JPS5821846A - 半導体装置及びその製法 - Google Patents
半導体装置及びその製法Info
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- JPS5821846A JPS5821846A JP56121601A JP12160181A JPS5821846A JP S5821846 A JPS5821846 A JP S5821846A JP 56121601 A JP56121601 A JP 56121601A JP 12160181 A JP12160181 A JP 12160181A JP S5821846 A JPS5821846 A JP S5821846A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は第１の金属導体層と、その第１の金属導体層と
連接せる絶縁層と、その絶縁層と連接し且その絶縁属を
介して第１の金属導体層と対向している第２の金属導体
層とを具備してなる半導体装置、及びその製法の改良に
関する。
連接せる絶縁層と、その絶縁層と連接し且その絶縁属を
介して第１の金属導体層と対向している第２の金属導体
層とを具備してなる半導体装置、及びその製法の改良に
関する。
斯種半導体装置として従来、種々の構成を有するものが
提案さｎ１又斯柚半導体装置の製法としても従来線々の
方法が提案されている。
提案さｎ１又斯柚半導体装置の製法としても従来線々の
方法が提案されている。
斯種半導体装置が２層の電極乃至配線層を構成している
ものとして、その従来の２層の電極乃至配線層を構成し
ている半導体装置及びその製法を、第１図Ａ−Ｅに示す
その製法を以って述べるに、所要の半導体素子を形成す
べく半導体領域等を形成し、てなる半導体基板１を予め
用意する（ｉＩ図Ａ）。
ものとして、その従来の２層の電極乃至配線層を構成し
ている半導体装置及びその製法を、第１図Ａ−Ｅに示す
その製法を以って述べるに、所要の半導体素子を形成す
べく半導体領域等を形成し、てなる半導体基板１を予め
用意する（ｉＩ図Ａ）。
而してその半導体基板１の主面２上に例えばシリコン酸
化物でなる絶縁層３を、例えば気相成長法や、熱酸化法
によって、形成する（第１図Ｂ）。
化物でなる絶縁層３を、例えば気相成長法や、熱酸化法
によって、形成する（第１図Ｂ）。
次に絶縁層６上の全領域に、高融点を有する金属導体で
なる金属導体層を、蒸着法、スパッタリング法、気相成
長法等によって形成し、次でその金属導体層に対する蝕
刻を写真蝕刻法によりなして、絶縁層３上に所要のパタ
ーンを以って延長せる電極乃至配１ｖｊ１層としての金
属導体層４を形成する（第１図Ｃ）。
なる金属導体層を、蒸着法、スパッタリング法、気相成
長法等によって形成し、次でその金属導体層に対する蝕
刻を写真蝕刻法によりなして、絶縁層３上に所要のパタ
ーンを以って延長せる電極乃至配１ｖｊ１層としての金
属導体層４を形成する（第１図Ｃ）。
次に絶縁層３上に金属導体層４を埋設せる例えばシリコ
ン酸化物でなる絶縁層５を１例えば気相成長法により絶
縁層３上の全領域にシリコン酸化物でなる絶縁層を形成
し１次でその絶縁層の下半領域を写真蝕刻法によって除
去することによって形成する（第１図Ｄ）。
ン酸化物でなる絶縁層５を１例えば気相成長法により絶
縁層３上の全領域にシリコン酸化物でなる絶縁層を形成
し１次でその絶縁層の下半領域を写真蝕刻法によって除
去することによって形成する（第１図Ｄ）。
次に絶縁層５上の全領域に高融点を有する金属導体でな
る金属導体層を、蒸着法、スパッタリング法、気相成長
法等によって形成し、次でその金属導体層に対する蝕刻
を写真蝕刻法によってなして、絶縁層５上に所要のパタ
ーンを以って絶縁層５を介して金属導体層４と対向して
延長せる金属導体層６を形成しく第１図Ｅ）、目的とせ
る２層の電極乃至配線層を構成している半導体装置を得
