JP2858455B2 - 光学的情報記録装置 - Google Patents
光学的情報記録装置Info
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学的に情報記録媒体に情報を記録する記録
装置、特に磁界変調方式に好適な光学的情報記録装置に
関する。
装置、特に磁界変調方式に好適な光学的情報記録装置に
関する。
近年、大容量でビット当りの単価の安価なメモリとし
て、光ディスク、光カードなどの光メモリが注目されて
いる。中でも、光磁気ディスクは情報の消去が可能であ
るため、コンピュータの外部記録装置や画像ファイル用
メモリとして応用研究が盛んである。
て、光ディスク、光カードなどの光メモリが注目されて
いる。中でも、光磁気ディスクは情報の消去が可能であ
るため、コンピュータの外部記録装置や画像ファイル用
メモリとして応用研究が盛んである。
ところで、このような光磁気ディスクの記録方式とし
ては、光変調方式と磁界変調方式が知られている。光変
調方式は、一定のバイアス磁界をディスクに印加した状
態で、強度変調されたレーザ光を照射する方式である。
また、磁界変調方式は一定強度のレーザ光を照射した状
態で、変調されたバイアス磁界を印加する方式である。
この２つの記録方式で、以前に記録した情報を消去しな
がら新たな情報を記録する、いわゆるオーバライトを行
うにはディスクの媒体構成が単純でよい磁界変調方式が
有利である。また、情報の記録形態としては、現在のと
ころディスク上のドメイン（磁区）というマークの間隔
を変調して情報を記録する、いわゆるマーク間記録方式
が一般的である。この現行方式に対し、記録密度を約1.
5倍にできるというマーク長記録、即ちマークの長さを
変調して情報の記録を行うマーク長記録方式も研究が行
われている。こうしたマーク長記録による高密度記録に
おいても、磁界変調方式は光スポットの大きさや光量分
布による制限を受けにくいので、有利であると言われて
いる。
ては、光変調方式と磁界変調方式が知られている。光変
調方式は、一定のバイアス磁界をディスクに印加した状
態で、強度変調されたレーザ光を照射する方式である。
また、磁界変調方式は一定強度のレーザ光を照射した状
態で、変調されたバイアス磁界を印加する方式である。
この２つの記録方式で、以前に記録した情報を消去しな
がら新たな情報を記録する、いわゆるオーバライトを行
うにはディスクの媒体構成が単純でよい磁界変調方式が
有利である。また、情報の記録形態としては、現在のと
ころディスク上のドメイン（磁区）というマークの間隔
を変調して情報を記録する、いわゆるマーク間記録方式
が一般的である。この現行方式に対し、記録密度を約1.
5倍にできるというマーク長記録、即ちマークの長さを
変調して情報の記録を行うマーク長記録方式も研究が行
われている。こうしたマーク長記録による高密度記録に
おいても、磁界変調方式は光スポットの大きさや光量分
布による制限を受けにくいので、有利であると言われて
いる。
第11図はその磁界変調方式のディスク及びその周辺を
示した構成図である。同図において、７は光源として用
いられた半導体レーザであって、そのレーザ光束はコリ
メータレンズ６で平行化された後、ビーム整形プリズム
５で円光束に変換される。また、ビームスプリッタ４を
透過し、対物レンズ３で絞込まれて光磁気ディスク２の
記録層に微小光スポットとして集光される。光磁気ディ
スク２の上面には、対物レンズ３と対向して磁気ヘッド
１が配置されている。
示した構成図である。同図において、７は光源として用
いられた半導体レーザであって、そのレーザ光束はコリ
メータレンズ６で平行化された後、ビーム整形プリズム
５で円光束に変換される。また、ビームスプリッタ４を
透過し、対物レンズ３で絞込まれて光磁気ディスク２の
記録層に微小光スポットとして集光される。光磁気ディ
スク２の上面には、対物レンズ３と対向して磁気ヘッド
１が配置されている。
一方、光磁気ディスク２から反射された光は、対物レ
ンズ３、ビームスプリッタ４を経由してビームスプリッ
タ８へ導かれる。ピームスプリッタ８は反射光を２つに
分離し、一方を1/2波長板９側の再生光学系へ、他方を
集光レンズ14側の制御光学系へ導く。再生光学系では、
1/2波長板９を通った光が集光レンズ10を介してビーム
スプリッタ13ヘ導かれ、ここで更に２つに分離される。
そして、分離された光は検出器11,12でそれぞれ受光さ
れ、この受光出力から情報信号が得られる。また、制御
光学系では集光レンズ14を通った光は、ビームスプリッ
タ15で２つに分離される。分離された一方の光は、光検
出器16で受光され、他方はナイフエッジ17を介して光検
出器18で受光される。そして、光検出器16,18の受光信
号によりサーボ信号が得られる。
ンズ３、ビームスプリッタ４を経由してビームスプリッ
タ８へ導かれる。ピームスプリッタ８は反射光を２つに
分離し、一方を1/2波長板９側の再生光学系へ、他方を
集光レンズ14側の制御光学系へ導く。再生光学系では、
1/2波長板９を通った光が集光レンズ10を介してビーム
スプリッタ13ヘ導かれ、ここで更に２つに分離される。
そして、分離された光は検出器11,12でそれぞれ受光さ
れ、この受光出力から情報信号が得られる。また、制御
光学系では集光レンズ14を通った光は、ビームスプリッ
タ15で２つに分離される。分離された一方の光は、光検
出器16で受光され、他方はナイフエッジ17を介して光検
出器18で受光される。そして、光検出器16,18の受光信
号によりサーボ信号が得られる。
次に、情報の記録を行う場合は、半導体レーザ７から
一定強度のレーザ光束が照射され、光磁気ディスク２に
熱バイアスが与えられる。これにより、記録層の温度が
キューリー点温度以上に昇温し、この状態で温度昇温部
位に磁気ヘッド１からバイアス磁界が印加される。バイ
アス磁界は、記録信号に応じて変調されており、記録層
の磁化の向きはバイアス磁界の向きと同じ方向に揃えら
