JPH05500679A

JPH05500679A - ネマチック液晶混合物類およびマトリックス液晶ディスプレイ

Info

Publication number: JPH05500679A
Application number: JP3506817A
Authority: JP
Inventors: リーガー，ベルンハルト; ライフェンラート，フォルカー; ヒチヒ，ラインハルト
Original assignee: メルク　パテント　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフトング
Priority date: 1990-04-02
Filing date: 1991-03-27
Publication date: 1993-02-12
Anticipated expiration: 2016-03-12
Also published as: DE69111539T2; JP3369542B2; JP3144801B2; US6180026B1; EP0476104B1; WO1991015555A2; JP3273770B2; EP0476104A1; JP3222443B2; JP2001131549A; US6083423A; US6649088B1; JP2000096056A; WO1991015555A3; JP2000109839A; DE69111539D1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】ネマチック液晶混合物類およびマトリックス液晶ディスプレイ本発明は、グーチータリー曲線の第２またはそれ以上の透過極小において操作されるアクティブマトリックス液晶ディスプレイ（ＡＭＤ）およびそのようなＡＭＤに使用するための、例えば投射システム用の高い光学異方性を有する安定なネマチック液晶組成物に関する。

アクティブマトリックスディスプレイ（ＡＭＤ）は高い情報量を有する商業的に興味のあるディスプレイとして非常に好まれている。そのようなＡＭＤはＴＶ用途に、また、例えばうγブト・ｙグ、自動車および飛行機用のディスプレイとして使用される。

ＡＭＣは各画素に集積される非線形スイッチング素子を有している。　ＩＰ線形駆動素子として、ＦｉＭトランジスタ（ＴＰＴ）［Ｕ、オークボ（０ｋｕｂｏ）等、８２年版ＳＩＤダイジェスト、４０〜４１頁（１９８２）　］　ｔたはダイオード（例えば、金属−絶縁体一金属：ＭＩＭ’）［Ｋ、　ニワ（Ｎｉｗａ）等、８４年版ＳＩＤダイジェスト、３０４〜３０７頁（１９８４）　］を適用することができる。これらの非線形駆動素子は、良好な視角特性を得ることができる場合に、かなり平坦な電気光子特性を有する電気光学効果を使用することを可能とする。

そこで、９０°の範囲内のねじれ角を有するＴＮ型のＬＣセル［Ｍ、シャット（Ｓｃｈａｄｔ）およびＷ、ヘルフリッヒ（ＨｅＩｆｒｉｃｈ）　、Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、１８巻、１２７頁（１９７１）　］を使用することができる。広い視角に互って良好なコントラストを得るために、第一の透過極小の領域での操作［Ｌ。

ボール（Ｐｏｈｌ）　、Ｒ，アイデンシンク（Ｅｉｄｅｎｓｃｈｉｎｋ）、Ｆ。

ピノ（Ｐｉｎｏ）およびＧ、ウェーバ−（Ｗｅｂｅｒ）、独国特許ＤＢＰ　３０２２８１８　（１９８０）および米国特許４３９８８０３（１９８１）。

Ｌ、ボール、Ｇ、ウェーバ−１Ｒ，アイデンシンク、Ｇ。

バウル（Ｂａｕｒ）およびＷ、ヘーレンバツハ（Ｆｅｈｒｅｎｂａｃｈ）、Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　ｔｅｔｔ、、３８巻、４９７頁（１９８１）　；　Ｇ、　ｔニーバー、Ｕ、フインゲンゼラー（Ｆｉｎｋｅｎｚｅｌｌｅｒ）　、Ｔ、ギールハール（Ｇｅｅｌｈａａｒ）　、Ｈ、Ｊ　、プラク（ＰｌａＣハ）、Ｂ。

リーガー（Ｒｉｅｇｅｒ）およびり、ボール、液晶に関する国際会議（Ｉｎｔ、　５ｙ１ｐ、　ｏｎ　ｔｔｑ、ｃｒｙｓｔ、）　、　７ライブルク（１９８ｇ）、「液晶（Ｌｉｑ、　Ｃｒｙｓ、）に発表予定」］が好ましい、これらのＡＤＭは直視および投射型ＴＶ用ディスプレイに特に非常に適しており、したがって商業的に非常に興味のあるものである。これらの用途に対し、液晶のある物性がパッシブＴＮディスプレイに対するより６より重要になる。ＡＭＤの性能に関するある種の重大な特性には液晶の固有抵抗−並びにＵＶおよび熱安定性がある［Ｓ、トガシ（Ｔｏｇａｓｈ　ｉ　）、Ｋ、セキグチ（Ｓｅｋ　ｉｇｕｃｈ　ｉ　）、Ｈ，タナベ（Ｔａｎａｂｅ）　、　Ｅ、ヤマモト（ＹａｎａＩｌｏｔｏ）　、に、ソリマチ（Ｓｏｒｉｍａｃｈｉ）、Ｅ、タリｖ（Ｔａｊｉｎａ）　、Ｈ−ワタナベ（Ｗａｔａｎａｂｅ）　、　Ｈ，シミズ（５ｈｉ１ｚｕ）、Ｐｒｏｃ、　ＥｕｒｏｄｉｓｐｌａＬｕ（１９８４年９月）：「二段ダイオードリングによって制御されるＡ２１０〜２８８マトリツクスＬ　ＣＤ　（Ａ　２１０−２８８　Ｈａｔｒ’＋ｘ　ＬＣＤＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　ｂｙ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｓｔａｇｅ　Ｄｉｏｄｅ　Ｒｉｎｇｓ）　Ｊ　、１４１頁以降、パリ：Ｈ，ストロマー（５ｔｒｏ１１ｅｒ）、Ｐｒｏｃ、　Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａｙ　８４　（１９８４年９月）二ｒテレビ用液晶ディスプレイのマトリ・ｙクスをアドレスするための薄膜トランジスタの設計（Ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　Ｔｈ１ｎ　ＦｉｌｌＩＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｆｏｒ　ＭａｔｒｉｘＡｄｄｒｅｓｓｉｎｇ　ｏｆ　Ｔｅｔｅｖｉｓｉｏｎ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙｓ）　Ｊ　、１４５頁以降、バリコ、ＵＶ照明の固有抵抗に、したがってディスプレイ中の液晶混合物の一般的性能に及ぼす悪影響の問題がしばしば生じる。