る〇 以上で従来提案されている、２Ｉ−の電極乃至配線層を
構成している半導体装置及びその製法が明らかとなった
。
る金属導体層を、蒸着法、スパッタリング法、気相成長
法等によって形成し、次でその金属導体層に対する蝕刻
を写真蝕刻法によってなして、絶縁層５上に所要のパタ
ーンを以って絶縁層５を介して金属導体層４と対向して
延長せる金属導体層６を形成しく第１図Ｅ）、目的とせ
る２層の電極乃至配線層を構成している半導体装置を得
る〇 以上で従来提案されている、２Ｉ−の電極乃至配線層を
構成している半導体装置及びその製法が明らかとなった
。
斯る２υの電極乃至配ＩＮ １Ｍを構成している半導体
装置（第１図Ｅ）の構成によｎば、金属導体層４及び６
を電極乃至配線層、絶縁層５をそれ等電極乃至配線ｌ−
を互に絶縁せる層間分離用絶縁層とせる、２層の電極乃
至配線１−を構成していること明らかである。
装置（第１図Ｅ）の構成によｎば、金属導体層４及び６
を電極乃至配線層、絶縁層５をそれ等電極乃至配線ｌ−
を互に絶縁せる層間分離用絶縁層とせる、２層の電極乃
至配線１−を構成していること明らかである。
斯る２層の電極乃至配線ｌφを構成している半導体装置
によれば、その電極乃至配線層としての金属導体層４及
び６が字句通り金属導体でなるので、比抵抗が十分低（
、従ってそれ等金属導体層４及び６に信号を、それに不
必要に遅延時間を与えることなしに、伝播せしめる。
によれば、その電極乃至配線層としての金属導体層４及
び６が字句通り金属導体でなるので、比抵抗が十分低（
、従ってそれ等金属導体層４及び６に信号を、それに不
必要に遅延時間を与えることなしに、伝播せしめる。
従って第１図Ｅにて上述せる２層の電極乃至配線層を構
成している半導体装置によれば、その２層の電極乃至配
線層を構成している金属導体層４及び６を用いることに
より、半導体装置を高速度で動作するものとすることが
出来るという特徴を有するものである。
成している半導体装置によれば、その２層の電極乃至配
線層を構成している金属導体層４及び６を用いることに
より、半導体装置を高速度で動作するものとすることが
出来るという特徴を有するものである。
然し乍ら第１図Ｅに示す２層の成極乃至配線層を構成し
ている半導体装置の場合、絶縁層３上に金属導体層４を
埋設して延長せる絶縁層５を有し、而してその絶縁層５
を形成するに面倒な工程を要する。従って半導体装置を
簡易に構成し州ないという欠点を有していた。
ている半導体装置の場合、絶縁層３上に金属導体層４を
埋設して延長せる絶縁層５を有し、而してその絶縁層５
を形成するに面倒な工程を要する。従って半導体装置を
簡易に構成し州ないという欠点を有していた。
又第１図Ａ−Ｂにて上述せる２層の電極乃至配線層を構
成している半導体装置の製法の場合。
成している半導体装置の製法の場合。
上述せる如く絶縁層５を形成するに面倒な工程を有し、
従って全体としての製法が複雑となるという欠点を有し
ていた。
従って全体としての製法が複雑となるという欠点を有し
ていた。
又従来の２層の電極乃至配線層を構成している半導体装
置及びその製法の他の例を、第２図に示す製法を以って
述べるに、第１図Ａにて上述せると同様の半導体基板１
を予め用意する（第２図Ａ）。
置及びその製法の他の例を、第２図に示す製法を以って
述べるに、第１図Ａにて上述せると同様の半導体基板１
を予め用意する（第２図Ａ）。
而してその半導体基板１の主面２上に第１図Ｂにて上述
ぜると同様の絶縁層６を形成する（第２図Ｂ）。
ぜると同様の絶縁層６を形成する（第２図Ｂ）。
次に絶縁層３上の全領域に、多結晶シリコンや、高融点
金属シリサイドでなる導電性層を形成し、次でその導電
性層に対する蝕刻を写真蝕刻法によりなして絶縁Ｉ′ｉ
ｉ３上に所要のパターンを以って延長せる導電性層１２
を形成する（第２図Ｃ）。
金属シリサイドでなる導電性層を形成し、次でその導電
性層に対する蝕刻を写真蝕刻法によりなして絶縁Ｉ′ｉ
ｉ３上に所要のパターンを以って延長せる導電性層１２
