JPH06148112A - 水素ガス検知素子 - Google Patents
水素ガス検知素子Info
- Publication number
- JPH06148112A JPH06148112A JP31643092A JP31643092A JPH06148112A JP H06148112 A JPH06148112 A JP H06148112A JP 31643092 A JP31643092 A JP 31643092A JP 31643092 A JP31643092 A JP 31643092A JP H06148112 A JPH06148112 A JP H06148112A
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- Japan
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- gas
- oxide
- hydrogen gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、水素ガスに対して高い感度
と選択性を有するとともに、優れた応答性を示すガス検
知素子を提供することにある。 【構成】 本発明による水素ガス検知素子は、絶縁基板
（１）と、一対の電極（３）と、Ｉｎ2Ｏ3からなる薄膜
状ガス感応体（２）と、Ｐｄからなる触媒（４）と、Ｓ
ｉ酸化物からなる部分被毒剤（５）と、から構成された
ことを特徴とするものである。
と選択性を有するとともに、優れた応答性を示すガス検
知素子を提供することにある。 【構成】 本発明による水素ガス検知素子は、絶縁基板
（１）と、一対の電極（３）と、Ｉｎ2Ｏ3からなる薄膜
状ガス感応体（２）と、Ｐｄからなる触媒（４）と、Ｓ
ｉ酸化物からなる部分被毒剤（５）と、から構成された
ことを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水素ガスに対し、高い
感度と選択性を有するとともに、優れた応答性を示すガ
ス検知素子に関するものである。
感度と選択性を有するとともに、優れた応答性を示すガ
ス検知素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＳｎＯ2(酸化スズ）、Ｉｎ2
Ｏ3等の金属酸化物半導体をガス感応体として用いたガ
ス検知素子について、各種の研究がなされている。この
ようなガス検知素子の中で、Ｈ2ガスを選択的に検知す
ることができるように工夫を施したものとして、例えば
特開平３−２５９７３６号公報に示されたようなものが
ある。この公報に示された素子は、上記公報にも詳述さ
れているように、素子形成の最終工程において熱処理を
施すことにより、Ｈ2ガスに対する感度を向上させると
ともに、Ｈ2ガス以外のガスに対する感度を低下させた
ものである。また、これとは別の例として、ＳｎＯ2、
Ｉｎ2Ｏ3等の金属酸化物半導体からなるガス感応体の表
面に、水素以外の分子の通過を抑制し水素分子を容易に
通過させる、例えばＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）、Ｓ
ｉＯ2（酸化ケイ素）、Ｓｉ3Ｎ4（窒化ケイ素）等の燃
焼非活性の薄膜を形成したものも提案されている。この
センサは、ガス感応体の表面に緻密で一様な連続薄膜
（水素選択性透過膜）を形成することにより、水素以外
のガスによる干渉を少なくして高感度の水素選択性セン
サの実現を狙ったものである。
Ｏ3等の金属酸化物半導体をガス感応体として用いたガ
ス検知素子について、各種の研究がなされている。この
ようなガス検知素子の中で、Ｈ2ガスを選択的に検知す
ることができるように工夫を施したものとして、例えば
特開平３−２５９７３６号公報に示されたようなものが
ある。この公報に示された素子は、上記公報にも詳述さ
れているように、素子形成の最終工程において熱処理を
施すことにより、Ｈ2ガスに対する感度を向上させると
ともに、Ｈ2ガス以外のガスに対する感度を低下させた
ものである。また、これとは別の例として、ＳｎＯ2、
Ｉｎ2Ｏ3等の金属酸化物半導体からなるガス感応体の表
面に、水素以外の分子の通過を抑制し水素分子を容易に
通過させる、例えばＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）、Ｓ
