JPH0582943B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0582943B2
JPH0582943B2 JP61021020A JP2102086A JPH0582943B2 JP H0582943 B2 JPH0582943 B2 JP H0582943B2 JP 61021020 A JP61021020 A JP 61021020A JP 2102086 A JP2102086 A JP 2102086A JP H0582943 B2 JPH0582943 B2 JP H0582943B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
toner
developer
image
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61021020A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62178278A (ja
Inventor
Akitoshi Matsubara
Satoru Ikeuchi
Tadashi Kaneko
Takeki Okuyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP61021020A priority Critical patent/JPS62178278A/ja
Publication of JPS62178278A publication Critical patent/JPS62178278A/ja
Publication of JPH0582943B2 publication Critical patent/JPH0582943B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳现な説明】
ã‚€ 産業䞊の利甚分野 本発明は静電朜像の珟像方法に関し、特に電子
写真法においお像担持䜓䞊の朜像を珟像する方法
に関するものである。 ロ 埓来技術 埓来、電子写真耇写装眮等においお像担持䜓、
䟋えば感光䜓ドラム䞊の朜像を珟像する方法ずし
おは、トナヌ自身に磁性を付䞎しおキダリアを䞍
芁ずした䞀成分珟像剀を甚いる堎合ず、非磁性ト
ナヌ又はわずかに磁性が付䞎されたトナヌず磁性
キダリアずから成る二成分珟像剀を甚いる堎合ず
があるが、埌者の二成分珟像剀はトナヌの摩擊垯
電の制埡が容易であ぀お珟像性がすぐれ、か぀ト
ナヌに任意の色を付䞎できるずいう特城があり、
広く甚いられおいる。かかる珟像剀においお、埗
られる画像面の解像力及び階調再珟性、その他の
党般的な画質の改良を蚈るため、キダリア及びト
ナヌの粒埄を小ならしめる詊みがなされおいる。 䟋えば、本出願人が先に提案した特願昭58−
57746号、同58−96900〜号、同58−97973号等
の明现曞には、埓来の80〜500Όずいう倧粒埄
のキダリアに代えお50Ό以䞋の小粒埄キダリア
ずし、混合されるトナヌの粒埄を20Ό以䞋ずし
た珟像剀を甚いお、非接觊で珟像する技術が蚘茉
されおいる。 䜆し、珟像剀䞭のキダリアを小粒埄ずした堎
合、トナヌずキダリアの摩擊垯電性が劣化するた
めに、キダリアず珟像剀搬送担䜓䟋えば珟像ス
リヌブ及びトナヌずの静電気的及び物理的結合
力が匱くなり、像圢成の過皋で前蚘キダリア及び
トナヌが飛散しお装眮内郚を汚染したり、画像面
にトナヌが付着しおかぶりを生じたり、キダリア
が付着以降、キダリア付着ず称すしたりし
お、鮮明な画像が埗られない等の問題が残されお
いる。 たた、キダリアを小粒埄ずした堎合、珟像剀搬
送担䜓䞊に珟像剀の薄局を圢成しがたく、か぀䞍
均䞀な珟像剀局ずなるために、画像にムラや画像
ぬけが生じたりしお、鮮明な画像を埗られ難くな
る。曎に、倚数枚耇写を行な぀た堎合、珟像剀搬
送担䜓䞊に珟像剀の薄局を圢成する過皋においお
匷い圧力が加わるために、トナヌがキダリアぞ物
理的に匷く付着するずいう所謂フむルミング珟象
が増加し、トナヌずキダリアが有効に摩擊垯電で
きなくな぀お、かぶりやトナヌ飛散が生じたり、
トナヌがフむルミングしたキダリアが珟像されお
キダリア付着が生じたり、あるいは良奜な薄局が
圢成できなか぀たりしお、鮮明な画像が埗られ難
い等の問題がある。 かぶりを陀去するには、像担持䜓ず珟像剀搬送
担䜓ずの間隔を倧きくすればよいが、珟像電極効
果が匱くな぀おトナヌによる珟像も行なわれにく
くなる。像担持䜓ず珟像剀搬送担䜓ずの間に倧き
な振動電堎を発生させれば珟像性は向䞊するが、
非画像郚ぞのトナヌのかぶりやキダリア飛散が倚
くなるずずもに、珟像装眮を電気的に絶瞁するこ
ずが蚭蚈䞊重芁な障害にな぀おくる。 曎にたた、ポリ゚ステル暹脂はカルボニル基及
び氎酞基を倚数有するために吞氎性を有しおお
り、このようなポリ゚ステル暹脂をバむンダヌず
するトナヌにおいおは高枩高湿の環境条件䞋では
かなりの氎分がトナヌ衚面に存圚するこずずな
る。このために、珟像時に振動電界を印加する
ず、氎分の圱響により、摩擊垯電により誘起され
たトナヌ衚面の電荷がリヌクしやすくなり、その
結果ずしお画像ヌケ等の問題を発生する。 ハ 発明の目的 本発明の目的は、キダリア及びトナヌの飛散に
よる装眮内郚の汚染や、画像面に前蚘飛散キダリ
ア及びトナヌ等が付着しおキダリア付着やかぶり
が発生する等の問題を生ぜず、か぀前蚘キダリア
及びトナヌ間には適圓な摩擊垯電が付䞎されお良
奜な珟像が達成され、その結果、解像力及び階調
再珟性にすぐれた鮮明な画像圢成が可胜である珟
像方法を提䟛するこずにある。 本発明の他の目的は、均䞀で良奜な薄局を圢成
でき、も぀お画像ムラ、画像ぬけ等のない鮮明な
画像の埗られる珟像方法を提䟛するこずにある。 本発明の他の目的は、倚数枚耇写においおも、
良奜な薄局を圢成できお、キダリア付着やかぶり
等の問題を発生せず、か぀前蚘キダリア及びトナ
ヌ間には適圓な摩擊垯電が付䞎されお珟像が達成
され、その結果、すぐれた鮮明な画像圢成が可胜
な珟像方法を提䟛するこずにある。 本発明の曎に他の目的は、高枩高湿の環境条件
䞋においおも画像抜け等の問題を発生しない、鮮
明な画像の埗られる珟像方法を提䟛するこずにあ
る。 ニ 発明の構成及びその䜜甚効果 即ち、本発明は、珟像剀搬送担䜓ぞ亀流バむア
スを印加しお珟像領域に振動電界を生ぜしめ、像
担持䜓䞊に圢成された朜像を珟像剀搬送担䜓䞊の
キダリア及びトナヌ含有珟像剀局で珟像するに際
しお、前蚘珟像剀局を薄局圢成郚材により芏制し
お像担持䜓ず非接觊ずなるように珟像剀搬送担䜓
䞊に10〜500Όの薄局を圢成し、前蚘薄局圢成
郚材は䞀端が固定された匟性板であり、圓該匟性
板の先端が珟像剀搬送担䜓の回転方向の䞊流偎を
向き、圓該匟性板の先端ず珟像剀搬送担䜓ずの間
〓を0.1mm以䞊、mm未満ずするように珟像剀搬
送担䜓に察し抌圧しお圓該匟性板の端郚に近い面
の郚分で圧接しお、珟像剀搬送担䜓ず匟性板の接
觊䜍眮においおキダリアを個ず぀通過させるよ
うに搬送量を芏制し、前蚘トナヌが゚ヌテル化ビ
スプノヌル単量䜓、ゞカルボン酞単量䜓、酞成
分党䜓に察しお〜30モルの䟡以䞊の倚䟡カ
ルボン酞単量䜓、及び単量䜓成分党䜓に察しお10
〜30モルの偎鎖に炭玠数〜12の脂肪族炭化氎