ＡＤＭにおいて、非線形スイッチング素子はマルチブレックス式にアドレスされる。その結果、これらの素子は活動状態にある限られた時間内に画素の電極に通電する０次に、スイッチング素子はそれらが次のサイクルで再びアドレスされるまで不活動状態になる。したがって、アクティブ化されたく通電された）画素の電圧の変化はそのようなディスズレイの望ましくないが非常に重要な特徴である。

画素の放電は２つのファクターによって決定される。これらのファクターは液晶を含む画素素子の容量および＠極間の誘電材料、すなわち液晶の固有抵抗である１画素における電圧の固有′ｆ４表時定時定数Ｃ時間）は２アドレスサイクル間の時間＜１　）より著しく大きくなくてはならない。

ａｄｒ。

ＡＭＣの性能を説明するのにしばしば使用されるパラメーターは以下の式で表される画素の電圧保持率、ＨＲである。

Ｖ　（ｔｏ）　＋Ｖ　（ｔｏ＋ｔａｄｒ、）画素における電圧は指数関数的に減衰するので、保持率が増大し、非常に高い固有抵抗を有する液晶材料を必要としている。

ディスプレイ内の液晶の固有抵抗に関する幾つかの重要な点、例えば配向層、配向物質のキュア条件がある。しかしながら、使用される液晶の電気特性があまり重要でないと言うのでは決してない、特に、ディスプレイ中の液晶の固有抵抗は画素における電圧降下の大きさを決定する。

低△ｎ物質に関する初期の研究において、固有抵抗およびＵＶ安定性に関する要件およびＴＰＴに適用した場合の固有抵抗の温度依存性は末端基としてシアン系成分を含有する物質では満たすことができないことが示された。ハロゲン化末端基を含む非シアノ系物質は従来使用されたシアン系物質より一層良好な固有抵抗およびＵＶ安定性並びに優れた粘度値を示すことができる。しかしながら都合が悪いことに、これらの非シアノ系物質は一般に、特に低温においてスメクチック相を形成する強い傾向を示す、また、ハロゲン化末端基を有する非シアノ系物質の透明点および誘電異方性値ははるかに低い。

現代の商業的混合物は広い温度範囲に亘って機能せねばならない。したがって、低温でのスメクチック相の晶出または形成は排除する必要がある。ネマチック混合物の開発に際しての液晶混合物の使用性の最も重要な先決条件の１つは良好な溶解性である。それゆえ、高融点のまたはスメクチ・ｙり相形成性の化合物は適さない。

成分を非常に注意深く選択し、かつ適切な混合物を設計することによって、第一の極小で適用するための広いネマチック温度範囲を有する低複屈折性の非シアノ系混合物を見出すことができな［Ｂ、リーガー等、第１８回液晶に関すルフライブルク研究会議会報（Ｐｒｏｃ、　１８．　Ｆｒｅｉｂｕｒｇｅｒ　Ａｒｂｅｉｔｓｔａｇｕｎｇ　ＦＩＬＩＳＳＩＣｌｋｒｌＳｊａｌｌｅ）、１９８９年フライブルク、１６頁（１９８９）　］　、本発明の混合物概念に必要である高複屈折性の非シアノ系物質は、都合の悪いことに低複屈折性の類似物質より高融点、および／または強いスメクチック形成性等の一層好ましくない特性を示す場合が多い。

グーチータリー曲線の第二以上の透過極小での操作に適した複屈折性を有する従来技術に述べられた混合物はアクティブマトリックス用としては受容できない。

したがって、高い固有抵抗およびＡＭＣに使用するのに適した他の物質特性を有する液晶組成物をなお大いに必要としている。

本発明の目的の１つは、少なくとも＋４の正の誘電異方性△εおよび少なくとも０．１２の複屈折性△ｎを有するネマチック液晶混合物であって、以下の母梢遣（ただし、Ｌ　、Ｌ２、ＹおよびＺは、それぞれ互いに独立してＨまたはＦであり、ＱｌおよびＱ２の一方は１．４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−）ユニレンまたは３．５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、そしてよびＺの少なくと６１つがＦである場合は、単結合でもある。またこの骨構造は必要に応じてそのベンゼン環がさらに弗素化されてもよい）を有する１種またはそれ以上の成分を含有することを特徴とするネマチック液晶混合物を提供することにある。

