JPH0590350A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0590350A JPH0590350A JP3274843A JP27484391A JPH0590350A JP H0590350 A JPH0590350 A JP H0590350A JP 3274843 A JP3274843 A JP 3274843A JP 27484391 A JP27484391 A JP 27484391A JP H0590350 A JPH0590350 A JP H0590350A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インナーリード用金属層と中間層とアウター
リード用金属層を積層した三層構造のリードフレーム材
をエッチングにより加工したリードフレームを用いた半
導体装置において、リードフレームの強度を保ちつつフ
ァインピッチ化を図る。 【構成】 インナーリードの厚さを10〜50μmに、
アウターリードの厚さを30〜300μmに、バンプの
厚さを5〜50μmにする。
リード用金属層を積層した三層構造のリードフレーム材
をエッチングにより加工したリードフレームを用いた半
導体装置において、リードフレームの強度を保ちつつフ
ァインピッチ化を図る。 【構成】 インナーリードの厚さを10〜50μmに、
アウターリードの厚さを30〜300μmに、バンプの
厚さを5〜50μmにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に金属
からなるエッチングストップ層を中間層としてその一方
の面に厚い金属層からなるリードを、他方の面に薄い金
属層からなるリードを形成し、更に、該薄い金属層から
なるリードに上記中間層からなるバンプを形成したリー
ドフレームを、その上記バンプを半導体素子の各電極に
直接継続して電極導出手段とした半導体装置に関する。
からなるエッチングストップ層を中間層としてその一方
の面に厚い金属層からなるリードを、他方の面に薄い金
属層からなるリードを形成し、更に、該薄い金属層から
なるリードに上記中間層からなるバンプを形成したリー
ドフレームを、その上記バンプを半導体素子の各電極に
直接継続して電極導出手段とした半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置として、リードフレームを用
い、半導体装置の電極とリードフレームのインナーリー
ド先端部との間を金からなるワイヤを介して接続したタ
イプの半導体装置がある。また、ポリイミドフィルムを
ベースとしてその表面に銅箔からなるリードを形成した
TABリードをリードフレームに代えて用い、TABリ
ードのインナーリードを半導体素子のパッドに直接接続
したタイプの半導体装置もある。更に、インナーリード
にバンプを形成したリードフレームを用い、そのバンプ
を半導体素子の電極パッドに接続し、ワイヤを用いない
タイプの半導体装置もある。
い、半導体装置の電極とリードフレームのインナーリー
ド先端部との間を金からなるワイヤを介して接続したタ
イプの半導体装置がある。また、ポリイミドフィルムを
ベースとしてその表面に銅箔からなるリードを形成した
TABリードをリードフレームに代えて用い、TABリ
ードのインナーリードを半導体素子のパッドに直接接続
したタイプの半導体装置もある。更に、インナーリード
にバンプを形成したリードフレームを用い、そのバンプ
を半導体素子の電極パッドに接続し、ワイヤを用いない
タイプの半導体装置もある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リードフレ
ームを用い、インナーリードと半導体素子の電極パッド
との間を金ワイヤを介して接続したタイプの半導体装置
には、ワイヤの撓みによりパッケージの薄型化が制約さ
れ、金ワイヤの使用により低コスト化が制約されるとい
う問題があると共に、インナーリードの配置ピッチを1
20μm以下にすることが難しく、多ピン化に応えるこ
とが難しいという問題がある。
ームを用い、インナーリードと半導体素子の電極パッド
との間を金ワイヤを介して接続したタイプの半導体装置
には、ワイヤの撓みによりパッケージの薄型化が制約さ
