JPH0547889B2 - - Google Patents
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- JPH0547889B2 JPH0547889B2 JP58192756A JP19275683A JPH0547889B2 JP H0547889 B2 JPH0547889 B2 JP H0547889B2 JP 58192756 A JP58192756 A JP 58192756A JP 19275683 A JP19275683 A JP 19275683A JP H0547889 B2 JPH0547889 B2 JP H0547889B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は薄膜型磁気記録媒体の耐久性向上に関
するものである。 従来例の構成とその問題点 近年、磁気記録業界においては高密度化技術が
急速な進歩をとげている。磁気記録の高密度化に
は、システムとしての設計、目的が重要な問題と
なるが、それを支える要素技術として最も重要な
要素は高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体の開
発である。磁気記録媒体は大別すると塗布型と薄
膜型の二種類に分かれるが、従来多用されてきた
のは塗布型であり、γ−Fe2O3からCr2O3、Co−
γ−Fe2O3、メタルと磁性粉を変え、高密度磁気
記録に適した磁気記録媒体が開発されてきた。 しかし、さらに高密度な磁気記録の実現が求め
られる現在においては塗布型よりも各種の記録、
再生損失の少ない薄膜型磁気記録媒体が注目され
ており、一部では既に実用化されている。 従来の塗布型においては磁性物をバインダー中
に混合するが、バインダー中に磁性粉だけでなく
研摩剤、潤滑剤等を混合することにより、磁気記
録媒体として要求される様々な実用特性を満たし
ている。しかし、薄膜型においては塗布型のよう
に研磨剤、潤滑剤を用いることは困難であり、他
の方法により実用特性の向上が必要とされる。薄
膜型磁気記録媒体の実用特性向上の為の有効な方
法として、薄膜表面層の形状制御が考えられる。
一般に磁気記録媒体の表面形状は平滑度が高い
程、記録・再生時の損失が少なく電磁変換特性上
は有利であるが、一方で平滑度が高い程、走行特
性は悪化する。 そこで、表面形状を制御して、電磁変換特性と
走行特性を両立させるべく考案された従来の薄膜
型磁気記録媒体の断面図を第１図に示す。第１図
において１は基板、２は表面形状を制御する為の
形状賦与物、３は磁性層である。磁性層３の表面
形状は形状賦与物２の効果により様々に制御さ
れ、このように表面形状を制御することによつて
電磁変換特性と走行性は両立されるようになつ
た。しかし従来例における走行性の改善は初期的
には大きな効果が得られるが、繰り返し走行によ
り走行改善効果は次第に薄れてくる傾向があり、
繰り返し走行時の耐久性に欠点を有していた。 発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、表面形状制御によつ
て電磁変換特性と走行性を両立し、更に走行耐久
性を向上した薄膜型磁気記録媒体を提供するもの
である。 発明の構成 この目的を達成するために本発明の薄膜型磁気
記録媒体は、基板上に下部薄膜層と、その下部薄
膜層上に配された形状賦与物と、その形状付与物
上の上部薄膜層から構成されており、この構成に
よつて基板及び形状賦与物への応力集中を防ぎ、
繰り返し走行による塗布及び形状賦与物の変形に
よる表面形状の変化を防ぐものと思われ、繰り返
し走行による耐久性が改善される。 実施例の説明 以下本発明の一実施例について、図面を参照し
ながら説明する。第２図は本発明の薄膜型磁気記
録媒体の基本構成を示す断面図である。第２図に
おいて４は基板、５は下部薄膜層、６は形状賦与
物、７は上部薄膜層である。磁性層となる薄膜層
は上部薄膜層７及び下部薄膜層５の一部又は全部
である。第１図の構成と異なるのは下部薄膜層５
を有することである。下部薄膜層５の膜厚は材料
及び製法に依存するが100〜200Å程度以上が好ま
しく、1μmまでの範囲では下部薄膜層５の膜厚に
上限はなかつた。下部薄膜層５及び上部薄膜層７
の材料としてはTi，Cr，Co，Fe，Ni，Cu，Al，
Au，Rh等の各種金属や、Fe−Zi，Co−Cr，Co