れる。そして、記録層の温度がキューリー点温度以下に
なる瞬間に磁化の向きが保持され、ドメインが形成され
る。この場合、通常光スポットは、ガウシアンの光強度
分布を持つため、加熱された媒体の温度分布は光量分布
を反映した滑らかな温度分布となり、キューリー点温度
の等温線の形状は矩形状ではない。そのため、記録され
るドメインは第12図に示すように、矢羽根性になる。同
図（ａ）はマーク間記録により記録されたドメインを示
し、各マークの形状は等しく、マーク間隔が変調されて
いる。また、同図（ｂ）はマーク長記録のドメインを示
しており、各マークの長さが変調され、そのエッジの間
隔が情報を表している。
一定強度のレーザ光束が照射され、光磁気ディスク２に
熱バイアスが与えられる。これにより、記録層の温度が
キューリー点温度以上に昇温し、この状態で温度昇温部
位に磁気ヘッド１からバイアス磁界が印加される。バイ
アス磁界は、記録信号に応じて変調されており、記録層
の磁化の向きはバイアス磁界の向きと同じ方向に揃えら
れる。そして、記録層の温度がキューリー点温度以下に
なる瞬間に磁化の向きが保持され、ドメインが形成され
る。この場合、通常光スポットは、ガウシアンの光強度
分布を持つため、加熱された媒体の温度分布は光量分布
を反映した滑らかな温度分布となり、キューリー点温度
の等温線の形状は矩形状ではない。そのため、記録され
るドメインは第12図に示すように、矢羽根性になる。同
図（ａ）はマーク間記録により記録されたドメインを示
し、各マークの形状は等しく、マーク間隔が変調されて
いる。また、同図（ｂ）はマーク長記録のドメインを示
しており、各マークの長さが変調され、そのエッジの間
隔が情報を表している。
しかしながら、上記従来の磁界変調方式では、情報の
ビットに対応する矢羽根状ドメインを再生する場合、光
量分布がガウシアン分布である円形光スポットで矢羽根
状ドメインを走査することになる。そのため、矢羽根の
前と後で光スポットとドメインの相関関係が異なるこ
と、読出す前後のドメインからのクロストークも非対称
であること、矢羽根状ドメインの尖った部分、即ち空間
周波数の高い部分は形状が不安定になりやすいことなど
の不具合が生じる。従って、従来にあってはそれらの不
具合や光学系のMTFが悪いことなどによって、信号のジ
ッターの増加を引起こし、エラーレートの増大や信頼性
の低下を招く問題があった。特に、第12図（ｂ）に示し
たマーク長記録においては、ドメインのエッジの位置が
情報を表わすので、ジッターによるエラーレートの増大
が顕著であった。
ビットに対応する矢羽根状ドメインを再生する場合、光
量分布がガウシアン分布である円形光スポットで矢羽根
状ドメインを走査することになる。そのため、矢羽根の
前と後で光スポットとドメインの相関関係が異なるこ
と、読出す前後のドメインからのクロストークも非対称
であること、矢羽根状ドメインの尖った部分、即ち空間
周波数の高い部分は形状が不安定になりやすいことなど
の不具合が生じる。従って、従来にあってはそれらの不
具合や光学系のMTFが悪いことなどによって、信号のジ
ッターの増加を引起こし、エラーレートの増大や信頼性
の低下を招く問題があった。特に、第12図（ｂ）に示し
たマーク長記録においては、ドメインのエッジの位置が
情報を表わすので、ジッターによるエラーレートの増大
が顕著であった。
本発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、その目的はエラーレートを大幅に低減するこ
とが可能な光学的情報記録装置を提供することにある。
たもので、その目的はエラーレートを大幅に低減するこ
とが可能な光学的情報記録装置を提供することにある。
本発明のこのような目的は、光源から発した光ビーム
を対物レンズにより微小光スポットに絞って光学的情報
記録媒体の情報トラックに照射することにより前記情報
トラック上に情報ピットを記録する装置において、前記
光源の光路中に前記対物レンズの瞳面に相対して、前記
情報トラックの横断方向に分割線を有する位相シフト素
子を配置し、前記位相シフト素子により前記光源の光束
を前記情報トラック上に該トラックの横断方向に２つの
記録用光スポットとして並んだ状態で照射することを特
徴とする光学的情報記録装置によって達成される。
を対物レンズにより微小光スポットに絞って光学的情報
記録媒体の情報トラックに照射することにより前記情報
トラック上に情報ピットを記録する装置において、前記
光源の光路中に前記対物レンズの瞳面に相対して、前記
情報トラックの横断方向に分割線を有する位相シフト素
子を配置し、前記位相シフト素子により前記光源の光束
を前記情報トラック上に該トラックの横断方向に２つの
記録用光スポットとして並んだ状態で照射することを特
徴とする光学的情報記録装置によって達成される。
また、本発明の目的は、光源から発した光ビームを対
物レンズにより微小光スポットに絞って光学的情報記録
媒体の情報トラックに照射することにより前記情報トラ
ック上に情報ピットを記録する装置において、前記光源
の光路に設けられたファラデーセルと、前記ファラデー
セルに磁界を印加することにより前記光源の光束の偏光
方向をｐ偏光とｓ偏向に変化させる手段と、前記ｐ偏光
とｓ偏光のうち一方の光束を情報トラック上の光軸上に
第１の光スポットとして照射し、且つ他方の光束に所定
の位相差を生じさせることにより前記情報トラック上の
トラック横断方向における第一の光スポットの両側に第
２、第３の光スポットとして照射する手段とを備えたこ
とを特徴とする光学的情報記録装置によって達成され
る。
物レンズにより微小光スポットに絞って光学的情報記録
媒体の情報トラックに照射することにより前記情報トラ
ック上に情報ピットを記録する装置において、前記光源
の光路に設けられたファラデーセルと、前記ファラデー
セルに磁界を印加することにより前記光源の光束の偏光
方向をｐ偏光とｓ偏向に変化させる手段と、前記ｐ偏光
とｓ偏光のうち一方の光束を情報トラック上の光軸上に
