JPH0548197B2 - - Google Patents

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JPH0548197B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ等により高速かつ高密度に、
光学的な情報を記録かつ消去できる光学情報記録
部材、およびその記録方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 これまでに、光学的な情報記録再生方式として
は、次のようなものが知られている。
第１に、金属薄膜を用いる方法である。これは
細く絞つたレーザ光スポツトを前記薄膜に照射す
ることによつて、情報の書き込みを行なう方法で
ある。たとえば、インジウム金属In（融点Tm＝
156℃）あるいはビスマス金属Bi（融点Tm＝271
℃）等を基板上に1000Å程度の薄膜として形成し
たものが知られている。
この部材に対する記録機構は、レーザ等の光源
を用いて、微少スポツト〜10μmφをこの薄膜に
照射せしめ、該金属膜の光吸収、昇温の結果、該
スポツト部位の金属が融解、凝縮、あるいは蒸発
し、この部位に微少な穴が形成され、画像信号を
記録するものである。
この方法は、比較的コンラストの大きい記録が
おこなえる利点を有している。
ただし、この光学濃度変化に、物質移動が伴う
という点が記録体の構成に制限を与える。
さらに、感度が100〜10mW／μm2と低いこと
が問題である。
第２の例は、金属薄膜の代わりに、Te系物質
を用いた情報記録再生方法である。これは、記録
部材として、例えばTe−Se−（As）、Te−Ｃ，
CS2−Te、等を使用するもので第１の例と同様
に、記録を行なうことができる。この方法は、第
１の例に比べて感度が向上することが報告されて
いるが、やはり物質の移動を伴うため記録体の構
成に制限が加わる。
第３の例は、半導体ガラス材料を用いた情報記
録再生方法である。
これは、記録部材として、カルコゲン化物を使
用するもので、例えば、Ge15Te81Sb2S2，As2S3，
As20Se60Ge20等の材料が代表的である。
これらの薄膜にレーザ等の光照射を施すと、光
吸収昇温により、原子の結合状態が変化し、光学
濃度が変り、情報記録がおこなえる。
さらに、光照射法を制御することにより、逆に
記録状態を元にもどすることも可能で、消去機能
を有する利点がある。
しかしながら、光学情報記録に用いる場合、記
録エネルギーが、20mW／μm2以上必要であり、
書き込みコントラスト比が不十分である。
又、湿度による劣化が大きいことが知られてい
る。
これに対し、第４の例として、化学量論組成の
酸化物とこの酸化物を構成する金属または半金属
粒子の混合物よりなるもの、あるいは化学量論組
成より酸素の少ない酸化物よりなる低酸化物薄膜
を用いた情報記録方法の提案がある。
これらは、レーザ光照射を施すことにより、光
吸収昇温の結果、光学濃度の低い状態から、高い
状態に変化し、情報記録、再生がおこなえるもの
である。これら低酸化物薄膜は、光照射における
光学濃度変化がΔT＞30％、かつコントラスト比
10：１以上と大きい。
また、記録エネルギーが、10mW／μm2以下と
感度が高い特徴を有しているが、第３の例に見ら
れるような消去性は不十分である。
この消去性を向上する方法として、低酸化物に
ＳまたはSeを含ませた薄膜記録部材を用いる情
報記録再生方法が提案されている。この方法は、
記録感度が高く、消去性を有するという特徴があ
るが、繰り返し記録・消去を行なうと膜がダメー
ジを受けて破れてしまうという問題があり、実用