また、本発明は、高温およびＵＶ安定性を有し、ｄ・Δ：を適切に選択することによってグーチータリー曲線の第二以上の透過極小で操作される、 −　フレームと共に厚さｄのセルを形成する２枚の平らな平行支持板、 −前記支持板上の個々の画素を切り替えるための集積非線形素子、および −前記セル中に存在する、正の誘電異方性および複屈折性Δｎを有するネマチック液晶混合物を含有するマトリックス液晶ディスプレイであって、ＵＶた後の電圧保持率ＨＲ２０のＵＶ線に露光する前の電圧保持率ＨＲｏに対する商が９８％以上であることを特徴とするマトリックス液晶ディスプレイ、そしてまた他の要求にも適う非常に高い固有抵抗を有する液晶組成物を提供することも目的とする。

ＨＲのそのような値がラテラルに弗素化されたおよび／またはエチル結合された非シアノ系物質を用いることによってより高い複屈折性の混合物にさえ可能となることをここに見出した。非常に高いＲＣ時間値がＡＭＤに達成することができる。これらの混合物はまた粘度の低下を示しかつかなり高いしきい電圧において短いスイッチング時間も可能とする。

ＡＭＤの厚さは３〜１０μｍの範囲であるのが好ましい。

３〜７ｊｍの範囲であるのが特に好ましい。

以下の好ましい実施態様はＡＭＤ中に存在するネマチック液晶混合物に関するものである。

ネマチ・ｙり液晶混合物の複屈折性△ｎは０５１２〜０゜２０であり、０．１３〜０．１８が好ましい。

ネマチック液晶混合物の誘電異方性は少なくとも＋４゜０である。

液晶混合物は式ＩＲは１０個までの炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシであり、ｒはＯまたは１であり、ＸＣ，ｌｔＦ、ＣＩまたは１．２またはそれ以上の炭素原子を有する弗素化および／または塩素化アルキル、アルケニルまたはアルコキシ基であり、そしてＬｌ、Ｌ２、Ｑｌ、Ｑ２、ＹおよびＺは上に示した意味である）の１種またはそれ以上の化合物を含んでいる。

（式中、Ｒは１０個までの炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシであり、ｒはＯまたは１であり、ＸはＦ、ＣＩまたは１．２またはそれ以上の炭素原子を有する弗素化および／または塩素化アルキル、アルケニルよたはアルコキシ基であり、そしてＬｌ、Ｌ２、Ａ、ＹおよびＺは上に示した意味である。

ただし、Ｌ　、Ｌ２、ＹおよびＺの少なくとも１つはＦである）の１種またはそれ以上の化合物を含んでいる。

（式中、ｎは１〜７であるのが好ましく、そしてＸはＦ、Ｃ１、ＣＦ　、ＯＣＦ　＊たは０ＣＨＦ２であル）カラ成６群の１種またはそれ以上の化合物を含んでいる。

上に示した化合物類は、例えば００５３．０４２３９１　、ＤＯＳ　３９０２３２８　、ＤＯＳ　３９１３５５４　、ＤＯＳ　３９０９８０２　、ＷＯ８９１０２８８４、ＷＯ９０／１５１１３　、誓０９０１０９４２０　、国際特許出願番号ＰＣＴ／ＥＰ　９０１０１２９２　、ＰＣＴ／ＥＰ　９１１００４１１　、ＰＣＴ／ＥＰ　９０１０１４７１　、ＰＣＴ／ＥＰ　９０１０２１０９および欧州特許出願番号９１１００６７５．７から公知であるか、または公知の化合物に準じて製造することができる。

通常、本発明の混合物は表示のａｍ造を有する中位極性の成分および他の非シアノ系成分を基にしたものである。

しかしながら、例えばＴＮまたはＳＴＮ用の、ＨＲに関し極めて高い値を必要としない場合、そのような混合物はさらに公知のシアン系ＬＣ成分も含むことができるのはもちろんである。そのような混合物は極めて高い△ｎ値を調節するためにトラン成分も含む。゛、とができる。得られた混合物は非常に低い温度（野外用途）を含む非常に広いネマチック相範囲を達成するために重要である。

本発明の混合物の非常に有利な特性はｆ構造を有する成分を用いて得られる。

残存末端基の性質は余り重要ではなく、非常に多くの無極性および中位極性のハロゲン化末端基を首尾よく使用することができる。ＸおよびＹ”Ｃ″置換れた環に位置する末端基はＦ、Ｃ１ｔ、たは１．２もしくはそれ以上の炭素原子を有する弗素化および／または塩素化アルキル、アルコキシまたはアルケニル基のような中位の極性の基である。好ましい基はＦ、Ｃ１，ＣＦ　、ＯＣＦ　、ＣＨＦ２、０ＣＨＦ２、○ＣＦ２Ｃｌ、０ＣＦ２ＣＦ２Ｈである。

池の末端基はＲ，Ｈの、Ｒ（可）　Ｃ１号２Ｈ４、それぞれの場合に１０個までの炭素原子を有するアルキル、アルコキシ、オキザアルキル、ジオキサアルキル、アルクニル、フルオロアルキル、またはクロロアルキル基であるのが好ましい。

本発明の混合物の製造は通常の方法で行われる。一般に、少量で使用される所望の量の成分を好ましくは高温で主成分となる成分に溶解させる４この温度を主成分の透明点以上て゛あるように選択する場合、溶解工程が完全に達成されたことが特に容易に認められる。