れ、金ワイヤの使用により低コスト化が制約されるとい
う問題があると共に、インナーリードの配置ピッチを1
20μm以下にすることが難しく、多ピン化に応えるこ
とが難しいという問題がある。
【0004】また、TABリードを用いた半導体装置に
は、アウターリードがインナーリードと同じ厚さの銅箔
からなり、アウターリードの必要な強度にすることが難
しく、また、ポリイミドベースに貼り合せる銅箔を薄く
することが難しく、ファインピッチが難しいという問題
がある。
は、アウターリードがインナーリードと同じ厚さの銅箔
からなり、アウターリードの必要な強度にすることが難
しく、また、ポリイミドベースに貼り合せる銅箔を薄く
することが難しく、ファインピッチが難しいという問題
がある。
【0005】そこで、薄型化、ファインピッチ化、アウ
ターリードの強度確保等の面で優れたものが得られるで
あろうと考えられるがインナーリードにバンプを形成し
たリードフレームを用い、そのバンプを半導体素子の電
極パッドに接続し、ワイヤを用いないタイプの半導体装
置である。しかし、具体的にどのようにすれば、よりフ
ァインピッチ化を図りつつアウターリードの強度を必要
な値に確保するかについてはまだ開発が進んでいないの
が実情である。
ターリードの強度確保等の面で優れたものが得られるで
あろうと考えられるがインナーリードにバンプを形成し
たリードフレームを用い、そのバンプを半導体素子の電
極パッドに接続し、ワイヤを用いないタイプの半導体装
置である。しかし、具体的にどのようにすれば、よりフ
ァインピッチ化を図りつつアウターリードの強度を必要
な値に確保するかについてはまだ開発が進んでいないの
が実情である。
【0006】そこで、本発明は、インナーリードにバン
プを形成したリードフレームを用い、そのバンプを半導
体素子の電極パッドに接続し、ワイヤを用いないタイプ
の半導体装置において、アウターリードの強度を確保し
つつファインピッチ化を図り、多ピン化、小型化の要請
に応えることを目的とする。
プを形成したリードフレームを用い、そのバンプを半導
体素子の電極パッドに接続し、ワイヤを用いないタイプ
の半導体装置において、アウターリードの強度を確保し
つつファインピッチ化を図り、多ピン化、小型化の要請
に応えることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明半導体装置は、薄
い金属層からなるリードの厚さを10〜50μm、厚い
金属層からなるリードの厚さを30〜300μm、バン
プの厚さを5〜50μmにしたことを特徴とする。
い金属層からなるリードの厚さを10〜50μm、厚い
金属層からなるリードの厚さを30〜300μm、バン
プの厚さを5〜50μmにしたことを特徴とする。
【0008】
【実施例】以下、本発明半導体装置を図示実施例に従っ
て詳細に説明する。図1(A)、(B)は本発明半導体
装置の一つの実施例を示すもので、(A)は半導体装置
の一部を示す断面図、(B)はリードフレームの裏返し
てその一部を示す斜視図である。図面において、1は半
導体素子、2は該半導体素子1の表面に形成された例え
ばアルミニウムからなる電極パッド、3はリードフレー
ム、4はそのアウターリードで、たとえば銅あるいは鉄
ニッケル合金(42アロイ)からなり、その厚さは30
〜300μmである。30μmよりも薄いと必要な強度
が確保できず、300μmよりも厚いとアウターリード
のピッチが0.5mmよりも大きくなりファインピッチ
を図ることができなくなるので、30〜100μmが妥
当なのである。
て詳細に説明する。図1(A)、(B)は本発明半導体
装置の一つの実施例を示すもので、(A)は半導体装置
の一部を示す断面図、(B)はリードフレームの裏返し
てその一部を示す斜視図である。図面において、1は半
導体素子、2は該半導体素子1の表面に形成された例え
ばアルミニウムからなる電極パッド、3はリードフレー
ム、4はそのアウターリードで、たとえば銅あるいは鉄
ニッケル合金(42アロイ)からなり、その厚さは30
〜300μmである。30μmよりも薄いと必要な強度
が確保できず、300μmよりも厚いとアウターリード
のピッチが0.5mmよりも大きくなりファインピッチ
を図ることができなくなるので、30〜100μmが妥
当なのである。