に至つていない。また、Ｓ，Seといつた比較的
蒸気圧の高い物質を使用するため、製造する際の
組成制御が困難であり、膜の再現性が乏しいとい
う問題があつた。
発明の目的 本発明は、低酸化物薄膜の光学濃度変化が大き
く、記録に要するエネルギーが小さいといつた特
徴を保持しつつ、記録、消去が繰り返し行なえる
光学情報記録部材および、その記録、消去の方法
を提供することを目的とする。
発明の効果 本発明における光学情報記録部材は、基材の表
面に光吸収性の薄膜、つまり低酸化物にその低酸
化物を構成する第１の金属あるいは半金属とは異
なる第２の金属あるいは半金属の物質を含ませて
なる薄膜感光層を形成せしめたものである。な
お、ここで言う低酸化物は、非化学量論酸化物の
ほか、化学量論酸化物と第１の金属または半金属
とが混在するものも含む。
実施例の説明 従来、低酸化物薄膜の黒化記録原理は、次のよ
うに考えられる。例えばTeOx（Ｏ＜ｘ＜２）の場
合には、アモルフアス状態のTeO2のマトリクス
中に、Teが非常に小さい（約20Å）結晶状態で
存在している。この膜に光を照射すると、照射さ
れた部分の小さなTe結晶の粒径が増大し、屈折
率および消衰係数が変化し、その結果反射率およ
び透過率の変化として記録状態が検出できる。し
かし、この粒径の大きなTe結晶を再び元の小さ
なTe結晶に戻すことが、むつかしかつた。すな
わち、一般に大きな結晶を小さな結晶にするため
には、その物質を、高い温度に昇温したのち、急
冷してやることが必要であるが、TeOx（Ｏ＜ｘ＜
２）の場合には、１つにはTeの結晶のまわりに
TeO2という熱伝達率の小さい物質のマトリクス
が存在するため、光吸収によつて得た熱エネルギ
ーが拡散しにくく角冷されにくいということ、も
う一つは、TeOxそのものの吸収係数が比較的小
さいため、光吸収の効率が悪く、必要な温度まで
昇温しにくい、という２点から大きな結晶を再び
小さな結晶にすることができなかつた。
本発明の場合、低酸化物薄膜に含ませた合属ま
たは半金属は、次のような働きをするものと考え
られる。
１ 膜の光吸収係数を高め、光照射部の到達温度
を高める。
２ Te（または、Ge，Sn，Bi，Sb，In，Tl）の
小さな結晶のまわりに存在し、吸収した熱の拡
散を助ける。
したがつて、記録薄膜の母材である酸化物と第
１の金属または半金属とよりなる薄膜に、その薄
膜よりも熱伝達率が大きく、屈折率の高い第２の
金属または半金属の物質を含ませることで、前記
薄膜中の前記第１の金属または半金属の粒径を大
きくしたり小さくしたりすることが繰り返し、可
逆的に行なえることがわかつた。
次に図面を参照しながら実施例をもつて、本発
明をさらに詳しく説明する。
第１図は、本発明による光学情報記録部材の断
面図である。
１は基材で、金属、例えばアルミニウム、銅等
あるいはガラス、例えば、石英、パイレツクス、
ソーダガラス等あるいは樹脂、ABS樹脂、ポリ
スチレン、アクリル、塩ビ等、又透明フイルムと
しては、アセテート、テフロン、ポリエスル等が
使用できる。中でも、ポリエステルフイルム、ア
クリル板等を使用する場合、透明性がすぐれてお
り、形成せしめた信号像を光学的に再生する際に
有効である。
薄膜感光層２は、基材上に真空蒸着して形成さ
れる。薄膜感光層は、TeOx，GeOx，SnOx（Ｏ＜
ｘ＜２），SbOx，InOx，BiOx，TlOx（Ｏ＜ｘ＜
1.5）等の低酸化物に低酸化物を構成する第１の
金属または半金属とは異なる第２の金属または半
金属物質の少なくとも一つを含ませた構造をして
いる。
含有させるべき物質としては、膜の光吸収係数
を高め、かつ、熱伝導率を高めて、高温状態から
