JPH0612621B2 - ダイナミツクram - Google Patents

ダイナミツクram

Info

Publication number
JPH0612621B2
JPH0612621B2 JP61016275A JP1627586A JPH0612621B2 JP H0612621 B2 JPH0612621 B2 JP H0612621B2 JP 61016275 A JP61016275 A JP 61016275A JP 1627586 A JP1627586 A JP 1627586A JP H0612621 B2 JPH0612621 B2 JP H0612621B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
input
memory cell
address
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61016275A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62173693A (ja
Inventor
孝啓 徳梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP61016275A priority Critical patent/JPH0612621B2/ja
Publication of JPS62173693A publication Critical patent/JPS62173693A/ja
Publication of JPH0612621B2 publication Critical patent/JPH0612621B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイナミックRAMに関し、特にニブル・モー
ド・アクセス機能を有するダイナミックRAMのリフレ
ッシュ動作に関する。
〔従来の技術〕
従来のニブル・モード・アクセス機能を有するダイナミ
ックRAMの内部構成例を第3図に示す。第3図におい
て1はメモリ・セル、2はセンス・アンプ、3はロウ・
デコーダ、4はカラム・デコーダ、5はアドレス入力、
6はアドレス・ラッチ、7はロウ・アドレス信号、8は
カラム・アドレス信号、9はワード線、10はビット
線、12はタイミング制御回路、13はロウ・アドレス
・ストローブ入力、14はカラム・アドレス・ストロー
ブ入力、15はリード/ライト制御入力、16はアドレ
ス・ラッチ制御信号、20はリード/ライト・タイミン
グ制御回路、22はニブル制御回路、23はニブル制御
信号、24はデータ・セレクタ、25は入出力制御信
号、26は入出力バッファ、27はデータ入出力であ
る。
ニブル・モード・アクセス機能は複数ビット(第3図の
例では4ビット)のデータを高速にアクセスする機能で
ある。つまり、一度ロウ・アドレス信号7とカラム・ア
ドレス信号8が決定されると(ロウ・アドレス信号7と
カラム・アドレス信号8はそれぞれロウ・アドレス・ス
トローブ入力13とカラム・アドレス・ストローブ入力
14によってアドレス・ラッチ6にラッチされる。)メ
モリ・セル1中の4ビットが同時に選択されるので、4
ビット分のアクセスを高速に実行できることになる。
(4ビットのデータの切り換えは、カラム・アドレス・
ストローブ入力14によって制御される。) 第3図の例でリフレッシュ動作な以下の手順で実行され
る。
まず、ロウ・アドレス・ストローブ入力13により、ア
ドレス入力5より入力されたリフレッシュ・アドレス
(ロウ・アドレス)がアドレス・ラッチ6にラッチさ
れ、ロウ・アドレス信号7がロウ・デコーダ3に送出さ
れる。次に、ロウ・デコーダ3によってワード線9のう
ち1本が選択され、メモリ・セル1中の1列が選ばれ
る。選ばれたメモリ・セルの情報はセンス・アンプ2に
より増幅されリフレッシュが実行される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のダイナミックRAMは、記憶情報の保持
のためリフレッシュ動作を実行する必要があるので、リ
フレッシュ動作を行なっている間はデータのリード/ラ
イト動作が行なえないという欠点と、リフレッシュ動作
を制御する回路を外部に設けなければならないという欠
点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のダイナミックRAMは、メモリセルと、前記メ
モリセルから読み出された複数のデータ受けこれらデー
タの中から所定数のデータをカラムアドレスに対応して
選択して出力するカラムデコーダと、前記カラムデコー
ダの出力をラッチするデータラッチと、このデータラッ
チにデータがラッチされている間に前記メモリセル内の
他のワード線を選択して当該ワード線に接続されている
メモリセルをリフレッシュする手段とを備えたことを特
徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は本発明の一実施例の内部構成図である。第1図におい
て、1はメモリ・セル、2はセンス・アンプ、3はロウ
・デコーダ、4はカラム・デコーダ、5はアドレス入
力、6はアドレス・ラッチ、7はロウ・アドレス信号、
8はカラム・アドレス信号、9はワード線、10はビッ
ト線、11はデータ・ラッチ、12はタイミング制御回
路、13はロウ・アドレス・ストローブ入力、14はカ
ラム・アドレス・ストローブ入力、15はリード/ライ
ト制御入力、16はアドレス・ラッチ制御信号、17は
リフレッシュ・カウンタ更新信号、18はロウ・アドレ
ス選択信号、19はデータ・ラッチ制御信号、20はリ
ード/ライト・タイミング制御回路、21はリフレッシ
ュ・タイミング制御回路、22はニブル制御回路、23
はニブル制御信号、24はデータ・セレクタ、25は入
出力制御信号、26は入出力バッファ、27はデータ入
出力、28はリフレッシュ・カウンタである。
第1図において、リフレッシュ動作は以下の手順で実行
される。
まず、ロウ・アドレス信号7とカラム・アドレス信号8
が入力されて(ロウ・アドレス信号7とカラム・アドレ
ス信号8はそれぞれロウ・アドレス・ストローブ入力1
3とカラム・アドレス・ストローブ入力14によってア
ドレス・ラッチ6にラッチされる。)、ニブル・モード
・リード動作が開始され、ロウ・デコーダ3とカラム・
デコーダ4によりメモリ・セル1中の4ビットが選択さ
れる。次に、この4ビットのデータはリード/ライト・
タイミング制御回路20より送出されるデータ・ラッチ
制御信号19によってデータ・ラッチ11にラッチされ
る。その後、ラッチされたデータは従来のニブル・モー
ド・リード動作と同じタイミングで出力される。4ビッ
トのデータがデータ・ラッチ11にラッチされた後メモ
リ・セル1はニブル・モード・リード動作と独立に動作
できるので、ここで、リフレッシュ動作を行なう。すな
わち、4ビットのデータがデータ・ラッチ11にラッチ
される現在選択されているワード線9のメモリ・セルを
プリ・チャージした後、リフレッシュ・タイミング制御
回路21より送出されるロウ・アドレス選択信号18に
より、リフレッシュ・カウンタ28より入力されるリフ
レッシュ・アドレスにロウ・アドレスを切り換える。こ
れによりワード線9のうち1本が選択され、選ばれたメ
モリ・セル1中の1列がセンス・アンプ2によりリフレ
ッシュされる。リフレッシュ動作が完了するとリフレッ
シュ・タイミング制御回路21はリフレッシュ・カウン
タ更新信号17を送出し、リフレッシュ・カウンタ28
の内容を+1更新する。
以上説明したリフレッシュ動作のタイミングを第2図に
示す。
第2図に示すように、本発明によるリフレッシュ動作は
ニブル・モード・リード動作を実行している期間中に行
なうことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明はニブル・モード・アクセ
スを実行している際に、内部で自動的にリフレッシュ動
作を行なうようにしたものであり、これにより、外部に
リフレッシュ動作を制御する回路を設ける必要がなくな
るという効果と、リフレッシュ動作によりデータのリー
ド/ライト動作が行なえないという欠点を除去できると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の内部構成図、第2図は第1
図の例のリフレッシュ動作のタイミング図、第3図は従
来のニブル・モード・アクセス機能を有するがダイナミ
ックRAMの内部構成例である。 1……メモリ・セル、2……センス・アップ、3……ロ
ウ・デコーダ、4……カラム・デコーダ、5……アドレ
ス入力、6……アドレス・ラッチ、7……ロウ・アドレ
ス信号、8……カラム・アドレス信号、9……ワード
線、10……ビット線、11……データ・ラッチ、12
……タイミング制御回路、13……ロウ・アドレス・ス
トローブ入力、14……カラム・アドレス・ストローブ
入力、15……リード/ライト制御入力、16……アド
レス・ラッチ制御信号、17……リフレッシュ・カウン
タ更新信号、18……ロウ・アドレス選択信号、19…
…データ・ラッチ制御信号、20……リード/ライト・
タイミング制御回路、21……リフレッシュ・タイミン
グ制御回路、22……ニブル制御回路、23……ニブル
制御信号、24……データ・セレクタ、25……入出力
制御信号、26……入出力バッファ、27……データ入
出力、28……リフレッシュ・カウンタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】メモリセルと、前記メモリセルから読み出
    された複数のデータ受けこれらデータの中から所定数の
    データをカラムアドレスに対応して選択して出力するカ
    ラムデコーダと、前記カラムデコーダの出力をラッチす
    るデータラッチと、このデータラッチにデータがラッチ
    されている間に前記メモリセル内の他のワード線を選択
    して当該ワード線に接続されているメモリセルをリフレ
    ッシュする手段とを備えたことを特徴とするダイナミッ
    クRAM。
JP61016275A 1986-01-27 1986-01-27 ダイナミツクram Expired - Lifetime JPH0612621B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61016275A JPH0612621B2 (ja) 1986-01-27 1986-01-27 ダイナミツクram

