JPH0545321A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
- Publication number
- JPH0545321A JPH0545321A JP22455791A JP22455791A JPH0545321A JP H0545321 A JPH0545321 A JP H0545321A JP 22455791 A JP22455791 A JP 22455791A JP 22455791 A JP22455791 A JP 22455791A JP H0545321 A JPH0545321 A JP H0545321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas sensor
- sensitivity
- sensor
- plasma polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオウ系の化合物ガスなどの雑ガスの影響を
受けにくく、優れた感度を安定して示すガスセンサを提
供する。 【構成】 絶縁基板１上に、Ａｕ（金）及びＳｎ（ス
ズ）を真空蒸着し、更に空気中で熱処理することにより
ＳｎＯ2 （酸化スズ）を主成分とした薄膜状ガス感応体
２を形成する。次に、薄膜状ガス感応体２上にＰｄ（パ
ラジウム）からなる触媒３及びくし型Ａｕ電極４を真空
蒸着法により順次形成する。最後に、これらの表面に膜
厚１０ｎｍのプラズマポリマー５を被覆してガスセンサ
を完成する。
受けにくく、優れた感度を安定して示すガスセンサを提
供する。 【構成】 絶縁基板１上に、Ａｕ（金）及びＳｎ（ス
ズ）を真空蒸着し、更に空気中で熱処理することにより
ＳｎＯ2 （酸化スズ）を主成分とした薄膜状ガス感応体
２を形成する。次に、薄膜状ガス感応体２上にＰｄ（パ
ラジウム）からなる触媒３及びくし型Ａｕ電極４を真空
蒸着法により順次形成する。最後に、これらの表面に膜
厚１０ｎｍのプラズマポリマー５を被覆してガスセンサ
を完成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、白金族触媒を含むガス
センサに関し、特にイオウ系化合物ガスなどによる被毒
作用を低減したガスセンサに関するものである。
センサに関し、特にイオウ系化合物ガスなどによる被毒
作用を低減したガスセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｈ2（水素）ガス，ＣＨ4（メタン）ガス
等の可燃性ガスやＣＯ（一酸化炭素）ガス，ＮＯX（窒
素酸化物）ガス，Ｈ2Ｓ（硫化水素）ガス等の有毒ガス
は、引火により爆発を伴ったり、人体や生物に対する毒
性の高いガスであるため、従来よりこれらのガスに対し
て優れた感度を示すガスセンサの研究が種々なされてい
る。その中で、例えば金属酸化物半導体の抵抗値変化を
利用して目的とするガスの検知を行うガスセンサ良く知
られているが、このガスセンサにおいては、目的とする
ガスに対する感度と選択性を向上させるためにＰｔ（白
金），Ｐｄ（パラジウム）等の白金族触媒が使用されて
いる。
等の可燃性ガスやＣＯ（一酸化炭素）ガス，ＮＯX（窒
素酸化物）ガス，Ｈ2Ｓ（硫化水素）ガス等の有毒ガス
は、引火により爆発を伴ったり、人体や生物に対する毒
性の高いガスであるため、従来よりこれらのガスに対し
て優れた感度を示すガスセンサの研究が種々なされてい
る。その中で、例えば金属酸化物半導体の抵抗値変化を
利用して目的とするガスの検知を行うガスセンサ良く知
られているが、このガスセンサにおいては、目的とする
ガスに対する感度と選択性を向上させるためにＰｔ（白
金），Ｐｄ（パラジウム）等の白金族触媒が使用されて
いる。
【０００３】図１１は、白金属触媒を利用した酸化物半
導体型ガスセンサの一例を示す断面図（概念図）であ
る。Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム），ＳｉＯ2（酸化ケ
イ素）等からなる絶縁基板１１上に、ＳｎＯ2またはＩ
ｎ2Ｏ3のうちの少なくとも一種を主成分とするガス感応
体１２が設けられ、前記ガス感応体１２上にはＡｕ，Ｐ
ｔ等からなる一対の電極１３が形成されている。更に、
それらの上面には質量膜厚が５ｎｍ以下のＰｔ，Ｐｄの
うち少なくとも一種からなる触媒層１４が形成されてい
る。また、前記絶縁基板１１の裏面にはガスセンサの温