急冷されやすくするという目的を実現するため
に、金属あるいは半金属物質が有効であるが、蒸
着しやすさ、第１の金属または半金属をより小さ
な結晶にするためを考慮して、Sn，In，Bi，Zn，
Al，Pb，Tl，Cu等の金属または、Te，Ge，Sb
等の半金属が特に有効である。
３は保護層である。前述のように本発明の光学
情報記録膜は、膜の形状変化を伴なわず、従つて
使用目的によつては密着したタイプの保護層を用
いることが可能となる。保護層には、基材１と同
様のものを紫外線硬化樹脂等を用いてはり合わせ
たり、蒸着したりして、つけることができる。
次に、本発明における光学情報記録膜の形成方
法について述べる。酸化物MAO2（MAは４価の金
属または半金属）の低酸化物薄膜MAOx（Ｏ＜ｘ
＜２）、またMB2O3（MBは３価の金属または半金
属）の低酸化物薄膜MBOx（Ｏ＜ｘ＜1.5）は、第
２，３図で説明するような方法で形成することが
できる。
まず１つのソースで形成する方法について述べ
る。第２図はこれに用いる生成系を示す。真空系
４の真空度は10-3Torr〜10-6Torrの間に選ぶ。
例えば蒸着用原料材１１としてMAO2を金属ボ
ート、例えばタングステンボート、チタンボート
等の加熱蒸着用容器１０に入れ、真空系４の中で
ボート１０を電極７と結合し、電源９を用いて加
熱すると、容器１０中の原材料は、ボートと反応
し還元反応を受け、MAO2＋mW→MAOx＋
mWO3（Ｏ＜ｘ＜２，ｍ＜2/3）のような形で、
支指台６上に設置された基材５上に蒸着され、低
酸化物薄膜MAOx（Ｏ＜ｘ＜２））を得ることがで
きる。従つて、あらかじめMAO2原材料の中に膜
中に含ませるべき前述の第２の金属または半金属
物質を混合しておき〔MAO2 100-z1MCz1，MCは
添加材料、ただし、z1はモル％でＯ＜z1≦50〕の
形にして蒸着を行なえば、母材以外の第２の金
属、半金属を含む低酸化物薄膜〔（MAOx）100-z2
MCz2，（Ｏ＜ｘ＜２，Ｏ＜z2≦50），MCは添加材
料、z2はモル％〕を得ることができる。
加熱蒸着用容器１０として、安定な石英ルツ
ボ、アルミナ磁器、白金等を用いる場合には、原
材料の中に、更に還元用の材料Ｒ（Fe，Cr，Ｗ，）
等の粉末を添加して使用し、容器１０の加熱は、
コイルヒーター８を用いて行なう。加熱温度は
600℃〜1000℃の範囲で選ぶ。
次に、幾つかのソースから同時に基材上に蒸着
を行ない低酸化物を形成する方法について述べ
る。第３図はこれに用いる生成系を示す。真空系
１２の真空度は、10-3〜10-6Torrの間に選ぶ。
蒸着用容器１５には、原材料１７の１つとして
MAO2、蒸着用容器１６には原材料１８の１つと
してMA100-z1MCz1（Ｏ＜z1≦50，MC；添加材料）
を入れ、真空系１２の中でそれぞれ電極２１，２
２に結合されたコイルヒーター１９，２０を用
い、電源２３，２４によつて加熱する。この時、
２ソースの蒸着速度を適当に制御することによつ
て、支指台１４上に設置された基材１３の蒸着面
では、 MAO2＋ｍ（MA100-z1）MCz1→（MAOx）100-z2
MCz2の形で、母材以外の第２の金属、半金属を
含む低酸化物薄膜を得ることができる。
更に多ソース化し、例えば、MAO2，MA，MC
の３ソースから同時に蒸着形成する方法も可能で
ある。また、加熱方法としては、電子ビームを用
いて直接加熱する方法も可能である。蒸着膜厚
は、原材料の量、蒸着面とソースとの距離関係等
で自由に変えることができる。
以上の方法で得た薄膜は、淡カツ色を呈してお
り、比較的弱いパワーで、比較的長いパルス幅で
エネルギーを与えると黒カツ色に光学濃度が変化