第１の光スポットとして照射し、且つ他方の光束に所定
の位相差を生じさせることにより前記情報トラック上の
トラック横断方向における第一の光スポットの両側に第
２、第３の光スポットとして照射する手段とを備えたこ
とを特徴とする光学的情報記録装置によって達成され
る。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら
詳細に説明する。第１図は本発明の一実施例を示す構成
図である。なお、第１図では第11図に示した従来装置と
同一部分は、同一符号を付している。
詳細に説明する。第１図は本発明の一実施例を示す構成
図である。なお、第１図では第11図に示した従来装置と
同一部分は、同一符号を付している。
第１図において、20は偏光ビームスプリッタ４とビー
ム整形プリズム５の間に配置された位相シフト素子であ
る。また、第１図のその他の構成は第12図のものと全く
同じであるので、ここでは説明を省略する。位相シフト
素子20の具体的構造を第２図に示す。位相シフト素子20
は、中央の中心線を境に左右の領域20a,20bの厚みがｌ
だけ異なっている。これにより、光路長が左右の領域20
a,20bでＬ（Ｌ＝ｌ（ns−１））だけ異なるように構成
されている。なお、nsは位相シフト素子の材料の屈折率
である。また、以下の説明では、Ｌ＝（ｎ＋1/2）λ
（ｎは整数、λは半導体レーザ７の波長）として説明す
る。
ム整形プリズム５の間に配置された位相シフト素子であ
る。また、第１図のその他の構成は第12図のものと全く
同じであるので、ここでは説明を省略する。位相シフト
素子20の具体的構造を第２図に示す。位相シフト素子20
は、中央の中心線を境に左右の領域20a,20bの厚みがｌ
だけ異なっている。これにより、光路長が左右の領域20
a,20bでＬ（Ｌ＝ｌ（ns−１））だけ異なるように構成
されている。なお、nsは位相シフト素子の材料の屈折率
である。また、以下の説明では、Ｌ＝（ｎ＋1/2）λ
（ｎは整数、λは半導体レーザ７の波長）として説明す
る。
第３図は前述のように光路中に位相シフト素子20を配
置したときの対物レンズ３の焦点面に結像される光スポ
ットを示した図である。同図において、位相シフト素子
20を透過した光束は、対物レンズ３によって集光される
が、この場合対物レンズ３の瞳面で半円形の領域3bでの
位相を０とすると、他方の領域3aでの位相はπとなる。
その結果、焦点面21において対物レンズ３より集光され
た２つの光スポット21a,21bが形成される。この光スポ
ット21a,21bは、位相シフト素子20の中央分割線に対応
したｙ軸（トラック方向）に対して対称である。なお、
図中のｘはトラック方向に対し直交する方向（トラック
横断方向）を示す。
置したときの対物レンズ３の焦点面に結像される光スポ
ットを示した図である。同図において、位相シフト素子
20を透過した光束は、対物レンズ３によって集光される
が、この場合対物レンズ３の瞳面で半円形の領域3bでの
位相を０とすると、他方の領域3aでの位相はπとなる。
その結果、焦点面21において対物レンズ３より集光され
た２つの光スポット21a,21bが形成される。この光スポ
ット21a,21bは、位相シフト素子20の中央分割線に対応
したｙ軸（トラック方向）に対して対称である。なお、
図中のｘはトラック方向に対し直交する方向（トラック
横断方向）を示す。
第４図（ａ）は上記光スポット21a,21bの光強度分
布、同図（ｂ）はその形状を詳細に示した図である。光
強度はｘ方向に２つのピークが存在し、これはｙ軸に対
して対称な分布である。また、同図（ｂ）は光強度がピ
ーク値の1/2以上の領域の断面形状を示しており、得ら
れた光スポット径はｙ軸方向の径dyよりもｘ方向の径dx
が大きいことがわかる。
布、同図（ｂ）はその形状を詳細に示した図である。光
強度はｘ方向に２つのピークが存在し、これはｙ軸に対
して対称な分布である。また、同図（ｂ）は光強度がピ
ーク値の1/2以上の領域の断面形状を示しており、得ら
れた光スポット径はｙ軸方向の径dyよりもｘ方向の径dx
が大きいことがわかる。
次に、前述の光スポットによって光磁気ディスクに情
報を記録する動作を第５図を参照して説明する。同図
（ａ）は光スポット21a,21bを記録媒体面状の案内溝22
の間に設けられた情報トラック上に照射した状態を示
す。なお、ディスクの移動方向は矢印の通りであり、ま
た光スポットの光強度は記録を行うのに十分な強度であ
る。同図から明らかなように、光スポット21a,21bはト
ラック横断方向に隣接して照射される。第５図（ｂ）は
この光スポットの照射による等温度曲線23、即ち記録ド
メインが形成される臨界温度の等温度曲線を示した図で
ある。等温度曲線は、後端が熱拡散のために概略直線に
近い形状となる。
報を記録する動作を第５図を参照して説明する。同図
（ａ）は光スポット21a,21bを記録媒体面状の案内溝22
の間に設けられた情報トラック上に照射した状態を示
す。なお、ディスクの移動方向は矢印の通りであり、ま
た光スポットの光強度は記録を行うのに十分な強度であ
る。同図から明らかなように、光スポット21a,21bはト
ラック横断方向に隣接して照射される。第５図（ｂ）は
この光スポットの照射による等温度曲線23、即ち記録ド
メインが形成される臨界温度の等温度曲線を示した図で
ある。等温度曲線は、後端が熱拡散のために概略直線に
近い形状となる。
一方、光スポットの照射による温度上昇部位には、第
１図に示した磁気ヘッド１から記録信号に応じて変調さ
れたバイアス磁界が印加される。この結果、情報トラッ
ク上には第５図（ｃ）に示すように前記等温度曲線に従
った略長方形ドメイン24が形成される。なお、この情報
記録に当っては、光スポットの情報トラックの直交方向
における幅を大きくすることによって、記録ドメインの
エッジをより直線に近づけることが可能である。しか
し、あまり大きくすると、隣のトラックにドメインが記
録されてしまうので、適当な大きさとすることが重要で