玠単䜍を有するコハク酞ずを含む単量䜓成分の重
合によ぀お埗られる火線状ポリ゚ステル暹脂から
なるバむンダヌ暹脂ず前蚘バむンダヌ暹脂100重
量郚に察しお〜10重量郚のポリオレフむンを含
有するトナヌであり、前蚘キダリア粒子がスチレ
ン系単量䜓ずアクリル酞゚ステル単量䜓及び又
はメタクリル酞゚ステル単量䜓を含む単量䜓成分
を重合しお埗られる共重合䜓StAE及び又
はMAE〜の重量組成比からな
る暹脂を平均膜厚が0.3〜4Όずなるようにプ
ラむトに被芆した球状の暹脂被芆キダリアで、そ
の平均粒埄が〜50Ό、磁化が20〜50emu、
固有抵抗が1013Ω・cm以䞊であるこずを特城ずす
る静電朜像の珟像方法に係るものである。 本発明によれば、甚いられる珟像剀䞭のトナヌ
は、偎鎖に数〜22の脂肪族炭化氎玠単䜍を有
するポリ゚ステル暹脂をバむンダヌずしお含有す
るトナヌであるから、硬質で絶瞁性が高く、摩擊
垯電性が良奜である。このために、特に暹脂被芆
キダリアず有効に摩擊垯電がなされ、キダリアは
トナヌ及び珟像剀搬送担䜓ずの静電気力が匷くな
り、その結果ずしお、キダリア飛散及びトナヌ飛
散を防止でき、かぶりやキダリア付着のない鮮明
な画像が埗られるず考えられる。たた、前蚘した
特定のポリ゚ステル暹脂をバむンダヌずしお含有
するトナヌは流動性が高く、キダリアず混合した
珟像剀の流動性をも向䞊させる効果を有しおお
り、このために、珟像剀搬送担䜓䞊に均䞀な珟像
剀局を圢成でき、画像ムラや画像ぬけを防止でき
るず考えられる。曎にたた、倚数枚耇写をおこな
぀おも、前蚘ポリ゚ステル暹脂をバむンダヌずし
お含有するトナヌは、暹脂被芆キダリアの暹脂ず
融着性を瀺さず、離型性が良奜であるため、薄局
圢成によ぀お匷い圧力を受けおもトナヌずキダリ
アは物理的に付着せず、トナヌのキダリアぞのフ
むルミングが発生せ、結果ずしおかぶり、トナヌ
飛散、キダリア付着等のない、耐久性が良奜で鮮
明な画像が埗られるず考えられる。 曎にたた、本発明に基き、偎鎖に長鎖脂肪族炭
化氎玠単䜍を有するポリ゚ステル暹脂をバむンダ
ヌずするトナヌは、長鎖脂肪族炭化氎玠の疎氎性
の効果により、高枩高湿䞋においお振動電界を印
加されおも電荷のリヌクが発生せず、画像抜けの
ない鮮明な画像が埗られるものず考えられる。 このポリ゚ステル暹脂ずしお、偎鎖に炭玠数
以䞋の脂肪族炭化氎玠単䜍を有するポリ゚ステル
暹脂を甚いるず、埗られるトナヌは吞氎性を有し
おおり、特に高枩高湿の環境条件䞋においお、振
動電界を印加されるず電荷がリヌクしやすく、か
ぶりや画像ヌケの倚い画像ずな぀おしたう。䞀
方、炭玠数13以䞊の脂肪族炭化氎玠単䜍を有する
ポリ゚ステル暹脂を甚いるず、疎氎性は十分であ
るが、トナヌが軟質化するために、キダリアぞフ
むルミングするこずずなり、珟像剀ずしおの甚を
なさなくな぀おしたう。 さらにたた流動性の良奜なトナヌにより珟像剀
搬送担䜓䞊に珟像剀の薄局を圢成できるために、
珟像剀のキダリアずトナヌの結合力やキダリアず
珟像剀搬送担䜓の結合力が匱い堎合であ぀おも珟
像剀局が極く薄くできるため、珟像剀搬送担䜓
以降スリヌブず称するに十分固着されるこず
ずなる。 なお、トナヌのバむンダヌ暹脂は、ポリ゚ステ
ル暹脂の他に、䟋えば分散床向䞊のために他の重
合䜓を混合しおもよい。 たた、䞊蚘の暹脂で被芆された暹脂被芆キダリ
アは暹脂被芆がほどこされおいるために、球状で
滑らかな衚面状態を有するこずずなる。このため
に、トナヌず有効に摩擊垯電がなされ、トナヌ及
び珟像剀搬送担䜓ずの静電気的結合力が匷くな
り、その結果ずしお、キダリア飛散及びトナヌ飛
散を防止でき、かぶりやキダリア付着が防止さ
れ、鮮明な画像が埗られるず考えられる。たた、
暹脂被芆キダリアずするこずで、小粒埄キダリア
であ぀おも珟像剀の流動性が良奜であり、珟像剀
搬送担䜓䞊に均䞀な珟像剀の薄局を圢成でき、画
像ムラや画像ぬけを防止できるず考えられる。さ
らにたた、倚数枚耇写をおこな぀おも、䞊蚘した
特定の暹脂被芆をほどこすこずにより、離型性が
良奜であ぀お、匷い圧力を受けおもトナヌず物理
的に匷く付着せず、トナヌのキダリアぞのフむル
ミングが発生せず、結果ずしお、かぶり、トナヌ
飛散、キダリア付着等のない、耐久性が良奜で鮮
明な画像が埗られるものず考えられる。 特に、キダリアの暹脂被芆に甚いる暹脂ずし
お、硬質成分ずしおのスチレン系単量䜓ず、匷靭
で柔軟な機胜を呈するアクリル酞又はメタクリ
ル酞又はその゚ステルずの重合によ぀お埗られ
る共重合䜓を䜿甚するず、それら䞡単量䜓成分の
も぀特長を発揮しながら、同時にその欠点も解消
できる。぀たり、スチレン系による脆さはアクリ
ル又はメタクリル酞又はその゚ステルによ぀
お解消され、か぀埌者による柔軟さを保持しなが
らスチレン系成分で適床な硬さも付䞎するこずが
できる。こうした物性が、䞊蚘したように離型性
の向䞊、トナヌずの付着防止等をもたらすもので
ある。 さらにたた、本発明によれば、暹脂被芆キダリ
アにより、珟像剀搬送担䜓䞊に珟像剀の薄局を圢
成できるために、珟像剀のキダリアずトナヌの結
合力やキダリアず珟像剀搬送担䜓の結合力が匱い
堎合であ぀おも、珟像剀局が極く薄くできるた
め、珟像剀搬送担䜓以降、スリヌブず称する
に十分固着されるこずずなる。 本発明においお、䞊蚘の「薄局」ずは、珟像領
域においお厚みが10〜500Όずいう、埓来にな
く薄い珟像剀局であるのが望たしく、この薄局に
より、振動電界䞋で、珟像剀搬送担䜓䞊の珟像剀
が像担持䜓ず非接觊であ぀おも像担持䜓以䞋、
像圢成䜓ず蚘すこずもある。ず珟像剀搬送担䜓
の間隔を小さくしお珟像するのがよい。 ここで珟像領域ずは、珟像剀搬送担䜓により搬
送されたトナヌが像圢成䜓に静電的な力を受けお
移行しうる領域をいう。その領域内における像圢
成䜓ず珟像剀搬送担䜓ずの最近接距離を珟像間隙
ずいう。 本発明においお、スリヌブ䞊の薄局䞭のトナヌ
が珟像により倱なわれおも、盎ちに十分なトナヌ
が薄局に䟛絊されれば珟像性に圱響はない。この
ためには、スリヌブ䞭の磁石を高速で回転させる
こずが奜たしい。 次に、珟像域に搬送される少ない珟像剀を最倧
限の効率で珟像するためには、 (1) 磁気ロヌルの高速回転 (2) スリヌブぞの亀流バむアスの印加 (3) 像担持䜓ずスリヌブずの間隙を小さくするこ
ず などの手段をずるこずが奜たしい。 本発明で採甚される非接觊珟像法においお、珟
像剀局を薄くすれば像担持䜓ずスリヌブずの間隙
を小さくするこずができ、トナヌを飛翔させるに
芁する振動電界を圢成するに芁する珟像バむアス
の電圧を䜎くするこずができる。埓぀お、前蚘ト
ナヌ飛散はこの点からも軜枛される倖、スリヌブ
面からの珟像バむアスに基づくリヌク攟電等が制
埡される利点がある。さらに又、像担持䜓ずスリ
ヌブずの間隙を小さくした堎合、さらに、朜像に
より珟像域に圢成される電界匷床が倧きくなり、
その結果、階調の埮劙な倉化や现かなパタヌンも
よく珟像できるようになる。 薄局を薄くすれば、䞀般に、珟像域に搬送され
るトナヌの量は少なくなり、珟像量は小さくな
る。搬送量を倧きくするには、スリヌブを高速で
回転させるこずが効果的である。ただし、像圢成
䜓ずスリヌブずの線速床比が10になるず、珟
像されるトナヌが朜像面に察しお持぀平行な速床
成分が倧きくなり、珟像に方向性が珟われ、画質
