちの一
つの小溝36はゲート溝35に接続するサブゲート溝と
なっている。このキャビティ33内で硬化した樹脂が上
記モールド体24となり、また小溝36〜39内で硬化
した樹脂が上記リブ25〜28となる。
【0013】下型32の上面の上記キャビティ33に対
応する位置には4角形の孔部41が形成されており、ま
た上記円孔34に対応する箇所には樹脂を収納するため
の樹脂収納孔42が円孔状に形成されている。モールド
プレスを行う際には、チップ23が搭載された基板22
を上型31と下型32の間にセットする。
【0014】図3はモールドプレス中の上型31と下型
32の断面図である。下型32の孔部41の下方にはエ
ジェクタピン43が配設されており、このエジェクタピ
ン43は図示しない上下動手段に駆動されて上下動作を
する。また樹脂収納部42には樹脂44が収納されてい
る。この樹脂44はヒータ(図外)に加熱されて溶融す
る。樹脂収納部42の内部にはプランジャ45が収納さ
れている。46はプランジャ45の支持ピンである。本
実施例の基板22はプリント基板であって、その下面に
はバンプ30が突設されており、このバンプ30と上記
ワイヤ29は電気的に接続されている。図示するよう
に、上記ゲート溝35と上記サブゲート溝36の接続部
はテーパ状の首細部40になっている。
【0015】次にモールドプレス装置の動作を説明す
る。図3に示すように、基板22を下型32の上面に載
置し、上型31を下降させて下型32の上面に接地させ
る。この状態でチップ23はキャビティ33内に位置
し、またバンプ30は孔部41内に位置する。
【0016】次にヒータにより樹脂44を加熱して溶融
させ、プランジャ45を上昇させる。すると溶融した樹
脂44はゲート溝35およびサブゲート溝36を通過し
てキャビティ33内に圧入される。
【0017】次に溶融した樹脂44を硬化させた後、上
型31を上昇させて下型32から分離し、エジェクタピ
ン43により基板22の下面を突き上げて、下型32か
ら取り出す。
【0018】図4はこのようにしてモールドプレス装置
から取り出された電子部品の中途品47を示している。
図中、44aは樹脂収納部42内で硬化した樹脂、44
bはゲート溝35で硬化した帯状の樹脂、44cは首細
部40で硬化したくびれ部である。上述したように、樹
脂収納部42やゲート溝35内で硬化した樹脂44の残
滓であるこれらの樹脂44a,44bは、カルやコール
ドスラグ等と呼ばれている。なお本実施例では、一枚の
基板22に1個のチップ23を搭載しているが、大形若
しくは長形の基板に複数個のチップ23を搭載し、同時
に複数個のチップ23をモールドプレスする多面取りで
もよいものである。
【0019】図5は、上記中途品47の切断装置50を
示している。図中、51は昇降ブロックであり、その下
面にパンチ52が設けられている。53はダイである。
図4に示す中途品47をダイ53上に載置し、昇降ブロ
ック51を下降させることにより、リブ25〜28の先
端部を基板22と一緒に打抜く。22aは打抜かれて分
離した基板22の破片である。図4において破線aはこ
の切断装置による切断線を示しており、また図1は切断
して得られた電子部品21を示している。この場合、首
細部44cから切断することにより、容易に切断を行え
る。このような方法によれば、基板22の打抜きとカル
(樹脂44a,44b)の分離を同一切断工程で同時に
行える利点がある。
【0020】図1および図4において、リブ26,2
7,28は外観上のバランスを確保するために形成され
たものであり、したがって小孔37〜39を無くしてこ
れらのリブ26,27,28を形成しないようにしても
よい。また上記実施例では、モールド体24の角部にリ
ブ25〜28を形成しているが、図6に示すようにモー
ルド体24の辺に形成してもよいものであり(勿論この
場合、上型31の小溝36〜39の形成位置も変わ
る)、リブ25〜28の形成位置は任意に設定できる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電子部品の
製造方法によれば、基板に形成された回路パターンを損
傷することなくカルを基板から分離でき、しかも基板の
打抜きと同時にカルの切断分離を行えるので生産能率上
もきわめて有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の電子部品の斜視図
【図2】本発明の一実施例のモールドプレス装置の上型
と下型の斜視図
【図3】本発明の一実施例のモールドプレス装置の断面
【図4】本発明の一実施例の中途品の斜視図
【図5】本発明の一実施例の切断装置の側面図
【図6】本発明の他の実施例の電子部品の斜視図
【図7】従来のモールドプレス装置の断面図
【図8】従来のカルを分離中の電子部品と基板の側面図
【符号の説明】
21 電子部品 22 基板 23 チップ 24 モールド体 25 リブ 26 リブ 27 リブ 28 リブ 31 上型 32 下型 33 キャビティ 35 ゲート溝 36 サブゲート溝 50 切断装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】チップが搭載された基板をモールドプレス
    装置の上型と下型の間にセットし、ゲート溝からキャビ
    ティの内部に溶融樹脂を圧入してこのチップを保護する
    モールド体を形成した後、上型と下型を分離して前記基
    板を上型と下型の間から取り出し、次にゲート溝の内部
    で硬化したリブと前記基板を切断装置により一緒に打抜
    くことにより、電子部品を得ることを特徴とする電子部
    品の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047699A (ja) * 2006-08-16 2008-02-28 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
EP3563409B1 (en) 2017-01-02 2021-02-17 Amx - Automatrix S.r.l. Sintering press and method for sintering electronic components on a substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047699A (ja) * 2006-08-16 2008-02-28 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
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