ｉＯ2（酸化ケイ素）、Ｓｉ3Ｎ4（窒化ケイ素）等の燃
焼非活性の薄膜を形成したものも提案されている。この
センサは、ガス感応体の表面に緻密で一様な連続薄膜
（水素選択性透過膜）を形成することにより、水素以外
のガスによる干渉を少なくして高感度の水素選択性セン
サの実現を狙ったものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の素子においては、次のような問題点がある。まず、
前段のものは、素子形成の最終工程において施される熱
処理が１２時間程度の時間を要することから、生産性に
劣るという欠点がある。また、後段のものは、特公昭６
１−２２３６４３号公報においても指摘されているよう
に、水素ガスが直接ガス感応体の表面に吸着するタイプ
の素子に比べ、水素ガスが選択性透過膜を通過する分、
感度や応答性が低下してしまうという欠点がある。更
に、この素子は透過膜の大きさによって水素以外の分子
の通過を抑制するものであるため、分子径レベルでの孔
径の制御が必要とされ、極めて高い膜厚制御技術が要求
され、高い歩留りを得にくいという欠点もある。
来の素子においては、次のような問題点がある。まず、
前段のものは、素子形成の最終工程において施される熱
処理が１２時間程度の時間を要することから、生産性に
劣るという欠点がある。また、後段のものは、特公昭６
１−２２３６４３号公報においても指摘されているよう
に、水素ガスが直接ガス感応体の表面に吸着するタイプ
の素子に比べ、水素ガスが選択性透過膜を通過する分、
感度や応答性が低下してしまうという欠点がある。更
に、この素子は透過膜の大きさによって水素以外の分子
の通過を抑制するものであるため、分子径レベルでの孔
径の制御が必要とされ、極めて高い膜厚制御技術が要求
され、高い歩留りを得にくいという欠点もある。
【０００４】本発明者らは、前記事情に鑑み、生産性に
優れるとともに、水素ガスに対する高い感度、選択性及
び応答性を有するガス検知素子を開発すべく種々検討を
重ねた結果、Ｓｉ酸化物をある特定の貴金属触媒に添加
することにより、該触媒の部分被毒効果が発現し、それ
により水素ガスに対する選択性が著しく向上することを
見い出して本発明に至った。尚、ここでいう「部分被毒
効果」とは、適量の毒物を故意に添加することにより、
主反応は阻害せずに副反応を低下させる効果である。
優れるとともに、水素ガスに対する高い感度、選択性及
び応答性を有するガス検知素子を開発すべく種々検討を
重ねた結果、Ｓｉ酸化物をある特定の貴金属触媒に添加
することにより、該触媒の部分被毒効果が発現し、それ
により水素ガスに対する選択性が著しく向上することを
見い出して本発明に至った。尚、ここでいう「部分被毒
効果」とは、適量の毒物を故意に添加することにより、
主反応は阻害せずに副反応を低下させる効果である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち本発明の水素ガス検
知素子は、絶縁基板と、一対の電極と、Ｉｎ2Ｏ3からな
る薄膜状ガス感応体と、Ｐｄからなる触媒と、Ｓｉ酸化
物からなる部分被毒剤と、から構成されたことを特徴と
するものである。
知素子は、絶縁基板と、一対の電極と、Ｉｎ2Ｏ3からな
る薄膜状ガス感応体と、Ｐｄからなる触媒と、Ｓｉ酸化
物からなる部分被毒剤と、から構成されたことを特徴と
するものである。
【０００６】本発明において使用される絶縁基板として
は、例えばＡｌ2Ｏ3等のセラミック基板やＳｉＯ2等の
ガラス基板など耐熱性かつ絶縁性の基板が用いられる。
は、例えばＡｌ2Ｏ3等のセラミック基板やＳｉＯ2等の
ガラス基板など耐熱性かつ絶縁性の基板が用いられる。
【０００７】本発明において使用されるＩｎ2Ｏ3からな
る薄膜状ガス感応体は、真空蒸着法、スパッタリング法
等により絶縁基板上に形成する。このとき、前記ガス感
応体の質量膜厚は７５０Å以下であることが好ましく、
７５０Åを超えると感度が低下してしてしまう。尚、Ｉ
ｎ2Ｏ3の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法等によ
りＩｎ薄膜を絶縁基板上に形成した後、熱処理等により
Ｉｎ2Ｏ3を形成しても良いし、あるいは真空蒸着法、ス
パッタリング法等により絶縁基板上に直接Ｉｎ2Ｏ3を形
成しても良い。
る薄膜状ガス感応体は、真空蒸着法、スパッタリング法