しかしながら、適切な有機溶媒、例えばアセトン、クロロホルムまたはメタノールに各成分の溶液を混合することも可能である。そして、溶媒を除去することによって汚染物または望ましくないドーパントの導入が防げる。

適切な添加剤によって本発明の液晶相は、従来開示された種類のＡＭＣに使用することができるように改質することかできる。本発明の混合物はＰＤＬＣ型システムを含むアクティブマトリックス投射システムに使用するのが特に好ましい。

以下の実施例は本発明を説明するもので、本発明を限定するものではない、実施例において、液晶物質の融点および透明点は℃表示である。パーセントは重量基準である。

ＨＲの測定はスペーサを有しない標準６μＴＮデイスプレイ中て゛Ｓ、マツモト（Ｍａｔｕｓｉｏｔｏ）等Ｕ液晶、５巻、１３２０頁（１９８９）　］によって記載されているように行った。配向層として導電性ＩＴＯ層［バルザース（Ｂａ１ｚｅｒｓ）］および研磨ポリイミド層（ＡＬ−１０５１、日本合成ゴム製）を有する標準フロートカラスを使用した。セルはＵ■硬化性接着剤［Ｎ０Ａ−６１、ノーランド（Ｎｏｒｌａｎｄｊ製］で封止し、標準条件で充填した。液晶混合物は標準手順の下に注意深く精製した成分から成るものであった。ＵＶ露光はキセノンランプ（１，１ｋｗ、０．０８２Ｗ／ｃ１２．ＵＶ、ｉ断：３１０ｎｎ）を用いてヒリアスーサンテスト（Ｈｅｒａｅｕｓ−３ｕｎｔｅｓｔＪ中で行った。

本願および以下の実施例において、ＬＣ化合物の化学構造は全て頭字語によって示す。それらの化学式への変換は以下に示すように行われる。基ＣｎＨ２ｎ＋１およびＣＩＩ　Ｈ２１！＋１は全てそれぞれ口およびｍ個の炭素原子を有する直猪アルキル基である。表Ｂにおける符号は自明である。

表Ａにおいて、母構造に関する頭字語だけを示す。具体的な化合物において、この頭字語は夕・ｙシュおよび以下のような置換基Ｒ、Ｒ、Ｌ　およびＬ２に間する符号を伴表　Ａの（■ ＣＩ）ｃｐ’ｒｐＣＦＩｙｒＰＤｒｌ！トｎＩｌｌＮｃ５３−ｔＭｍＯ３−ｒｍ　ＧＩＥ肛亡トｒｕｎ　Ｑコ１−ｎｌ＆＋Ｔ−ｎＦｎ　ＢＣｆｌ−Ｉｍｒ実施例１　実施例２ＣＦＥＴ−５Ｆ　２０％　ＣＦＥＴ−５１１７％ＣＦＥＴ−５ＣＩ　１０％　ＣＦＥＴ−５ＣＩ　８．５％ＦＥＴ−５Ｆ　３０％　ＦＥＴ−５Ｆ　２５．５％ＦＥＴ−５ＣＩ　３０％　ＦＥＴ−５ＣＩ　２５．５％ＥＢＣＩＩ−３Ｆ　１０％ＥＢＣＨ−３１８，５％ＦＥＴ〜３Ｆ１５％実施例３　実施例１ＩＣＦＥＴ−５Ｆ　１７％　ＣＦＥＴ−５Ｆ　１７％ＣＦＥＴ−５ＣＩ　８．５％　ＣＦＥＴ−５Ｃ＋　８．５％ＦＥＴ−５Ｆ　２５．５％　ＦＥＴ−５Ｆ　２５．５％ＦＥ丁−５ＣＩ　２５．５％　ＦＥＴ−５Ｃ１２５，５％ＥＢＣＨ−３Ｆ　８．５％　ＦＢＣＩ−３Ｆ　８．５％ＥＳＣＩイー５Ｆ　８．５　％　ＰＣＨ −５Ｃ１７，８％Ｅ８ＣＨ−３ＣＩ　８．５％　ＰＣＨ−７ＣＩ　７．２％実施例５　実施例６ＣＦＥＴ−５Ｆ　１０％　ＣＦＥＴ−５Ｆ　１０％ＣＦＥＴ−５Ｃｌ　１０’；、”　ＣＩＩ　ｌ−、’ｉＣｌ　１０．ＸＦＥＴ−５Ｆ　２５％　ｌ’ｔ、１− ５ｔ　２０．ＸＦ　Ｅ　Ｔ　−５ＣＩ　１５９ｉ、　Ｉヒｌ−５ＣＩ　ｌＯ／ＰＣＨ−５ＣＩ　２０％　ＰＣｌｌ−５ｃ１　１０％ＰＣＨ−５ＣＩ　２０％　ＰＣＨ−７ＣＩ　１０％Ｔ−３Ｆ２　１５％Ｔ−２Ｆ３　１’５％実施例７　実施例８ＣＦＥＴ−５Ｆ　１６．９％　ＣＦＥＴ−５Ｆ　１７％ＣＦＥＴ−５ＣＩ　８．５％　ＣＦＥＴ−５ＣＩ　８．５％ＦＥＴ−５Ｆ　２５．３％　ＦＥＴ−５Ｆ　２５．５％ＦＥＴ−５ＣＩ　２５．３％　ＦＥＴ−５ＣＩ　２５．５％ＥＢＣＨ −３Ｆ　８．５％　ＥＢＣＨ−３Ｆ　８．５％ＥＣＣＰ−３ＣＩ　１５．５％　ＰＣｌｌ−５Ｆ　７．６％ＰＣＨ−６Ｆ　７．４％実施例９ＣＦＥＴ−５Ｆ　１２．５％ＣＦＥＴ−５ＣＩ　６．２％ＦＥＴ−５Ｆ　１８．６％ＦＥＴ−５ＣＩ　１８．６％ＥＢＣＨ−３Ｆ　６．２％ＥＳＣ）Ｉ−５Ｆ　９．５％Ｐｃ１（−５ＣＩ　９．５％ＦＥＴ−３Ｆ　９．５％実施例　融点／Ｓ−Ｎ　透明点　Δ口　△ε（”Ｃ）　（’Ｃ）１　−１３　１０４　０．１８９２　−１０　９５　０．１８７３　−２４　９８　０．１７６　５．０４　＜−４０８７０，１７１５＜−４０６３０，１４５６＜−４０７５０，１４２７−２５１１２０，１７８８＜−４０８００，１７２上に示した混合物は全てＨＲ２０／ＨＲ０≧９８％を示し、よってＡＭＤ用の高 △ｎ混合物として非常に価値がある。