【0009】5はリードフレーム3の中間層で、例えば
アルミニウムからなり、厚さは5〜50μmである。こ
の中間層5はリードフレーム3のインナーリード及びア
ウターリードのパターニングのためのエッチングのとき
のエッチングストッパーの役割を担うと共に自身が選択
的にエッチングされて後述するバンプ(7)となる。こ
の中間層5の厚さ(とりも直さずこれはバンプの厚さ)
は、5μmより薄いと箔の積層が難しく、50μmより
も厚いとファインピッチ化が難しいので、5〜50μm
が妥当なのである。6はインナーリードで、銅からな
り、厚さは10〜50μmである。というのは、インナ
ーリードの厚さは10μmより薄いと必要な強度が確保
できず、また箔として中間層5に積層することが難し
い。そして、厚さが50μmより厚いとインナーリード
のピッチが110μmと大きくなり多ピン化が難しい。
従って、インナーリードの厚さは10〜50μmが妥当
なのである。尚、インナーリード6はアウターリード7
よりも必ず薄くされている。
アルミニウムからなり、厚さは5〜50μmである。こ
の中間層5はリードフレーム3のインナーリード及びア
ウターリードのパターニングのためのエッチングのとき
のエッチングストッパーの役割を担うと共に自身が選択
的にエッチングされて後述するバンプ(7)となる。こ
の中間層5の厚さ(とりも直さずこれはバンプの厚さ)
は、5μmより薄いと箔の積層が難しく、50μmより
も厚いとファインピッチ化が難しいので、5〜50μm
が妥当なのである。6はインナーリードで、銅からな
り、厚さは10〜50μmである。というのは、インナ
ーリードの厚さは10μmより薄いと必要な強度が確保
できず、また箔として中間層5に積層することが難し
い。そして、厚さが50μmより厚いとインナーリード
のピッチが110μmと大きくなり多ピン化が難しい。
従って、インナーリードの厚さは10〜50μmが妥当
なのである。尚、インナーリード6はアウターリード7
よりも必ず薄くされている。
【0010】7はインナーリード6の先端部表面に形成
されたバンプで、アルミニウムからなる前記中間層5の
選択的エッチングにより形成されたものであり、その厚
さは5〜50μm、幅Wは10〜140μm、長さLは
30μm以上である。そして、該バンプ7が上記半導体
素子1の電極パッド2に超音波ボンディングされてい
る。8は封止樹脂である。
されたバンプで、アルミニウムからなる前記中間層5の
選択的エッチングにより形成されたものであり、その厚
さは5〜50μm、幅Wは10〜140μm、長さLは
30μm以上である。そして、該バンプ7が上記半導体
素子1の電極パッド2に超音波ボンディングされてい
る。8は封止樹脂である。
【0011】図2(A)乃至(F)は図1に示した半導
体装置の製造方法を工程順に示すものであり、(A)乃
至(E)は斜視図、(F)は断面図である。先ず、図2
(A)に示すようにアウターリードとなるところの銅又
は42合金からなる金属層4、エッチングストップ層と
なりバンプ7となるところのアルミニウムからなる中間
層5及びインナーリードとなるところの銅からなるイン
ナーリード6を積層した三層構造のリードフレーム材を
用意する。
体装置の製造方法を工程順に示すものであり、(A)乃
至(E)は斜視図、(F)は断面図である。先ず、図2
(A)に示すようにアウターリードとなるところの銅又
は42合金からなる金属層4、エッチングストップ層と
なりバンプ7となるところのアルミニウムからなる中間
層5及びインナーリードとなるところの銅からなるイン
ナーリード6を積層した三層構造のリードフレーム材を
用意する。
【0012】次に、図2(B)に示すようにインナーリ
ード6、アウターリード4を順次(又は同時)に選択的
エッチングによりパターニングする。このエッチング
は、インナーリード6に対するエッチングもアウターリ
ード7に対するエッチングもアルミニウムからなる中間
層5がエッチングストッパとして機能するように行う必
要がある。そこで、エッチングされる金属が銅の場合に
は、H2 SO4 (18容積%)+H2 O2 (10容積
%)の溶液をエッチング液として用い、鉄・ニッケル合
金(42アロイ)の場合にはC2 H2 O4 (10容積
%)+H2 O2 (10容積%)の溶液をエッチング液と