（黒化するという）し、逆に比較的強いパワーで
比較的短かいパルス巾でエネルギーを与えると光
学濃度が逆に下がる（白化という）という可逆的
な変化をおこさせることができる。
なお、低酸化物薄膜中に含まれる第２の金属、
半金属の含有モル％（z2）が、50モル％を越える
と白化に要するレーザパワーが大きくなるため、
半導体レーザー等の出力パワーの小さい光源を使
用する場合には好ましくないものである。
次に、第４〜８図により、本発明の情報記録部
材に情報を記録、再生、消去する実施例を述べ
る。
本発明の情報記録部材には、キセノンフラツシ
ユランプ、He−Ne等のガスレーザ及び半導体レ
ーザによる近赤外光による書き込み等どれも可能
である。
まず初めにキセノンランプを用いる場合の記録
方法について、第４図の実施例にもとづいて述べ
る。
まず低酸化物に母材とは異なる第２の金属およ
び半金属の少くとも１つを含ませてなる光吸収性
の薄膜光学記録膜２６を基板２５に形成した記録
部材に、場所的に光透過率の異るパターンを形成
したマスク２７を密着せしめる。
この上から、キセノンランプ２８を発光、照射
することにより、露光された部分が黒化しパター
ンに対応する濃淡像が前記記録部材に形成する。
この場合、キセノンランプの発光幅は約１ｍsec
と比較的長く、この系を用いて黒化部を白化する
ことは、むつかしい。ただし、この後述べるよう
に、この黒化部を他の手段で白化することは可能
である。
次に、ガスレーザを用いた場合の記録方法につ
いて第５図とともに説明する。
レーザ光源２９は、He−Neレーザλ＝6328
Å、He−Cdレーザλ＝4416Å、Arレーザλ＝
5145Å等いずれでも使用できる。
レーザ管２９から出たレーザ光３０は、光変調
器３１例えば、LiNbO3電気光学変調器又は超音
波光変調器等により信号に応じた強度変調を受
け、ミラー３２を介し、収束用レンズ３３により
スポツトを形成し、前述の光吸収性の記録膜３４
を設けた基材３５により構成した光学記録部材
を、信号に対応した光強度で照射する。
光ビームと光学記録部材の相対的な移動に伴つ
て逐次にビツト信号が前記記録部材上に書き込ま
れる。
レーザ光源として半導体レーザλ＝8200Åを使
用する場合の実施例を第６図に示す。
半導体レーザは一般に射出するレーザ光のビー
ムの拡がりが±20度という角度で大きいためビー
ム成型のために第１、第２のレンズを用いてスポ
ツトを成型せしめる。
半導体レーザ３６からの射出ビームは、第１の
レンズ３７により凝似平行光３８となり、第２の
レンズ３９によつてスポツト光４０に成型し、前
述の光吸収性薄膜記録膜４１を設けた基材４２か
らなる記録部材を、信号に対応した光強度で照射
する。
半導体レーザを使用する場合は、ガスレーザと
は異なつて内部変調が容易であり、光変調器は不
要である。
光照射を受けた部位では黒化し、光学濃度変化
として記録できる。
レーザを使用する場合には、それを変調するこ
とで強度、パルス幅を選ぶことができる。従つて
白状態の該記録層に記録する場合には、比較的弱
く、長いパルスで黒化記録し、比較的強く、短い
パルスで白化消去を行なう、また、あらかじめ黒
化した状態の該記録層に記録する場合には、比較
的強く短いパルスで白化記録し、比較的弱く、長
いパルスで黒化消去を行なう、という２方式をど
ちらも採用することができる。
この際、照射光パワー密度PmW／μm2、およ
び照射光パルス巾Isecを適切に設定する必要があ
る。本発明の、低酸化物薄膜に母材を構成する第
２の金属又は半金属以外の第１の金属又は半金属
を含ませてなる光学情報記録膜においては、黒化
する場合には、黒化光照射パワーPBは、