が劣化する。 このこずから、薄局の䞋限ずしお、スリヌブ面
䞊に圢成された珟像剀局䞭に、少なくずも0.04
mgcm2皋床の密床でトナヌが含たれおいる状態で
あるこずが必芁である。䞀般には、スリヌブの線
速床をVsl、像圢成䜓の線速床をVd、スリヌブ䞊
の薄局䞭のトナヌ量をmtずするずき、 VslVd・mt≧0.4〔mgcm2〕 VslVd≊10 ずいう条件を満たす必芁がある。 珟像効率を考慮すれば VslVd・mt≧0.5〔mgcm2〕 VslVd≊ ずするのが奜たしく、さらに実隓事実からは、 VslVd・mt≧0.5〔mgcm2〕 VslVd≊ であるこずがより奜たしいこずがわか぀た。 この時の珟像剀䞭のトナヌずキダリアの比は、
単䜍䜓積䞭のトナヌずキダリアの総衚面積ずの比
が0.5〜ずなるのが奜たしい。 以䞊のような条件に蚭定すれば、薄局䞭のトナ
ヌを効率よく珟像するこずができ、珟像性は安定
しおおり、良奜な画質を埗るこずができる。 前蚘薄局の珟像剀局を圢成する手段ずしおは、
珟像剀䞭に含たれる塵埃、繊維、玙粉又はトナヌ
又はキダリアの凝集䜓等の䞍玔物を排陀する䞊
で、スリヌブに察しお匟性的に軜床に圧接された
圧接板から成る薄局圢成郚材が奜たしく甚いられ
る。 この薄局圢成郚材は、スリヌブに察し、先端が
スリヌブ回転の䞊流を向くように抌圧された匟性
板で、珟像剀をスリヌブず匟性板の間をすり抜け
させるこずにより薄局を圢成する。 ここで、薄局圢成郚材匟性板の先端が珟像
剀搬送担䜓の回転方向の䞋流偎を向くように構成
させおいるず、匟性板の先端ず珟像剀搬送担䜓ず
の間〓を越える高さの珟像剀は逃げ堎がなく、匟
性板䞋に珟像剀がどんどん送り蟌たれ、過床に圧
瞮されながら芏制され、密床の高い珟像剀局ずな
぀おしたう。そしお、このこずから、トナヌがキ
ダリア衚面にフむルミングするばかりか、倚数枚
耇写が繰り返されおくるず、キダリア粒子同士が
フむルミングしたトナヌを介しお珟像剀自䜓も凝
集し、画像ムラや画像抜けずい぀た画像䞍良が起
きおしたう。 これに察しお、本発明にあ぀おは、薄局圢成郚
材匟性板は、匟性板の先端が珟像剀搬送担䜓
の回転方向の䞊流偎を向くように構成させおいる
から、匟性板の先端ず珟像剀搬送担䜓ずの間〓に
盞圓する珟像剀だけが通過でき、前蚘間〓を越え
る高さの珟像剀は匟性板の䞊偎に送られ、珟像剀
は圧瞮されるのが軜枛される。埓぀お、匟性板の
先端が珟像剀搬送担䜓の回転方向の䞋流偎を向く
ように構成させた堎合に起きた䞊蚘の欠陥が防止
されるものずなる。 しかも、この改善床は、 匟性板の先端が珟像剀搬送担䜓の回転方向の
䞊流偎を向くように構成させたこず、 トナヌが゚ヌテル化ビスプノヌル単量䜓、
ゞカルボン酞単量䜓、酞成分党䜓に察しお〜
30モルの䟡以䞊の倚䟡カルボン酞単量䜓、
及び単量䜓成分党䜓に察しお10〜30モルの偎
鎖に炭玠数〜12の脂肪族炭化氎玠単䜍を有す
るコハク酞ずを含む単量䜓成分の重合によ぀お
埗られる非線状ポリ゚ステル暹脂からなるバむ
ンダヌ暹脂ず前蚘バむンダヌ暹脂100重量郚に
察しお〜10重量郚のポリオレフむンを含有す
るトナヌであるこず、 キダリア粒子がスチレン系単量䜓ずアクリル
酞゚ステル単量䜓及び又はメタクリル酞゚ス
テル単量䜓を含む単量䜓成分を重合しお埗られ
る共重合䜓StAE及び又はMAE
〜の重量組成比からなる暹脂を平均膜
厚が0.3〜4Όずなるようにプラむトに被芆
した球状の暹脂被芆キダリアで、その平均粒埄
が〜50Ό、磁化が20〜50emu、固有抵
抗が1013Ω・cm以䞊であるこず ずい぀た構成芁件が有機的に結合しおいるこずに
よ぀お䞀局効果的に達成されるものずなる。 即ち、高枩倚湿ずい぀たような環境䞋にあ぀お
は、前蚘画像ムラや画像抜けずい぀た画像䞍良が
より䞀局起き易いのであるが、䞊蚘のような構成
芁件を有機的に結合させるこずによ぀お、画像ム
ラや画像抜けずい぀た画像䞍良がより䞀局起き難
くな぀たのである。 第図は匟性板の先端ずスリヌブずの間隙
開口面積ずスリヌブ䞊に付着しおいる珟像剀量
ずの関係である。この図から、間隙が䞀定倀以䞊
にな぀たずき、スリヌブ䞊の珟像剀量はそれらの
倉化に察し安定するこずがわかる。この安定状態
においおは、先に述べた珟像に必芁なトナヌは十
分に搬送できる。他の実隓から、局の厚さがほず
んど倉化しないこずや他のパラメヌタがこの安定
状態の出珟にほずんど圱響しないこずが明らかに
な぀た。 したが぀お、先端の間隙を0.08mm以䞊ずする
ず、取付け粟床や機械的粟床のバラ぀きに察し安
定に䞀定量のトナヌを搬送するこずができる。さ
らに、先端の間隙を0.1mm以䞊ずすれば、安定床
が増す もちろん、前蚘先端の間隙を埒らに倧きくずる
こずは望たしいこずではなく、間隙をmm以䞊に
するず、局の均䞀性が厩れるのが芳察された。 第図には、本発明の珟像方法を行う䞊で奜適
な珟像装眮の断面図が瀺される。図䞭は像圢
成䜓、はハりゞング、はスリヌブ、は、
S8極を有する磁気ロヌル、は薄局圢成郚材、
は該郚材の固定郚材、は第撹拌郚材、は
第撹拌郚材である。及びは前蚘撹拌郚材
及びの回転軞、は補絊トナヌ容噚、
はトナヌ補絊ロヌラ、は珟像剀溜り、は
珟像バむアス電源、は珟像領域、はトナ
ヌ、は珟像剀を衚す。かかる珟像装眮におい
お、珟像剀溜り内の珟像剀は矢印方向に回
転する第撹拌郚材ず、これず反察方向で互い
に重耇するように回転する第撹拌郚材ずによ
り充分撹拌混合され、矢印方向に回転するスリヌ
ブずこれず反察方向に回転する磁気ロヌルの
搬送力により、前蚘スリヌブの衚面に付着搬送
される。前蚘スリヌブ衚面にはハりゞングか
ら延びる固定郚材により保持された薄局圢成郚
材が端郚に近い面の郚分で圧接されおいお、前
述のようにしお搬送される珟像剀の局厚を芏制
する。この珟像剀局は珟像領域においお矢印
方向に回転する像圢成䜓䞊の朜像を間隙をぞ
だおお非接觊で珟像し、トナヌ像を圢成する。珟
像時には電源から亀流成分を含む珟像バむア
スが前蚘スリヌブに印加され、その結果スヌブ
䞊の珟像剀䞭のトナヌのみが遞択的に前蚘朜像
の面に移行しお付着される。なお、珟像剀の局厚
は䟋えば以䞋のようにすれば枬定できる。するわ
ち、日本光孊(æ ª)補ニコンプロフむヌルプロゞ゚ク
タヌを甚い、スリヌブのスクリヌンの投圱像ず、
スリヌブに薄局を圢成した状態の投圱像ずの䜍眮
ずの比范により局厚が求められる。 前蚘薄局圢成郚材は、固定郚材により䞀端
が固定されお匟性が付䞎された、䟋えば磁性又は
非磁性の金属、金属化合物、プラスチツク、ゎム
等から成る極めお均䞀に成圢された薄板であり、
その厚さは50〜500Όずされる。 前蚘のように䞀端が固定された薄局圢成郚材の
他端に近い面の郚分でスリヌブに匟性的に抌圧
し、スリヌブず薄板の接觊䜍眮においおキダリ
アを個ず぀通過させるようにしお搬送量を芏制
する。珟像剀䞭の䞍玔物やキダリア又はトナヌ
の凝集物などは芏制䜍眮を通過できない。埓぀
お、珟像領域に到る珟像剀局が垞に薄局にし
お均䞀か぀安定したものが埗られる。 本発明の珟像方法の劂く、特定の暹脂被芆キダ
リアを甚いる堎合、小粒埄キダリアであ぀おも流
動性が良奜であるため、薄局圢成郚材により局厚
が芏制されおも珟像剀搬送担䜓䞊に均䞀な珟像剀
局を圢成でき、たた、離型性も良奜であ぀お匷い
圧力を受けおもトナヌのキダリアぞのフむルミン
グが発生しない。 なお、珟像領域に到る珟像剀の搬送量は、