等により絶縁基板上に形成する。このとき、前記ガス感
応体の質量膜厚は７５０Å以下であることが好ましく、
７５０Åを超えると感度が低下してしてしまう。尚、Ｉ
ｎ2Ｏ3の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法等によ
りＩｎ薄膜を絶縁基板上に形成した後、熱処理等により
Ｉｎ2Ｏ3を形成しても良いし、あるいは真空蒸着法、ス
パッタリング法等により絶縁基板上に直接Ｉｎ2Ｏ3を形
成しても良い。
【０００８】本発明において使用される一対の電極とし
ては、例えばＡｕ（金），Ｐｔ（白金）等が用いられ、
真空蒸着法、スクリーン印刷法、スパッタリング法等に
より形成する。この電極は、ガス感応体に接して対向し
て設けられ、ガス感応体と絶縁基板との間、あるいはガ
ス感応体表面のどちらに設けても良い。
ては、例えばＡｕ（金），Ｐｔ（白金）等が用いられ、
真空蒸着法、スクリーン印刷法、スパッタリング法等に
より形成する。この電極は、ガス感応体に接して対向し
て設けられ、ガス感応体と絶縁基板との間、あるいはガ
ス感応体表面のどちらに設けても良い。
【０００９】本発明において使用される触媒は、Ｐｄか
らなり、真空蒸着法、スパッタリング法等によりガス感
応体表面上に形成される。このとき、前記触媒の質量膜
厚は５０Å以下が好ましく、５０Åを超えるとガス感応
体自体が半導体の性質を保てなくなり、検知特性が低下
してしまう。尚、触媒としては、Ｐｄ以外にもＰｔ等の
貴金属触媒が良く知られているが、例えばＰｔを本発明
に適用した場合には、後述するＳｉ酸化物の部分被毒効
果が発現しないため好ましくない。
らなり、真空蒸着法、スパッタリング法等によりガス感
応体表面上に形成される。このとき、前記触媒の質量膜
厚は５０Å以下が好ましく、５０Åを超えるとガス感応
体自体が半導体の性質を保てなくなり、検知特性が低下
してしまう。尚、触媒としては、Ｐｄ以外にもＰｔ等の
貴金属触媒が良く知られているが、例えばＰｔを本発明
に適用した場合には、後述するＳｉ酸化物の部分被毒効
果が発現しないため好ましくない。
【００１０】本発明において使用される部分被毒剤は、
Ｓｉ酸化物からなり、真空蒸着法、スパッタリング法等
によりガス感応体及び触媒表面に形成される。このと
き、Ｓｉ酸化物（部分被毒剤）の質量膜厚は２５Å以上
であることが好ましく、２５Åに満たない場合は十分な
部分被毒効果が得られない。また、Ｓｉ酸化物（部分被
毒剤）を、真空蒸着法、スパッタリング法等にて形成し
たＳｉの加熱酸化により形成する場合は、Ｓｉ酸化物の
質量膜厚が３００００Å以下であることが好ましい。質
量膜厚が３００００Åを超えたものは通常の加熱酸化処
理では形成しにくく、また形成できたとしても十分な部
分被毒効果が得られにくい。尚、本発明でいう「質量膜
厚」とは、物質を均一な膜厚の膜として換算した場合の
膜厚を意味しており、実際は粒子や不連続膜を形成して
いる場合もあり、連続膜のみを表すものではない。
Ｓｉ酸化物からなり、真空蒸着法、スパッタリング法等
によりガス感応体及び触媒表面に形成される。このと
き、Ｓｉ酸化物（部分被毒剤）の質量膜厚は２５Å以上
であることが好ましく、２５Åに満たない場合は十分な
部分被毒効果が得られない。また、Ｓｉ酸化物（部分被
毒剤）を、真空蒸着法、スパッタリング法等にて形成し
たＳｉの加熱酸化により形成する場合は、Ｓｉ酸化物の
質量膜厚が３００００Å以下であることが好ましい。質
量膜厚が３００００Åを超えたものは通常の加熱酸化処
理では形成しにくく、また形成できたとしても十分な部
分被毒効果が得られにくい。尚、本発明でいう「質量膜
厚」とは、物質を均一な膜厚の膜として換算した場合の
膜厚を意味しており、実際は粒子や不連続膜を形成して
いる場合もあり、連続膜のみを表すものではない。
【００１１】本発明の水素ガス検知素子は、素子温度を
所定の温度に保ために、例えば自己温度制御型（ＰＴ
Ｃ）ヒータ等の発熱体を設けても良い。
所定の温度に保ために、例えば自己温度制御型（ＰＴ
Ｃ）ヒータ等の発熱体を設けても良い。
【００１２】
【作用】上記構成による本発明の水素ガス検知素子は、
Ｓｉ酸化物がＰｄ触媒の部分被毒剤として働き、それに
より水素ガスのみを選択的に高感度で検知することがで
きる。
Ｓｉ酸化物がＰｄ触媒の部分被毒剤として働き、それに
より水素ガスのみを選択的に高感度で検知することがで