0.5mW／μm2＜PB＜2mW／μm2、光照射パルス
巾τBは30nsec＜τB又、白化する場合には、白化光
照射パワー密度PWは、2mW／μm2≦PW；PW≧
PB、光照射パルス巾τWは、Ｏ＜τW≦τBの範囲で
選ぶことが可能である。記録速度は、白化の方が
黒化よりも速く選べるので、情報を記録する場合
には、あらかじめ黒化された記録部材に白化によ
り記録し、消去を黒化により行なう方が有利であ
る。
つぎに、本発明におけるように記録された信号
の情報再生方法について述べる。
該情報記録薄膜は、黒化記録の場合には未書き
込み状態において淡褐色で、書き込み状態では灰
褐色ないし黒化し光学濃度が増大するとともに、
反射率が変化する。
信号読み出しに際しては、第７図および第８図
の実施例に示すように、透過式光信号再生および
反射式光信号再生が可能である。
第７図において透過式再生方法を説明する。
照明用光源４３は、タングステンランプ、He
−Neレーザ、半導体レーザ、発光ダイオード、
等が使用でき、集光用レンズ４４を用いて、スポ
ツト光４５とし、信号像４６を裏面から照明す
る。
該信号記録膜からの透過光は、レンズ４７を通
して検出光４８となり、光感応ダイオード４９に
入る。
透過光４８の強度は、信号がない状態に比べて
信号像を照明する場合は、約1/2から1/10に減少
し、これを検出して信号再生をおこなうものであ
る。
次に、更に具体的な例をもつて本発明を説明す
る。
実施例 １ 蒸着出発用原料とし、TeO2と、Te85Sn15を使
用し、第３図のような系を用いて薄膜を形成す
る。加熱蒸着用容器として石英ルツボを用い、コ
イルヒーターで加熱してアクリル樹脂基材上に厚
さ約1200Åの低酸化物薄膜TeOx：Snを形成す
る。ヒーター温度はTeO2ソースは800℃、
Te85Sn15ソースは750℃に設定した。
上記の方法で得た薄膜は、淡カツ色を呈してい
る。この膜に、λ＝8300Åの半導体レーザーを用
いて、照射時間200nsecのパルス光を照射したと
ころ0.6mW／μm2以上のパワー密度で膜は黒カ
ツ色に変化した。この黒化した場所に、照射パワ
ー密度5mW／μm2以上で、照射時間40nsecの短
パルス光を照射したところ、照射部は白化し、元
の状態へ戻つた。この薄膜の分光透過率曲線は、
第９図の曲線a1に示すように半導体レーザ波長
0.8μ近傍では20％以上の透過率を有する。この膜
の黒化記録状態の分光透過率曲線は、同曲線a2に
示すように透過率が減少し、半導体レーザ波長で
は20％以上のΔTを得ることができる。記録・消
去は、この状態a1とa2の間で変化がおこなわれ
る。
添加物としてSnの代わりに、In，Ge，Zn，
Tl，Bi，Pb，Al，Cu等を用いて同様の効果を得
ることができた。
同様に、原材料酸化物として、GeO2，SnO2等
を用い、GeO2とGe50とTe50，SnO2とSn50Te50の
ような組み合わせで例えばGeOx：Te，SnOx：
Teを得ることができる。これらはTeOx系記録薄
膜に比べて、光学濃度変化が大きく、それぞれの
分光透過率曲線は白化状態でb1，c1、黒化状態で
b2，c2となり、それぞれb1→b2，c1→c2および逆
の変化を生ずる。
これらの記録膜は半導体レーザ波長0.8μ近傍で
大きい書き込み変化量ΔT＞30％を得ることが可
能であるが、記録感度がやや低く、照射時間
200nsecのパルス光を照射したところ照射パワー
密度1mW／μm2以上のパワー密度で黒化した。
また、この黒化した場所に照射パワー7mW／μ
m2以上で照射時間40nsecの短パルス光を照射した
ところ照射部は白化し元の状態へ戻つた。GeOx，