前蚘薄局圢成郚材のスリヌブに察する抌接力
や接觊角を倉えるこずにより制埡される。 珟像剀を構成するキダリア及びトナヌが小粒埄
の方が画質の解像力及び階調再珟性の点から有利
ずされる。䟋えば、珟像剀局のトナヌ粒埄が5ÎŒ
以䞋、キダリアの粒埄が50Ό以䞋、さらには
30Ό以䞋の小粒埄ずした堎合でも前蚘した薄局
圢成郚材のような手段を甚いるこずにより珟像
剀䞭の䞍玔物や粒塊等を自動的に排陀しお均䞀な
薄局を圢成するこずができる。さらに、前蚘キダ
リアがトナヌず同皋床の小粒埄ずされた堎合でも
同様䞍玔物の混入が排陀されお均䞀な薄局圢成が
可胜ずされる。 逆に、像圢成䜓のキダリア付着を防止するため
には、キダリア粒埄が倧きい方が匷い磁力を受け
るこずから奜たしい。䟋えば、キダリア粒埄が50
〜100Ό皋床にな぀おも前蚘の方法によれば均
䞀な薄局が圢成できる。なお、キダリア粒埄が倧
きくなるず、薄局䞭のキダリアの穂高が倧きくな
るずずもに局が粗くなり、珟像性は悪くなる。こ
の点からキダリアは小粒埄で磁化が䟋えば10〜
200、奜たしくは20〜100、曎に奜たしくは20〜
50emuが望たしい。磁化が10emu未満で
あるず所定の磁気ブラシを圢成できず、たた
200emuを超えるず磁化が倧きすぎお振動電
界䞋で珟像が良奜に行なわれず、良奜な画像が埗
られなくなる。 前蚘珟像装眮に組み蟌たれる撹拌郚材及び
の具䜓的構造を瀺す斜芖図及び正面図が、第図
む及びロに瀺される。図䞭は第
撹拌郚材の撹拌矜根、、は第
撹拌郚材の撹拌矜根で、角板矜根、円板矜根、
楕円板矜根等各皮の態様があり、それぞれ回転軞
及びに互いに異なる角床及び又は䜍眮で
固定されおいる。前蚘぀の撹拌郚材及び
は、撹拌矜根が互い衝突するこずなく撹拌領域が
オヌバラツプするように構成されおいるため、巊
右方向第図の撹拌が十分に行なわれるず共
に、撹拌板の傟斜第図のため前埌方向第
図の撹拌も十分に行なわれる。 又、補絊ロヌラを介しおホツパから補
絊されたトナヌも短時間で珟像剀䞭に均䞀混
合される。 以䞊のように十分に撹拌され望たしい摩擊垯電
が付䞎された珟像剀は、スリヌブ䞊に付着搬
送される過皋で前蚘薄局圢成郚材により、芏制
され極めお薄くか぀均䞀な珟像剀局が圢成され
る。この珟像剀局はスリヌブの回転により䞀方
向に搬送されるず共に、磁気ロヌルの反察方向
ぞの回転により振動成分をも぀磁気的バむアスを
受け、前蚘スリヌブ䞊で䟋えばロヌリング等の
耇雑な運動をするので、珟像領域に達しお像
圢成䜓の朜像を非接觊で珟像するずき該朜像面
に向けおトナヌを効果的に䟛絊するようになる。
前蚘珟像剀局は前蚘したように500Ό〜10Όず
極めお薄局なもずするこずができるので、像圢成
䜓ずスリヌブずのギダツプ、即ち珟像ギダツ
プを䟋えば500Όたで狭くしおも非接觊珟像が
十分に可胜ずなる。このように珟像ギダツプを狭
くするず珟像領域の電界が倧きくなるので、
スリヌブに印加する珟像バむアスが小さくおも
十分な珟像が達成され、珟像バむアスのリヌク攟
電等も軜枛される利点がある。さらには朜像のコ
ントラストが倧きくなるため、珟像しお埗られる
画像の解像力その他画質が党般的に向䞊する。 又、本発明の態様の効果ずしおは、珟像方法が
非接觊珟像ずされ、トナヌのみが朜像面に向か぀
お遞択的に飛翔しお珟像されるので、朜像面ぞの
キダリア付着が防止される。又、朜像面を摺擊し
ないので像圢成䜓衚面を損傷したり、刷き目を圢
成したりするこずがなく、解像力及び階調再珟性
が良奜であり、十分な量のトナヌを朜像面に付着
させるこずができる。さらに又、トナヌ像が圢成
された像圢成䜓䞊に重ねお珟像するこずができる
ので倚色珟像に奜適である。 なお、本発明の珟像方法における安定した珟像
条件ずしおは、珟像剀局が10〜500Ό珟像ギダ
ツプが200Ό〜2000Όずされ、スリヌブの回
転速床、像圢成の回転速床、スリヌブ䞊のトナ
ヌ付着量の関係は前述のような匏を満たすもので
あるこずが奜たしい。 次に、本発明の珟像方法に適甚される珟像剀の
構成は以䞋のようである。 本発明のトナヌは、゚ヌテル化ビスプノヌル
ずゞカルボン酞ずの゚ステル構造を基本骚栌に有
する非線状ポリ゚ステルであ぀お、偎鎖に炭玠数
〜12の飜和もしくは䞍飜和の長鎖脂肪族炭化氎
玠単䜍を有するポリ゚ステル暹脂をバむンダヌ暹
脂ずしお含有し、そのトナヌ䞭に着色剀、その他
必芁に応じお添加される成分からなる。 本発明においおバむンダヌを構成するポリ゚ス
テル暹脂非線状共重合䜓の合成に甚いられる
単量䜓成分は、 (ã‚€) 共重合䜓の基本骚栌を構成する成分ずしお
の、゚ヌテル化ビスプノヌルを䞻䜓ずする
䟡のアルコヌル単量䜓および䟡のカルボン酞
単量䜓、 (ロ) 共重合䜓の非線状化、すなわちブランチ化な
いしは網状化に関䞎する䟡以䞊の倚䟡カルボ
ン酞単量䜓、 (ハ) 共重合䜓の偎鎖に炭玠数〜12の飜和もしく
は䞍飜和の長鎖脂肪族炭化氎玠単䜍を導入する
ための、圓該炭化氎玠単䜍を有するコハク酞よ
り構成され、必芁に応じ他の単量䜓を含むこず
ができる。 䞊蚘(ã‚€)の゚ヌテル化ビスプノヌルずしおは、
ポリオキシプロピレン−−ビス
−ヒドロキシプニルプロパン、ポリオキ
シ゚チレン(2)−−ビス−ヒドロキシフ
゚ニルプロパン、ポリオキシプロピレン(6)−
−ビス−ヒドロキシプニルプロパ
ン、ポリオキシプロピレン−−
ビス−ヒドロキシプニルプロパン、等を
䟋瀺するこずができる。その他の䟡のアルコヌ
ル単量䜓ずしおは、゚チレングリコヌル、ゞ゚チ
レングリコヌル、トリ゚チレングリコヌル、
−プロピレングリコヌル、−プロピレン
グリコヌル、−ブタンゞオヌル、ネオペン
チルグリコヌル、−プテンゞオヌル等のゞ
オヌル類、−ビスヒドロキシメチルシ
クロヘキサン、及びビスプノヌル、氎玠添加
ビスプノヌル等を䟋瀺するこずができる。 たた、䟡のカルボン酞単量䜓ずしおは、マレ
むン酞、フマヌル酞、メサコン酞、シトラコン
酞、むタコン酞、グルタコン酞、フタル酞、む゜
フタル酞、テレフタル酞、シクロヘキサンゞカル
ボン酞、コハク酞、アゞピン酞、セバチン酞、マ
ロン酞、これらの酞の無氎物等を䟋瀺するこずが
できる。これら䟡のカルボン酞単量䜓の䜿甚量
は、酞成分党䜓に察し10〜90モル、奜たしくは
20〜60モル含有される。 前蚘(ロ)における䟡以䞊の倚䟡カルボン酞単量
䜓ずしおは、䟋えば、−ベンれントリ
カルボン酞、−ベンれントリカルボン
酞、−シクロヘキサントリカルボン
酞、−ナフタレントリカルボン酞、
−ナフタレントリカルボン酞、
−ブタントリカルボン酞、−ヘ
キサントリカルボン酞、−ゞカルボキシル
−−メチル−−メチレンカルボキシルプロパ
ン、テトラメチレンカルボキシルメタン、
−オクタンテトラカルボン酞、゚
ンポヌル䞉量䜓酞、これらの酞の無氎物などを挙
げるこずができる。䟡以䞊の倚䟡カルボン酞単
量䜓の䜿甚割合は、酞成分党䜓に察し〜30モル
である。 䞊蚘(ハ)の炭玠数〜12の飜和もしくは䞍飜和の
長鎖脂肪族炭化氎玠単䜍を偎鎖に有するコハク酞
ずしおは−ドデセニルこはく酞、む゜ドデセニ
ルこはく酞、−ドデシルこはく酞、む゜−ドデ
シルこはく酞、む゜−オクチルこはく酞、−オ
クチルコハク酞−ブチルこはく酞等を奜適なも
のずしお䟋瀺するこずができ、䜿甚量は単量䜓成
分党䜓に察し10〜30モルである。 本発明のトナヌは、以䞊のようなバむンダヌ䞭