−Ni等の各種合金や、SiO2，Si2N3，Fe2O3，
CoO等各種金属チツ化物及び金属酸化物といつた
磁性材料及び非磁性材料が適している。さらに、
下部薄膜層５の下側の基板４の表面形状に本発明
は影響を受けるものではない。 本発明による走行耐久性の向上の効果は基板４
が高分子材料の時に最も効果が大きいが必ずしも
高分子材料に限るものではない。形状賦与物は高
分子材料と同程度かそれ以上の強度を持つ材料で
あれば何でもよい。又、形状賦与物６の形状によ
らず本発明による走行耐久性の向上の効果はある
が、薄膜型磁気記録媒体の電磁変換特性の立場か
ら、平均粗さは1000Å以下であることが望まし
い。また、形状賦与物６は不連続であつても、連
続的に構成されていても良い。また、上部薄膜層
７上に潤剤等を含有する保護層を形成することに
より、さらに耐久性の向上が図れるものである。 以下に、さらに具体的な構成を第１の実施例と
して説明する。 厚み10μmのPET（ポリエチレンテレフタレー
ト）基板上に１×10-5Torrの真空度で下部薄膜
層として500Åの厚みのチタン層を形成し、その
上に形状賦与物として直径150〜300ÅのSiO2粒
子を塗布法により50個／μm2の密度で分散させ配
置した。さらに上層部に円筒キヤンを用いて接線
方向から最低入射角40゜まで２×10-4Torrの酸素
雰囲気中で上部薄膜層としてCo（80wwt％）Ni合
金を膜厚1500Å、基板走行速度30m／minで磁性
層を蒸着し試料Ａを得た。同様の蒸着方法、蒸着
条件、形状賦与物形成法を用い、チタン層がなく
形状賦与物と磁性層を形成し試料Ｂを、又チタン
層と形状賦与物がなく磁性層だけの試料Ｃを得
た。 試料Ａ，Ｂ，Ｃの磁性層表面形状を走査型電子
顕微鏡（SEM）によつて5000倍から2000倍の倍
率で観察したところ、試料Ａ，Ｂは共に50個／μ
m2の密度で同様な表面突起形状が観察され、試料
Ｃは突起のない平担な表面形状をしていた。次に
試料Ａ，Ｂ，Ｃを用い、電磁変換特性、動摩擦係
数μkを40℃80％環境における繰り返し走行によつ
て測定した。電磁変換特性は記録波長0.8μmの再
生出力であり、試料Ｃの初期値を基準とした。測
定結果を第１に示す。
するものである。 従来例の構成とその問題点 近年、磁気記録業界においては高密度化技術が
急速な進歩をとげている。磁気記録の高密度化に
は、システムとしての設計、目的が重要な問題と
なるが、それを支える要素技術として最も重要な
要素は高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体の開
発である。磁気記録媒体は大別すると塗布型と薄
膜型の二種類に分かれるが、従来多用されてきた
のは塗布型であり、γ−Fe2O3からCr2O3、Co−
γ−Fe2O3、メタルと磁性粉を変え、高密度磁気
記録に適した磁気記録媒体が開発されてきた。 しかし、さらに高密度な磁気記録の実現が求め
られる現在においては塗布型よりも各種の記録、
再生損失の少ない薄膜型磁気記録媒体が注目され
ており、一部では既に実用化されている。 従来の塗布型においては磁性物をバインダー中
に混合するが、バインダー中に磁性粉だけでなく
研摩剤、潤滑剤等を混合することにより、磁気記
録媒体として要求される様々な実用特性を満たし
ている。しかし、薄膜型においては塗布型のよう
に研磨剤、潤滑剤を用いることは困難であり、他
の方法により実用特性の向上が必要とされる。薄
膜型磁気記録媒体の実用特性向上の為の有効な方
法として、薄膜表面層の形状制御が考えられる。
一般に磁気記録媒体の表面形状は平滑度が高い
程、記録・再生時の損失が少なく電磁変換特性上
は有利であるが、一方で平滑度が高い程、走行特
性は悪化する。 そこで、表面形状を制御して、電磁変換特性と
走行特性を両立させるべく考案された従来の薄膜
型磁気記録媒体の断面図を第１図に示す。第１図
において１は基板、２は表面形状を制御する為の
形状賦与物、３は磁性層である。磁性層３の表面
形状は形状賦与物２の効果により様々に制御さ
れ、このように表面形状を制御することによつて
電磁変換特性と走行性は両立されるようになつ
た。しかし従来例における走行性の改善は初期的
には大きな効果が得られるが、繰り返し走行によ
り走行改善効果は次第に薄れてくる傾向があり、
繰り返し走行時の耐久性に欠点を有していた。 発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、表面形状制御によつ