きる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を比較例と併せて説明
する。 ＜実施例１＞まず、図１に示すように絶縁基板１として
縦，横及び厚さが８×７×０．６３５ｍｍのアルミナ基
板を用意し、該基板１上に真空蒸着法により質量膜厚１
００ÅのＩｎ薄膜を形成した後、空気中で５００℃、１
０分間の熱処理を施して質量膜厚１２６ÅのＩｎ2Ｏ3薄
膜からなるガス感応体２を得た。次に、前記ガス感応体
２上に、図２に示したような質量膜厚５００Åのくし型
Ｐｔ電極３を真空蒸着法により形成した。更に、それら
の上面に、質量膜厚１０ÅとなるようにＰｄの真空蒸着
を行って、触媒４を形成した。最後に、前記ガス感応体
２及びＰｄ触媒４の上面にＳｉを真空蒸着（質量膜厚：
１０、５０、１００、２００、３００、５００、１００
０、６０００、１２０００Å）により形成した後、空気
中で５００℃、１時間の熱処理を施してＳｉ酸化物から
なる部分被毒剤５（質量膜厚：２５、１２５、２５０、
５００、７５０、１２５０、２５００、１５０００、３
００００Å）を形成した。尚、前記絶縁基板１の裏面に
は素子温度制御のための発熱体６を設けてある。
する。 ＜実施例１＞まず、図１に示すように絶縁基板１として
縦，横及び厚さが８×７×０．６３５ｍｍのアルミナ基
板を用意し、該基板１上に真空蒸着法により質量膜厚１
００ÅのＩｎ薄膜を形成した後、空気中で５００℃、１
０分間の熱処理を施して質量膜厚１２６ÅのＩｎ2Ｏ3薄
膜からなるガス感応体２を得た。次に、前記ガス感応体
２上に、図２に示したような質量膜厚５００Åのくし型
Ｐｔ電極３を真空蒸着法により形成した。更に、それら
の上面に、質量膜厚１０ÅとなるようにＰｄの真空蒸着
を行って、触媒４を形成した。最後に、前記ガス感応体
２及びＰｄ触媒４の上面にＳｉを真空蒸着（質量膜厚：
１０、５０、１００、２００、３００、５００、１００
０、６０００、１２０００Å）により形成した後、空気
中で５００℃、１時間の熱処理を施してＳｉ酸化物から
なる部分被毒剤５（質量膜厚：２５、１２５、２５０、
５００、７５０、１２５０、２５００、１５０００、３
００００Å）を形成した。尚、前記絶縁基板１の裏面に
は素子温度制御のための発熱体６を設けてある。
【００１４】ここで上述のようにして製造した素子のガ
ス感度を次の条件の下に測定した。まず、密閉槽内に素
子を固定し、該槽内に濃度４００ｐｐｍのＨ2ガス、濃
度１０００ｐｐｍのＣＯガス、Ｃ2Ｈ5ＯＨ及びＣ3Ｈ
8（プロパン）ガスの各種ガスを注射器で注入しファン
で撹拌した後、素子温度を６０〜３００℃に保持した状
態での各種ガス雰囲気中における素子の電気抵抗値を測
定した。そして、各種ガスに対する感度を図３〜図１１
に示した。感度は、［空気中の抵抗値（Ｒair）／ガス
中の抵抗値（Ｒgas）］で示した。これによれば、どの
素子もＨ2ガスに対する選択性に優れていることがわか
る。中でも特にＳｉ酸化物の質量膜厚が５００Åのとき
（図６に示す）に最も高い選択性を示しいる。また、Ｓ
ｉ酸化物の質量膜厚が５００Åを超えると、かえって選
択性が低下している。これは、質量膜厚が５００Åを超
えると、大気中での加熱酸化が進行しにくく、Ｓｉの酸
化が不十分となり部分被毒効果が低下するためであると
推察される。
ス感度を次の条件の下に測定した。まず、密閉槽内に素
子を固定し、該槽内に濃度４００ｐｐｍのＨ2ガス、濃
度１０００ｐｐｍのＣＯガス、Ｃ2Ｈ5ＯＨ及びＣ3Ｈ
8（プロパン）ガスの各種ガスを注射器で注入しファン
で撹拌した後、素子温度を６０〜３００℃に保持した状
態での各種ガス雰囲気中における素子の電気抵抗値を測
定した。そして、各種ガスに対する感度を図３〜図１１
に示した。感度は、［空気中の抵抗値（Ｒair）／ガス
中の抵抗値（Ｒgas）］で示した。これによれば、どの
素子もＨ2ガスに対する選択性に優れていることがわか
る。中でも特にＳｉ酸化物の質量膜厚が５００Åのとき
（図６に示す）に最も高い選択性を示しいる。また、Ｓ
ｉ酸化物の質量膜厚が５００Åを超えると、かえって選
択性が低下している。これは、質量膜厚が５００Åを超
えると、大気中での加熱酸化が進行しにくく、Ｓｉの酸
化が不十分となり部分被毒効果が低下するためであると
推察される。
【００１５】＜比較例１＞次に比較例として、Ｓｉ酸化