SnOx（Ｏ＜ｘ＜２）の場合にも、添加物としては
Teの他に、第２の金属および半金属としてZn，
In，Tl，Bi，Pb，Al，Cu，Sb，Ge，Sn等を検
討し、どの添加物の場合にも可逆的変化が確かめ
られたが、GeOxの場合はTe，Sb，SnOxの場合
には、Ge，Te，Sbを添加した場合において特に
効果的であつた。
次に三価の金属、半金属の低酸化物を用いる場
合の具体例を示す。
実施例 ２ 蒸着出発用原料として、Bi2O3と、Bi50Te50を
使用し、実施例１と同様に低酸化物薄膜BiOx：
Teを形成する。ヒータ温度は、Bi2O3ソース850
℃、Bi50Te50ソース700℃に設定し、厚さ約1200
Å、淡カツ色の薄膜を得た。
BiOx：Te薄膜は比較的低エネルギーで光学濃
度変化を得ることができる。
この薄膜にλ＝8300Åの半導体レーザを用いて
照射時間200nsecのパルス光を照射したところ、
0.5mW／μm2以上のパワー密度で、膜は灰カツ
色に変化した。この黒化した場所に、照射時間
40nsecのパルス光を照射したところ、照射パワー
密度4mW／μm2以上で、照射部は白化し、元の
状態へ戻つた。この薄膜の分光透過率曲線は第１
０図Ａの曲線d1に示すように半導体レーザ波長
08μ近傍では、近い透過率を有するが、光学的な
濃度変化は比較的小さく、黒化記録状態の分光透
過率曲線、第１０図Ａの曲線d2に示すように透過
率変化がやや小さくなり、ΔT(Q)10％となる。
添加物としてTeの代わりに、Ge，Sn，In，
Zn，Tl，Bi，Pb，Al，Cu等を用いて同様の効
果を得ることができたが、とりわけTeの効果が
高かつた。
同様に、原材料酸化物として、Sb2O3と
Sb50Te50，Tl2O3とTl75Te25，In2O3とIn50Te50の
組み合わせで低酸化物薄膜、BiOx：Te，TlOx：
Te，InOx：Te（Ｏ＜ｘ＜1.5）を得ることができ
る。
第１０図Ａ，Ｂはそれぞれの黒化前後の分光透
過率曲線を示す。d1，e1，f1，g1はそれぞれ白化
状態を示す。黒化状態でd2，e2，f2，g2となり、
それぞれd1→d2，e1→e2，f1→f2，g1→g2および、
その逆の変化を生ずる。これらは、TeOx等に比
べると記録感度は、ほぼ同等であるが、光学的濃
度変化はやや小さく、半導体レーザ波長0.8μの近
傍では書き込み変化量ΔT(Q)10〜15％程度であつ
た。
上記、BiOx，SbOx，TlOx，InOx（Ｏ＜ｘ＜
1.5）の場合にも添加物としてTeの他にZn，In，
Tl，Bi，Pb，Al，Cu，Sb，Ge，Sn等を検討し、
どの添加物の場合にも可逆的変化を確認できた
が、BiOxの場合には、Te，Sb，Ge，SbOxの場
合には、Te，Ge，TlOxの場合はTe，InOxの場
合には、Te，Sb，Geを添加した場合において特
に効果的であつた。
実施例１、実施例２の複合組成、即ち低酸化物
および添加材料を幾つか組み合わせて、感度、書
き込み変化量等を変えることが可能である。
次に、第１１図を参照しつつ、本発明におけ
る、情報記録部材に、スポツトの長さが異なる２
本の半導体レーザーを使つて記録・消去を行なう
方法を述べる。
実施例 ３ ５６は、本発明の光情報記録部材をφ200のデ
イスクに形状したものである。左側の光学系は、
白化および再生用の光学系である。白化用レーザ
６７を出た光は、第１のレンズ６８で凝似平行光
６９となり、第２のレンズ７０で円く整形した
後、第３のレンズ７１で再び平行光７２にし、ハ
ーフミラー７３を介して、第４のレンズ７４で波
長限界約0.8μまでしぼりこまれた円スポツト７５
に集光される。この円スポツトによる照射は、