度を所定の温度に保つための発熱体１５が設けられてい
る。上記のガスセンサは、前述したようにＰｔ，Ｐｄ等
の白金族触媒を酸化物半導体からなるガス感応体上に触
媒層として設けることにより、目的とするガスに対する
感度の向上と選択性の改善を図っている。しかし、この
ガスセンサは例えばメルカプタンなどのイオウ系化合物
ガスが表面に吸着した場合に、触媒が被毒されてガス感
度をほとんど示さなくなってしまうという欠点を抱えて
いる。
導体型ガスセンサの一例を示す断面図（概念図）であ
る。Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム），ＳｉＯ2（酸化ケ
イ素）等からなる絶縁基板１１上に、ＳｎＯ2またはＩ
ｎ2Ｏ3のうちの少なくとも一種を主成分とするガス感応
体１２が設けられ、前記ガス感応体１２上にはＡｕ，Ｐ
ｔ等からなる一対の電極１３が形成されている。更に、
それらの上面には質量膜厚が５ｎｍ以下のＰｔ，Ｐｄの
うち少なくとも一種からなる触媒層１４が形成されてい
る。また、前記絶縁基板１１の裏面にはガスセンサの温
度を所定の温度に保つための発熱体１５が設けられてい
る。上記のガスセンサは、前述したようにＰｔ，Ｐｄ等
の白金族触媒を酸化物半導体からなるガス感応体上に触
媒層として設けることにより、目的とするガスに対する
感度の向上と選択性の改善を図っている。しかし、この
ガスセンサは例えばメルカプタンなどのイオウ系化合物
ガスが表面に吸着した場合に、触媒が被毒されてガス感
度をほとんど示さなくなってしまうという欠点を抱えて
いる。
【０００４】そこで、このような問題点に対して従来か
ら様々な取り組みがなされている。例えば、実開昭６０
ー９５５５１号公報、考案の名称「ＣＯガス検出装置」
には、ＳｎＯ2にＰｔ，Ｐｄ，Ａｕ等の貴金属触媒を添
加してなるガス感応部の上部に活性炭フィルターを設け
た検出装置が示されている。この検出装置は、目的とす
るＣＯガス以外のＣ2Ｈ5ＯＨ（エタノール）ガスやＮＯ
Xガスをフィルターに吸着させ除去することによってＣ
Ｏガスを選択的に検出するというものである。
ら様々な取り組みがなされている。例えば、実開昭６０
ー９５５５１号公報、考案の名称「ＣＯガス検出装置」
には、ＳｎＯ2にＰｔ，Ｐｄ，Ａｕ等の貴金属触媒を添
加してなるガス感応部の上部に活性炭フィルターを設け
た検出装置が示されている。この検出装置は、目的とす
るＣＯガス以外のＣ2Ｈ5ＯＨ（エタノール）ガスやＮＯ
Xガスをフィルターに吸着させ除去することによってＣ
Ｏガスを選択的に検出するというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
検出装置は、作製が複雑になるという欠点がある。本発
明者らは、前記事情に鑑み、イオウ系の化合物ガスなど
の雑ガスの影響による触媒機能の低下（被毒）を防止
し、目的とするガスに対して優れた感度を安定して維持
することの可能なガスセンサを開発すべく種々探索した
結果本発明に至った。
検出装置は、作製が複雑になるという欠点がある。本発
明者らは、前記事情に鑑み、イオウ系の化合物ガスなど
の雑ガスの影響による触媒機能の低下（被毒）を防止
し、目的とするガスに対して優れた感度を安定して維持
することの可能なガスセンサを開発すべく種々探索した
結果本発明に至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち本発明によるガスセ
ンサは、白金族触媒を含むガスセンサの表面がプラズマ
ポリマーで被覆されて構成されたものである。
ンサは、白金族触媒を含むガスセンサの表面がプラズマ
ポリマーで被覆されて構成されたものである。
【０００７】本発明に用いられるプラズマポリマーは、
シロキサン系モノマーあるいはシラン系モノマーをプラ
ズマ重合することにより得られるものであり、その膜厚
は１００ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が１００
ｎｍを超えるとガス透過性が著しく低下し、感度を示さ
なくなってしまう。前記シロキサン系モノマーとして
は、ヘキサメチルジシロキサン，ヘキサメチルシクロト
リシロキサン等が挙げられ、シラン系モノマーとして
は、テトラメチルシラン，トリメチルビニルシラン等が
挙げられる。
シロキサン系モノマーあるいはシラン系モノマーをプラ
ズマ重合することにより得られるものであり、その膜厚