して用いると良い。
ード6、アウターリード4を順次(又は同時)に選択的
エッチングによりパターニングする。このエッチング
は、インナーリード6に対するエッチングもアウターリ
ード7に対するエッチングもアルミニウムからなる中間
層5がエッチングストッパとして機能するように行う必
要がある。そこで、エッチングされる金属が銅の場合に
は、H2 SO4 (18容積%)+H2 O2 (10容積
%)の溶液をエッチング液として用い、鉄・ニッケル合
金(42アロイ)の場合にはC2 H2 O4 (10容積
%)+H2 O2 (10容積%)の溶液をエッチング液と
して用いると良い。
【0013】次に、図2(C)に示すように、中間層6
の不要部分を除去する。この除去は、HCl(50容積
%)+H2 O(50容積%)をエッチング液として用
い、電着レジスト膜をマスクとしてエッチングすること
により行う。その後、図2(D)に示すようにリードフ
レームを反転して各バンプ7、7、…を半導体素子1の
各電極パッド2、2、…に位置合せし、図2(E)に示
すように各バンプ7、7、…をパッド2、2、…に超音
波ボンディングし、しかる後、図2(F)に示すように
樹脂封止する。
の不要部分を除去する。この除去は、HCl(50容積
%)+H2 O(50容積%)をエッチング液として用
い、電着レジスト膜をマスクとしてエッチングすること
により行う。その後、図2(D)に示すようにリードフ
レームを反転して各バンプ7、7、…を半導体素子1の
各電極パッド2、2、…に位置合せし、図2(E)に示
すように各バンプ7、7、…をパッド2、2、…に超音
波ボンディングし、しかる後、図2(F)に示すように
樹脂封止する。
【0014】図3はインナーリード厚さとインナーリー
ドピッチの限界(小さい方の限界)との関係を示すもの
である。インナーリードピッチの限界は、30+(2t
/2)+(10〜30)μmで表される。この式におけ
る30μmは、インナーリードの強度、接合性を確保す
るうえで最小限必要となる幅(平坦幅)、(2t/2)
μmは各リード部分の両側に生じるサイドエッチングの
量の和(尚、エッチファクタを2とする)、tはインナ
ーリードの厚さ、(10〜30)μmはフォトレジスト
の解像度により最小限必要となる幅dであり、レジスト
膜の厚さに対して依存性を有している。レジスト膜厚が
10μmだとdは10μm、20μmだとdは15μ
m、30μmだとdは20μm、50μmだとdは30
μmである。尚、インナーリードの厚さを10μmにす
るとインナーリードのピッチは50μmにすることが可
能である。
ドピッチの限界(小さい方の限界)との関係を示すもの
である。インナーリードピッチの限界は、30+(2t
/2)+(10〜30)μmで表される。この式におけ
る30μmは、インナーリードの強度、接合性を確保す
るうえで最小限必要となる幅(平坦幅)、(2t/2)
μmは各リード部分の両側に生じるサイドエッチングの
量の和(尚、エッチファクタを2とする)、tはインナ
ーリードの厚さ、(10〜30)μmはフォトレジスト
の解像度により最小限必要となる幅dであり、レジスト
膜の厚さに対して依存性を有している。レジスト膜厚が
10μmだとdは10μm、20μmだとdは15μ
m、30μmだとdは20μm、50μmだとdは30
μmである。尚、インナーリードの厚さを10μmにす
るとインナーリードのピッチは50μmにすることが可
能である。
【0015】図4はアウターリード厚とアウターリード
ピッチ限界の関係図である。このアウターリード限界ピ
ッチは20+(2t/2)+40μmで表わされる。こ
の式の200μmは、アウターリードとして必要な強度
を確保するうえで必要な値であり、(2t/2)はアウ
ターリードの両側のサイドエッチングの量の和(エッチ
ファクタを2とする)、40μmは厚いアウターリード
をエッチングするためにフォトレジスト膜を必要な値に
厚くした場合における解像度によって決まるところの最
小限必要なアウターリード間間隔dである。
ピッチ限界の関係図である。このアウターリード限界ピ
ッチは20+(2t/2)+40μmで表わされる。こ
の式の200μmは、アウターリードとして必要な強度
を確保するうえで必要な値であり、(2t/2)はアウ
ターリードの両側のサイドエッチングの量の和(エッチ