1800rpmで回転しているデイスク面５６上では、
パワー密度が比較的高く、かつ照射時間が比較的
短いパルス光が与えられたのと同じ効果を得る。
従つて、記録膜があらかじめ黒化されている時に
は、レーザ変調によつて黒化トラツク６６上に白
化信号７６を記録することができる。
信号の検出は、デイスク面５６からの反射光７
７をハーフミラー７８を介して受け、レンズ７９
を通じて光感応ダイオードでおこなう。
右側の光学系は、黒化用の光学系である。黒化
用レーザ５７からの射出ビームは第１のレンズ５
８で凝似平行光５９となり、第２のレンズ６０で
一方向のみがしぼり込まれ、第３のレンズ６１で
再び凝似平行光６２となつた後、ハーフミラー６
３を介して、第４のレンズ６４でデイスク面上に
やや細長いスポツト光６５となつて照射される。
この細長いスポツトの長手方向をデイスクの回転
方向に合わせておけば、デイスク面上では、やや
照射パワー密度が低く、かつ、やや照射時間の長
いパルス光を照射したのと同じ効果を得る。従つ
て、白化スポツトと同じ回転数で記録膜を黒化す
ることができる。本実施例の場合には、記録部材
として、φ200、t1.1のアクリル基板上に、
TeOx：Sn薄膜を蒸着したもの用いた。黒化用の
レーザを半値巾にて約8μ×0.8μに整形し、出力
11mw、パワー密度約0.8mW／μm2で用い、又白
化用のレーザー出力8mw、パワー密度約6mW／
μm2で用いて、φ150の位置にて白化記録、黒化
消去を行つたところ、単一周波数5MHzで、Ｃ／
Ｎ比55dB以上を得、10万回記録、消去を繰り返
した後にもＣ／Ｎの劣化は、見られなかつた。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、低酸化物のみ
から成る情報記録薄膜あるいは、カルコゲン化物
材料薄膜を用いた記録部材に比べて、光学濃度変
化を大きくとれると同時に、消去機能を有し、低
エネルギーで記録・消去が可能な、光学情報記録
部材を得ることができる。
また、この記録部材を用いて記録・消去がリア
ルタイムで行なえる記録・消去方法を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の光学情報記録部材の１実施
例を示す断面図、第２図，第３図は、それぞれ本
発明の光学情報記録部材を製造する装置の１例を
示す断面図、第４図〜第６図は、それぞれ本発明
の情報記録部材に記録する方法の概略構成図、第
７図，第８図は、それぞれ本発明の情報記録部材
の光信号再生方法を示す概略構成図、第９図，第
１０図は本発明の光学情報記録部材の１実施例の
分光透過率曲線図、第１１図は本発明の光学情報
記録部材および光学情報記録方法を用いて記録、
再生・消去を行なう記録再生装置の概略構成図で
ある。 １…基材、２…薄膜感光層、３…保護層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 光照射によつて原子結合状態の可逆的変化に
    伴う光学的特性の可逆的変化が生ずる記録薄膜を
    基材上に形成した情報の記録、消去の繰返しが可
    能な光学情報記録部材であつて、前記記録薄膜が
    Geの低酸化物GeOx1（Ｏ＜x1＜２）中にTeとSb
    とを含有することを特徴とする光学情報記録部
    材。 ２ 記録薄膜はSbOx2（ただしＯ＜x2＜1.5）の低
    酸化物とTeとGeとを含有することを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録部材。
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