JPH0573978A - オーバーライト用光学ヘツド - Google Patents
オーバーライト用光学ヘツドInfo
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- JPH0573978A JPH0573978A JP3041710A JP4171091A JPH0573978A JP H0573978 A JPH0573978 A JP H0573978A JP 3041710 A JP3041710 A JP 3041710A JP 4171091 A JP4171091 A JP 4171091A JP H0573978 A JPH0573978 A JP H0573978A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光の利用効率が高く、比較的出力の小さな半
導体レーザを用いて消去、記録、ベリファイを行うこと
ができるオーバーライト用光学ヘッドを提供する。 【構成】 半導体レーザ2と、それから発せられた第1
の光3および第2の光4をそれぞれ光磁気記録媒体5に
照射する消去用光照射器6および再生用光照射器7と、
半導体レーザ40から発せられた第3の光8を光磁気記
録媒体5に照射する記録用光照射器9と、消去領域1
0、記録領域11に互いに方向が反対の磁界を印加する
永久磁石12とから構成されている。消去用光照射器で
消去しながら、記録用光照射器で記録し、再生用光照射
器でベリファイを行う。第1および第3の光3、8はほ
とんど損失なく光磁気記録媒体5に照射されるため、半
導体レーザ2、40の出力は従来の光磁気用光学ヘッド
に用いられていたものの約半分でよい。
導体レーザを用いて消去、記録、ベリファイを行うこと
ができるオーバーライト用光学ヘッドを提供する。 【構成】 半導体レーザ2と、それから発せられた第1
の光3および第2の光4をそれぞれ光磁気記録媒体5に
照射する消去用光照射器6および再生用光照射器7と、
半導体レーザ40から発せられた第3の光8を光磁気記
録媒体5に照射する記録用光照射器9と、消去領域1
0、記録領域11に互いに方向が反対の磁界を印加する
永久磁石12とから構成されている。消去用光照射器で
消去しながら、記録用光照射器で記録し、再生用光照射
器でベリファイを行う。第1および第3の光3、8はほ
とんど損失なく光磁気記録媒体5に照射されるため、半
導体レーザ2、40の出力は従来の光磁気用光学ヘッド
に用いられていたものの約半分でよい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光により光記録
媒体に情報の記録、再生、消去を行う光記録再生装置に
用いられる光学ヘッド、さらに詳細には、光磁気記録媒
体にオーバーライトを行うことを可能とするオーバーラ
イト用光学ヘッドに関する。
媒体に情報の記録、再生、消去を行う光記録再生装置に
用いられる光学ヘッド、さらに詳細には、光磁気記録媒
体にオーバーライトを行うことを可能とするオーバーラ
イト用光学ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体にオーバーライト
を行うためには、例えば図12に示すように、2つの光
磁気用光学ヘッド100、101を光磁気記録媒体10
2の同一のトラック103上に配置し、一方の光学ヘッ
ド101で情報の消去を行うとともに、他方の光学ヘッ
ド100で記録を行っていた。
を行うためには、例えば図12に示すように、2つの光
磁気用光学ヘッド100、101を光磁気記録媒体10
2の同一のトラック103上に配置し、一方の光学ヘッ
ド101で情報の消去を行うとともに、他方の光学ヘッ
ド100で記録を行っていた。
【0003】このような光学ヘッド100、101は図
13に示すように構成されており、半導体レーザ105
から発せられた光は、コリメータレンズ106で平行光
となり、無偏光ビームスプリッタ108を通過し、対物
レンズ109で集光され光磁気記録媒体102の記録層
112に照射される。
13に示すように構成されており、半導体レーザ105
から発せられた光は、コリメータレンズ106で平行光
となり、無偏光ビームスプリッタ108を通過し、対物
レンズ109で集光され光磁気記録媒体102の記録層
112に照射される。
【0004】光磁気記録媒体から反射し、磁化の方向に
より偏光面が回転した光は、対物レンズ109で平行光
となり、無偏光ビームスプリッタ108で反射される。
さらに、無偏光ビームスプリッタ114で2つに分離さ
れ、一方はサーボ信号を得るため、円筒レンズ115を
通して4分割フォトダイオード116で検出される。他
方は、偏光ビームスプリッタ118で互いに直交する2
つの偏光成分に分けられ、それぞれフォトダイオード1
19および120で検出される。フォトダイオード11
9、120の差動出力をとることにより、光の偏光面の
回転が検出され、光磁気記録媒体に記録された情報が再
生される。
より偏光面が回転した光は、対物レンズ109で平行光
となり、無偏光ビームスプリッタ108で反射される。
さらに、無偏光ビームスプリッタ114で2つに分離さ
れ、一方はサーボ信号を得るため、円筒レンズ115を
通して4分割フォトダイオード116で検出される。他
方は、偏光ビームスプリッタ118で互いに直交する2
つの偏光成分に分けられ、それぞれフォトダイオード1
19および120で検出される。フォトダイオード11