に着色剀及び必芁に応じお添加される特性改良剀
を含有しお成るものである。 着色剀ずしおは、カヌボンブラツク、ニグロシ
ン染料C.I.No.50415B、アニリンブルヌC.I.No.
50405、カルコオむルブルヌC.I.No.azoec
Bleu3、クロムむ゚ロヌC.I.No.14090、りルト
ラマリンブルヌC.I.No.77103、デナポンオむル
レツドC.I.No.26105、キノリンむ゚ロヌC.I.
No.47005、メチレンブルヌクロラむドC.I.No.
52015、フタロシアニンブルヌC.I.No.74160、
マラカむトグリヌンオクサレヌトC.I.No.
42000、ランプブラツクC.I.No.77266ロヌズ
ベンガルC.I.No.45435、これらの混合物、その
他を挙げるこずができる。これら着色剀は、十分
な濃床の可芖像が圢成されるに十分な割合で含有
されるこずが必芁であり、通垞バむンダヌ100重
量郚に察しお〜20重量郚皋床である。 たた、キダリアぞの付着を曎に防止するために
䜿甚するこずができる。 前蚘ポリオレフむンずしおは、䟋えばポリプロ
ピレン、ポリ゚チレン、ポリブテン等の暹脂であ
぀おJIS  2531−1960に芏定される環球法で枬
定したずきの軟化点が80〜180℃、奜たしくは100
〜160℃のものである。 ポリオレフむンの䜿甚量は、前蚘バむンダヌ暹
脂100重量郚に察しお〜10重量郚である。 本発明においお䜿甚される暹脂被芆キダリアの
暹脂ずしおは、スチレン系単量䜓ずアクリル酞又
はその゚ステル単量䜓およびたたはメタクリル
酞又はその゚ステル単量䜓を含む単量䜓成分を重
合しお埗られる共重合䜓を含有する暹脂である。
前蚘スチレン系単量䜓ずしおは、スチレン、−
メチルスチレン、−メチルスチレン、−メチ
ルスチレン、α−メチルスチレン、−゚チルス
チレン、−ゞメチルスチレン、−−ブ
チルスチレン、−tert−ブチルスチレン、−
−ヘキシルスチレン、−−オクチルスチレ
ン、−−ノニルスチレン、−−デシルス
チレン、−−ドデシルスチレン、−メトキ
シスチレン、−プニルスチレン、−クロル
スチレン、−ゞクロルスチレンなどを挙げ
るこずができるが、このうちスチレンが最も奜た
しい。 前蚘スチレン系モノマヌず共重合されるアクリ
ル酞゚ステルおよびメタクリル酞゚ステルずしお
は、メチルアクリレヌト、゚チルアクリレヌト、
−プロピルアクリレヌト、iso−プロピルアク
リレヌト、−ブチルアクリレヌト、iso−ブチ
ルアクリレヌト、tert−ブチルアクリレヌト、
−゚チルヘキシルアクリレヌト、シクロヘキシル
アクリレヌト、−オクチルアクリレヌト、iso
−オクチルアクリレヌト、−ドデシルアクリレ
ヌト、−ヒドロキシ゚チルアクリレヌト、−
メトキシ゚チルアクリレヌト、−クロル゚チル
アクリレヌト、ベンゞルアクリレヌト、−メチ
ルアミノ゚チルアクリレヌト、ゞメチルアミノ゚
チルアクリレヌト等のアクリル酞゚ステル、およ
びメチルメタクリレヌト、゚チルメタクリレヌ
ト、−プロピルメタクリレヌト、iso−プロピ
ルメタクリレヌト、−ブチルメタクリレヌト、
iso−ブチルメタクリレヌト、tert−ブチルメタ
クリレヌト、−゚チルヘキシルメタクリレヌ
ト、シクロヘキシルメタクリレヌト、−オクチ
ルメタクリレヌト、iso−オクチルメタクリレヌ
ト、−ドデシルメタクリレヌト、−ヒドロキ
シメタクリレヌト、ベンゞルメタクリレヌト、
−メチルアミノ゚チルメタクリレヌト、ゞメチル
アミノ゚チルメタクリレヌト等のメタクリル酞゚
ステルを挙げるこずができるが、このうち、メチ
ルメタクリレヌトが最も奜たしい。 䞊蚘共重合䜓は通垞甚いられる、乳化重合、塊
状重合、懞濁重合、あるいは溶液重合などによ぀
お補造するこずができる。 たた、前蚘共重合䜓の分子量は、重量平均分子
量Mwが䞇以䞊、数平均分子量Mnが
2000以䞊、MwMnが2.0以䞊が奜たしく重量平
均分子量䞇未満、数平均分子量2000未満、
MwMn2.0未満の堎合、脆いために被芆暹脂が
はがれ易く、耐久性が䞍良ずなり易い。曎に、前
蚘共重合䜓のガラス転移枩床Tgは60℃以䞊
であるこずが奜たしい。60℃未満であるず粘着性
を有するこずずなりトナヌが付着しおフむルミン
グを発生し易くなる。 たた、被芆する暹脂の平均膜厚は0.3〜4Ό、奜
たしくは0.3〜2.0Όである。0.3Ό未満の堎合は絶瞁
性が悪く良奜な珟像性が埗られ難く、たた、4ÎŒ
を超えるずキダリアの磁化が小さくなり過ぎおキ
ダリア付着が発生し易い。 本発明においお䜿甚される暹脂被芆キダリアの
暹脂は、スチレン系モノマヌStずアクリル酞
゚ステルAEおよびたたはメタクリル酞゚
ステルMAEを構成成分ずする共重合䜓であ
る。スチレン系成分は、暹脂を硬くし効率よく摩
擊垯電する効果を有し、アクリル酞゚ステルおよ
びメタクリル酞゚ステル成分は暹脂を匷じんにす
る効果を有し、䞡者の盞乗効果により硬くお匷じ
んな暹脂ずなり耐久性の良奜なキダリアずするこ
ずができる。このために、共重合䜓の重量組成比
はStAEおよびたたはMAE〜
である。効果ずしお、成分比を倉化させるこずに
より任意の垯電量の調敎が容易ずなる。 本発明における暹脂被芆キダリアの磁性䜓材料
ずしおは、磁堎によ぀おその方向に匷く磁化する
プラむトを䜿甚する。プラむトずは、ここで
は鉄を含有する磁性酞化物を総称しおおり、
MO・Fe2O3は䟡の金属の化孊匏で瀺され
るスピネル型プラむトに限定しない。プラむ
トは含有金属成分の組成を倉えるこずにより皮々
の磁気特性が埗られるために、本発明の目的に合
぀たキダリアを埗るこずができる。 たた、プラむトは酞化物であるため、その比
重が鉄粉やニツケル粉等の金属粉より小さくお軜
量であるから、トナヌずの混合、撹拌が容易にな
り、均䞀なトナヌ濃床や垯電量を実珟する䞊で奜
適である。しかも、プラむトは、鉄粉、ニツケ
ル粉、コバルト粉等に比べお電気抵抗が倧きいた
め108〜1012Ω−cm、衚面の暹脂絶瞁局の膜厚
を0.5Ό皋床の薄膜ずしおも、珟像ギダツプに高
いバむアス電界が印加される珟像方法に十分䜿甚
可胜な絶瞁性キダリアを実珟できるずいう長所を
有する。 プラむト単独ではその電気抵抗は最も高いも
のでも高々1012Ω−cm皋床であるため、亀番電界
䞋では、キダリアの最先端たで電荷が誘起される
恐れがあり、その為、高絶瞁性1014Ω−cm以
䞊ずするこずが奜たしく、プラむト衚面に暹
脂被芆するこずが安定な珟像を行なうためには必
芁である。 前蚘プラむトは、倖郚磁堎1000Oe䞋におけ
る飜和磁化が10〜40emu、保磁力が0.1〜
100Oeであるこずが奜たしく、たた抵抗率が×
106〜×1011Ω−cm、比重が4.0〜5.5、空隙率が
1.0〜10が奜たしい。 本発明に䜿甚される暹脂被芆キダリアの補造方
法は、被芆暹脂および必芁に応じお加えられる他
の暹脂成分を有機溶剀に溶解しお被芆液を調敎
し、䟋えばスプレヌドラむ法によりキダリア衚面
に被芆局を圢成するこずができる。あるいは、䟋
えば流動化ベツド装眮においお、䞊昇する加圧ガ
ス流によりキダリアの磁性䜓粒子を平衡の高さた
で䞊昇せしめ、次に前蚘磁性䜓粒子が再び萜䞋す
る時たでに前蚘被芆液をスプレヌ塗垃する。この
塗垃をくり返し行ない、被芆局を圢成するこずが
できる。 本発明においお、さらに奜たしい画像を埗るた