は１００ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が１００
ｎｍを超えるとガス透過性が著しく低下し、感度を示さ
なくなってしまう。前記シロキサン系モノマーとして
は、ヘキサメチルジシロキサン，ヘキサメチルシクロト
リシロキサン等が挙げられ、シラン系モノマーとして
は、テトラメチルシラン，トリメチルビニルシラン等が
挙げられる。
【０００８】本発明で用いられる白金族触媒を含むガス
センサとしては、絶縁基板と、該絶縁基板上に設けられ
たＡｕ含有ＳｎＯ2あるいはＩｎ2Ｏ3を主成分とする薄
膜状ガス感応体と、該薄膜状ガス感応体に設けられた一
対の電極と、前記ガス感応体表面上に設けられた白金族
触媒とからなるものが好ましい。
センサとしては、絶縁基板と、該絶縁基板上に設けられ
たＡｕ含有ＳｎＯ2あるいはＩｎ2Ｏ3を主成分とする薄
膜状ガス感応体と、該薄膜状ガス感応体に設けられた一
対の電極と、前記ガス感応体表面上に設けられた白金族
触媒とからなるものが好ましい。
【０００９】
【作用】上記のように構成される本発明のガスセンサ
は、白金族触媒を含むガスセンサの表面をプラズマポリ
マーで被覆することにより、メルカプタンなどのイオウ
系化合物ガスなどの影響による触媒の被毒作用を低減す
ることができるため、目的とするガスに対する感度を安
定して維持することができる。
は、白金族触媒を含むガスセンサの表面をプラズマポリ
マーで被覆することにより、メルカプタンなどのイオウ
系化合物ガスなどの影響による触媒の被毒作用を低減す
ることができるため、目的とするガスに対する感度を安
定して維持することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明をＳｎＯ２系及びＩｎ2Ｏ3系の
薄膜型Ｈ2ガスセンサ及びＣＯガスセンサへの応用を実
施例として、図面等を参照して更に詳しく説明する。図
１は、本発明によるガスセンサの一実施例を示す断面
図、図２は本発明に用いられるくし型Ａｕ電極の一例を
示す平面図である。
薄膜型Ｈ2ガスセンサ及びＣＯガスセンサへの応用を実
施例として、図面等を参照して更に詳しく説明する。図
１は、本発明によるガスセンサの一実施例を示す断面
図、図２は本発明に用いられるくし型Ａｕ電極の一例を
示す平面図である。
【００１１】《実施例１，比較例１》本実施例ではま
ず、図１に示す如く、絶縁基板１として縦，横，及び厚
さが１３×１０×１ｍｍの石英ガラス基板を用意し、該
基板上にＡｕ及びＳｎを真空蒸着（Ａｕ３０Å，Ｓｎ１
００Å）し、空気中で１０分間熱処理（５００℃）して
薄膜状ガス感応体２を得た。ここで、Ａｕはガス感度を
高めるための添加剤である。次に、前記薄膜状ガス感応
体２上に、Ｐｄからなる質量膜厚１０Åの触媒３及び図
２に示すような厚さ４００Åのくし型Ａｕ電極４を真空
蒸着法により順次形成した。最後に、これらの表面に内
部電極型反応装置を用いてシラン系モノマーのプラズマ
重合を行い、膜厚１０ｎｍのプラズマポリマー５を被覆
した。シラン系モノマーとしては、ヘキサメチルジシロ
キサンを用い、周波数２０ｋＨZ，放電電流値１００ｍ
Ａ，圧力０．１ｔｏｒｒの条件で重合を行った。また、
前記絶縁基板１の裏面には、ガスセンサの温度を制御す
るための発熱体６が設けられている。
ず、図１に示す如く、絶縁基板１として縦，横，及び厚
さが１３×１０×１ｍｍの石英ガラス基板を用意し、該
基板上にＡｕ及びＳｎを真空蒸着（Ａｕ３０Å，Ｓｎ１
００Å）し、空気中で１０分間熱処理（５００℃）して
薄膜状ガス感応体２を得た。ここで、Ａｕはガス感度を
高めるための添加剤である。次に、前記薄膜状ガス感応
体２上に、Ｐｄからなる質量膜厚１０Åの触媒３及び図
２に示すような厚さ４００Åのくし型Ａｕ電極４を真空
蒸着法により順次形成した。最後に、これらの表面に内
部電極型反応装置を用いてシラン系モノマーのプラズマ
重合を行い、膜厚１０ｎｍのプラズマポリマー５を被覆
した。シラン系モノマーとしては、ヘキサメチルジシロ
キサンを用い、周波数２０ｋＨZ，放電電流値１００ｍ
Ａ，圧力０．１ｔｏｒｒの条件で重合を行った。また、
前記絶縁基板１の裏面には、ガスセンサの温度を制御す
るための発熱体６が設けられている。
【００１２】ここで、上記のように表面にプラズマポリ
マーを被覆したガスセンサの他に、プラズマポリマーを
被覆していないガスセンサ（比較例１）も用意し、ガス
センサの温度を１６０℃に保持しながら密閉槽内に固定
し、該槽内に濃度４００ｐｐｍのＨ2ガスを注射器で注