を形成する（第２図Ｃ）。
次に酸素を含む雰囲気中での熱処理により。
導電性層１２の表面にシリコン酸化物でなる絶縁層１３
を形成する（第２図Ｄ）。
を形成する（第２図Ｄ）。
次に絶縁ｒｆｆＪ３上に絶縁層１３を埋設せる高融点を
有する金属導体でなる金属導体層を、蒸着法、スパッタ
リング法、気相成長法等によって形成し、次でその金属
導体層に対する蝕刻法によってなして、絶縁層３上に所
要のパターンを以って絶縁層１３を介して導電性層１２
と対向して延長せる金属導体層１４を形成しく第２図Ｅ
）、斯くて目的とせる２層の電極乃至配線層を構成し
ている半導体装置を得る。
有する金属導体でなる金属導体層を、蒸着法、スパッタ
リング法、気相成長法等によって形成し、次でその金属
導体層に対する蝕刻法によってなして、絶縁層３上に所
要のパターンを以って絶縁層１３を介して導電性層１２
と対向して延長せる金属導体層１４を形成しく第２図Ｅ
）、斯くて目的とせる２層の電極乃至配線層を構成し
ている半導体装置を得る。
以上で従来提案されている、２層の電極乃至配線層を構
成している半導体装置及びその製法の他の例が明らかと
なった。
成している半導体装置及びその製法の他の例が明らかと
なった。
斯る２層の電極乃至配線層を構成している半導体装置（
第２図Ｅ）の構成によれば、導電性Ｊ鏝１２及び金属導
体層１４を電極乃至配線層。
第２図Ｅ）の構成によれば、導電性Ｊ鏝１２及び金属導
体層１４を電極乃至配線層。
絶縁層１３をそれ等電極乃至配線層を互に絶縁せる層間
分離用絶縁層とせる、２層の電極乃至配線層を構成して
いること明らかであろう。
分離用絶縁層とせる、２層の電極乃至配線層を構成して
いること明らかであろう。
斯る２層の電極乃至配線層を構成している半導体装置に
よれば、電極乃至配線層としての導電性層１２が、多結
晶シリコンや、高融点金属シリサイドでなり、金属導体
で形成さｎ５ていないので、その比抵抗が比較的高く、
従って導電性層１２に伝播する信号に、比較的大なる遅
延時間を与える。
よれば、電極乃至配線層としての導電性層１２が、多結
晶シリコンや、高融点金属シリサイドでなり、金属導体
で形成さｎ５ていないので、その比抵抗が比較的高く、
従って導電性層１２に伝播する信号に、比較的大なる遅
延時間を与える。
従って第２図Ｅにて上述せる２扇の成極乃至配置ｆｆ
Ｍを構成している半導体装置によれば、導電性層１２を
電極乃至配線層として用いて半導体装はを構成した場合
、その半導体装置を高速度で動作するものとすることが
出来ないという欠点を有していた。
Ｍを構成している半導体装置によれば、導電性層１２を
電極乃至配線層として用いて半導体装はを構成した場合
、その半導体装置を高速度で動作するものとすることが
出来ないという欠点を有していた。
又第２図Ａ〜Ｅにて上述せる２層の電極乃至配線層を１
苦成している半導体装置の製法の嚇合、層間分離用絶縁
層としての絶縁１・Δ１３が熱酸化処稈により自己整合
式に作らイするので、第１図Ａ〜Ｅにて上述せる場合に
比し、全体としての製法が簡易になるという特徴を有す
る。
苦成している半導体装置の製法の嚇合、層間分離用絶縁
層としての絶縁１・Δ１３が熱酸化処稈により自己整合
式に作らイするので、第１図Ａ〜Ｅにて上述せる場合に
比し、全体としての製法が簡易になるという特徴を有す
る。
然し乍ら第２図Ａ−Ｅにて上述せる２Ｉ−の電極乃至配
線層を構成している半導体装置の場合、電極乃至ｌｌｌ
１２線層としての導電性１ψ１２が、上述せる如く比抵
抗の比較的太なるものとして得られるので、半導体装置
を高速度で動作するものとして得ることが出来ないとい
う欠点を有していた。
線層を構成している半導体装置の場合、電極乃至ｌｌｌ
１２線層としての導電性１ψ１２が、上述せる如く比抵
抗の比較的太なるものとして得られるので、半導体装置
を高速度で動作するものとして得ることが出来ないとい
う欠点を有していた。
依って本発明は、第１図及び第２図にて上述せる従来の
