JPH0555223A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0555223A JPH0555223A JP21541391A JP21541391A JPH0555223A JP H0555223 A JPH0555223 A JP H0555223A JP 21541391 A JP21541391 A JP 21541391A JP 21541391 A JP21541391 A JP 21541391A JP H0555223 A JPH0555223 A JP H0555223A
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- JP
- Japan
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- wiring layer
- insulating layer
- aluminum
- layer
- contact hole
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線構造を有する集積回路において、十
分な信頼性が得られしかも製造工程がほとんど増加する
ことのない製造方法を提供することである。 【構成】 絶縁層１１上に、アルミニウムを主成分とし
た材料を用いて、第１配線層１２を形成する（Ａ）。層
間絶縁層１３を形成し、その一部をエッチングしてコン
タクトホ―ル１３ａを形成する（Ｂ）。アルミニウムの
結晶化が促進される温度で所定時間熱処理を行う。熱処
理により第１配線層１２の形成材料の結晶化が生じる。
コンタクトホ―ル１３ａの内部には第１配線層１２の一
部が成長し、コンタクトプラグ１２ａが形成される
（Ｃ）。層間絶縁層１３上およびコンタクトプラグ１２
ａ上に第２配線層１４を形成する（Ｄ）。
分な信頼性が得られしかも製造工程がほとんど増加する
ことのない製造方法を提供することである。 【構成】 絶縁層１１上に、アルミニウムを主成分とし
た材料を用いて、第１配線層１２を形成する（Ａ）。層
間絶縁層１３を形成し、その一部をエッチングしてコン
タクトホ―ル１３ａを形成する（Ｂ）。アルミニウムの
結晶化が促進される温度で所定時間熱処理を行う。熱処
理により第１配線層１２の形成材料の結晶化が生じる。
コンタクトホ―ル１３ａの内部には第１配線層１２の一
部が成長し、コンタクトプラグ１２ａが形成される
（Ｃ）。層間絶縁層１３上およびコンタクトプラグ１２
ａ上に第２配線層１４を形成する（Ｄ）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線構造を有する
集積回路装置の製造方法に関する。
集積回路装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２および図３は、多層配線構造を有す
る従来の集積回路装置を示したものである。
る従来の集積回路装置を示したものである。
【０００３】図２に示したものは、シリコン基板（図示
せず）の主面側に形成された絶縁層２１を介して第１ア
ルミニウム配線層２２を形成し、絶縁層２３のコンタク
トホール２３ａを介して第２アルミニウム配線層２４を
形成したものである。
せず）の主面側に形成された絶縁層２１を介して第１ア
ルミニウム配線層２２を形成し、絶縁層２３のコンタク
トホール２３ａを介して第２アルミニウム配線層２４を
形成したものである。
【０００４】図３に示したものは、シリコン基板（図示
せず）の主面側に形成された絶縁層３１を介して第１ア
ルミニウム配線層３２を形成し、絶縁層３３のコンタク
トホール３３ａ内部に形成されたコンタクトプラグ３５
を介して第２アルミニウム配線層３４を形成したもので
ある。コンタクトプラグ３５は、コンタクトホール３３
ａにポリシリコンやタングステン等を埋込んだものであ
る。
せず）の主面側に形成された絶縁層３１を介して第１ア
ルミニウム配線層３２を形成し、絶縁層３３のコンタク
トホール３３ａ内部に形成されたコンタクトプラグ３５
を介して第２アルミニウム配線層３４を形成したもので
ある。コンタクトプラグ３５は、コンタクトホール３３
ａにポリシリコンやタングステン等を埋込んだものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２に示したもので
は、コンタクト部分での第２アルミニウム配線層２４の
形状が不十分となり、十分な信頼性が得られないという
問題点がある。
は、コンタクト部分での第２アルミニウム配線層２４の
形状が不十分となり、十分な信頼性が得られないという
問題点がある。
【０００６】図３に示したものでは、上記問題点は改善
されるが、コンタクトプラグ３５の埋込みを行うため、
製造工程が増加するという問題点がある。
されるが、コンタクトプラグ３５の埋込みを行うため、
製造工程が増加するという問題点がある。
【０００７】本発明の目的は、十分な信頼性が得られし
かも製造工程がほとんど増加することのない製造方法を
提供することである。
かも製造工程がほとんど増加することのない製造方法を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明における集積回路
装置の製造方法は、半導体基板の主面側にアルミニウム
を主成分とした材料を用いて第１配線層を形成する工程
と、第１配線層上にコンタクトホ―ルを有する絶縁層を
形成する工程と、熱処理を行うことによりコンタクトホ
―ルに第１配線層に用いた材料を成長させてコンタクト
プラグを形成する工程と、絶縁層上および上記コンタク
トプラグ上に第２配線層を形成する工程とからなる。
装置の製造方法は、半導体基板の主面側にアルミニウム
を主成分とした材料を用いて第１配線層を形成する工程
と、第１配線層上にコンタクトホ―ルを有する絶縁層を
形成する工程と、熱処理を行うことによりコンタクトホ
―ルに第１配線層に用いた材料を成長させてコンタクト
プラグを形成する工程と、絶縁層上および上記コンタク
トプラグ上に第２配線層を形成する工程とからなる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の実施例を示した製造工程の
断面図である。
断面図である。
【００１０】絶縁層１１は、シリコン基板（図示せず）
の主表面側に形成されたものである。第１配線層１２
は、アルミニウムを主成分とした材料（アルミニウムの
み、アルミニウムに１％程度のシリコンを含有したも
の、アルミニウムに１％程度のシリコンおよび銅を含有
したもの、等）で形成されている。層間絶縁層１３は、
酸化シリコンや窒化シリコン等を用いて形成され、コン
タクトホ―ル１３ａを有するものである。コンタクトホ