入し、ファンでかき混ぜながら各々のセンサの電気抵抗
値を測定した。実施例１及び比較例１に示したセンサの
Ｈ2ガスに対する感度〔空気中の抵抗値（Ｒair）／Ｈ2
ガス雰囲気中の抵抗値（Ｒgas）〕を図３及び図４に示
した。図３には実施例１のガスセンサの感度を、図４に
は比較例１のガスセンサの感度を示してある。
マーを被覆したガスセンサの他に、プラズマポリマーを
被覆していないガスセンサ（比較例１）も用意し、ガス
センサの温度を１６０℃に保持しながら密閉槽内に固定
し、該槽内に濃度４００ｐｐｍのＨ2ガスを注射器で注
入し、ファンでかき混ぜながら各々のセンサの電気抵抗
値を測定した。実施例１及び比較例１に示したセンサの
Ｈ2ガスに対する感度〔空気中の抵抗値（Ｒair）／Ｈ2
ガス雰囲気中の抵抗値（Ｒgas）〕を図３及び図４に示
した。図３には実施例１のガスセンサの感度を、図４に
は比較例１のガスセンサの感度を示してある。
【００１３】次に、各々のセンサの被毒作用の程度を比
較するために、前記と同様のセンサを１６０℃に保持し
たまま密閉槽内に固定し、該槽内にイオウ系化合物ガス
であるｔ−ブチルメルカプタンを注入し２４時間放置し
た後、該槽内に濃度４００ｐｐｍのＨ2ガスを注入して
電気抵抗値を測定した。そして、Ｈ2ガスに対する感度
を図３及び図４に併記した。
較するために、前記と同様のセンサを１６０℃に保持し
たまま密閉槽内に固定し、該槽内にイオウ系化合物ガス
であるｔ−ブチルメルカプタンを注入し２４時間放置し
た後、該槽内に濃度４００ｐｐｍのＨ2ガスを注入して
電気抵抗値を測定した。そして、Ｈ2ガスに対する感度
を図３及び図４に併記した。
【００１４】図３及び図４を見ても明らかなように、プ
ラズマポリマーを被覆していないセンサは、ｔ−ブチル
メルカプタンに被毒されほとんど感度を示さなくなるの
に対し、本発明のガスセンサはプラズマポリマーの被覆
によりｔ−ブチルメルカプタンの影響による被毒作用が
かなり低減されており、２００程度の感度を保持してい
るため実用上問題がない。尚、本実施例とは別に、膜厚
が１００ｎｍを超えるプラズマポリマーを被覆したセン
サも作製して前記と同様の実験を行ってみたが、ガス透
過性が著しく低下してしまうため、プラズマポリマーの
被覆をしていないセンサと同様にほとんど感度を示さな
かった。
ラズマポリマーを被覆していないセンサは、ｔ−ブチル
メルカプタンに被毒されほとんど感度を示さなくなるの
に対し、本発明のガスセンサはプラズマポリマーの被覆
によりｔ−ブチルメルカプタンの影響による被毒作用が
かなり低減されており、２００程度の感度を保持してい
るため実用上問題がない。尚、本実施例とは別に、膜厚
が１００ｎｍを超えるプラズマポリマーを被覆したセン
サも作製して前記と同様の実験を行ってみたが、ガス透
過性が著しく低下してしまうため、プラズマポリマーの
被覆をしていないセンサと同様にほとんど感度を示さな
かった。
【００１５】《実施例２，比較例２》実施例１及び比較
例１においての、Ａｕを含有しＳｎＯ2を主成分とした
薄膜状ガス感応体に代えて、Ｉｎ2Ｏ3（蒸着膜厚３５０
Å）をガス感応体として用いたガスセンサを作製し、実
施例１及び比較例１と同様の方法でｔ−ブチルメルカプ
タンの注入前と注入後における各々のセンサの電気抵抗
値を測定した。そして、Ｈ2ガスに対する感度を図５及
び図６に示した。図５には実施例２のガスセンサの感度
を、図６には比較例２のガスセンサの感度を示してあ
る。
例１においての、Ａｕを含有しＳｎＯ2を主成分とした
薄膜状ガス感応体に代えて、Ｉｎ2Ｏ3（蒸着膜厚３５０
Å）をガス感応体として用いたガスセンサを作製し、実
施例１及び比較例１と同様の方法でｔ−ブチルメルカプ
タンの注入前と注入後における各々のセンサの電気抵抗
値を測定した。そして、Ｈ2ガスに対する感度を図５及
び図６に示した。図５には実施例２のガスセンサの感度
を、図６には比較例２のガスセンサの感度を示してあ
る。
【００１６】図５及び図６を見ても明らかなように、プ
ラズマポリマーを被覆していないセンサは、ｔ−ブチル
メルカプタンに被毒されほとんど感度を示さなくなるの
に対し、本発明のガスセンサはプラズマポリマーの被覆
によりｔ−ブチルメルカプタンの影響による被毒作用が
かなり低減されており、１００程度の感度を保持してい
るため実用上問題がない。尚、本実施例とは別に、膜厚
が１００ｎｍを超えるプラズマポリマーを被覆したセン
サも作製して前記と同様の実験を行ってみたが、ガス透