実施例１０ＢＣ）！−３Ｆ、Ｆ　１８％　Ｓ−Ｎ　＜　−４０゜８（、Ｈ−５Ｆ、Ｆ　１８％　Ｎ→Ｉ　９７゜ＢＣＨ−５ＣＦ３４．３％　△ｎ　０．７２９ＥＢＣＨ−３Ｆ　１４．５％　△ε　６．■ＥＣＣＰ−３Ｆ、Ｆ　１４．７％　２０時間日光試験後のＨＲ：ＥＣＣＰ−５ＣＦ３７．５％　９８．９％ＢＥＰ−２０Ｆ　２．５％ＥＴ−５Ｆ　５．０％実施例１１ＣＦＥＴ−３Ｆ　２０．０　％　Ｓ−Ｎ［”Ｃコ　〈−４０ＣＦＥＴ−５Ｆ　１０．０％　透明点　＋９４ＦＥＴ−３Ｆ　３０．０％　粘度［１ｉ２Ｓ−’　］２２０℃　３５ＦＥＴ−５Ｆ　３０．０％　△　ｎ　（５８９ｎｎ、　２０℃　）　＋０．１８１４ＥＢＣＨ−３Ｆ　１０．０％　△　ε　（１ｋＨｚ、　２０ ℃　）　−５，４１実施例１２ＰＣＨ−５Ｆ　８．０％　Ｓ−＋Ｎ　［’Ｃ］　＜−４０ＰＣＨ−６Ｆ　８．０％　透明点［”Ｃ］　＋９３ＰＣＨ−７Ｆ　８．０％　粘度［ｉｎＳ］２０℃　２２ＦＥＴ−３Ｆ　６．０％　△ｎ、（５８９ｒ＋＋ｇ、２０℃）　÷０．１３０５ＦＥ丁−５Ｆ　４．０％　△　ε　（１ｋＨｚ、　２０℃　）　中４．５１ＣＦＥＴ−３Ｆ　８．０％　■（１ｏ、ｏ、２ｏ）［ｖ］２．６４ＣＦＥＴ−５Ｆ　９．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１４．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１３．０％ＢＣＨ−５２Ｆ　８．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％ＥＣＣＰ−３０ＣＦ３　７．０％実施例１３ＰＣＨ−５Ｆ　８．０％　Ｓ→Ｎ［”Ｃ］　＜−４０ＰＣＨ−６Ｆ　８．０％　透明点［’Ｃ］　−］９１ＰＣＩ＋−７Ｆ　８．０％　粘度［ｍｎ２Ｓ−’］２０℃　２２ＦＥＴ−３Ｆ　６．０％　△ｎ　（５８９ｒ＋ｎ、２０°Ｃ）　＋０．１２９６ＦＥＴ−５Ｆ　４．０％　△ε　（１ｋＨｚ、　２０℃）　−４，８３ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　８．０％　Ｖ　（１ｏ、ｑ、２ｏ　）　［Ｖｌ　２．５８ＣＦＥＴ−５Ｆ　９．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　’　１４．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１３．０％ＢＣＨ−５２Ｆ　８．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％ＥＣＣＰ−３０ＣＦ３　７．０％実施例１４ＰＣＩ−５Ｆ　８．０％　透明点［−Ｃ］　］÷７７ＰＣＨ−６Ｆ　８．０％　 △　ｎ　（５８９ｎｉ、　２０℃　）　＋０．１２２５ＰＣＨ−７Ｆ　８．０％　ｖ　（ｉｏ、ｏ、２ｏ　）　［ｖ］　２．２１ＦＥＴ−３Ｆ　６．０％ＦＥＴ−５Ｆ　４．０％ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　８．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ　９．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　１４．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１３．０％ＢＣＨ−５２Ｆ　８．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％ＥＣＣＰ−３０Ｃｒ、　７．０％実施例１５ＰＣＨ−５Ｆ　７．６％　透明点［’Ｃ］　］＋８２ＰＣＨ−６Ｆ　７．６％　 △　ｎ　（５８９ｎＩｌ、　２０℃　）　−０，１２１０ＰＣＨ−７Ｆ　７．６　％　ｖ　（１ｏ、ｏ、２ｏ　）　［ｖ　コ　２，２５ＦＥＴ−３Ｆ　５．７％ＦＥＴ−５Ｆ　３．８％ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　７．６％ＣＦＥＴ−５Ｆ　８．５％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　１３．３％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１２．３％ＢＣＨ−５２Ｆ　７．６％ＣＢＣ−３３Ｆ　１．９％ＣＢＣ−５３Ｆ　２．９％ＣＢＣ−５５Ｆ　１．９％ＥＣＣＰ−３０ＣＦ３　６．７％Ｃ１’−４Ｆ　５．０％実施例１６ＰＣＨ−５Ｆ　７．６％　透明点［”Ｃ］　］＋８７ＰＣＨ−６Ｆ　７．６％　 △　ｎ　（５８９ｎｎ、　２０°Ｃ）　＋０．１２６０ＰＣ１１−７Ｆ　７．６％　ｖ　（ｉｏ、ｏ、２ｏ　）　［Ｖｌ　２．３３ＦＥＴ−３Ｆ　５．７％ＦＥＴ−５Ｆ　３．８％ＣＦＯ−３Ｆ、Ｆ　７．６％ＣＦＥＴ−５Ｆ　８．５％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　１３．３％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１２．３％ＢＣＨ−５２Ｆ　７．６％ＣＢＣ−３３Ｆ　３．９％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．９％ＣＢＣ−５５Ｆ　３．９％ＥＣＣＰ−３０ＣＦ３　６．７％実施例１７ＰＣＢ−５Ｆ　５．０％　透明点［’Ｃ］　＋８６ＰＣＨ−６Ｆ　８．０％　△ 　ｎ　（５８９ｎ１１、２０℃　）　、０．１３７９ＰＣＨ−７Ｆ　４．０％　Ｖ　（ｉｏ、ｏ、２ｏ　）　［Ｖ　］　２−１９ＦＥＴ−３Ｆ　８．０％ＦＥＴ−５Ｆ　７．０％ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ　９．０％ＢＣＨ−３Ｆ、　Ｆ　ｉ２．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１２．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　６．０％８ＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１２．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％実施例１８ＰＣＨ−５Ｆ　８．０％　透明点［”Ｃ］　＋９１ＰＣＨ−６Ｆ　８．０％　粘度［ｌ１ｌＩＳ］２０℃　２３ＰＣＨ−７Ｆ　７．０％　△　ｎ、（５８９ｎ１１、２０℃　）　＋０．１４４９ＦＥＴ−３Ｆ　６．０％　Ｖ　（１ｏ、ｏ、２ｏ　）　［Ｖ］　２．６６ＦＥＴ−５Ｆ　４．０％ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　８．