物（部分被毒剤）を形成しない素子を作製し、上記実施
例１と同様に各種ガスに対する感度を測定した。結果は
図１３に示した。
物（部分被毒剤）を形成しない素子を作製し、上記実施
例１と同様に各種ガスに対する感度を測定した。結果は
図１３に示した。
【００１６】図１３と上記実施例１における素子の感度
特性（図３〜図１１）とを比較してみると、Ｓｉ酸化物
（部分被毒剤）の添加により、Ｈ2ガスに対する選択性
が向上していることが判る。
特性（図３〜図１１）とを比較してみると、Ｓｉ酸化物
（部分被毒剤）の添加により、Ｈ2ガスに対する選択性
が向上していることが判る。
【００１７】図１２には、上記実施例１にて作製した素
子［Ｓｉ酸化物（部分被毒剤）の質量膜厚が５００Å］
の素子温度２２０℃における、濃度４００ｐｐｍのＨ2
ガスに対する応答性を、図１４には上記比較例１にて作
製した素子［Ｓｉ酸化物（部分被毒剤）無し］の素子温
度２２０℃における、濃度４００ｐｐｍのＨ2ガスに対
する応答性を示した。どちらの素子も立ち上がり速度、
復帰速度ともに９０％応答時間が１分以内と高い応答性
を示している。
子［Ｓｉ酸化物（部分被毒剤）の質量膜厚が５００Å］
の素子温度２２０℃における、濃度４００ｐｐｍのＨ2
ガスに対する応答性を、図１４には上記比較例１にて作
製した素子［Ｓｉ酸化物（部分被毒剤）無し］の素子温
度２２０℃における、濃度４００ｐｐｍのＨ2ガスに対
する応答性を示した。どちらの素子も立ち上がり速度、
復帰速度ともに９０％応答時間が１分以内と高い応答性
を示している。
【００１８】＜比較例２＞実施例１において、Ｐｄ触媒
にかえてＰｔ触媒を用いた素子を作製し、各種ガスに対
する感度を測定した。図１５には、Ｓｉ酸化物（部分被
毒剤）の質量膜厚が５００Åの素子の感度特性を示し
た。実施例１におけるＳｉ酸化物（部分被毒剤）の質量
膜厚が５００Åの素子の感度特性（図６）と比較してみ
ると、Ｐｔ触媒ではＳｉ酸化物添加による部分被毒効果
が発現しないことが判る。
にかえてＰｔ触媒を用いた素子を作製し、各種ガスに対
する感度を測定した。図１５には、Ｓｉ酸化物（部分被
毒剤）の質量膜厚が５００Åの素子の感度特性を示し
た。実施例１におけるＳｉ酸化物（部分被毒剤）の質量
膜厚が５００Åの素子の感度特性（図６）と比較してみ
ると、Ｐｔ触媒ではＳｉ酸化物添加による部分被毒効果
が発現しないことが判る。
【００１９】このように本実施例による素子は、比較例
とほぼ同等の応答性を有していることと、Ｓｉ酸化物が
ガス分離機能を発現するとは考えにくい、わずか２５Å
の質量膜厚で選択性向上の効果が見られたことなどから
選択性向上効果は部分被毒であると結論された。従来よ
り、ＳｉＯ2薄膜からなる選択性透過膜を用いてＨ2ガス
に対する選択性を発現させていたものがあるが、この選
択性透過膜はＳｉ酸化物の熱分解により形成されてお
り、熱分解工程において分解ガスが抜けた部分が気孔を
形成するため触媒の活性点が被覆されにくい。これに対
し、本発明の素子はＳｉ酸化物の熱分解工程を経ること
なく、触媒表面にＳｉ酸化物を形成するため、副成分形
成の活性点が被覆され部分被毒効果が発現するものと推
察される。
とほぼ同等の応答性を有していることと、Ｓｉ酸化物が
ガス分離機能を発現するとは考えにくい、わずか２５Å
の質量膜厚で選択性向上の効果が見られたことなどから
選択性向上効果は部分被毒であると結論された。従来よ
り、ＳｉＯ2薄膜からなる選択性透過膜を用いてＨ2ガス
に対する選択性を発現させていたものがあるが、この選
択性透過膜はＳｉ酸化物の熱分解により形成されてお
り、熱分解工程において分解ガスが抜けた部分が気孔を
形成するため触媒の活性点が被覆されにくい。これに対
し、本発明の素子はＳｉ酸化物の熱分解工程を経ること
なく、触媒表面にＳｉ酸化物を形成するため、副成分形
成の活性点が被覆され部分被毒効果が発現するものと推
察される。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の素子は、部
分被毒剤としてＳｉ酸化物を添加することにより、水素
ガスに対する高い感度、選択性及び応答性を得ることが
できる。したがって、従来のように熱処理等の煩わしい
工程を経たり、困難な膜厚制御を行うことなく簡単に素
子を製造することが可能となり、極めて実用性の高い水
素ガス検知素子を提供できる。
分被毒剤としてＳｉ酸化物を添加することにより、水素