過性が著しく低下してしまうため、プラズマポリマーの
被覆をしていないセンサと同様にほとんど感度を示さな
かった。
ラズマポリマーを被覆していないセンサは、ｔ−ブチル
メルカプタンに被毒されほとんど感度を示さなくなるの
に対し、本発明のガスセンサはプラズマポリマーの被覆
によりｔ−ブチルメルカプタンの影響による被毒作用が
かなり低減されており、１００程度の感度を保持してい
るため実用上問題がない。尚、本実施例とは別に、膜厚
が１００ｎｍを超えるプラズマポリマーを被覆したセン
サも作製して前記と同様の実験を行ってみたが、ガス透
過性が著しく低下してしまうため、プラズマポリマーの
被覆をしていないセンサと同様にほとんど感度を示さな
かった。
【００１７】《実施例３，比較例３》実施例１及び比較
例１において、触媒としてＰｄに代えてＰｔを用いたガ
スセンサを作製し、実施例１及び比較例１と同様の方法
でｔ−ブチルメルカプタンの注入前と注入後における各
々のセンサの電気抵抗値を測定した。尚、測定対象ガス
は、Ｈ2ガスに代えて濃度２００ｐｐｍのＣＯガスを用
いた。ＣＯガスに対する感度を図７及び図８に示した。
図７には実施例３のガスセンサの感度を、図８には比較
例３のガスセンサの感度を示してある。
例１において、触媒としてＰｄに代えてＰｔを用いたガ
スセンサを作製し、実施例１及び比較例１と同様の方法
でｔ−ブチルメルカプタンの注入前と注入後における各
々のセンサの電気抵抗値を測定した。尚、測定対象ガス
は、Ｈ2ガスに代えて濃度２００ｐｐｍのＣＯガスを用
いた。ＣＯガスに対する感度を図７及び図８に示した。
図７には実施例３のガスセンサの感度を、図８には比較
例３のガスセンサの感度を示してある。
【００１８】図７及び図８を見ても明らかなように、プ
ラズマポリマーを被覆していないセンサは、ｔ−ブチル
メルカプタンに被毒され、感度が１０００程度から４０
程度にまで低下するのに対し、本発明のガスセンサはプ
ラズマポリマーの被覆によりｔ−ブチルメルカプタンの
影響による被毒作用がかなり低減されており、２００程
度の感度を保持しているため実用上問題がない。尚、本
実施例とは別に、膜厚が１００ｎｍを超えるプラズマポ
リマーを被覆したセンサも作製して前記と同様の実験を
行ってみたが、ガス透過性が著しく低下してしまいほと
んど感度を示さなかった。
ラズマポリマーを被覆していないセンサは、ｔ−ブチル
メルカプタンに被毒され、感度が１０００程度から４０
程度にまで低下するのに対し、本発明のガスセンサはプ
ラズマポリマーの被覆によりｔ−ブチルメルカプタンの
影響による被毒作用がかなり低減されており、２００程
度の感度を保持しているため実用上問題がない。尚、本
実施例とは別に、膜厚が１００ｎｍを超えるプラズマポ
リマーを被覆したセンサも作製して前記と同様の実験を
行ってみたが、ガス透過性が著しく低下してしまいほと
んど感度を示さなかった。
【００１９】《実施例４，比較例４》実施例２及び比較
例２において、触媒としてＰｄに代えてＰｔを用いたガ
スセンサを作製し、実施例２及び比較例２と同様の方法
でｔ−ブチルメルカプタンの注入前と注入後における各
々のセンサの電気抵抗値を測定した。尚、測定対象ガス
は、Ｈ2ガスに代えて濃度２００ｐｐｍのＣＯガスを用
いた。ＣＯガスに対する感度を図９及び図１０に示し
た。図９には実施例４のガスセンサの感度を、図１０に
は比較例４のガスセンサの感度を示してある。
例２において、触媒としてＰｄに代えてＰｔを用いたガ
スセンサを作製し、実施例２及び比較例２と同様の方法
でｔ−ブチルメルカプタンの注入前と注入後における各
々のセンサの電気抵抗値を測定した。尚、測定対象ガス
は、Ｈ2ガスに代えて濃度２００ｐｐｍのＣＯガスを用
いた。ＣＯガスに対する感度を図９及び図１０に示し
た。図９には実施例４のガスセンサの感度を、図１０に
は比較例４のガスセンサの感度を示してある。
【００２０】図９及び図１０を見ても明らかなように、
プラズマポリマーを被覆していないセンサは、ｔ−ブチ
ルメルカプタンに被毒され感度が３０００程度から５０
程度にまで低下するのに対し、本発明のガスセンサはプ
ラズマポリマーの被覆によりｔ−ブチルメルカプタンの
影響による被毒作用がかなり低減されており、２００程
度の感度を保持しているため実用上問題がない。尚、本
実施例とは別に、膜厚が１００ｎｍを超えるプラズマポ
リマーを被覆したセンサも作製して前記と同様の実験を
行ってみたが、ガス透過性が著しく低下してしまいほと
んど感度を示さなかった。