―ル１３ａ内部には、第１配線層１２を熱処理すること
により得られたコンタクトプラグ１２ａが形成されてい
る。第２配線層１４は、アルミニウムを主成分とした材
料（アルミニウムのみ、アルミニウムに１％程度のシリ
コンを含有したもの、アルミニウムに１％程度のシリコ
ンおよび銅を含有したもの、等）で形成されている。な
お、この第２配線層１４には他の導電材料を用いてもよ
い。
の主表面側に形成されたものである。第１配線層１２
は、アルミニウムを主成分とした材料（アルミニウムの
み、アルミニウムに１％程度のシリコンを含有したも
の、アルミニウムに１％程度のシリコンおよび銅を含有
したもの、等）で形成されている。層間絶縁層１３は、
酸化シリコンや窒化シリコン等を用いて形成され、コン
タクトホ―ル１３ａを有するものである。コンタクトホ
―ル１３ａ内部には、第１配線層１２を熱処理すること
により得られたコンタクトプラグ１２ａが形成されてい
る。第２配線層１４は、アルミニウムを主成分とした材
料（アルミニウムのみ、アルミニウムに１％程度のシリ
コンを含有したもの、アルミニウムに１％程度のシリコ
ンおよび銅を含有したもの、等）で形成されている。な
お、この第２配線層１４には他の導電材料を用いてもよ
い。
【００１１】つぎに、図１（Ａ）〜（Ｄ）にしたがっ
て、製造工程の説明を行う。
て、製造工程の説明を行う。
【００１２】（Ａ）シリコン基板（図示せず）の主表面
側に形成された絶縁層１１上に、アルミニウムを主成分
とした材料を用いて、第１配線層１２を形成する。
側に形成された絶縁層１１上に、アルミニウムを主成分
とした材料を用いて、第１配線層１２を形成する。
【００１３】（Ｂ）第１配線層１２上に層間絶縁層１３
（２００ｎｍ程度）を形成し、その一部をエッチングし
てコンタクトホ―ル１３ａを形成する。
（２００ｎｍ程度）を形成し、その一部をエッチングし
てコンタクトホ―ル１３ａを形成する。
【００１４】（Ｃ）アルミニウムの結晶化が促進される
温度（通常は１５０度Ｃ〜４５０度Ｃが好ましい。）で
所定時間（通常は１０分〜１時間程度が好ましい。）熱
処理を行う。この熱処理により第１配線層１２の形成材
料の結晶化が生じる。層間絶縁層１３が形成されている
領域下では第１配線層１２の形成材料の成長は抑制され
るが、コンタクトホ―ル１３ａの内部には第１配線層１
２の一部が成長し、コンタクトプラグ１２ａが形成され
る。なお、コンタクトプラグ１２ａを十分に成長させる
ために、コンタクトホ―ル１３ａの直径は１μｍ程度あ
るいはそれ以下であることが好ましい。
温度（通常は１５０度Ｃ〜４５０度Ｃが好ましい。）で
所定時間（通常は１０分〜１時間程度が好ましい。）熱
処理を行う。この熱処理により第１配線層１２の形成材
料の結晶化が生じる。層間絶縁層１３が形成されている
領域下では第１配線層１２の形成材料の成長は抑制され
るが、コンタクトホ―ル１３ａの内部には第１配線層１
２の一部が成長し、コンタクトプラグ１２ａが形成され
る。なお、コンタクトプラグ１２ａを十分に成長させる
ために、コンタクトホ―ル１３ａの直径は１μｍ程度あ
るいはそれ以下であることが好ましい。
【００１５】（Ｄ）層間絶縁層１３上およびコンタクト
プラグ１２ａ上に第２配線層１４を形成する。その結
果、第１配線層１２と第２配線層１４とは、コンタクト
プラグ１２ａを介して接続される。
プラグ１２ａ上に第２配線層１４を形成する。その結
果、第１配線層１２と第２配線層１４とは、コンタクト
プラグ１２ａを介して接続される。
【００１６】
【発明の効果】本発明では、アルミニウムの結晶化を利
用してコンタクトホ―ルにコンタクトプラグを形成する
ため、十分な信頼性が得られしかも製造工程がほとんど
増加することがない。
用してコンタクトホ―ルにコンタクトプラグを形成する
ため、十分な信頼性が得られしかも製造工程がほとんど
増加することがない。
【図１】本発明の実施例を示した製造工程の断面図であ
る。
る。
【図２】従来例を示した断面図である。
【図３】従来例を示した断面図である。
１２……第１配線層 １２ａ…コンタクトプラグ １３……層間絶縁層（絶縁層） １３ａ…コンタクトホール １４……第２配線層
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の主面側にアルミニウムを主
成分とした材料を用いて第１配線層を形成する工程と、 上記第１配線層上にコンタクトホ―ルを有する絶縁層を
形成する工程と、 熱処理を行うことにより上記コンタクトホ―ルに上記第
１配線層に用いた材料を成長させてコンタクトプラグを
形成する工程と、 上記絶縁層上および上記コンタクトプラグ上に第２配線
層を形成する工程とからなる集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21541391A JPH0555223A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21541391A JPH0555223A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555223A true JPH0555223A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16671919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21541391A Pending JPH0555223A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100234398B1 (ko) * | 1996-12-20 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체소자의 배선층 형성방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61280638A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21541391A patent/JPH0555223A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61280638A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100234398B1 (ko) * | 1996-12-20 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체소자의 배선층 형성방법 |
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