めに、トナヌ粒埄重量平均は20Ό未満、特
に15〜1Όの範囲であるこずが望たしい。 15Όを超える堎合高解像力ですぐれた階調再
珟性が埗られにくく、特に20Ό以䞊で现字の解
像力が䜎䞋する。又1Ό未満では、かぶりトナ
ヌの飛散が発生しお鮮明な画像が埗られない。 本発明における暹脂被芆キダリアは解像力や階
調再珟性を向䞊させるため、球状であり、重量平
均粒埄が〜50Όのものが奜適である。ここで
キダリア粒子埄が50Όを超えるず珟像剀局の薄
局化を阻害し、珟像性が悪くなり、画質が䜎䞋す
る。又5Ό未満だず珟像剀の珟像性、摩擊垯電
性、流動性等が悪くなり、か぀キダリア飛散が生
じ易くなる。 たた、バむアス電圧によ぀お電荷が泚入されお
感光䜓面にキダリアが付着したり、朜像を圢成す
る電荷が消倱したりするのを防ぐため、キダリア
の抵抗率は1013Ωcm以䞊、奜たしくは1014Ωcm以
䞊の絶瞁性のものがよい。 なお、本発明でいうトナヌ及びキダリアの粒
埄、又は平均粒埄は重量平均粒埄を意味し、該重
量平均粒埄はコヌルタヌカりンタコヌルタ瀟
補で枬定された倀である。たた粒子の固有抵抗
抵抗率は、粒子を0.50cm2の断面積を有する容
噚に入れおタツピングした埌、詰められた粒子䞊
にKgcm2の荷重をかけお厚さをmm皋床ずし、
荷重ず底面電極ずの間に102〜105Vcmの電界を
発生させおそのずき流れる電流倀から求められ
る。 䞊述のトナヌずキダリアを、各衚面積の総和が
等しくなる皋床の比で混合するこずが奜たしい。
䟋えばトナヌの平均粒埄が10Ό、キダリアの平
均粒埄が20Όであるずき、トナヌ濃床珟像剀
に占めるトナヌの重量比が〜40wl、奜た
しくは〜25wlに蚭定するのが適圓である。 即ち本発明の珟像剀においおは、埓来の倧粒埄
キダリアの倖呚に倚数の小粒埄トナヌが付着しお
成る珟像剀ずは異なり、キダリアの粒埄が小さく
トナヌの粒埄に近いものずされおいるため、䞡者
の衚面積の総和がほが等しくなる皋床の混合比が
奜たしいものずされる。 本明现曞においお、軟化点ずは、高化匏フロヌ
テスタヌ「CFT−500型」島接補䜜所補を甚
いお、枬定条件を荷重20Kgcm2、ノズルの盎埄
mm、ノズルの長さmm、予備加熱80℃で10分間、
昇枩速床℃分ずし、サンプル量cm3真性比
重×cm3で衚わされる重量ずしお枬定蚘録した
ずき、フロヌテスタヌのブランゞダヌ降䞋量−枩
床曲線軟化流動曲線における字曲線の高さ
をずするずき、のずきの枩床をいう。 たたガラス転移点ずは、瀺差走査熱量蚈「䜎枩
DSC」理孊電気瀟補を甚い、昇枩速床10℃
分で枬定した際に、ガラス転移領域における
DSCサヌモグラムのガラス転移点以䞋のベヌス
ラむンの延長線ずピヌクの立䞊がり郚分からピヌ
クの頂点たでの間での最倧傟斜を瀺す接線ずの亀
点の枩床をガラス転移点ず定めたずきの倀をい
う。 重合䜓における数平均分子量Mn及び重量平均
分子量Mwの倀は皮々の方法によ぀お枬定するこ
ずができ、枬定方法によ぀お若干の倉動がある。
本明现曞においおは、Mn及びMwを、䞋蚘の枬
定法によ぀お埗られる倀ず定矩する。 即ち、これらの各倀は、䜕れもゲル・パヌミ゚
ヌシペン・クロマトグラフむヌGPCによ぀
お以䞋に蚘す条件で枬定された倀ずする。枩床40
℃においお、溶媒テトラヒドロフランを毎分
1.2mlの流速で流し、濃床15mlmlのテトラヒ
ドロフラン詊料溶液を詊料重量換算でmg泚入し
お枬定を行なう。詊料の分子量枬定に際しおは、
該詊料の有する分子量が、数皮の単分散ポリスチ
レン暙準詊料により䜜成された怜量線の分子量の
察数ずカりント数が盎線ずなる範囲内に包含され
る枬定条件を遞択する。 なお、本枬定に圓り、信頌性を、䞊述の枬定条
件で行な぀たNBS706ポリスチレン暙準詊料が
〔Mn13.7×104、Mw28.8×104〕ずなるこず
により確認する。 ホ 実斜䟋 以䞋、実斜䟋に぀いお本発明を具䜓的に説明す
る。 第図は䜿甚する像圢成装眮の構造を瀺す断面
図で、原皿台が移動するこずにより、照明光源
で照射された原皿像がミラヌ、レンズ
を介しお像圢成䜓䞊に照射される。このよう
にしお静電朜像が圢成される。この静電朜像は珟
像装眮により珟像される。 このようにしお埗られたトナヌ像は、露光ラン
プにより陀電されお転写され易くされた埌、
転写極により蚘録玙に転写される。蚘録玙
は分離極により像圢成䜓から分離さ
れ、定着噚で定着される。䞀方、像圢成䜓
は陀電極ずクリヌニング装眮により枅
掃される。 クリヌニング装眮はクリヌニングブレヌド
を有する。はブレヌドで掻き取られ
たトナヌを捕集するロヌラである。 第図の耇写装眮による前蚘像圢成プロセスに
おいおは、䞋蚘凊方の珟像剀を甚いお珟像され、
第衚の䜜像条件により像圢成が行なわれる。 〔バむンダヌの補造〕 偎鎖に炭玠数〜12の長鎖炭化氎玠連鎖を有す
るポリ゚ステル (1) バむンダヌ ポリオキシプロピレン−−ビ
ス−ヒドロキシプニルプロパン 700 フマル酞 150 −ドデセニル無氎こはく酞 55.4 ハむドロキノン 0.1 以䞊の物質を、枩床蚈、ステンレススチヌル
補撹拌噚、ガラス補窒玠ガス導入管、及び滎䞋
匏コンデンサを備えた容量の䞞底フラスコ
内に入れ、このフラスコをマントルヒヌタヌに
セツトし、窒玠ガス導入管より窒玠ガスを導入
しおフラスコ内を䞍掻性雰囲気に保぀た状態で
枩床230℃に昇枩させ、撹拌䞋においお反応を
行぀た。さらに、−ベンれントリカ
ルボン酞の無氎物65.4を加えお玄時間にわ
た぀お反応させ、酞䟡が20にな぀た時点で反応
を終了させた。このようにしお埗られた。ポリ
゚ステル暹脂の軟化点は120℃であ぀た。 (2) バむンダヌ ポリオキシ゚チレン(2)−−ビス−ヒ
ドロキシプニルプロパン 650 フマル酞 120 む゜ドデセニル無氎こはく酞 55.4 以䞊の物質を、暹脂の堎合ず同様の装眮を
甚いお枩床220℃においお反応せしめた。反応
により生成する氎が流出しなくな぀た時点で酞
䟡を枬定するず1.5であ぀た。 さらに、−ベンれントリカルボン
酞の無氎物79を加え、枩床200℃においお反
応させ、軟化点が120℃に達した時点で反応を
終了させた。 (3) バむンダヌ比范甚 ポリオキシプロピレン−−ビ
ス−ヒドロキシプニルプロパン 211 テレフタル酞 299 ペンタ゚リスリトヌル 82 以䞊の物質を、暹脂の堎合ず同様の装眮を
甚いお昇枩し、さらにゞブチル錫オキシド0.05
を加えお枩床200℃においお反応せしめ、軟
化点が131℃に達した時点で反応を終了させた。 〔トナヌの補造〕 前蚘バむンダヌ〜C100重量郚、カヌボンブ
ラツクモヌガルキダボツト瀟補10重量
郚、ポリプロピレンビスコヌル660P䞉掋化
補瀟補重量郚をヘンシ゚ルミキサヌで予備混
合した埌、゚クストルヌダヌで溶融混緎し、冷华
埌、ゞ゚ツトミルにお埮粉砕しお分玚し、平均粒
埄12Όのトナヌ〜を補造した。 〔キダリアの補造〕 キダリア スチレンずメチルメタクリレヌトずの単量䜓組
成比が3070のスチレン−メチルメタクリレヌト
共重合䜓15をメチル゚チルケトン300mlに溶解
しお被芆液を調補し、この被芆液により球状のフ
゚ラむトをスピラコヌタヌ岡田粟工瀟補を甚
いお被芆し、平均膜厚1.0Όの被芆局を有するキ
ダリアを補造した。これを「キダリア」ずす
る。このキダリアの重量平均粒埄は30Ό、磁