て電磁変換特性と走行性を両立し、更に走行耐久
性を向上した薄膜型磁気記録媒体を提供するもの
である。 発明の構成 この目的を達成するために本発明の薄膜型磁気
記録媒体は、基板上に下部薄膜層と、その下部薄
膜層上に配された形状賦与物と、その形状付与物
上の上部薄膜層から構成されており、この構成に
よつて基板及び形状賦与物への応力集中を防ぎ、
繰り返し走行による塗布及び形状賦与物の変形に
よる表面形状の変化を防ぐものと思われ、繰り返
し走行による耐久性が改善される。 実施例の説明 以下本発明の一実施例について、図面を参照し
ながら説明する。第２図は本発明の薄膜型磁気記
録媒体の基本構成を示す断面図である。第２図に
おいて４は基板、５は下部薄膜層、６は形状賦与
物、７は上部薄膜層である。磁性層となる薄膜層
は上部薄膜層７及び下部薄膜層５の一部又は全部
である。第１図の構成と異なるのは下部薄膜層５
を有することである。下部薄膜層５の膜厚は材料
及び製法に依存するが100〜200Å程度以上が好ま
しく、1μmまでの範囲では下部薄膜層５の膜厚に
上限はなかつた。下部薄膜層５及び上部薄膜層７
の材料としてはTi，Cr，Co，Fe，Ni，Cu，Al，
Au，Rh等の各種金属や、Fe−Zi，Co−Cr，Co
−Ni等の各種合金や、SiO2，Si2N3，Fe2O3，
CoO等各種金属チツ化物及び金属酸化物といつた
磁性材料及び非磁性材料が適している。さらに、
下部薄膜層５の下側の基板４の表面形状に本発明
は影響を受けるものではない。 本発明による走行耐久性の向上の効果は基板４
が高分子材料の時に最も効果が大きいが必ずしも
高分子材料に限るものではない。形状賦与物は高
分子材料と同程度かそれ以上の強度を持つ材料で
あれば何でもよい。又、形状賦与物６の形状によ
らず本発明による走行耐久性の向上の効果はある
が、薄膜型磁気記録媒体の電磁変換特性の立場か
ら、平均粗さは1000Å以下であることが望まし
い。また、形状賦与物６は不連続であつても、連
続的に構成されていても良い。また、上部薄膜層
７上に潤剤等を含有する保護層を形成することに
より、さらに耐久性の向上が図れるものである。 以下に、さらに具体的な構成を第１の実施例と
して説明する。 厚み10μmのPET（ポリエチレンテレフタレー
ト）基板上に１×10-5Torrの真空度で下部薄膜
層として500Åの厚みのチタン層を形成し、その
上に形状賦与物として直径150〜300ÅのSiO2粒
子を塗布法により50個／μm2の密度で分散させ配
置した。さらに上層部に円筒キヤンを用いて接線
方向から最低入射角40゜まで２×10-4Torrの酸素
雰囲気中で上部薄膜層としてCo（80wwt％）Ni合
金を膜厚1500Å、基板走行速度30m／minで磁性
層を蒸着し試料Ａを得た。同様の蒸着方法、蒸着
条件、形状賦与物形成法を用い、チタン層がなく
形状賦与物と磁性層を形成し試料Ｂを、又チタン
層と形状賦与物がなく磁性層だけの試料Ｃを得
た。 試料Ａ，Ｂ，Ｃの磁性層表面形状を走査型電子
顕微鏡（SEM）によつて5000倍から2000倍の倍
率で観察したところ、試料Ａ，Ｂは共に50個／μ
m2の密度で同様な表面突起形状が観察され、試料
Ｃは突起のない平担な表面形状をしていた。次に
試料Ａ，Ｂ，Ｃを用い、電磁変換特性、動摩擦係
数μkを40℃80％環境における繰り返し走行によつ
て測定した。電磁変換特性は記録波長0.8μmの再
生出力であり、試料Ｃの初期値を基準とした。測
定結果を第１に示す。
【表】
繰り返し走行は200passまで行つたが、試料Ｂ
では32pass目から、試料Ｃでは2pass目から鳴き
が発生した。又、試料Ｂでは127pass目から、試
料Ｃでは11passから走行しなくなつたが、試料Ａ
は200pass目まで鳴きを発生するとなく走行した。
以上のように本実施例によれば下部薄膜層を設け
ることにより、繰り返し走行による耐久性を向上
させることができる。 以下第２の実施例について説明する。 厚み10μmのPET基板上に円筒キヤンを用いて
接線方向から最低入射角30゜まで２×10-4Torrの
酸素雰囲気中で下部薄膜層としてCo（80wt％）
Ni合金を膜厚1000Å、基板走行速度80m／mmで
蒸着した。その上に形状賦与物として直径200〜
400Åのポリウレタンを折出させ塗布し、５個／
μm2の密度で分散させ配置した。さらに上層部に
上部薄膜層として円筒キヤンを用いて接線方向か