プラズマポリマーを被覆していないセンサは、ｔ−ブチ
ルメルカプタンに被毒され感度が３０００程度から５０
程度にまで低下するのに対し、本発明のガスセンサはプ
ラズマポリマーの被覆によりｔ−ブチルメルカプタンの
影響による被毒作用がかなり低減されており、２００程
度の感度を保持しているため実用上問題がない。尚、本
実施例とは別に、膜厚が１００ｎｍを超えるプラズマポ
リマーを被覆したセンサも作製して前記と同様の実験を
行ってみたが、ガス透過性が著しく低下してしまいほと
んど感度を示さなかった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、白
金族触媒を含むガスセンサの表面に、シロキサン系モノ
マーあるいはシラン系モノマーからプラズマ重合される
プラズマポリマーを被覆することにより、イオウ系化合
物ガスなどの影響を受けにくく、優れた感度を安定して
示すガスセンサを提供することが可能となった。また、
本発明のガスセンサは、簡単に作製することができて産
業上極めて有益なものである。
金族触媒を含むガスセンサの表面に、シロキサン系モノ
マーあるいはシラン系モノマーからプラズマ重合される
プラズマポリマーを被覆することにより、イオウ系化合
物ガスなどの影響を受けにくく、優れた感度を安定して
示すガスセンサを提供することが可能となった。また、
本発明のガスセンサは、簡単に作製することができて産
業上極めて有益なものである。
【図１】本発明によるガスセンサの一実施例を示す断面
図（概念図）である。
図（概念図）である。
【図２】本発明に用いられるくし型Ａｕ電極の一例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】本発明によるガスセンサのｔ−ブチルメルカプ
タン注入前後におけるＨ2ガスに対する感度特性を示す
グラフである。
タン注入前後におけるＨ2ガスに対する感度特性を示す
グラフである。
【図４】比較例として用いたセンサのｔ−ブチルメルカ
プタン注入前後におけるＨ2ガスに対する感度特性を示
すグラフである。
プタン注入前後におけるＨ2ガスに対する感度特性を示
すグラフである。
【図５】本発明によるガスセンサのｔ−ブチルメルカプ
タン注入前後におけるＨ2ガスに対する感度特性を示す
グラフである。
タン注入前後におけるＨ2ガスに対する感度特性を示す
グラフである。
【図６】比較例として用いたガスセンサのｔ−ブチルメ
ルカプタン注入前後におけるＨ2ガスに対する感度特性
を示すグラフである。
ルカプタン注入前後におけるＨ2ガスに対する感度特性
を示すグラフである。
【図７】本発明によるガスセンサのｔ−ブチルメルカプ
タン注入前後におけるＣＯガスに対する感度特性を示す
グラフである。
タン注入前後におけるＣＯガスに対する感度特性を示す
グラフである。
【図８】比較例として用いたガスセンサのｔ−ブチルメ
ルカプタン注入前後におけるＣＯガスに対する感度特性
を示すグラフである。
ルカプタン注入前後におけるＣＯガスに対する感度特性
を示すグラフである。
【図９】本発明によるガスセンサのｔ−ブチルメルカプ
タン注入前後におけるＣＯガスに対する感度特性を示す
グラフである。
タン注入前後におけるＣＯガスに対する感度特性を示す
グラフである。
【図10】比較例として用いたガスセンサのｔ−ブチルメ
ルカプタン注入前後におけるＣＯガスに対する感度特性
を示すグラフである。
ルカプタン注入前後におけるＣＯガスに対する感度特性
を示すグラフである。
【図11】白金属触媒を利用した酸化物半導体型ガスセン
サの一例を示す断面図（概念図）である。
サの一例を示す断面図（概念図）である。
１ 絶縁基板 ２ 薄膜状ガス感応体 ３ 触媒 ４ くし型Ａｕ電極 ５ プラズマポリマー ６ 発熱体 11 絶縁基板 12 ガス感応体 13 電極 14 触媒層 15 発熱体
Claims (4)
- 【請求項１】 白金族触媒を含むガスセンサの表面がプ
ラズマポリマーで被覆されてなるガスセンサ。 - 【請求項２】 前記プラズマポリマーが、シロキサン系
モノマーあるいはシラン系のモノマーからプラズマ重合
されることを特徴とする請求項１に記載のガスセンサ。 - 【請求項３】 前記プラズマポリマーの膜厚が１００ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のガスセ
ンサ。 - 【請求項４】 前記ガスセンサは、絶縁基板と、該絶縁
基板上に設けられたＡｕ（金）含有ＳｎＯ2（酸化ス