9、120の差動出力をとることにより、光の偏光面の
回転が検出され、光磁気記録媒体に記録された情報が再
生される。
【0005】このような2つの光学ヘッド100、10
1を用いて次のようにしてオーバーライトを行う。
1を用いて次のようにしてオーバーライトを行う。
【0006】すなわち、光学ヘッド101の半導体レー
ザ105の出力を大きくしてレーザ光を光磁気記録媒体
102に照射し、記録層112をキュリー温度以上に加
熱すると同時に光磁気ディスク102を挟んで対物レン
ズ109と対向して設けられた磁石114により、例え
ば、上向きの磁界を印加し、記録層112の磁化を上向
きに揃える。次に、光学ヘッド100の半導体レーザ1
05を記録信号で変調し、変調されたレーザ光を記録層
112に照射すると同時に磁石115で下向きの磁界を
印加し、記録層112の磁化を記録信号に応じて下向き
に反転させる。このようにして、古い情報を消しなが
ら、その上に新しい情報を記録するオーバーライトが行
われる。
ザ105の出力を大きくしてレーザ光を光磁気記録媒体
102に照射し、記録層112をキュリー温度以上に加
熱すると同時に光磁気ディスク102を挟んで対物レン
ズ109と対向して設けられた磁石114により、例え
ば、上向きの磁界を印加し、記録層112の磁化を上向
きに揃える。次に、光学ヘッド100の半導体レーザ1
05を記録信号で変調し、変調されたレーザ光を記録層
112に照射すると同時に磁石115で下向きの磁界を
印加し、記録層112の磁化を記録信号に応じて下向き
に反転させる。このようにして、古い情報を消しなが
ら、その上に新しい情報を記録するオーバーライトが行
われる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光磁気
用光学ヘッド100、101では、無偏光ビームスプリ
ッタ108により半導体レーザ105から発せられた光
のうちの半分が反射され、光磁気記録媒体102に照射
される光量が半分に減少するため、光の利用効率が低
く、出力の大きな半導体レーザを用いる必要があった。
さらに、光磁気記録媒体102から反射した光のうちの
半分は半導体レーザ105に戻り、半導体レーザ105
に雑音を発生させていた。
用光学ヘッド100、101では、無偏光ビームスプリ
ッタ108により半導体レーザ105から発せられた光
のうちの半分が反射され、光磁気記録媒体102に照射
される光量が半分に減少するため、光の利用効率が低
く、出力の大きな半導体レーザを用いる必要があった。
さらに、光磁気記録媒体102から反射した光のうちの
半分は半導体レーザ105に戻り、半導体レーザ105
に雑音を発生させていた。
【0008】また、光磁気用光学ヘッド100、101
は光磁気記録媒体102から反射した光の偏光面の回転
を検出する必要から構成が複雑であり、調整が難しく高
価であり、このような光磁気用光学ヘッドを2つ用いた
記録再生装置も非常に高価となるという問題があった。
さらに、消去、記録は同時に行えるが正しく記録できた
かを確認するベリファイは同時に行うことはできなかっ
た。このため、オーバーライトとベリファイを行うの
に、光磁気記録媒体を2回転させる必要があり、実質的
な転送速度が遅くなるという問題点もあった。
は光磁気記録媒体102から反射した光の偏光面の回転
を検出する必要から構成が複雑であり、調整が難しく高
価であり、このような光磁気用光学ヘッドを2つ用いた
記録再生装置も非常に高価となるという問題があった。
さらに、消去、記録は同時に行えるが正しく記録できた
かを確認するベリファイは同時に行うことはできなかっ
た。このため、オーバーライトとベリファイを行うの
に、光磁気記録媒体を2回転させる必要があり、実質的
な転送速度が遅くなるという問題点もあった。
【0009】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、その目的とするところは、光の
利用効率が高く、比較的出力の小さな半導体レーザを用
いて消去、記録、ベリファイを行うことができるオーバ
ーライト用光学ヘッドを提供することにある。
になされたものであり、その目的とするところは、光の
利用効率が高く、比較的出力の小さな半導体レーザを用
いて消去、記録、ベリファイを行うことができるオーバ
ーライト用光学ヘッドを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のオーバーライト用光学ヘッドは、半導体レー
ザ等の複数の方向へ光を発する光源と、光源から発せら
れた第1の光を光記録媒体に照射する第1の光照射手段
と、第2の光を光記録媒体に照射する第2の光照射手段
と、信号により変調された第3の光を第1および第2の
光が照射された領域の間に照射する第3の光照射手段
と、第1および第3の光が照射された領域に互いに方向
が反対の磁界を印加する磁界印加手段とから成り、第1
の光により加熱される領域の温度が第2の光により加熱
される領域の温度よりも高くなるようにしている。この
とき、第1あるいは第2の光照射手段が光量調整手段を
有していてもよい。
に本発明のオーバーライト用光学ヘッドは、半導体レー
ザ等の複数の方向へ光を発する光源と、光源から発せら
れた第1の光を光記録媒体に照射する第1の光照射手段
と、第2の光を光記録媒体に照射する第2の光照射手段
と、信号により変調された第3の光を第1および第2の
光が照射された領域の間に照射する第3の光照射手段