ら最低入射角40゜まで２×10-4Torrの酸素雰囲気
中でCo（80wt％）Ni合金を膜厚500Å、基板走行
速度80m／minで蒸着した。上部薄膜層の上に保
護層としてミリスチン酸を平均膜厚10Å相当分塗
布し、試料Ｄを得た。 試料Ｄと同じ蒸着条件、塗布条件を用い、基板
上にまず形状賦与物としてポリウレタン粒子を形
成後、上部薄膜層として２層の蒸着を行ない、そ
の上に保護層としてミリスチン酸を塗布すること
により試料Ｅを得た。 試料Ｄ，Ｅを用い、電磁変換特性、動摩擦係数
μkを40℃80％環境における繰り返し走行によつて
測定した。電磁変換特性は記録波長0.8μmの再生
出力であり、試料Ｅの初期値を基準とした。測定
結果を第２表に示す。
では32pass目から、試料Ｃでは2pass目から鳴き
が発生した。又、試料Ｂでは127pass目から、試
料Ｃでは11passから走行しなくなつたが、試料Ａ
は200pass目まで鳴きを発生するとなく走行した。
以上のように本実施例によれば下部薄膜層を設け
ることにより、繰り返し走行による耐久性を向上
させることができる。 以下第２の実施例について説明する。 厚み10μmのPET基板上に円筒キヤンを用いて
接線方向から最低入射角30゜まで２×10-4Torrの
酸素雰囲気中で下部薄膜層としてCo（80wt％）
Ni合金を膜厚1000Å、基板走行速度80m／mmで
蒸着した。その上に形状賦与物として直径200〜
400Åのポリウレタンを折出させ塗布し、５個／
μm2の密度で分散させ配置した。さらに上層部に
上部薄膜層として円筒キヤンを用いて接線方向か
ら最低入射角40゜まで２×10-4Torrの酸素雰囲気
中でCo（80wt％）Ni合金を膜厚500Å、基板走行
速度80m／minで蒸着した。上部薄膜層の上に保
護層としてミリスチン酸を平均膜厚10Å相当分塗
布し、試料Ｄを得た。 試料Ｄと同じ蒸着条件、塗布条件を用い、基板
上にまず形状賦与物としてポリウレタン粒子を形
成後、上部薄膜層として２層の蒸着を行ない、そ
の上に保護層としてミリスチン酸を塗布すること
により試料Ｅを得た。 試料Ｄ，Ｅを用い、電磁変換特性、動摩擦係数
μkを40℃80％環境における繰り返し走行によつて
測定した。電磁変換特性は記録波長0.8μmの再生
出力であり、試料Ｅの初期値を基準とした。測定
結果を第２表に示す。
【表】
試料Ｄ，Ｅ共に鳴きを発生することはなかつた
が、μkの耐久性は試料Ｅでは200pass走行により
大きな上昇がみられたが、試料Ｄでは殆んど変化
しなかつた。以上のように本実施例によれば下部
薄膜層を設けることにより、繰り返し走行による
耐久性を向上させることができる。 以下第３の実施例について説明する。 厚み8μmの芳香族ポリイミド基板上に１×
10-6Torrで下部薄膜層としてパーマロイ膜厚
3000Å形成した。その上に形状賦与物として塗布
法により直径300〜600ÅのAl2O3粒子を20個／μ
m2の密度で分散させ配置した。さらに上層部に上
部薄膜層としてCo（80wt％）Cr垂直磁化膜を膜
厚5000Å形成した後、保護層として平均膜厚５Å
相当分のステアリン酸を塗布し、試料Ｆを得た。 試料Ｆと同じ蒸着条件、塗布条件を用い、芳香
族ポリイミド基板上に形状賦与物としてAl2O3粒
子を設け、その上にパーマロイ層、CoCr垂直磁
化膜層、ステアリン酸層を形成し、試料Ｇを得
た。 試料Ｆ，Ｇを用い、電磁変換特性、動摩擦係数
μkを40℃80％環境における繰り返し走行によつて
測定した。電磁変換特性は記録波長0.6μmの再生
出力であり、試料Ｇの初期値を基準とした。測定
結果を第３表に示す。
が、μkの耐久性は試料Ｅでは200pass走行により
大きな上昇がみられたが、試料Ｄでは殆んど変化
しなかつた。以上のように本実施例によれば下部
薄膜層を設けることにより、繰り返し走行による
耐久性を向上させることができる。 以下第３の実施例について説明する。 厚み8μmの芳香族ポリイミド基板上に１×
10-6Torrで下部薄膜層としてパーマロイ膜厚
3000Å形成した。その上に形状賦与物として塗布
法により直径300〜600ÅのAl2O3粒子を20個／μ
m2の密度で分散させ配置した。さらに上層部に上
部薄膜層としてCo（80wt％）Cr垂直磁化膜を膜
厚5000Å形成した後、保護層として平均膜厚５Å
相当分のステアリン酸を塗布し、試料Ｆを得た。 試料Ｆと同じ蒸着条件、塗布条件を用い、芳香
族ポリイミド基板上に形状賦与物としてAl2O3粒