ズ）あるいはＩｎ2Ｏ3（酸化インジウム）を主成分とす
る薄膜状ガス感応体と、該ガス感応体に設けられた一対
の電極と、前記ガス感応体表面上に設けられた白金族触
媒とからなることを特徴とする請求項１に記載のガスセ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22455791A JPH0545321A (ja) | 1991-08-10 | 1991-08-10 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22455791A JPH0545321A (ja) | 1991-08-10 | 1991-08-10 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545321A true JPH0545321A (ja) | 1993-02-23 |
Family
ID=16815650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22455791A Pending JPH0545321A (ja) | 1991-08-10 | 1991-08-10 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0545321A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496451A (en) * | 1993-09-14 | 1996-03-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for detecting chemical substances |
| US5629474A (en) * | 1993-03-30 | 1997-05-13 | Keele University | Production of a sensor for carbon monoxide or water vapor including a semi conductor metallic oxide, catalyst, and rheological agent |
| US5770038A (en) * | 1994-06-29 | 1998-06-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for detecting chemical substances |
| JP2002286673A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Denso Corp | ガスセンサ及びその製造方法 |
| WO2004048957A1 (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | 酸化性ガスセンサ |
| JP2007192805A (ja) * | 2005-11-23 | 2007-08-02 | Sony Deutsche Gmbh | ナノ粒子／ナノファイバによる化学センサ、そのセンサのアレイ、その使用及び製造方法、並びに検体の検出方法 |
| JP2010054205A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Tottori Univ | ガスセンサ、センサ素子の製造方法及びガス検出方法 |
| JP2015031634A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 富士電機株式会社 | ガスセンサ |
-
1991
- 1991-08-10 JP JP22455791A patent/JPH0545321A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5629474A (en) * | 1993-03-30 | 1997-05-13 | Keele University | Production of a sensor for carbon monoxide or water vapor including a semi conductor metallic oxide, catalyst, and rheological agent |