化は25emu、固有抵抗は1014Ω−cm、比重5.2
cm3であ぀た。 キダリア キダリアにおける被芆液を調補するために甚
いた共重合䜓のかわりに、スチレンずメチルメタ
クリレヌトずの単量䜓組成比が6040のスチレン
−メチルメタクリレヌト共重合䜓及び別の球状の
プラむトを甚いたほかは、キダリアず同様に
しお被芆局の平均膜厚1.5Όのキダリアを補造し
た。これを「キダリア」ずする。このキダリア
の重量平均粒埄は35Ό、磁化は20emu、
固有抵抗は1014Ω−cm、比重5.4cm3であ぀た。 珟像剀の䜜補 キダリア、及びトナヌ〜をトナヌ濃床
12重量で混合しお本発明の珟像剀を調補した。
この珟像剀を甚いお、第衚に瀺す条件で珟像を
行ない、曎に䞇枚の耇写を行ない、評䟡した。
結果を衚−〜衚−に瀺した。第衚 珟像条件正芏珟像 像圢成䜓 Se感光䜓100φドラム 線速床 100mm 衚面電䜍 800V暗郚〜0V明郚 スリヌブ埄 25mm スリヌブ線速床 250mm順方向 磁気ロヌル極数 極 磁気ロヌル回転速床 1200r.p.m. 珟像ギダツプ 500Ό 珟像剀局厚 400Ό最倧倀 珟像剀トナヌ濃床 12wt スリヌブ䞊の珟像剀䞭のトナヌ含有量0.3mgcm2 DCバむアス 〜100V ACバむアス 0.5〜2kVp-p2kHz
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 以䞊の結果からもわかるように、本発明の珟像
剀、においおは、良奜な垯電量を瀺し、かぶ
りやキダリア付着が発生せず、たた均䞀な薄局が
圢成されおいお、画像ぬけや画像ムラのない、解
像力及び階調再珟性の良奜な鮮明な画像が埗ら
れ、曎に䞇枚耇写埌及び高枩高湿䞋においおも
垯電量倉化が少なく、同様に鮮明な画像が埗ら
れ、この時の機内でのトナヌやキダリアによる汚
染は極めおわずかであ぀た。たた、珟像バむアス
は第衚に瀺した範囲内ではいずれも良奜な結果
が埗られた。 これに察し、比范甚珟像剀は、初期においお
はかぶりやキダリア付着は若干有る皋床である
が、䞇枚耇写埌及び高枩高湿䞋では垯電量が䜎
䞋し、均䞀な薄局が圢成できず、かぶりやキダリ
ア付着の倚い䞍良な画像であ぀た。たた、初期か
ら垯電量も䜎く、かぶりの倚い䞍良な画像であ
り、たた䞇枚耇写埌及び高枩高湿䞋においおは
さらに垯電量が䜎䞋し、䞍良な画像であ぀た。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実斜䟋を瀺すものであ぀お、第
図は珟像装眮の断面図、第図むは撹拌郚材の
斜芖図、第図ロはその正面図、第図は単色像
圢成装眮の抂略図、第図は珟像剀薄局圢成郚材
ず珟像剀搬送担䜓スリヌブずの間隙ず、珟像
剀搬送量ずの関係を瀺すグラフ、である。 なお、図面に瀺す笊号においお、  珟像剀
搬送担䜓スリヌブ、  磁気ロヌル、 
 珟像剀薄局圢成郚材、  撹拌郚材、
  バむアス電源、  珟像領域、 
 像担持䜓、  垯電噚、 
 珟像装眮、  珟像剀、T1T2  ト
ナヌである。

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  珟像剀搬送担䜓ぞ亀流バむアスを印加しお珟
    像領域に振動電界を生ぜしめ、像担持䜓䞊に圢成
    された朜像を珟像剀搬送担䜓䞊のキダリア及びト
    ナヌ含有珟像剀局で珟像するに際しお、前蚘珟像
    剀局を薄局圢成郚材により芏制しお像担持䜓ず非
    接觊ずなるように珟像剀搬送担䜓䞊に10〜500ÎŒ
    の薄局を圢成し、前蚘薄局圢成郚材は䞀端が固
    定された匟性板であり、圓該匟性板の先端が珟像
    剀搬送担䜓の回転方向の䞊流偎を向き、圓該匟性
    板の先端ず珟像剀搬送担䜓ずの間〓を0.1mm以䞊、
    mm未満ずするように珟像剀搬送担䜓に察し抌圧
    しお圓該匟性板の端郚に近い面の郚分で圧接し
    お、珟像剀搬送担䜓ず匟性板の接觊䜍眮においお
    キダリアを個ず぀通過させるように搬送量を芏
    制し、前蚘トナヌが゚ヌテル化ビスプノヌル単
    量䜓、ゞカルボン酞単量䜓、酞成分党䜓に察しお
    〜30モルの䟡以䞊の倚䟡カルボン酞単量
    䜓、及び単量䜓成分党䜓に察しお10〜30モルの
    偎鎖に炭玠数〜12の脂肪族炭化氎玠単䜍を有す
    るコハク酞ずを含む単量䜓成分の重合によ぀お埗
    られる非線状ポリ゚ステル暹脂からなるバむンダ
    ヌ暹脂ず前蚘バむンダヌ暹脂100重量郚に察しお
    〜10重量郚のポリオレフむンを含有するトナヌ
    であり、前蚘キダリア粒子がスチレン系単量䜓ず
    アクリル酞゚ステル単量䜓及び又はメタクリル
    酞゚ステル単量䜓を含む単量䜓成分を重合しお埗
    られる共重合䜓StAE及び又はMAE
    〜の重量組成比からなる暹脂を平均膜
    厚が0.3〜4Όずなるようにプラむトに被芆し
    た球状の暹脂被芆キダリアで、その平均粒埄が
    〜50Ό、磁化が20〜50emu、固有抵抗が
    1013Ω・cm以䞊であるこずを特城ずする静電朜像
    の珟像方法。
JP61021020A 1986-01-31 1986-01-31 静電朜像の珟像方法 Granted JPS62178278A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61021020A JPS62178278A (ja) 1986-01-31 1986-01-31 静電朜像の珟像方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61021020A JPS62178278A (ja) 1986-01-31 1986-01-31 静電朜像の珟像方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62178278A JPS62178278A (ja) 1987-08-05
JPH0582943B2 true JPH0582943B2 (ja) 1993-11-24

Family

ID=12043352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61021020A Granted JPS62178278A (ja) 1986-01-31 1986-01-31 静電朜像の珟像方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62178278A (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2714803B2 (ja) * 1988-03-29 1998-02-16 コニカ株匏䌚瀟 画像圢成方法
JP2805309B2 (ja) * 1988-03-29 1998-09-30 コニカ株匏䌚瀟 画像圢成方法
US5691096A (en) * 1989-04-04 1997-11-25 Lexmark International, Inc. Flash fusible toner resins
US5688622A (en) * 1994-09-09 1997-11-18 Minolta Co., Ltd. Developing method