半導体装置及びその製法に於ける上述せる１＜ｎた特徴
を有するも、上述せる欠点を有しないという、新規な半
導体装置及びその製法を提案せんとするものである。
半導体装置及びその製法に於ける上述せる１＜ｎた特徴
を有するも、上述せる欠点を有しないという、新規な半
導体装置及びその製法を提案せんとするものである。
本発Ｅ！ＪＪ（こよる新規な半導体装置及びその製法の
実施例を、２層の電極乃至配線層を構成している半導体
装置及びその製法を以って、第３図Ａ−Ｆに示すその製
法によって述べるに、第１図Ａにて上述せると同機の半
導体基板１を予め用意する（記６図Ａ）。
実施例を、２層の電極乃至配線層を構成している半導体
装置及びその製法を以って、第３図Ａ−Ｆに示すその製
法によって述べるに、第１図Ａにて上述せると同機の半
導体基板１を予め用意する（記６図Ａ）。
而してその半導体基板１の主面２上に第１図Ｂにて上述
せると同様の絶縁層３を形成するい３図Ｂ）。
せると同様の絶縁層３を形成するい３図Ｂ）。
次に絶縁層３上の全領域に酸素を含む例えばアルゴンガ
ス雰囲気中での１反応性スパッタリング、蒸着法、気相
成長法等によって例えばＭｏ 、Ｗ、 Ｃｒ等でなる酸
素を含む高融点金属導体層を形成し、次でその金属導体
層に対する蝕刻を写真蝕刻法によってなして、絶縁層３
上に、所要のパターンを以って延長せる酸素を含む金ｌ
Ａ４体層２１を形成する（第６図Ｃ）。
ス雰囲気中での１反応性スパッタリング、蒸着法、気相
成長法等によって例えばＭｏ 、Ｗ、 Ｃｒ等でなる酸
素を含む高融点金属導体層を形成し、次でその金属導体
層に対する蝕刻を写真蝕刻法によってなして、絶縁層３
上に、所要のパターンを以って延長せる酸素を含む金ｌ
Ａ４体層２１を形成する（第６図Ｃ）。
次に絶縁層３上に金属導体層２１の外表面と接触してこ
れを即設して延長せる例えばＴａ。
れを即設して延長せる例えばＴａ。
１１１ｔ 、 Ｎｂ等の昇熱酸化性を有する金属導体層
２２をスパッタリング法等によって形成する（第３１凶
Ｄ）。
２２をスパッタリング法等によって形成する（第３１凶
Ｄ）。
次に窒素ガス等の雰囲気中での６００℃以上の高温熱処
理により、金属導体層２１が含む酸素を、金属導体層２
２の金属導体層と接触している側の表面領域に導入せし
めてその表面領域の金属導体と反応せしめ、これにより
その表面領域を、その金梳導体が酸化されてなる金属導
体酸化物層でなる絶縁層２６に形成し、又これに伴い金
属導体層２１を、それが含んでいたよりも少ない酸素の
量を含んでいる金属導体層２４に形成する（第６図Ｂ）
。この場合、この場合の熱処理時の温度、時間等の熱処
理条件を適当に選ぶことにより、及び第３図Ｃにて上述
せる金属導体層２１を得る工程に於てその導電外層２１
に含まれる酸素の量を予め適当に選んで置くことにより
、絶縁層２３を所要の厚さを有するものとして得ること
が出来ると共に、金属導体Ｊ￥１２４を、酸素が格段的
に小なる郊：しか含才れていないか又は酸素が実質的に
含まれていない、金属導体層２４が酸素を含まない金属
導体で構成されているとした場合に於けると同様に低い
比抵抗を有するものとして形成することが出来るもので
ある。
理により、金属導体層２１が含む酸素を、金属導体層２
２の金属導体層と接触している側の表面領域に導入せし
めてその表面領域の金属導体と反応せしめ、これにより
その表面領域を、その金梳導体が酸化されてなる金属導
体酸化物層でなる絶縁層２６に形成し、又これに伴い金
属導体層２１を、それが含んでいたよりも少ない酸素の
量を含んでいる金属導体層２４に形成する（第６図Ｂ）
。この場合、この場合の熱処理時の温度、時間等の熱処
理条件を適当に選ぶことにより、及び第３図Ｃにて上述
せる金属導体層２１を得る工程に於てその導電外層２１
に含まれる酸素の量を予め適当に選んで置くことにより
、絶縁層２３を所要の厚さを有するものとして得ること
が出来ると共に、金属導体Ｊ￥１２４を、酸素が格段的