子を設け、その上にパーマロイ層、CoCr垂直磁
化膜層、ステアリン酸層を形成し、試料Ｇを得
た。 試料Ｆ，Ｇを用い、電磁変換特性、動摩擦係数
μkを40℃80％環境における繰り返し走行によつて
測定した。電磁変換特性は記録波長0.6μmの再生
出力であり、試料Ｇの初期値を基準とした。測定
結果を第３表に示す。
【表】
第３表から明らかな様に、試料Ｆは試料Ｇより
はるかにすぐれた走行耐久性を持つ。 以上のように本実施例によれば下部薄膜層を設
けることによりCo−Cr薄膜のように走行しにく
い材料を使つた場合でも、繰り返し走行による耐
久性を向上させることができる。 以下本発明の第４の実施例について図面を参照
しながら説明する。第３図は本発明の第４の実施
例を示す薄膜型磁気記録媒体の断面図を示すもの
である。第３図において４は基板、５は下部薄膜
層、８は形状賦与物、７は上部薄膜層である。前
述までの実施例と異なるのは前述までの実施例で
は形状賦与物が不連続体であつたのに対し、本実
施例では連続体である点である。以下第４の実施
例の具体的な構成について説明する。 厚み10μmの芳香族ポリイミド基板上に１×
10-6Torrで下部薄膜層の一層として膜厚500Åの
チタン層を形成する。さらにその上に１×
10-5Torrで下部薄膜層の他の一層として3000Å
のCo（80wt％）Cr垂直磁化膜を形成する。その
後平均粒径200ÅのSiO2粒子とバイロンの希釈混
合液を塗布することにより形状賦与物８を形成す
る。さらに１×10-5Torrで上部薄膜層として膜
厚200Åのロジウム層を形成し試料Ｈを得た。 試料Ｈを用い電磁変換特性、動摩擦係数μkを40
℃80％における繰り返し走行によつて測定した。
電磁変換特性は記録波長0.6μmの再生出力であ
り、試料Ｈの初期値を基準とした。測定結果を第
４表に示す。
はるかにすぐれた走行耐久性を持つ。 以上のように本実施例によれば下部薄膜層を設
けることによりCo−Cr薄膜のように走行しにく
い材料を使つた場合でも、繰り返し走行による耐
久性を向上させることができる。 以下本発明の第４の実施例について図面を参照
しながら説明する。第３図は本発明の第４の実施
例を示す薄膜型磁気記録媒体の断面図を示すもの
である。第３図において４は基板、５は下部薄膜
層、８は形状賦与物、７は上部薄膜層である。前
述までの実施例と異なるのは前述までの実施例で
は形状賦与物が不連続体であつたのに対し、本実
施例では連続体である点である。以下第４の実施
例の具体的な構成について説明する。 厚み10μmの芳香族ポリイミド基板上に１×
10-6Torrで下部薄膜層の一層として膜厚500Åの
チタン層を形成する。さらにその上に１×
10-5Torrで下部薄膜層の他の一層として3000Å
のCo（80wt％）Cr垂直磁化膜を形成する。その
後平均粒径200ÅのSiO2粒子とバイロンの希釈混
合液を塗布することにより形状賦与物８を形成す
る。さらに１×10-5Torrで上部薄膜層として膜
厚200Åのロジウム層を形成し試料Ｈを得た。 試料Ｈを用い電磁変換特性、動摩擦係数μkを40
℃80％における繰り返し走行によつて測定した。
電磁変換特性は記録波長0.6μmの再生出力であ
り、試料Ｈの初期値を基準とした。測定結果を第
４表に示す。
【表】
第４表から余らかな様に、本実施例によれば繰
り返し走行による耐久性に優れた薄膜型磁気記録
媒体を得ることができる。 なお、前述の４つの実施例中で薄膜の形成法を
蒸着法としているが、これは現時点で最も生産性
が高く工業的に安定した製法である為であり、形
状賦与物の効果のある薄膜製造法であれば、従来
知られたいかなる製法でもかまわない。 発明の効果 以上のように本発明は、基板上に下部薄膜層と
その下部薄膜層上に配された形状賦与物と、その
形状賦与物上に上部薄膜層を設けることにより、
電磁変換特性と走行性を両立させながら繰り返し
走行による耐久性に優れた薄膜型磁気記録媒体を
得ることができ、その実用的効果は大なるものが
ある。
り返し走行による耐久性に優れた薄膜型磁気記録
媒体を得ることができる。 なお、前述の４つの実施例中で薄膜の形成法を
蒸着法としているが、これは現時点で最も生産性
が高く工業的に安定した製法である為であり、形
状賦与物の効果のある薄膜製造法であれば、従来
知られたいかなる製法でもかまわない。 発明の効果 以上のように本発明は、基板上に下部薄膜層と
その下部薄膜層上に配された形状賦与物と、その