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ　９．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１４゜０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１３．０％ＰＴＰ−１０２４，０％ＦＴＰ−２０１４，０％ＣＢＣ−３３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％ＥＣＣＰ−３０ＣＦ３　７．０％実施例１９ＰＣＨ−５Ｆ　５．０％　透明点ビ（：　］　］＋８６ＰＣＨ−６Ｆ　８．０％　△　ｎ　（５８９ｎｉｍ、　２０”Ｃ）　＋０．１３７０ＰＣＨ−７Ｆ　４．０％　Ｖ　（ｉｏ、ｏ、２ｏ　）　［Ｖ］　２．０５ＦＥＴ−３Ｆ　８．０％ＦＥＴ−５Ｆ　７．０％ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　９．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１２．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１２．０％ＢＣＨ−３Ｆ、　Ｆ汀　６．０％ＢＣＩ（−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１２．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＴＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％実施例２０ＰＣＨ−５Ｆ　５．０％　透明点［”Ｃ］　−］８５ＰＣＨ−７Ｆ　４．０％　 △　ｎ　（５８９ｎｌ、　２０°（：　）　＋０．１３６０ＦＥＴ−３Ｆ　７．０％　ｖ　（１ｏ、ｏ、２ｏ　）　［ｖ］　２．００ＦＥＴ−５Ｆ　７．０％ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−５Ｆ、　Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　１２．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％実施例２１ＰＣＨ−５Ｆ　６．０％　透明点［℃］　糧９３ＰＣＨ−６Ｆ　９．０％　粘度［ｎｉＳ］２０°Ｃ３２ＦＥＴ−３Ｆ　７．０％　△　ｎ　（５８９ｎｉ、　２０℃　）　十〇、＋３９５ＦＯ−５Ｆ　７．０％　■（１０，０，２０＞　［ｖ：ｌ　２．１３ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　ｉｏ、ｏ％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　１２．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　３．０％実施例２２ＰＣＨ−５Ｆ　８．０％　Ｓ→ＮＥ”Ｃ］＜−３０ＰＣＨ−６Ｆ　８．０％　透明点［’Ｃ］　＋８９ＰＣＨ−７Ｆ　８．０％　粘度［ｉｎＳ］２０℃　２５ＦＥＴ−３Ｆ　６．０％　△　ｎ　（５８９ｎＴＩ、　２０″Ｃ）　十０．１２７３ＦＥＴ−５Ｆ　４．０％　”　（１０，０，２０）　［Ｖ］　２．５３ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　８．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　９．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１ａ、ｏ％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１３．０％ＢＣＨ−５２Ｆ　８．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％ＥＣＣＰ−３０ＣＦ３　７．０％実施例２３ＰＣＨ−５Ｆ　９．０％　透明点［”Ｃ］　＋９０ＰＣＨ−６Ｆ　９．０％　Ａ　ｎ　（５８９ｎＴＩ、２０℃）　＋０．１３８３ＦＥＴ−５ＣＬ　１５．０％　ｖ　＜　１０．ｏ、２＋）　）　［■］　２．５６ＦＥＴ−３ＣＬ　１５．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１２．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１２．０％ＣＣＰ−３０ＣＦ３　５．０％ＣＣＰ−５０ＣＦ３　５．０％ＦＣＣＰ−３Ｆ、Ｆ　４．０％ＥＣＣＰ−５Ｆ、Ｆ　３．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　４．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　４．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　３．０％実施例２４ＰＣＨ−５Ｆ　９．０％　透明点［’Ｃ］　］＋９４ＰＣＨ−６Ｆ　９．０％　 △ｎ　ｆ５８９ｎｎ、２０℃）◆０．１２３１ＦＥＴ−５ＣＬ　１５．０％　Ｖ　（１ｏ、ｏ、２ｏ　）　１ＶＥ　２．８２ＦＥＴ−３Ｃ１１５，０％ＣＣＰ−２０ＣＦ３　５．０％ＣＣＰ−３０ＣＦ３　５．０％ＣＣＰ−４０ＣＦ３　５．０％ＣＣＰ−５０ＣＦ３　５．０％ＥＣＣＰ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＥＣＣＰ−５Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　４．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　４．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　４．０％実施例２５Ｂ−３０ＣＦ３　８．０％　透明点［’Ｃ］　６５．９８−５０ＣＦ３　１０．０％　△ｎ−ｆ５８９ｎ１１．２０’Ｃ）　０．１２１５Ｂ−７０ＣＦ３　１０．０％ＣＣＰ−２０ＣＦ３　８．０％ＣＣＰ−３０ＣＦ３　１０．０％ＣＣＰ−４０ＣＦ３　５．０％ＣＣＰ−５０ＣＦ３　１２．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１４．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１４．０％ＰＥＵＰ−２０Ｆ、Ｆ　３．０％ＰＥＵＰ−２００ＣＦ３　３．０％ＰＥＵＰ−２０Ｆ　３．０％実施ＰＡ２６ＣＬＰＰ−５Ｆ、Ｆ　５．０％　Ｓ→Ｎ　［”Ｃ］　＜。