| US5545299A (en) * | 1993-09-13 | 1996-08-13 | Sanyo Electric Co., Inc. | Vapor phase sensor |
| US5496451A (en) * | 1993-09-14 | 1996-03-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for detecting chemical substances |
| US5770038A (en) * | 1994-06-29 | 1998-06-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for detecting chemical substances |
| JP2002286673A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Denso Corp | ガスセンサ及びその製造方法 |
| WO2004048957A1 (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | 酸化性ガスセンサ |
| JP2007192805A (ja) * | 2005-11-23 | 2007-08-02 | Sony Deutsche Gmbh | ナノ粒子／ナノファイバによる化学センサ、そのセンサのアレイ、その使用及び製造方法、並びに検体の検出方法 |
| JP2010054205A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Tottori Univ | ガスセンサ、センサ素子の製造方法及びガス検出方法 |
| JP2015031634A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 富士電機株式会社 | ガスセンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| He et al. | NO2 sensing characteristics of WO3 thin film microgas sensor | |
| JPS5991350A (ja) | 薄膜酸素センサ | |
| JPH0545321A (ja) | ガスセンサ | |
| JPH0576575B2 (ja) | ||
| US20230243795A1 (en) | Hydrogen detecting sensor and method of manufacturing the same | |
| JPH03259736A (ja) | 水素ガス検知素子 | |
| JPH09166567A (ja) | 半導体式ガスセンサ及びその製造方法 | |
| JP3166290B2 (ja) | ガスセンサ | |
| US6297138B1 (en) | Method of depositing a metal film onto MOS sensors | |
| JP4010738B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
| JPH0618467A (ja) | ガスセンサ | |
| JPH08122288A (ja) | ガス検知素子 | |
| JP2844286B2 (ja) | 窒素酸化物検出素子およびその製造方法 | |
| JPS60211348A (ja) | 水素ガスセンサ− | |
| JPH04323548A (ja) | ガス検知素子 | |
| JP2959085B2 (ja) | 湿度センサ | |
| JPS63313047A (ja) | ガスセンサ及びその製造方法 | |
| JP3534351B2 (ja) | 高温検知型ｃｏガス検知素子 | |
| JPH06148112A (ja) | 水素ガス検知素子 | |
| JPH02263148A (ja) | 一酸化炭素ガス検出素子 | |
| JP3929199B2 (ja) | 水素ガス検知素子及びその製造方法 | |
| JPH07218461A (ja) | ガスセンサーの駆動方法及びそれを用いたガスの検知方法 | |
| JPH075141A (ja) | ガス検出素子 | |
| Song et al. | The fabrication of novel micro hot-wire sensor | |
| JP3000726B2 (ja) | ガスセンサ |