ある。一方案内溝22は構造上、熱拡散を遮断する効果を
有している。そこで、第５図（ａ）に示す如く光スポッ
トの半値幅をｄ、圧内溝22の幅をＷ、トラックピッチを
ｐとした場合に、 ｄ＝ｐ−Ｗ の関係となるように設定することが望ましい。
１図に示した磁気ヘッド１から記録信号に応じて変調さ
れたバイアス磁界が印加される。この結果、情報トラッ
ク上には第５図（ｃ）に示すように前記等温度曲線に従
った略長方形ドメイン24が形成される。なお、この情報
記録に当っては、光スポットの情報トラックの直交方向
における幅を大きくすることによって、記録ドメインの
エッジをより直線に近づけることが可能である。しか
し、あまり大きくすると、隣のトラックにドメインが記
録されてしまうので、適当な大きさとすることが重要で
ある。一方案内溝22は構造上、熱拡散を遮断する効果を
有している。そこで、第５図（ａ）に示す如く光スポッ
トの半値幅をｄ、圧内溝22の幅をＷ、トラックピッチを
ｐとした場合に、 ｄ＝ｐ−Ｗ の関係となるように設定することが望ましい。
第６図に従来の磁界変調方式の記録過程を示す。同図
（ａ）は記録用の光スポット25、同図（ｂ）はその光ス
ポットの照射による等温度曲線26、同図（ｃ）は記録ド
メイン27であり、周知のように矢羽根状となる。
（ａ）は記録用の光スポット25、同図（ｂ）はその光ス
ポットの照射による等温度曲線26、同図（ｃ）は記録ド
メイン27であり、周知のように矢羽根状となる。
第５図（ｃ）に示した本実施例の記録ドメインと従来
のドメインを比較した場合、本実施例の記録ドメインは
矢羽根と呼ばれる形状が全くなくなっり、長方形状に近
くなる。即ち、ドメインの端部のエッジが従来の半円形
から略直線状となり、著しく形状の改善を行うことがで
きる。
のドメインを比較した場合、本実施例の記録ドメインは
矢羽根と呼ばれる形状が全くなくなっり、長方形状に近
くなる。即ち、ドメインの端部のエッジが従来の半円形
から略直線状となり、著しく形状の改善を行うことがで
きる。
第７図に本発明の他の実施例を示す。この実施例は光
スポットを２光源を用いて形成する例で、半導体レーザ
32が新たな光源として設けられている。また、31はのレ
ーザ光束を平行化するコリメータレンズ、30は円光束に
変換するビーム整形プリズムである。なお、その他の構
成は、第１図の実施例と全く同じである。半導体レーザ
32の光束は、コリメータレンズ31、ビーム整形プリズム
30のを経由した後、偏光ピームスプリッタ29及び４、対
物レンズ３を通って光磁気ディスク２へ照射される。従
って、ビームスプリッタ29から光磁気ディスク２まで
は、他方の光源の半導体レーザ７の光束と略同一光路で
ある。
スポットを２光源を用いて形成する例で、半導体レーザ
32が新たな光源として設けられている。また、31はのレ
ーザ光束を平行化するコリメータレンズ、30は円光束に
変換するビーム整形プリズムである。なお、その他の構
成は、第１図の実施例と全く同じである。半導体レーザ
32の光束は、コリメータレンズ31、ビーム整形プリズム
30のを経由した後、偏光ピームスプリッタ29及び４、対
物レンズ３を通って光磁気ディスク２へ照射される。従
って、ビームスプリッタ29から光磁気ディスク２まで
は、他方の光源の半導体レーザ７の光束と略同一光路で
ある。
第８図は半導体レーザ7,32による光スポットの光強度
分布、その形状及び合成された形状を示した図である。
同図（ａ）は光強度分布を示しており、半導体レーザ７
の光スポット21a,21bの強度分布は第４図に示したもの
と同じである。また、21cは半導体レーザ32の光スポッ
ト21cの強度分布である。同図（ｂ）は前記と同様に光
強度がピーク値の1/2以上の領域の断面形状を示し、こ
れを光スポット21a,21bとして示している。また、光ス
ポット21cは半導体レーザ32の円形スポットであり、光
スポット21a,21bの間に、両側が光スポット21a,21bに重
なる状態で照射される。この結果、媒体面においては第
８図（ｃ）に示すように、光スポット21a,21bと光スポ
ット21cが合成された光スポット21dとして形成されその
形状は長方形状に近い形状となる。
分布、その形状及び合成された形状を示した図である。
同図（ａ）は光強度分布を示しており、半導体レーザ７
の光スポット21a,21bの強度分布は第４図に示したもの
と同じである。また、21cは半導体レーザ32の光スポッ
ト21cの強度分布である。同図（ｂ）は前記と同様に光
強度がピーク値の1/2以上の領域の断面形状を示し、こ
れを光スポット21a,21bとして示している。また、光ス
ポット21cは半導体レーザ32の円形スポットであり、光
スポット21a,21bの間に、両側が光スポット21a,21bに重
なる状態で照射される。この結果、媒体面においては第
８図（ｃ）に示すように、光スポット21a,21bと光スポ
ット21cが合成された光スポット21dとして形成されその
形状は長方形状に近い形状となる。
第９図は記録過程を示した図で、同図（ａ）は第８図
（ｃ）に示した合成光スポット21dが情報トラック上に
照射された状態を示している。また、同図（ｂ）は光ス
ポット21dの照射による等温度曲線33、同図（ｃ）は前
記光スポット21dの照射と磁気ヘッドからのバイアス磁
界の印加によって記録されたドメイン34である。この実
施例においては、前記実施例に比べ等温度曲線の端部の
形状を更に直線形状に近づけられるので、記録ドメイン
の端部はより直線形状に近づきよりドメイン形状の改善
を行うことができる。
（ｃ）に示した合成光スポット21dが情報トラック上に
照射された状態を示している。また、同図（ｂ）は光ス
ポット21dの照射による等温度曲線33、同図（ｃ）は前
記光スポット21dの照射と磁気ヘッドからのバイアス磁
界の印加によって記録されたドメイン34である。この実
施例においては、前記実施例に比べ等温度曲線の端部の
形状を更に直線形状に近づけられるので、記録ドメイン