と、第1および第3の光が照射された領域に互いに方向
が反対の磁界を印加する磁界印加手段とから成り、第1
の光により加熱される領域の温度が第2の光により加熱
される領域の温度よりも高くなるようにしている。この
とき、第1あるいは第2の光照射手段が光量調整手段を
有していてもよい。
【0011】
【作用】上記の構成を有する本発明のオーバーライト用
光学ヘッドでは、半導体レーザ等の光源からそれぞれ反
対方向に発せられる2つの光のうち、第1の光を第1の
光照射手段で光記録媒体に照射し、磁界印加手段で一定
方向の磁界を印加し消去を行う。また、第3の光は、第
3の光照射手段により、信号で変調された後、光記録媒
体に照射される。第3の光の照射領域には、消去が行わ
れる第1の光が照射された領域に印加される磁界とは反
対の方向に磁界が磁界印加手段により印加されているた
め、記録が行われる。さらに、第2の光照射手段により
第2の光を光記録媒体に照射し、記録した信号を再生す
る。第1、第3および第2の光は同一トラック上に照射
されているため、消去に引き続き記録することによりオ
ーバーライトを行い、さらに引続き再生を行うことによ
り正しく記録できたかをベリファイする。
光学ヘッドでは、半導体レーザ等の光源からそれぞれ反
対方向に発せられる2つの光のうち、第1の光を第1の
光照射手段で光記録媒体に照射し、磁界印加手段で一定
方向の磁界を印加し消去を行う。また、第3の光は、第
3の光照射手段により、信号で変調された後、光記録媒
体に照射される。第3の光の照射領域には、消去が行わ
れる第1の光が照射された領域に印加される磁界とは反
対の方向に磁界が磁界印加手段により印加されているた
め、記録が行われる。さらに、第2の光照射手段により
第2の光を光記録媒体に照射し、記録した信号を再生す
る。第1、第3および第2の光は同一トラック上に照射
されているため、消去に引き続き記録することによりオ
ーバーライトを行い、さらに引続き再生を行うことによ
り正しく記録できたかをベリファイする。
【0012】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面を
参照して説明する。本発明を好適に適用したオーバーラ
イト用光学ヘッド1は、図1に示すように、光源である
半導体レーザ2と半導体レーザ2の互いに平行な端面か
ら発せられた第1の光3および第2の光4をそれぞれ光
磁気記録媒体5に照射する第1の照射手段である消去用
光照射器6および第2の照射手段である再生用光照射器
7と、記録信号により変調された第3の光8を光磁気記
録媒体5に照射する第3の照射手段である記録用光照射
器9と、消去用および記録用の光照射器6、9によって
第1および第3の光3、8が照射される消去領域10、
記録領域11に互いに方向が反対の磁界を印加する永久
磁石12とから構成されている。
参照して説明する。本発明を好適に適用したオーバーラ
イト用光学ヘッド1は、図1に示すように、光源である
半導体レーザ2と半導体レーザ2の互いに平行な端面か
ら発せられた第1の光3および第2の光4をそれぞれ光
磁気記録媒体5に照射する第1の照射手段である消去用
光照射器6および第2の照射手段である再生用光照射器
7と、記録信号により変調された第3の光8を光磁気記
録媒体5に照射する第3の照射手段である記録用光照射
器9と、消去用および記録用の光照射器6、9によって
第1および第3の光3、8が照射される消去領域10、
記録領域11に互いに方向が反対の磁界を印加する永久
磁石12とから構成されている。
【0013】消去用光照射器6において、半導体レーザ
2から発せられた第1の光3は、直線偏光であり、コリ
メータレンズ15で平行光となった後、三角プリズム1
6で反射され、偏光ビームスプリッタ18を通過し、λ
/4板19で円偏光となり対物レンズ20で集光され、
光磁気記録媒体5の記録層22に照射される。なお、半
導体レーザ2から発せられる光3の偏光方向は、偏光ビ
ームスプリッタ18を通過する光の偏光方向と一致する
P偏光となるように調整されており、偏光ビームスプリ
ッタ18における光量損失は非常に小さい。
2から発せられた第1の光3は、直線偏光であり、コリ
メータレンズ15で平行光となった後、三角プリズム1
6で反射され、偏光ビームスプリッタ18を通過し、λ
/4板19で円偏光となり対物レンズ20で集光され、
光磁気記録媒体5の記録層22に照射される。なお、半
導体レーザ2から発せられる光3の偏光方向は、偏光ビ
ームスプリッタ18を通過する光の偏光方向と一致する
P偏光となるように調整されており、偏光ビームスプリ
ッタ18における光量損失は非常に小さい。
【0014】記録層22で反射された光は、対物レンズ
20で平行光となった後、再びλ/4板19を通過する
ことにより偏光面が90゜回転し、S偏光となる。従っ
て、偏光ビームスプリッタ18で反射され、円筒レンズ
24を通して4分割フォトダイオード25で受光され
る。4分割フォトダイオード25の出力を用いて、よく
知られている非点収差法、プッシュプル法等により、フ
ォーカスサーボおよびトラッキングサーボをかける。
20で平行光となった後、再びλ/4板19を通過する
ことにより偏光面が90゜回転し、S偏光となる。従っ
て、偏光ビームスプリッタ18で反射され、円筒レンズ
24を通して4分割フォトダイオード25で受光され
る。4分割フォトダイオード25の出力を用いて、よく
知られている非点収差法、プッシュプル法等により、フ