ファクタを2とする)、40μmは厚いアウターリード
をエッチングするためにフォトレジスト膜を必要な値に
厚くした場合における解像度によって決まるところの最
小限必要なアウターリード間間隔dである。
【0016】図5はバンプ厚さとバンプ幅加工限界との
関係図であり、下の2本の曲線はインナーリードピッチ
を50μmにした場合の関係を、上の2本の曲線はイン
ナーリードピッチを80μmにした場合の関係を示し、
そして、インナーリードピッチが50μmの場合の、ま
た、80μmの場合のそれぞれ2本の曲線のうちの上の
曲線は、ボンディング不良を起さないという観点からの
関係を示し、下の曲線はサイドエッチングによる加工が
不可能にならないようにするという観点からの関係を示
す。
関係図であり、下の2本の曲線はインナーリードピッチ
を50μmにした場合の関係を、上の2本の曲線はイン
ナーリードピッチを80μmにした場合の関係を示し、
そして、インナーリードピッチが50μmの場合の、ま
た、80μmの場合のそれぞれ2本の曲線のうちの上の
曲線は、ボンディング不良を起さないという観点からの
関係を示し、下の曲線はサイドエッチングによる加工が
不可能にならないようにするという観点からの関係を示
す。
【0017】バンプ幅の加工限界は、インナーリードピ
ッチ−10μm−(2T/3)で表わされる。式中のT
はバンプの厚さ、10μmはバンプがボンディングによ
り変形したときにショートしないために最小限必要な
幅、(2T/3)はバンプの両側に生じるサイドエッチ
ングの量の和(エッチファクタを1.5とした場合)で
あり、この場合、アルミニウムからなる中間層は図6に
示すように両側からエッチングされるので、サイドエッ
チング量は(2T/3)となるのである。
ッチ−10μm−(2T/3)で表わされる。式中のT
はバンプの厚さ、10μmはバンプがボンディングによ
り変形したときにショートしないために最小限必要な
幅、(2T/3)はバンプの両側に生じるサイドエッチ
ングの量の和(エッチファクタを1.5とした場合)で
あり、この場合、アルミニウムからなる中間層は図6に
示すように両側からエッチングされるので、サイドエッ
チング量は(2T/3)となるのである。
【0018】ここで、バンプの幅Wについて妥当な値に
ついて述べると、インナーリードピッチが50μmの場
合、バンプ厚さが5μmだとWが10〜38μm、バン
プ厚さが20μmだとWが10〜32μm、バンプ厚さ
が50μmだとWが10〜20μmが良い。
ついて述べると、インナーリードピッチが50μmの場
合、バンプ厚さが5μmだとWが10〜38μm、バン
プ厚さが20μmだとWが10〜32μm、バンプ厚さ
が50μmだとWが10〜20μmが良い。
【0019】次に、インナーリードピッチが80μmの
場合を述べると、バンプ厚さが5μmだとWが10〜6
8μm、バンプ厚さが20μmだとWが10〜62μ
m、バンプ厚さが50μmだとWが10〜50μmが良
い。次に、インナーリードピッチが150μmの場合を
述べると、バンプ厚さが5μmだとWが10〜136μ
m、バンプ厚さが20μmだとWが10〜126μm、
バンプ厚さが50μmだとWが106μmが良い。尚、
バンプの長さLが、30μmより短かいと接合性が不充
分なので30μm以上であることが望ましい。
場合を述べると、バンプ厚さが5μmだとWが10〜6
8μm、バンプ厚さが20μmだとWが10〜62μ
m、バンプ厚さが50μmだとWが10〜50μmが良
い。次に、インナーリードピッチが150μmの場合を
述べると、バンプ厚さが5μmだとWが10〜136μ
m、バンプ厚さが20μmだとWが10〜126μm、
バンプ厚さが50μmだとWが106μmが良い。尚、
バンプの長さLが、30μmより短かいと接合性が不充
分なので30μm以上であることが望ましい。
【0020】
【発明の効果】以上に述べたところから明らかなよう
に、本発明半導体装置は、薄い金属層からなるリードの
厚さが10〜50μmで、厚い金属層からなるリードの
厚さが30〜300μmで、バンプの厚さが5〜50μ
mであることを特徴とするものであるので、リードフレ
ームに必要な強度を保ちつつインナーリードのファイン
ピッチ化を図ることができる。
に、本発明半導体装置は、薄い金属層からなるリードの