の端部はより直線形状に近づきよりドメイン形状の改善
を行うことができる。
また、本実施例においては、第８図に示したように光
スポット21a,21bと光スポット21cを重合わせているが、
このときの光量利用率を向上させるために、次の構成を
とることが望ましい。まず、半導体レーザ７と32として
異なる波長のものを用い、ビームスプリッタ29としてダ
イクロイックビームスプリッタを使用する。あるいは、
半導体レーザ７と32の偏光方向が互いに直交するように
設定し、ビームスプリッタ29として偏光ビームスプリッ
タを使用していてもよい。以上の構成によって、光量利
用率が向上し、半導体レーザの消費電力を低減すること
が可能である。
スポット21a,21bと光スポット21cを重合わせているが、
このときの光量利用率を向上させるために、次の構成を
とることが望ましい。まず、半導体レーザ７と32として
異なる波長のものを用い、ビームスプリッタ29としてダ
イクロイックビームスプリッタを使用する。あるいは、
半導体レーザ７と32の偏光方向が互いに直交するように
設定し、ビームスプリッタ29として偏光ビームスプリッ
タを使用していてもよい。以上の構成によって、光量利
用率が向上し、半導体レーザの消費電力を低減すること
が可能である。
第10図に本発明の更に他の実施例を示す。この実施例
は１つの光源によって第７図の実施例と同様の光量分布
の光スポットを得るようにした例である。
は１つの光源によって第７図の実施例と同様の光量分布
の光スポットを得るようにした例である。
同図において、36はファラデーセル、37はファラデー
セル36に磁界を印加するための電磁石である。この電磁
石37によりファラデーセル36に磁界を印加すると、直線
偏光の偏光方向が回転し、紙面に垂直な偏光成分（ｓ偏
光成分）が生じる。従って、ファラデーセル36を透過し
た光束は、ｐ偏光とｓ偏光成分の光束に変化する。ま
た、ファラデーセル駆動回路45は、電磁石37に電流を与
えるもので、ファラデーセル37への印加磁界を変化させ
ることで、ｐ偏光成分とｓ偏光成分の比率を変化させる
ことができる。なお、外部磁界がないときはファラデー
セル36をｐ偏光のままで透過する。38は偏光ビームスプ
リッタで、Ｐ偏光に対してはほぼ100％透過し、反射は
ほぼ０％である。また、Ｓ偏光に対してはほぼ100％反
射し、透過はほぼ０％である。つまり、ｐ偏光成分はそ
のまま透過し、Ｓ偏光成分は反射されて、双方が分離さ
れる。
セル36に磁界を印加するための電磁石である。この電磁
石37によりファラデーセル36に磁界を印加すると、直線
偏光の偏光方向が回転し、紙面に垂直な偏光成分（ｓ偏
光成分）が生じる。従って、ファラデーセル36を透過し
た光束は、ｐ偏光とｓ偏光成分の光束に変化する。ま
た、ファラデーセル駆動回路45は、電磁石37に電流を与
えるもので、ファラデーセル37への印加磁界を変化させ
ることで、ｐ偏光成分とｓ偏光成分の比率を変化させる
ことができる。なお、外部磁界がないときはファラデー
セル36をｐ偏光のままで透過する。38は偏光ビームスプ
リッタで、Ｐ偏光に対してはほぼ100％透過し、反射は
ほぼ０％である。また、Ｓ偏光に対してはほぼ100％反
射し、透過はほぼ０％である。つまり、ｐ偏光成分はそ
のまま透過し、Ｓ偏光成分は反射されて、双方が分離さ
れる。
偏光ピームスプリッタ38の一側には、1/4波長板39、
位相フィルタ40、ミラー41が配設され、他側には1/4波
長板42、ミラー43が配置されている。偏光ビームスプリ
ッタ38で反射されたｓ偏光成分は、1/4波長板39で円偏
光に変換された後、位相フィルタ40を経てミラー41へ入
射する。そして、ミラー41で反射され、再び位相フィル
タ40、1/4波長39を経てｐ偏光となる。ここで、光磁気
ディスク２のトラック方向を紙面に垂直な方向とする
と、位相フィルタ40では光軸より上の光束（斜線部）と
下の光束との間で、πの位相差が生じるように作用す
る。
位相フィルタ40、ミラー41が配設され、他側には1/4波
長板42、ミラー43が配置されている。偏光ビームスプリ
ッタ38で反射されたｓ偏光成分は、1/4波長板39で円偏
光に変換された後、位相フィルタ40を経てミラー41へ入
射する。そして、ミラー41で反射され、再び位相フィル
タ40、1/4波長39を経てｐ偏光となる。ここで、光磁気
ディスク２のトラック方向を紙面に垂直な方向とする
と、位相フィルタ40では光軸より上の光束（斜線部）と
下の光束との間で、πの位相差が生じるように作用す
る。
このように1/4波長板39、位相フィルタ40、ミラー41
を往復した光束は、前述の如くｐ偏光となって偏光ビー
ムスプリッタ38に入射する。そして、この偏光ビームス
プリッタ38を透過し1/4波長42を通って円偏光になり、
更にミラー43に反射されて再び1/4波長板42へ入射して
Ｓ偏光に戻る。1/4波長板42を経た光束は、偏光ビーム
スプリッタ38で反射され、元の光束と合成されてビーム
スプリッタ４、対物レンズ３を通って光磁気ディスク２
に光スポットを結ぶ。このとき、ｐ、ｓ偏光は互いに直
交する直線偏光であるので、干渉することはない。な
お、第10図の実施例は、上述した内容以外の構成は第１
図の実施例と同じであるので、その説明は省略する。ま
た、第10図ではビームスプリッタ９を透過した光により
サーボ誤差信号を検出する制御光学系については省略し
てある。
を往復した光束は、前述の如くｐ偏光となって偏光ビー
ムスプリッタ38に入射する。そして、この偏光ビームス
プリッタ38を透過し1/4波長42を通って円偏光になり、
更にミラー43に反射されて再び1/4波長板42へ入射して
Ｓ偏光に戻る。1/4波長板42を経た光束は、偏光ビーム
スプリッタ38で反射され、元の光束と合成されてビーム
スプリッタ４、対物レンズ３を通って光磁気ディスク２
に光スポットを結ぶ。このとき、ｐ、ｓ偏光は互いに直
交する直線偏光であるので、干渉することはない。な
お、第10図の実施例は、上述した内容以外の構成は第１