に小なる郊：しか含才れていないか又は酸素が実質的に
含まれていない、金属導体層２４が酸素を含まない金属
導体で構成されているとした場合に於けると同様に低い
比抵抗を有するものとして形成することが出来るもので
ある。
然る后金属導体層２２に対する蝕刻を写真蝕刻法により
なして、詫・縁層６上に所要のパターンを以って絶縁層
２６を介して金属導体層２４に対向して廷長せる金属導
体層２５を形成しく第６図Ｆ）、Ｊυｆくて目的とせる
２層の′電極乃至酎”側層を構成してなる半導体装置を
得る。
なして、詫・縁層６上に所要のパターンを以って絶縁層
２６を介して金属導体層２４に対向して廷長せる金属導
体層２５を形成しく第６図Ｆ）、Ｊυｆくて目的とせる
２層の′電極乃至酎”側層を構成してなる半導体装置を
得る。
以上で本発明による、２層の電極乃至配線層を構成して
いる半導体装置及びその製法の実施例が明らかとなった
。
いる半導体装置及びその製法の実施例が明らかとなった
。
ル■る本発明ζこよる２層の電極乃至配線層を構成して
いる半導体装置（第６図Ｆ）の構成によれば、金絹梼体
層２２及び２５を′弓元柿乃至配＊＊、２層、絶縁層２
３をそれ等電極乃至配線ムラを互に絶縁せる層間分１４
１ｆ用絶縁層とせる、２層の電極乃至配線Ｊコを＋ｊ♂
（成していること明らかである。
いる半導体装置（第６図Ｆ）の構成によれば、金絹梼体
層２２及び２５を′弓元柿乃至配＊＊、２層、絶縁層２
３をそれ等電極乃至配線ムラを互に絶縁せる層間分１４
１ｆ用絶縁層とせる、２層の電極乃至配線Ｊコを＋ｊ♂
（成していること明らかである。
斯る第３１りＩＦに示す本発明による２層の電極乃至配
？ｉ、′１層を構成している半）Ｊｉ体装値によイ′１
はその２層の電イウｌ乃至配線層を構成している金属導
体Ｆｄ ２４は金ｉｒ＋れ」ｊ導体でなる。助る金属導
体でなる金属導体層２４は、酸素を含む金属導体層２１
より出発してイ４ｒられているか、その金属導体層２４
を、第６図Ｅにて上述せる熱処理工程に」：す、酸素を
実質的に含まないか含んでいるとしても格段的に小なる
景しか含んでないものとして？！？ることか出来る。従
って金ＩＡ４体層２４は、これを酸素を含まざる金松導
体と同程度に低い比抵抗を有するものとして得ることが
出来る。一方金属導体層２５は字句辿り金属導体でなる
。
？ｉ、′１層を構成している半）Ｊｉ体装値によイ′１
はその２層の電イウｌ乃至配線層を構成している金属導
体Ｆｄ ２４は金ｉｒ＋れ」ｊ導体でなる。助る金属導
体でなる金属導体層２４は、酸素を含む金属導体層２１
より出発してイ４ｒられているか、その金属導体層２４
を、第６図Ｅにて上述せる熱処理工程に」：す、酸素を
実質的に含まないか含んでいるとしても格段的に小なる
景しか含んでないものとして？！？ることか出来る。従
って金ＩＡ４体層２４は、これを酸素を含まざる金松導
体と同程度に低い比抵抗を有するものとして得ることが
出来る。一方金属導体層２５は字句辿り金属導体でなる
。
従って第３図Ｆに示す本発明による、２Ｊθの電極乃至
配線層を構成している牛２．〜゛・体装置によれば、そ
の２層の電４頚乃至配線層を構成している金Ｆｆｈ３ｊ
’Ｊ’体層２４及び２５を用いることにより、半導体装
置を高速度で動作するものとすることが出来るという大
なる特徴を有する。
配線層を構成している牛２．〜゛・体装置によれば、そ
の２層の電４頚乃至配線層を構成している金Ｆｆｈ３ｊ
’Ｊ’体層２４及び２５を用いることにより、半導体装
置を高速度で動作するものとすることが出来るという大
なる特徴を有する。
又第３図Ａ〜Ｆにて一ヒ述せる本発明による、２層の電
極乃全配線層の構成を有する半導体装置の製法によれば
、その２層の電槓乃千配線層を互に分離する絶縁層２６
が、１つの電極乃至配線層としての金槙導体層２４とな
る金属導体層２１上にこれと接触して延長せる金Ｉｆｊ
４Ｈｂ体層２２を形成して后の熱処理により金属導体層
２２より自己整合式に形成される。又他の１つの電極乃