厚さが10〜50μmで、厚い金属層からなるリードの
厚さが30〜300μmで、バンプの厚さが5〜50μ
mであることを特徴とするものであるので、リードフレ
ームに必要な強度を保ちつつインナーリードのファイン
ピッチ化を図ることができる。
【図1】(A)、(B)は本発明半導体装置の一つの実
施例を示すもので、(A)は半導体装置の一部を示す断
面図、(B)はリードフレームを裏返しにしてその一部
を示す斜視図である。
施例を示すもので、(A)は半導体装置の一部を示す断
面図、(B)はリードフレームを裏返しにしてその一部
を示す斜視図である。
【図2】(A)乃至(F)は図1に示した半導体装置の
製造方法を工程順に示す図で、(A)乃至(E)は斜視
図、(F)は断面図である。
製造方法を工程順に示す図で、(A)乃至(E)は斜視
図、(F)は断面図である。
【図3】インナーリード厚とインナーリードピッチ限界
との関係を示すインナーリード厚・ピッチ限界関係図で
ある。
との関係を示すインナーリード厚・ピッチ限界関係図で
ある。
【図4】アウターリード厚とアウターリードピッチ限界
との関係を示すアウターリード厚・ピッチ限界関係図で
ある。
との関係を示すアウターリード厚・ピッチ限界関係図で
ある。
【図5】バンプ厚とバンプ幅加工限界との関係を示すバ
ンプ厚・幅加工限界関係図である。
ンプ厚・幅加工限界関係図である。
【図6】バンプ形成エッチングの説明のための断面図で
ある。
ある。
1 半導体素子 2 電極 3 リードフレーム 4 アウターリード 5 中間層(エッチングストップ層) 6 インナーリード 7 バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 秀幸 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 金属からなるエッチングストップ層を中
間層としてその一方の面に厚い金属層からなるリード
を、他方の面に薄い金属層からなるリードを形成し、更
に、該薄い金属層からなるリードに上記中間層からなる
バンプを形成したリードフレームを、該バンプを半導体
素子の各電極に直接継続することにより電極導出手段と
した半導体装置であって、 上記薄い金属層からなるリードの厚さが10〜50μm
で、 上記厚い金属層からなるリードの厚さが30〜300μ
mで、 上記バンプの厚さが5〜50μmであることを特徴とす
る半導体装置
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---|---|---|---|
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JP3274843A Expired - Fee Related JP3044872B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 半導体装置 |
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DE10243947B4 (de) * | 2001-09-20 | 2007-02-01 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterschip und Verfahren zu seiner Herstellung |
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1991
- 1991-09-25 JP JP3274843A patent/JP3044872B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-09-23 US US07/950,659 patent/US5349238A/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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US5349238A (en) | 1994-09-20 |
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