ォーカスサーボおよびトラッキングサーボをかける。
【0015】再生用光照射器7において、半導体レーザ
2から発せられた第2の光4は、直線偏光であり、コリ
メータレンズ28で平行光となった後、無偏光ビームス
プリッタ29で2つに分けられ、一方はフォトダイオー
ド30で受光される。無偏光ビームスプリッタ29で反
射した光は、対物レンズ31で集光され、光磁気記録媒
体5の記録層22の再生領域32に照射される。
2から発せられた第2の光4は、直線偏光であり、コリ
メータレンズ28で平行光となった後、無偏光ビームス
プリッタ29で2つに分けられ、一方はフォトダイオー
ド30で受光される。無偏光ビームスプリッタ29で反
射した光は、対物レンズ31で集光され、光磁気記録媒
体5の記録層22の再生領域32に照射される。
【0016】記録層22から反射した光は、対物レンズ
31で平行光となり、無偏光ビームスプリッタ29を透
過し、偏光ビームスプリッタ33で互いに直交する2つ
の偏光成分に分けられ、一方はフォトダイオード34
で、他方は円筒レンズ35を通して4分割フォトダイオ
ード36で検出される。フォトダイオード34、36の
差動出力をとることにより、光の偏光面の回転が検出さ
れ、光磁気記録媒体5に記録された情報が再生される。
また、4分割フォトダイオード36の出力を用いて、よ
く知られている非点収差法、プッシュプル法等により、
フォーカスサーボおよびトラッキングサーボをかける。
なお、フォトダイオード30で半導体レーザ2の出力を
モニタし、半導体レーザ2に流す電流を制御することに
より半導体レーザ2の出力を一定に保つことができる。
31で平行光となり、無偏光ビームスプリッタ29を透
過し、偏光ビームスプリッタ33で互いに直交する2つ
の偏光成分に分けられ、一方はフォトダイオード34
で、他方は円筒レンズ35を通して4分割フォトダイオ
ード36で検出される。フォトダイオード34、36の
差動出力をとることにより、光の偏光面の回転が検出さ
れ、光磁気記録媒体5に記録された情報が再生される。
また、4分割フォトダイオード36の出力を用いて、よ
く知られている非点収差法、プッシュプル法等により、
フォーカスサーボおよびトラッキングサーボをかける。
なお、フォトダイオード30で半導体レーザ2の出力を
モニタし、半導体レーザ2に流す電流を制御することに
より半導体レーザ2の出力を一定に保つことができる。
【0017】記録用光照射器9において、半導体レーザ
40から発せられた第3の光8は、直線偏光であり、コ
リメータレンズ41で平行光となった後、偏光ビームス
プリッタ42を通過し、λ/4板43で円偏光となり対
物レンズ44で集光され、光磁気記録媒体5の記録層2
2に照射される。なお、半導体レーザ40から発せられ
る光8の偏光方向も偏光ビームスプリッタ42を通過す
る光の偏光方向と一致するP偏光となるように調整され
ており、偏光ビームスプリッタ42における光量損失は
非常に小さい。
40から発せられた第3の光8は、直線偏光であり、コ
リメータレンズ41で平行光となった後、偏光ビームス
プリッタ42を通過し、λ/4板43で円偏光となり対
物レンズ44で集光され、光磁気記録媒体5の記録層2
2に照射される。なお、半導体レーザ40から発せられ
る光8の偏光方向も偏光ビームスプリッタ42を通過す
る光の偏光方向と一致するP偏光となるように調整され
ており、偏光ビームスプリッタ42における光量損失は
非常に小さい。
【0018】記録層22で反射された光は、対物レンズ
44で平行光となった後、再びλ/4板43を通過する
ことにより偏光面が90゜回転し、S偏光となる。従っ
て、偏光ビームスプリッタ42で反射され、円筒レンズ
46を通して4分割フォトダイオード47で受光され
る。4分割フォトダイオード47の出力を用いて、よく
知られている非点収差法、プッシュプル法等により、フ
ォーカスサーボおよびトラッキングサーボをかける。
44で平行光となった後、再びλ/4板43を通過する
ことにより偏光面が90゜回転し、S偏光となる。従っ
て、偏光ビームスプリッタ42で反射され、円筒レンズ
46を通して4分割フォトダイオード47で受光され
る。4分割フォトダイオード47の出力を用いて、よく
知られている非点収差法、プッシュプル法等により、フ
ォーカスサーボおよびトラッキングサーボをかける。
【0019】図1で示したようなオーバーライト用光学
ヘッド1では、半導体レーザ2から発せられた第1の光
3および半導体レーザ40から発せられた第3の光8
は、ほとんど損失なく光磁気記録媒体5に照射される。
このため、半導体レーザ2、40の出力は、従来の光磁
気用光学ヘッドに用いられていたものの約半分でよいた
め、価格が低くなるとともに寿命等の信頼性は向上す
る。また、消去用光照射器6、9の光学系も簡単であ
り、調整等が容易になる。
ヘッド1では、半導体レーザ2から発せられた第1の光
3および半導体レーザ40から発せられた第3の光8
は、ほとんど損失なく光磁気記録媒体5に照射される。
このため、半導体レーザ2、40の出力は、従来の光磁
気用光学ヘッドに用いられていたものの約半分でよいた
め、価格が低くなるとともに寿命等の信頼性は向上す
る。また、消去用光照射器6、9の光学系も簡単であ
り、調整等が容易になる。
【0020】次に、図2から図6を用いてオーバーライ
ト動作について説明する。オーバーライト用光学ヘッド
1は、図2に示すように対物レンズ20、44、31に
よって光が光磁気記録媒体5の記録層22上に照射され