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61016275A JPH0612621B2 (ja) 1986-01-27 1986-01-27 ダイナミツクram

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62173693A JPS62173693A (ja) 1987-07-30
JPH0612621B2 true JPH0612621B2 (ja) 1994-02-16

Family

ID=11911993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61016275A Expired - Lifetime JPH0612621B2 (ja) 1986-01-27 1986-01-27 ダイナミツクram

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0612621B2 (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58220294A (ja) * 1982-06-16 1983-12-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPS60197997A (ja) * 1984-03-21 1985-10-07 Hitachi Ltd 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62173693A (ja) 1987-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0563082B1 (en) Hidden refresh of a dynamic random access memory
JP2724932B2 (ja) デュアルポートメモリ
JPH05225774A (ja) マルチポート半導体記憶装置
JP2002528844A (ja) 1−tsramと互換可能な装置のリフレッシュを可能とする時間を増加させるための方法及び装置
JPH0255878B2 (ja)
JPH07312085A (ja) メモリ装置
JPS61160898A (ja) 半導体記憶装置
JPH05250867A (ja) ランダムアクセスメモリ
US6091667A (en) Semiconductor memory device and a data reading method and a data writing method therefor
JPS62287499A (ja) 半導体メモリ装置
JP2000195253A (ja) Dram及びdramのデ―タ・アクセス方法
KR100375895B1 (ko) 메모리 액세스 방법 및 시스템
JP3169814B2 (ja) 半導体記憶装置
US4901282A (en) Power efficient static-column DRAM
JPH0612621B2 (ja) ダイナミツクram
JP2000268566A (ja) 同期型半導体記憶装置
JP2507103B2 (ja) メモリシステム
JPS58155597A (ja) 半導体メモリの書き込み制御方式
JPH07147085A (ja) メモリ装置
US5923610A (en) Timing scheme for memory arrays
JPH0713860B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH07169262A (ja) 半導体記憶装置
JPH0430119B2 (ja)
JPS63155495A (ja) 擬似スタテイツクメモリ装置
JPS59162691A (ja) ダイナミツクram