JP3384914B2 (ja) * 1994-10-04 2003-03-10 株匏䌚瀟リコヌ 珟像装眮
EP1887430B1 (en) 2005-05-27 2013-08-07 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Resin for toner and toner composition
EP1887432B1 (en) 2005-05-31 2012-07-18 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Toner and toner binder
AU2006309691B2 (en) 2005-11-02 2010-03-04 Ricoh Company, Ltd. Toner for developing electrostatic images, toner kits, and image formation equipment
CN101401042B (zh) 2006-03-16 2011-08-31 䞉掋化成工䞚株匏䌚瀟 调色剂粘合剂和调色剂
KR101492828B1 (ko) 2011-10-21 2015-02-12 닛칎칎가쿠가부시킀가읎샀 비결정성 폎늬에슀테륎 수지 및 토너용 ê²°ì°© 수지 및 ê²°ì°© 수지 분산묌

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58129437A (ja) * 1982-01-29 1983-08-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像剀
JPS5990861A (ja) * 1982-11-16 1984-05-25 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 二成分系珟像剀
JPS60131553A (ja) * 1983-12-20 1985-07-13 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 珟像方法
JPS60254154A (ja) * 1984-05-31 1985-12-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚トナ−
JPS60254148A (ja) * 1984-05-31 1985-12-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚トナ−
JPS60254149A (ja) * 1984-05-31 1985-12-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚トナ−
JPS6115158A (ja) * 1984-06-30 1986-01-23 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 画像圢成方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58129437A (ja) * 1982-01-29 1983-08-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像剀
JPS5990861A (ja) * 1982-11-16 1984-05-25 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 二成分系珟像剀
JPS60131553A (ja) * 1983-12-20 1985-07-13 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 珟像方法
JPS60254154A (ja) * 1984-05-31 1985-12-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚トナ−
JPS60254148A (ja) * 1984-05-31 1985-12-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚トナ−
JPS60254149A (ja) * 1984-05-31 1985-12-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚トナ−
JPS6115158A (ja) * 1984-06-30 1986-01-23 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 画像圢成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62178278A (ja) 1987-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6706457B2 (en) Non-magnetic single-component toner and developing method using the same
US6589703B2 (en) Electrographic methods using hard magnetic carrier particles
JPH0582943B2 (ja)
US5876893A (en) Ferrite carrier, two-component developer and electrostatic imaging method using the developer
JPH06194866A (ja) 静電朜像珟像剀
JPS63289559A (ja) 静電像珟像甚トナ−
JP3104883B2 (ja) 静電荷像珟像甚トナヌ
JPS63235955A (ja) 熱定着型静電像珟像甚トナヌの補造方法
JP2000010349A (ja) 静電珟像剀
JPS62178279A (ja) 静電朜像の珟像方法
JPS62178277A (ja) 静電朜像の珟像方法
JP2856494B2 (ja) トナヌおよび画像圢成方法
JP3680557B2 (ja) バむンダヌキャリア、該キャリアを含む珟像剀および該珟像剀を甚いた画像圢成方法
JP2836149B2 (ja) 二成分珟像剀
JP2853193B2 (ja) 静電荷珟像甚トナヌ
JPS6341863A (ja) 静電朜像の珟像方法
JPH0827555B2 (ja) 珟像方法
JPS6341864A (ja) 静電朜像の珟像方法
JP2781198B2 (ja) 珟像方法
JPS63208861A (ja) 静電像珟像剀および静電像珟像方法
JP3407533B2 (ja) 珟像方法
JPH01113767A (ja) 画像圢成方法
JPS63212944A (ja) 珟像剀
JPS6341862A (ja) 静電朜像の珟像方法
JP2825223B2 (ja) 非磁性䞀成分トナヌおよび珟像方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term