る消去領域10、記録領域11および再生領域32が同
一トラック50上に位置するように配置される。
ト動作について説明する。オーバーライト用光学ヘッド
1は、図2に示すように対物レンズ20、44、31に
よって光が光磁気記録媒体5の記録層22上に照射され
る消去領域10、記録領域11および再生領域32が同
一トラック50上に位置するように配置される。
【0021】図3において、最初に連続光である第1の
光3が対物レンズ20により集光され記録層22に照射
されると、記録層22の消去領域10がキュリー温度以
上に加熱される。このとき、光磁気記録媒体5の記録層
22は、左から右へ移動しているとする。
光3が対物レンズ20により集光され記録層22に照射
されると、記録層22の消去領域10がキュリー温度以
上に加熱される。このとき、光磁気記録媒体5の記録層
22は、左から右へ移動しているとする。
【0022】消去領域10には、永久磁石12により例
えば常に上向きの磁界Heが印加されているため、記録
層22の磁化52は常に上向きに揃えられる。このと
き、第2の光4も対物レンズ31を通して記録層22の
再生領域32に照射されている。しかし、第2の光は無
偏光ビームスプリッタ30により約半分しか反射されな
いため、記録層22の再生領域32に照射される光強度
は消去領域10に照射される光強度の半分以下となる。
従って、再生領域32の温度はキュリー温度に達しない
ため磁化54の向きは影響を受けない。さらに、同時に
磁化54の方向の検出すなわち記録信号の再生を同時に
行うことができる。
えば常に上向きの磁界Heが印加されているため、記録
層22の磁化52は常に上向きに揃えられる。このと
き、第2の光4も対物レンズ31を通して記録層22の
再生領域32に照射されている。しかし、第2の光は無
偏光ビームスプリッタ30により約半分しか反射されな
いため、記録層22の再生領域32に照射される光強度
は消去領域10に照射される光強度の半分以下となる。
従って、再生領域32の温度はキュリー温度に達しない
ため磁化54の向きは影響を受けない。さらに、同時に
磁化54の方向の検出すなわち記録信号の再生を同時に
行うことができる。
【0023】次に、図4のように記録信号で変調された
第3の光8が対物レンズ44により集光され記録層22
に照射されると、記録層22の記録領域11がキュリー
温度以上に加熱される。このとき、半導体レーザ40に
記録信号で変調された電流を流すことにより記録信号で
変調された第3の光8が発せられている。第3の光8に
より加熱された記録領域11には、永久磁石12により
常に下向きの磁界Hwが印加されているため、記録層2
2の磁化56は下向きに反転し、記録が行われる。ま
た、第3の光8が照射されないときは図5のように記録
層22の記録領域11は加熱されないため、下向きの磁
界Hwが印加されていても磁化57は反転しない。
第3の光8が対物レンズ44により集光され記録層22
に照射されると、記録層22の記録領域11がキュリー
温度以上に加熱される。このとき、半導体レーザ40に
記録信号で変調された電流を流すことにより記録信号で
変調された第3の光8が発せられている。第3の光8に
より加熱された記録領域11には、永久磁石12により
常に下向きの磁界Hwが印加されているため、記録層2
2の磁化56は下向きに反転し、記録が行われる。ま
た、第3の光8が照射されないときは図5のように記録
層22の記録領域11は加熱されないため、下向きの磁
界Hwが印加されていても磁化57は反転しない。
【0024】さらに、第2の光4が再生領域32に照射
されているため、磁化58の方向の検出すなわち記録信
号の再生を同時に行うことができる。この再生用光照射
器7で再生された信号と記録用光照射器9に入力された
記録信号とを比較することにより記録が正しく行われた
かの確認、すなわち、ベリファイを行うことができる。
このようにして、消去に引き続いて記録すなわちオーバ
ーライトが行われると同時に記録した信号を再生するこ
とにより記録の確認すなわちベリファイも同時に行うこ
とができる。このため、一連の記録動作である消去、記
録、ベリファイを従来のオーバーライトを行わない場合
は光磁気記録媒体の各一回転、合計3回転で、2つの磁
気光学用ヘッドでオーバーライトを行う場合は2回転で
行っていたのを本発明では光磁気記録媒体が一回転する
間に終了することができる。すなわち、実効的な転送速
度を従来の2〜3倍程度に向上させることができる。
されているため、磁化58の方向の検出すなわち記録信
号の再生を同時に行うことができる。この再生用光照射
器7で再生された信号と記録用光照射器9に入力された
記録信号とを比較することにより記録が正しく行われた
かの確認、すなわち、ベリファイを行うことができる。
このようにして、消去に引き続いて記録すなわちオーバ
ーライトが行われると同時に記録した信号を再生するこ
とにより記録の確認すなわちベリファイも同時に行うこ
とができる。このため、一連の記録動作である消去、記
録、ベリファイを従来のオーバーライトを行わない場合
は光磁気記録媒体の各一回転、合計3回転で、2つの磁
気光学用ヘッドでオーバーライトを行う場合は2回転で
行っていたのを本発明では光磁気記録媒体が一回転する
間に終了することができる。すなわち、実効的な転送速
度を従来の2〜3倍程度に向上させることができる。
【0025】記録を行わず、再生のみ行うときは、図6