図の実施例と同じであるので、その説明は省略する。ま
た、第10図ではビームスプリッタ９を透過した光により
サーボ誤差信号を検出する制御光学系については省略し
てある。
ここで、ｐ偏光による光スポットは位相が一様である
ので、第８図に示す光スポット21Cと全く同じになり、
光軸上に１つのピークを持つものとなる。これを第１の
スポットとする。これに対して、ｓ偏光は前述のように
位相フィルタ40によって光束内でπの位相差が生じるの
で、第８図に示した光スポット21a、21bと全く同様に光
軸の両側に２つのピークを持つものとなる。これを第
２、第３のスポットとする。つまり、光磁気ディスク２
上に３つの光スポットが形成され、第１のスポットは光
軸上に中心があり、第２、第３のスポットは第１のスポ
ットの両側に形成される。従って、第７図に示した実施
例と同様に、３つの光スポットを情報トラック上に形成
でき、記録ドメインの形状を長方形に近い形状にするこ
とができる。
ので、第８図に示す光スポット21Cと全く同じになり、
光軸上に１つのピークを持つものとなる。これを第１の
スポットとする。これに対して、ｓ偏光は前述のように
位相フィルタ40によって光束内でπの位相差が生じるの
で、第８図に示した光スポット21a、21bと全く同様に光
軸の両側に２つのピークを持つものとなる。これを第
２、第３のスポットとする。つまり、光磁気ディスク２
上に３つの光スポットが形成され、第１のスポットは光
軸上に中心があり、第２、第３のスポットは第１のスポ
ットの両側に形成される。従って、第７図に示した実施
例と同様に、３つの光スポットを情報トラック上に形成
でき、記録ドメインの形状を長方形に近い形状にするこ
とができる。
また、本実施例においては、情報の記録時にファラデ
ーセル駆動回路45により電磁石37が駆動され、ファラデ
ーセル36に外部磁界が印加される。これにより、ｐ偏光
とＳ偏光が生成され、そのパワー比はファラデーセル駆
動回路45により決定される。また、そのパワーの大きさ
はレーザ駆動回路46により決定される。このレーザ駆動
回路46へは、記録すべき情報を含んだ記録信号47が入力
されており、レーザ発光強度は記録信号47に応じて変調
されている。従って、本実施例にあっては、第８図に示
した光スポット21a、21bと光スポット21cとの強度比率
をファラデーセル駆動回路により変えられるので、第８
図（Ｃ）に示した実質的な合成光スポット21dの形状を
記録材料の特性に合せて最適な形状にコントロールでき
る利点がある。
ーセル駆動回路45により電磁石37が駆動され、ファラデ
ーセル36に外部磁界が印加される。これにより、ｐ偏光
とＳ偏光が生成され、そのパワー比はファラデーセル駆
動回路45により決定される。また、そのパワーの大きさ
はレーザ駆動回路46により決定される。このレーザ駆動
回路46へは、記録すべき情報を含んだ記録信号47が入力
されており、レーザ発光強度は記録信号47に応じて変調
されている。従って、本実施例にあっては、第８図に示
した光スポット21a、21bと光スポット21cとの強度比率
をファラデーセル駆動回路により変えられるので、第８
図（Ｃ）に示した実質的な合成光スポット21dの形状を
記録材料の特性に合せて最適な形状にコントロールでき
る利点がある。
なお、本発明は以上の実施例で説明したように、光ス
ポットにより形成される熱分布を利用して光記録媒体中
に情報を書込む光学的情報記録装置において、その情報
トラック横断方向の光強度分布を適正に加工するように
したものである。従って、情報ピットの記録形状を大幅
に改善できるばかりでなく、情報記録密度も効果的に向
上できる利点を有する。よって、特に光磁気記録媒体を
用いた磁界変調方式に好適であるが、それに限定される
ものではない。
ポットにより形成される熱分布を利用して光記録媒体中
に情報を書込む光学的情報記録装置において、その情報
トラック横断方向の光強度分布を適正に加工するように
したものである。従って、情報ピットの記録形状を大幅
に改善できるばかりでなく、情報記録密度も効果的に向
上できる利点を有する。よって、特に光磁気記録媒体を
用いた磁界変調方式に好適であるが、それに限定される
ものではない。
以上説明したように本発明によれば、記録ドメインの
形状を長方形に近い形状にできるので、従来の矢羽根状
ドメインに見られたようなジッターの増加がなくなり、
エラーレートを大幅に低減できるという効果がある。
形状を長方形に近い形状にできるので、従来の矢羽根状
ドメインに見られたようなジッターの増加がなくなり、
エラーレートを大幅に低減できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は位相
シフト素子の具体例を示す斜視図、第３図は位相シフト
素子により２つの光スポットが形成される様子を示す説
明図、第４図はその光スポットの光強度分布と形状を示
す図、第５図は第４図の光スポットを用いて情報トラッ
ク上にドメインを形成する過程を示す図、第６図は従来
の磁界変調方式のドメイン形成過程を示す図、第７図は
本発明の他の実施例を示す構成図、第８図は第７図の実
施例で生成される光スポットの光強度分布及びその形状
を示す図、第９図は第８図の光スポットを用いて情報ト
ラック上にドメインを形成する過程を示す図、第10図は
本発明の更に他の実施例を示す構成図、第11図は磁界変
調方式の従来例を示す構成図、第12図はマーク間記録及
びマーク長記録によってそれぞれ記録された矢羽根状ド
メインを示す図である。 1:磁気ヘッド、2:光磁気ディスク、3:対物レンズ、7,3
2:半導体レーザ、20:位相シフト素子、36:ファラデーセ
ル、37:電磁石、38:偏光ビームスプリッタ、40:位相フ
ィルタ
シフト素子の具体例を示す斜視図、第３図は位相シフト
素子により２つの光スポットが形成される様子を示す説
明図、第４図はその光スポットの光強度分布と形状を示
す図、第５図は第４図の光スポットを用いて情報トラッ