形状賦与物上に上部薄膜層を設けることにより、
電磁変換特性と走行性を両立させながら繰り返し
走行による耐久性に優れた薄膜型磁気記録媒体を
得ることができ、その実用的効果は大なるものが
ある。
第１図は従来の薄膜型磁気記録媒体の断面図、
第２図は本発明の基本的構成を示す薄膜型磁気記
録媒体の断面図、第３図は本発明の第４の実施例
における薄膜型磁気記録媒体の断面図である。 ４…基板、５…下部薄膜層、６，８…形状賦与
物、７…上部薄膜層。
第２図は本発明の基本的構成を示す薄膜型磁気記
録媒体の断面図、第３図は本発明の第４の実施例
における薄膜型磁気記録媒体の断面図である。 ４…基板、５…下部薄膜層、６，８…形状賦与
物、７…上部薄膜層。
Claims (1)
- １ 基板上に形成された金属又は合金又は金属チ
ツ化物又は金属酸化物からなる下部薄膜層と、そ
の下部薄膜層上に配された形状賦与物と、その形
状賦与物上に形成された上部薄膜層とを有する薄
膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19275683A JPS6085417A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 薄膜型磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19275683A JPS6085417A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 薄膜型磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085417A JPS6085417A (ja) | 1985-05-14 |
| JPH0547889B2 true JPH0547889B2 (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=16296524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19275683A Granted JPS6085417A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 薄膜型磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085417A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0762894B2 (ja) * | 1985-12-26 | 1995-07-05 | 株式会社日立製作所 | 磁気デイスク用下地基板 |
| JPS62246127A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191830A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57198534A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| JPS5868223A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-04-23 | Toray Ind Inc | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19275683A patent/JPS6085417A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191830A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57198534A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| JPS5868223A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-04-23 | Toray Ind Inc | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6085417A (ja) | 1985-05-14 |
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