至配線層としての♀属導体層２４を前述せる如く比抵抗
の小なるものとしてイ↓Ｉることか出来る。
極乃全配線層の構成を有する半導体装置の製法によれば
、その２層の電槓乃千配線層を互に分離する絶縁層２６
が、１つの電極乃至配線層としての金槙導体層２４とな
る金属導体層２１上にこれと接触して延長せる金Ｉｆｊ
４Ｈｂ体層２２を形成して后の熱処理により金属導体層
２２より自己整合式に形成される。又他の１つの電極乃
至配線層としての♀属導体層２４を前述せる如く比抵抗
の小なるものとしてイ↓Ｉることか出来る。
従って第３図Ａ、−Ｆにて上述せる本発明による、２層
のｔ極乃至配線層を構成している半導体装置の製法によ
れば、その２層の′電極乃至配線層を構成している半導
体装置を簡易な工程でより高密度に得ることが出来ると
共により高速で動作するものとして得ることが出来ると
いう大なる特徴を有する。
のｔ極乃至配線層を構成している半導体装置の製法によ
れば、その２層の′電極乃至配線層を構成している半導
体装置を簡易な工程でより高密度に得ることが出来ると
共により高速で動作するものとして得ることが出来ると
いう大なる特徴を有する。
尚上述ｌこ於ては、本発明を２層の電極乃至配線層を４
７’Ｊ成している半導体装置及びその製法に適用せる場
合の実施例を述べたが、３層以上の多層の電極乃至配線
層を構成している半導体装置及びその製法に本発明を適
用することも出来、勿論金槙導体層２１従って金属導体
層２４をＭｏ、Ｗ％Ｃｒ等以外の、合金を含む高融点金
属導体でなるものとすることも出来、又金属導体１ｉ！
２２従って金属導体層２５もＴａ 、 Ｔｉ 、 Ｎｂ
等以外の、合金を含む易酸化性高融点金属導体でなるも
のとすることも出来ること明らかであろう。
７’Ｊ成している半導体装置及びその製法に適用せる場
合の実施例を述べたが、３層以上の多層の電極乃至配線
層を構成している半導体装置及びその製法に本発明を適
用することも出来、勿論金槙導体層２１従って金属導体
層２４をＭｏ、Ｗ％Ｃｒ等以外の、合金を含む高融点金
属導体でなるものとすることも出来、又金属導体１ｉ！
２２従って金属導体層２５もＴａ 、 Ｔｉ 、 Ｎｂ
等以外の、合金を含む易酸化性高融点金属導体でなるも
のとすることも出来ること明らかであろう。
又上述ｆこ於ては本発明を２層の電極乃至配線層を構成
している半導体装置及びその製法に適用せる場合の実施
例を述べたが、要は上側の金属導体１ｅ２４に対応せる
第１の金属導体層と、その金属導体層に連接せる。上側
の絶縁層２６に対応せる絶縁１−と、その絶縁層と連接
し且その絶縁層を介して第１の金属導体層と対向してい
る、上側の金属導体層２５に対応せる第２の金属導体層
とを具備してなる構成の種々の半導体装置、及びその製
法に、本発明を適用し得ること明らかであろう。
している半導体装置及びその製法に適用せる場合の実施
例を述べたが、要は上側の金属導体１ｅ２４に対応せる
第１の金属導体層と、その金属導体層に連接せる。上側
の絶縁層２６に対応せる絶縁１−と、その絶縁層と連接
し且その絶縁層を介して第１の金属導体層と対向してい
る、上側の金属導体層２５に対応せる第２の金属導体層
とを具備してなる構成の種々の半導体装置、及びその製
法に、本発明を適用し得ること明らかであろう。
第１図Ａ−Ｅは、従来の２層の電極乃至配線層を構成し
ている半導体装置及びその製法の一例を、その製法を以
って示す、その製法の順次の工程に於ける路線的断面図
、第２図Ａ−Ｅは、従来の２層の″１１工極乃至配線層
を構成している半導体装置及びその製法の他の例を、そ
の製法を以って示す、その製法の順次の工程に於ける路
線的断面図、第６図Ａ−Ｆは本発明を２層の電極乃至配
線層を構成している半導体装置及びその製法に適用せる
場合の実施例を、その製法を以って示す、その製法の順
次の工程ｔこ於ける路線的断面図である。 図中１は半導内基板、６は絶縁層、２１は酸素を含む金
属導体層、２２は金属導体層、２３は絶縁層、２４及び