ク上にドメインを形成する過程を示す図、第６図は従来
の磁界変調方式のドメイン形成過程を示す図、第７図は
本発明の他の実施例を示す構成図、第８図は第７図の実
施例で生成される光スポットの光強度分布及びその形状
を示す図、第９図は第８図の光スポットを用いて情報ト
ラック上にドメインを形成する過程を示す図、第10図は
本発明の更に他の実施例を示す構成図、第11図は磁界変
調方式の従来例を示す構成図、第12図はマーク間記録及
びマーク長記録によってそれぞれ記録された矢羽根状ド
メインを示す図である。 1:磁気ヘッド、2:光磁気ディスク、3:対物レンズ、7,3
2:半導体レーザ、20:位相シフト素子、36:ファラデーセ
ル、37:電磁石、38:偏光ビームスプリッタ、40:位相フ
ィルタ
フロントページの続き (72)発明者 星 宏明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 森島 英樹 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−192122（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−125829（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−263647（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−10336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−109033（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 G11B 7/00
Claims (5)
- 【請求項１】光源から発した光ビームを対物レンズによ
り微小光スポットに絞って光学的情報記録媒体の情報ト
ラックに照射することにより前記情報トラック上に情報
ピットを記録する装置において、前記光源の光路中に前
記対物レンズの瞳面に相対して、前記情報トラックの横
断方向に分割線を有する位相シフト素子を配置し、前記
位相シフト素子により前記光源の光束を前記情報トラッ
ク上に該トラックの横断方向に２つの記録用光スポット
として並んだ状態で照射することを特徴とする光学的情
報記録装置。 - 【請求項２】前記位相シフト素子の分割線を境界とした
両側の光束の位相差が、前記光源の波長の1/2であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録装置。 - 【請求項３】前記情報トラックのトラックピッチｐと、
その両側の案内溝の幅Ｗと、前記光スポットのトラック
横断方向の光強度の半値幅ｄとの関係が、概略ｐ−Ｗ＝
ｄであることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報
記録装置。 - 【請求項４】前記光源とは別に第２の記録用光源を設
け、前記第２の記録用光源から発した光束を前記情報ト
ラック上に照射された２つの光スポットの間に照射する
ことを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録装
置。 - 【請求項５】光源から発した光ビームを対物レンズによ
り微小光スポットに絞って光学的情報記録媒体の情報ト
ラックに照射することにより前記情報トラック上に情報
ピットを記録する装置において、前記光源の光路に設け
られたファラデーセルと、前記ファラデーセルに磁界を
印加することにより前記光源の光束の偏光方向をｐ偏光
とｓ偏光に変化させる手段と、前記ｐ偏光とｓ偏光のう
ち一方の光束を情報トラック上の光軸上に第１の光スポ
ットとして照射し、且つ他方の光束に所定の位相差を生
じさせることにより前記情報トラック上のトラック横断
方向における第１の光スポットの両側に第２、第３の光
スポットとして照射する手段とを備えたことを特徴とす
る光学的情報記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321117A JP2858455B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 光学的情報記録装置 |
| US08/104,605 US5329517A (en) | 1990-11-27 | 1993-08-11 | Optical information recording and reproducing apparatus utilizing a plurality of recording light spots |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321117A JP2858455B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 光学的情報記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192142A JPH04192142A (ja) | 1992-07-10 |
| JP2858455B2 true JP2858455B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=18129011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2321117A Expired - Fee Related JP2858455B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 光学的情報記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5329517A (ja) |
| JP (1) | JP2858455B2 (ja) |