のように、半導体レーザ2の出力を小さくして、第2の
光4で再生領域32の磁化60の方向を読み取る。この
とき、第1の光3で加熱される記録層22の消去領域1
0の温度はキュリー温度に達しないため、磁化61の方
向は反転せず消去は行われない。
のように、半導体レーザ2の出力を小さくして、第2の
光4で再生領域32の磁化60の方向を読み取る。この
とき、第1の光3で加熱される記録層22の消去領域1
0の温度はキュリー温度に達しないため、磁化61の方
向は反転せず消去は行われない。
【0026】以上、本発明の一実施例を図1から図6に
基づいて詳細に説明したが、本発明は他の様態で実施す
ることができる。すなわち、光照射器6、7、9の構成
は図1に示したものに限定されるものではなく、半導体
レーザ2から発せられた複数の光を光磁気記録媒体5に
照射できるものであればよい。
基づいて詳細に説明したが、本発明は他の様態で実施す
ることができる。すなわち、光照射器6、7、9の構成
は図1に示したものに限定されるものではなく、半導体
レーザ2から発せられた複数の光を光磁気記録媒体5に
照射できるものであればよい。
【0027】また、無偏光ビームスプリッタ29の反射
光量:等価光量の分割比は1:1である必要はなく1:
6、2:5等でもよく、特に限定されない。すなわち、
第2の光4が、オーバーライト時には再生領域32の温
度がキュリー温度より十分低くなる強度であると同時
に、再生時には、第1の光3の強度を消去領域10の温
度がキュリー温度より低く、例えばキュリー温度の1/
2程度になるようにしたときに第2の光4によって十分
な再生信号出力が得られる強度であることが望ましい。
光量:等価光量の分割比は1:1である必要はなく1:
6、2:5等でもよく、特に限定されない。すなわち、
第2の光4が、オーバーライト時には再生領域32の温
度がキュリー温度より十分低くなる強度であると同時
に、再生時には、第1の光3の強度を消去領域10の温
度がキュリー温度より低く、例えばキュリー温度の1/
2程度になるようにしたときに第2の光4によって十分
な再生信号出力が得られる強度であることが望ましい。
【0028】また、再生用光照射器7に設けられたフォ
トダイオード30ではなく、図7のように消去用光照射
器6に無偏光ビームスプリッタ64およびフォトダイオ
ード65を設けて半導体レーザ2の出力をモニタしても
よい。このとき、無偏光ビームスプリッタ64の透過光
と反射光の光量比は1:1、1:10等特に限定されな
い。また、消去用光照射器6の無偏光ビームスプリッタ
64、あるいは三角プリズム16と偏光ビームスプリッ
タ18の間に光量調整手段である光シャッタ68を設け
てもよい。これにより、図5において記録終了時に記録
層22の消去領域10から記録領域11の間が消去され
たままになることを防ぐことができる。すなわち、記録
終了時に記録領域11を通過する記録層22の領域が消
去領域10を通過した時点で光シャッタ68により第1
の光3が消去領域10に照射されないようにすればよ
い。また、再生時にも光シャッタ68により第1の光3
が消去領域10に照射されないようにすることにより不
必要な記録層22の消去領域10の加熱を防ぐことがで
きる。
トダイオード30ではなく、図7のように消去用光照射
器6に無偏光ビームスプリッタ64およびフォトダイオ
ード65を設けて半導体レーザ2の出力をモニタしても
よい。このとき、無偏光ビームスプリッタ64の透過光
と反射光の光量比は1:1、1:10等特に限定されな
い。また、消去用光照射器6の無偏光ビームスプリッタ
64、あるいは三角プリズム16と偏光ビームスプリッ
タ18の間に光量調整手段である光シャッタ68を設け
てもよい。これにより、図5において記録終了時に記録
層22の消去領域10から記録領域11の間が消去され
たままになることを防ぐことができる。すなわち、記録
終了時に記録領域11を通過する記録層22の領域が消
去領域10を通過した時点で光シャッタ68により第1
の光3が消去領域10に照射されないようにすればよ
い。また、再生時にも光シャッタ68により第1の光3
が消去領域10に照射されないようにすることにより不
必要な記録層22の消去領域10の加熱を防ぐことがで
きる。
【0029】光シャッタ68には例えば、図8のように
ニオブ酸リチウムの単結晶70と、その光軸z方向に電
界が印加されるように電極72a、72bを設けたもの
が用いられる。光軸z方向はP偏光である入射光の偏光
方向に対し45゜傾いており、入射光は、z方向に電界
が振動する光と、z方向と垂直方向に電界が振動する光
とに分かれて結晶中を伝搬する。
ニオブ酸リチウムの単結晶70と、その光軸z方向に電
界が印加されるように電極72a、72bを設けたもの
が用いられる。光軸z方向はP偏光である入射光の偏光
方向に対し45゜傾いており、入射光は、z方向に電界
が振動する光と、z方向と垂直方向に電界が振動する光
とに分かれて結晶中を伝搬する。
【0030】電極72a、72bに電圧を印加し、z方
向に電界を印加すると、z方向に電界が振動する光とz
方向と垂直方向に電界が振動する光とが結晶中で受ける
位相シフトが異なってくるため、これらの光の間に位相
差が生じる。この位相差がπ/2となるように結晶の寸
法および印加電圧を選ぶことによりニオブ酸リチウムの
単結晶70を出射した光の偏光面が入射光に対し90゜
回転する。従って、P偏光で入射した光は電極72a、
72bに電圧を印加することにより偏光面が90゜回転