ガスに対する高い感度、選択性及び応答性を得ることが
できる。したがって、従来のように熱処理等の煩わしい
工程を経たり、困難な膜厚制御を行うことなく簡単に素
子を製造することが可能となり、極めて実用性の高い水
素ガス検知素子を提供できる。
【図１】本発明による水素ガス検知素子の一実施例を示
す断面図（概念図）である。
す断面図（概念図）である。
【図２】本発明に用いられるくし型Ｐｔ電極の一例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】乃至
【図１１】本発明による水素ガス検知素子の各種ガスに
対する感度特性図である。
対する感度特性図である。
【図12】本発明による水素ガス検知素子の水素ガスに対
する応答特性図である。
する応答特性図である。
【図13】比較例１の素子の各種ガスに対する感度特性
図。
図。
【図14】比較例１の素子の水素ガスに対する応答特性図
である。
である。
【図15】比較例２の素子の各種ガスに対する感度特性図
である。
である。
１ 絶縁基板 ２ ガス感応体 ３ くし型Ｐｔ電極 ４ 触媒 ５ 部分被毒剤 ６ 発熱体
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板と、一対の電極と、Ｉｎ2Ｏ
3（酸化インジウム）からなる薄膜状ガス感応体と、Ｐ
ｄ（パラジウム）からなる触媒と、Ｓｉ（ケイ素）酸化
物からなる部分被毒剤と、から構成された水素ガス検知
素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の水素ガス検知素子におい
て、前記部分被毒剤の質量膜厚が２５Å以上であること
を特徴とする水素ガス検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31643092A JPH06148112A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 水素ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31643092A JPH06148112A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 水素ガス検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148112A true JPH06148112A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=18076998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31643092A Pending JPH06148112A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 水素ガス検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148112A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1591777A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | Alps Electric Co., Ltd. | Hydrogen sensor and method for detecting hydrogen |
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| AU2010249247A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-30 | Kidde Technologies, Inc | Sensor apparatus and method therefor |
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1992
- 1992-10-30 JP JP31643092A patent/JPH06148112A/ja active Pending
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