ＢＥＰ５Ｆ、　Ｆ　１０．０％　透明点［’Ｃｌ　す９７ＦＥＴ−３Ｆ　８．０％　△ｎ　（５８９ｎｎ、２０°Ｃ）　Ｑ、１６６０ＦＥＴ−５１１１，０％　 △ε（１ｋＨｚ、２０℃）７．６ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　７．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　７．０％ＣＦＥＴ−３Ｆ　２．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ　’　６．０％ＢＣＨ−２Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　７．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　７．０％実施例２７ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　２０．０％　透明点［℃コ　＋９９ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　２０．０％　△　ｎ　（５８９ｎＴ１、２０°Ｃ）　＋０．１８５５ＦＥＴ−３Ｆ　３０．０％　Ｖ（１０，０，２０）　ＥＶコ　２．７１ＦＥＴ−５Ｆ　３０．０％実施例２８ＢＣ）Ｉ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　３０．０％　透明点［”Ｃコ　＋７９ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　５０．０％　粘度［＋ｎｎ２Ｓ−１］　４１ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％　△ｎ　ｆ５８９ｎｎ、２０°Ｃ）　＋０．１３７５ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　１０．０％　Ｖ　（１（１，（１４ｏ　）　［Ｖ］　１−４”実施例２９ＰＣＨ−５Ｆ　８．０％　Ｓ−Ｎ［’Ｃ］　＜−３０ＰＣ）Ｉ−６Ｆ　８．０％　透明点Ｅ　”Ｃコ　＋８９ＰＣＨ−７Ｆ　８．０％　粘度［ｍｍ２Ｓ−’　］　２５ＦＥＴ−３Ｆ　６．０％　△ｎ（５８９ｎｌ、２０℃）　＋０．１２７３ＦＥＴ−５Ｆ　４．０％　Δ　ε　（１ｋＨ２、２０°Ｃ）　＋５．０ＣＦＥＴ −３Ｆ、Ｆ　８．０％　Ｖ　（１ｏ、ｏ、２ｏ　）　［Ｖ　］　２．５３ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　９．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１４．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１３．０％ＢＣＨ−５２Ｆ　８．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％ＥＣＣＰ−３０ＣＦ３　７．０％実施例３０ＰＣＨ−５Ｆ　５．０％　透明点［’Ｃコ　＋８４ＰＣＨ−６Ｆ　８．０％　△ 　ｎ　（５８９ｎｎ、　２０℃　）　−０，１３５４ＰＣＨ−７Ｆ　’　４．０％　■＜１０．ｏ、２ｏ　）　［Ｖ　］　１．９９ＦＥＴ−３Ｆ　７．０％ＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　７．０％ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　ｉｏ、０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　１２．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％実施例３１ＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　７．０％　透明点［’Ｃ］　＋８２ＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　７．０％　Δ　ｎ　（５８９ｎｎ、　２０°（：）　＋０．１３０ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　１０．０％　Ｖ（１０，０，２０）　［Ｖ］　１．７６ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１０．０％ＰＣＩ−５Ｆ　５．０％ＰＣＨ−６Ｆ　８．０％ＰＣＨ−７Ｆ　４．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　１０．０％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　１２．０％ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＢＣ−３３Ｆ　２．０％ＣＢＣ−５３Ｆ　３．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　２．０％実施例３２ＰＣＨ−５Ｆ　５．０％　透明点［’Ｃ］　−８１ＰＣＨ−７Ｆ　５．０％　△ 　ｎ　ｆ５８９ｎ１１、２０℃　）　−０，１４２ＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　７．０　％　Ｖ　（１０，０，２０）　［ｖ　）　１．６８ＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　７．０％ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ　１２．０％ＣＦＥＴ−５Ｆ、Ｆ　１０．０％ＣＦＥＴ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　ｉ２．ｏ％ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ、Ｆ　１２．０％１１ｃＨ−５Ｆ、Ｆ、Ｆ　１１．０％ＣＢＣ−５５Ｆ　３．０％ｙ」１書本発明は、少なくとも＋４の正の誘＠異方性△εおよび少なくとも０．１２の複屈折性へ〇を有するネマチック液晶混合物であって、以下の母構造（たたし、Ｌｌ、Ｌ２、ＹおよびＺは、それぞれ互いに独立してＨまたはＦであり、ＱｌおよびＱ２の一方は１．４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３．５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、そして他方の基Ｑ　またはＱ　は−ＣＨ２Ｃｌイ２−１よびＺの少なくとも１つがＦである場合は、単結合でもある。またこの母構造は必要に応じてそのベンゼン環がさらに弗素化されてもよい）を有する１種またはそれ以上の成分を含有することを特徴とするネマチック液晶混合物に関する。