しS偏光となるため、偏光ビームスプリッタ18で反射
され、光磁気記録媒体5には照射されない。
向に電界を印加すると、z方向に電界が振動する光とz
方向と垂直方向に電界が振動する光とが結晶中で受ける
位相シフトが異なってくるため、これらの光の間に位相
差が生じる。この位相差がπ/2となるように結晶の寸
法および印加電圧を選ぶことによりニオブ酸リチウムの
単結晶70を出射した光の偏光面が入射光に対し90゜
回転する。従って、P偏光で入射した光は電極72a、
72bに電圧を印加することにより偏光面が90゜回転
しS偏光となるため、偏光ビームスプリッタ18で反射
され、光磁気記録媒体5には照射されない。
【0031】電極72a、72bに電圧を印加しない状
態では入射光の偏光面は回転せず、偏光ビームスプリッ
タ18を通過し、光磁気記録媒体5に照射される。すな
わち、このような光シャッタ68を用いることにより、
電極72a、72bに印加する電圧に応じて光磁気記録
媒体5への照射光強度を変化させることができる。な
お、光シャッタ68についてもニオブ酸リチウムを用い
たものに限定されるわけではなく、その他の電気光学効
果を有する結晶あるいは音響光学効果、磁気光学効果を
用いたものでもよい。
態では入射光の偏光面は回転せず、偏光ビームスプリッ
タ18を通過し、光磁気記録媒体5に照射される。すな
わち、このような光シャッタ68を用いることにより、
電極72a、72bに印加する電圧に応じて光磁気記録
媒体5への照射光強度を変化させることができる。な
お、光シャッタ68についてもニオブ酸リチウムを用い
たものに限定されるわけではなく、その他の電気光学効
果を有する結晶あるいは音響光学効果、磁気光学効果を
用いたものでもよい。
【0032】また、対物レンズ20、44、31の間の
距離も特に限定されない。また、磁界印加手段も限定さ
れず永久磁石の代わりに電磁石やコイルを用いてもよ
い。また、磁界印加手段の形状、大きさおよび磁界の印
加方向等についても特に限定しない。
距離も特に限定されない。また、磁界印加手段も限定さ
れず永久磁石の代わりに電磁石やコイルを用いてもよ
い。また、磁界印加手段の形状、大きさおよび磁界の印
加方向等についても特に限定しない。
【0033】また、光源は半導体レーザに限定されず、
固体レーザ、気体レーザ等あるいはそれらの第2高調波
でもよい。また、光源の光の放射方向も限定されず、図
9(a)のように半導体レーザ70の一方の端面から放
射された光を同一基板に作製されたミラー72により9
0度曲げて取り出してもよい。また、同図(b)のよう
に半導体レーザ74の両方の端面から放射された光を同
一基板に作製されたミラー75、76により90度曲げ
て取り出してもよい。
固体レーザ、気体レーザ等あるいはそれらの第2高調波
でもよい。また、光源の光の放射方向も限定されず、図
9(a)のように半導体レーザ70の一方の端面から放
射された光を同一基板に作製されたミラー72により9
0度曲げて取り出してもよい。また、同図(b)のよう
に半導体レーザ74の両方の端面から放射された光を同
一基板に作製されたミラー75、76により90度曲げ
て取り出してもよい。
【0034】また、図10のように、オーバーライト用
光学ヘッド1を固定部74と可動部76とに分離し、可
動部76のみを動かすようにしてもよい。可動部76は
対物レンズ20、44、32等から成り、軽量であるた
め高速アクセスが可能である。
光学ヘッド1を固定部74と可動部76とに分離し、可
動部76のみを動かすようにしてもよい。可動部76は
対物レンズ20、44、32等から成り、軽量であるた
め高速アクセスが可能である。
【0035】また、消去領域、記録領域、再生領域は同
一トラック上になくてもよい。すなわち、あるトラック
に情報を記録すると同時に、他のトラックの情報を再生
してもよい。また、図11(a)のように再生領域32
を先行するトラック80に、消去領域10および記録領
域11をトラック80より後のトラック81に配置し、
消去領域10より再生領域32を先行させ、消去する情
報を消去前に再生してもよい。また、(b)のように消
去領域10、記録領域11、再生領域32をそれぞれ別
のトラック83、84、85に配置してもよい。
一トラック上になくてもよい。すなわち、あるトラック
に情報を記録すると同時に、他のトラックの情報を再生
してもよい。また、図11(a)のように再生領域32
を先行するトラック80に、消去領域10および記録領
域11をトラック80より後のトラック81に配置し、
消去領域10より再生領域32を先行させ、消去する情
報を消去前に再生してもよい。また、(b)のように消
去領域10、記録領域11、再生領域32をそれぞれ別
のトラック83、84、85に配置してもよい。
【0036】また、本発明のオーバーライト用光学ヘッ
ドは、光磁気記録媒体だけでなく相変化記録媒体等にも
同様に用いることができる。
ドは、光磁気記録媒体だけでなく相変化記録媒体等にも
同様に用いることができる。
【0037】
【発明の効果】以上説明したことから明かなように、本
発明のオーバーライト用光学ヘッドによれば、光の利用
効率が高いため、消去、記録に必要な光源の出力を従来
の光磁気用光学ヘッドに用いられていたものの約半分に
することができる。また、記録用あるいは消去用光照射
器の光学系も簡単であり、調整が容易で生産性が高い。
さらに、光記録媒体が1回転する間に、消去、記録、ベ