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| JPH07169129A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Canon Inc | 光ヘッド |
| JPH07234382A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超解像走査光学装置 |
| KR100214046B1 (ko) | 1995-03-27 | 1999-08-02 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 초해상 광헤드장치 |
| JP3549301B2 (ja) * | 1995-09-08 | 2004-08-04 | 三菱電機株式会社 | 光ヘッドのトラッキング誤差検出装置 |
| US6275461B1 (en) * | 1996-08-29 | 2001-08-14 | Samsung Electronic Co., Ltd. | Optical pickup using an optical phase plate |
| JPH10149595A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-06-02 | Canon Inc | 磁壁を移動させて情報の再生を行う情報再生装置 |
| JPH1092046A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Canon Inc | 光磁気情報再生装置 |
| US5995472A (en) * | 1997-05-06 | 1999-11-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser beam forming temperature distribution of two peaks on a magneto-optical recording medium |
| JPH11134732A (ja) | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | 情報記録再生方法 |
| US6298015B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical reproducing method using a magnified magnetic domain |
| KR100322599B1 (ko) * | 1998-12-23 | 2002-03-08 | 윤종용 | 광픽업장치 |
| JP2005346843A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Canon Inc | 光学的情報記録再生方法及び装置 |
| US7599272B2 (en) * | 2004-11-22 | 2009-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for recording and reproducing multi-level information |
| EP1667128A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-07 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Apparatus for recording angular multiplexed pits |
| US7804754B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information recording/reproducing method |
| JP4849939B2 (ja) * | 2006-04-10 | 2012-01-11 | Ｈｏｙａ株式会社 | 光情報記録再生装置 |
| JP5799686B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2015-10-28 | ソニー株式会社 | 対物レンズ、光ピックアップ装置、及び光ディスク装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5056080A (en) * | 1989-09-22 | 1991-10-08 | Russell James T | Optical recording/reproducing system using interference techniques |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2321117A patent/JP2858455B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-11 US US08/104,605 patent/US5329517A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7688685B1 (en) | 2000-03-01 | 2010-03-30 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording device capable of changing the shapes of heating areas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5329517A (en) | 1994-07-12 |
| JPH04192142A (ja) | 1992-07-10 |
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