国際調査報告１１１ｆｉｌｌｌａ＊１１Ａｌｌｌ曝６Ｎ＼ａＤｒインｒｐａ＋７ｎｎｑｑｒ。

国際調査報告国際調査報告

Claims

【特許請求の範囲】

１．少なくとも＋４の正の誘電異方性Δεおよび少なくとも０．１２の複屈折性 Δｎを有するネマチック液晶混合物であって、以下の母構造 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｌ１、Ｌ２、ＹおよびＺは、それぞれ互いに独立してＨまたはＦであり、Ｑ１およびＱ２の一方は１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、そして他方の基Ｑ１またはＱ２は−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−また、Ｌ１、Ｌ２、ＹおよびＺの少なくとも１つがＦである場合は、単結合でもある。またこの母構造は必要に応じてそのベンゼン環がさらに弗素化されてもよい）を有する１種またはそれ以上の成分を含有することを特徴とするネマチック液晶混合物。
２．中位の極性のハロゲン化液晶成分を基礎とするものである請求項１記載の混合物。
３．シアノ系成分を本質的に含まない請求項１または２記載の混合物。
４．高温およびＵＶ安定性を有し、ｄ・Δｎを適切に選択することによってグーチータリー曲線の第二以上の透過極小で操作される、 −フレームと共に厚さｄのセルを形成する２枚の平らな平行支持板、 −前記支持板上の個々の画素を切り替えるための集積非線形素子、および −前記セル中に存在する、正の誘電異方性および複屈折性Δｎを有するネマチック液晶混合物を含有するマトリックス液晶ディスプレイであって、ＵＶ光（２８０〜４００ｎｍ、１２ｍｗ／ｃｍ２）に２０時間露光した後の電圧保持率ＨＲ２０のＵＶ線に露光する前の電圧保持率ＨＲ０に対する商が９８％以上であることを特徴とするマトリックス液晶ディスプレイ。
５．前記セルの厚さが３〜１０μｍ、好ましくは３〜７μｍであることを特徴とする請求項４記載のディスプレイ。
６．前記ネマチック液晶混合物の複屈折住Δｎが０．１２〜０．２０、好ましくは０．１３〜０．１８であることを特徴とする請求項４または５記載のディスプレイ。
７．前記ネマチック液晶混合物が請求項１記載のものであることを特徴とする請求項４〜６の少なくとも１項記載のディスプレイ。
８．前記液晶混合物が式Ｉ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ（式中、Ｒは１０個までの炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシであり、ｒは０または１であり、ＸはＦ、Ｃｌ、ＣＦ３、ＯＣＦ３またはＯＣＨＦ２であり、Ｌ、ＹおよびＺはそれぞれＨまたはＦであり、そしてＱ１およびＱ２の一方は１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであり、他方の基は単結合である）の１種またはそれ以上の化合物を含んでいることを特徴とする請求項４〜７の少なくとも１項記載のディスプレイ。
９．前記液晶混合物が式ＩＩ ▲数式、化学式、表等があります▼ＩＩ（式中、Ｒは１０個までの炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシであり、Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり、ｒは０または１であり、ＸはＦ、Ｃｌ、ＣＦ３、ＯＣＦ３またはＯＣＨＦ２であり、ＹはＨまたはＦであり、そしてＬはＨまたはＦである。ただし、しおよびＹの少なくとも１つはＦである）の１種またはそれ以上の化合物を含んでいることを特徴とする請求項４〜８の少なくとも１項記載のディスプレイ。