リファイを行うことができ、転送速度を速くすることが
できる。
発明のオーバーライト用光学ヘッドによれば、光の利用
効率が高いため、消去、記録に必要な光源の出力を従来
の光磁気用光学ヘッドに用いられていたものの約半分に
することができる。また、記録用あるいは消去用光照射
器の光学系も簡単であり、調整が容易で生産性が高い。
さらに、光記録媒体が1回転する間に、消去、記録、ベ
リファイを行うことができ、転送速度を速くすることが
できる。
【図1】本発明の一実施例であるオーバーライト用光学
ヘッドの構成を示す構成図である。
ヘッドの構成を示す構成図である。
【図2】オーバーライト用光学ヘッドの配置を示す上面
図である。
図である。
【図3】オーバーライトの原理を示す説明図である。
【図4】オーバーライトの原理を示す説明図である。
【図5】オーバーライトの原理を示す説明図である。
【図6】オーバーライトの原理を示す説明図である。
【図7】オーバーライト用光学ヘッドの他の実施例を示
す部分構成図である。
す部分構成図である。
【図8】光シャッタの構成を示す斜視図である。
【図9】(a) 光源の構造を説明する断面図である。 (b) 光源の構造を説明する断面図である。
【図10】オーバーライト用光学ヘッドの他の実施例を
示す上面図である。
示す上面図である。
【図11】(a) オーバーライト用光学ヘッドの配置
の他の実施例を示す上面図である。 (a) オーバーライト用光学ヘッドの配置の他の実施
例を示す上面図である。
の他の実施例を示す上面図である。 (a) オーバーライト用光学ヘッドの配置の他の実施
例を示す上面図である。
【図12】従来の光磁気用光学ヘッドを2つ用いてオー
バーライトを行うときの配置図である。
バーライトを行うときの配置図である。
【図13】従来の光磁気用光学ヘッドの構成図である。
1 オーバーライト用光学ヘッド 2 半導体レーザ(光源) 3 第1の光 4 第2の光 6 消去用光照射器(第1の光照射手段) 7 再生用光照射器(第2の光照射手段) 8 第3の光 9 記録用光照射器(第3の光照射手段) 12 永久磁石(磁界印加手段) 25 光シャッタ(光量調整手段)
【手続補正書】
【提出日】平成4年9月11日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図11
【補正方法】変更
【補正内容】
【図11】(a) オーバーライト用光学ヘッドの配置
の他の実施例を示す上面図である。(b) オーバーライト用光学ヘッドの配置の他の実施
例を示す上面図である。
の他の実施例を示す上面図である。(b) オーバーライト用光学ヘッドの配置の他の実施
例を示す上面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 複数の方向へ光を発する光源と、前記第
1の光を光記録媒体に照射する第1の光照射手段と、前
記第2の光を前記光記録媒体に照射する第2の光照射手
段と、信号により変調された第3の光を前記第1および
第2の光が照射された領域の間に照射する第3の光照射
手段と、前記第1および第3の光が照射された領域に互
いに方向が反対の磁界を印加する磁界印加手段とから成
り、前記第1の光により加熱される領域の温度が前記第
2の光により加熱される領域の温度よりも高いことを特
徴とするオーバーライト用光学ヘッド。 - 【請求項2】 請求項1に記載のオーバーライト用光学
ヘッドにおいて、前記光源が半導体レーザから成ること
を特徴とするオーバーライト用光学ヘッド。 - 【請求項3】 請求項1に記載のオーバーライト用光学
ヘッドにおいて、前記第1あるいは第2の光照射手段が
光量調整手段を有することを特徴とするオーバーライト
用光学ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3041710A JPH0573978A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | オーバーライト用光学ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3041710A JPH0573978A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | オーバーライト用光学ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0573978A true JPH0573978A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=12615984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3041710A Pending JPH0573978A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | オーバーライト用光学ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0573978A (ja) |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3041710A patent/JPH0573978A/ja active Pending
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