２５は金属導体層を夫々示す。 ２１１− ０ ｃＬｌ 第２図 第３図 ２１２−
ている半導体装置及びその製法の一例を、その製法を以
って示す、その製法の順次の工程に於ける路線的断面図
、第２図Ａ−Ｅは、従来の２層の″１１工極乃至配線層
を構成している半導体装置及びその製法の他の例を、そ
の製法を以って示す、その製法の順次の工程に於ける路
線的断面図、第６図Ａ−Ｆは本発明を２層の電極乃至配
線層を構成している半導体装置及びその製法に適用せる
場合の実施例を、その製法を以って示す、その製法の順
次の工程ｔこ於ける路線的断面図である。 図中１は半導内基板、６は絶縁層、２１は酸素を含む金
属導体層、２２は金属導体層、２３は絶縁層、２４及び
２５は金属導体層を夫々示す。 ２１１− ０ ｃＬｌ 第２図 第３図 ２１２−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 第１の金属導体層と、該第１の金属導体層と連接
せる絶縁層と、該絶縁層と連接し且上記絶縁層を介して
上記第１の金属層と対向している第２の金属導体層とを
具備してなる半導体装置に於て、上記第１及び第２の金
属導体層が互に異なる組成を有する金属導体でなり、上
記絶縁層が上記第２の金属導体層を構成している金属と
同じ金属が熱酸化さｎ、でなる金属酸化物層でなること
を特徴とする半導体装置。 ２、酸素を含む第１の金属導体層と、該第１の金属導体
層とは組成の異なる金属でなる第２の金属導体層とが互
に連接している構成を得る工程と、 熱処理により、上記第１の金属導体層が含む酸素を、上
記第２の金属導体層の上記第１の金属導体層と接触して
いる側の表面領域に導入せしめて当該表面領縫の金属導
体と反応せしめることにより、上記表面領域を、その全
組導体が酸化さｎてなる金属導体酸化物饅でなる絶縁層
に形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121601A JPS5821846A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 半導体装置及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121601A JPS5821846A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 半導体装置及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821846A true JPS5821846A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14815286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121601A Pending JPS5821846A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 半導体装置及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821846A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088473A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-08-03 JP JP56121601A patent/JPS5821846A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088473A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
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