JPH06148113A - 窒素酸化物ガス検知素子 - Google Patents

窒素酸化物ガス検知素子

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JPH06148113A
JPH06148113A JP31934792A JP31934792A JPH06148113A JP H06148113 A JPH06148113 A JP H06148113A JP 31934792 A JP31934792 A JP 31934792A JP 31934792 A JP31934792 A JP 31934792A JP H06148113 A JPH06148113 A JP H06148113A
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JP
Japan
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gas
electrode
sensitivity
detecting element
present
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Pending
Application number
JP31934792A
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English (en)
Inventor
Osamu Takeuchi
収 竹内
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Kurabe Industrial Co Ltd
Original Assignee
Kurabe Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、低濃度のNOガスに対し
て高い感度と選択性を有するとともに、優れた耐久性、
経済性及び生産性を示すガス検知素子を提供することに
ある。 【構成】 本発明によるNOガス検知素子は、絶縁基
板(1)と、該基板(1)上に設けられたWOからな
るガス感応体(2)と、ガス感応体(2)に接して対向
して設けられた一対のNi電極(3)と、から構成され
たことを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、低濃度のNOX (窒素
酸化物)ガスに対し、高い感度と選択性を示すガス検知
素子に関する。
【0002】
【従来の技術】NO(一酸化窒素)ガス及びNO2 (二
酸化窒素)ガスを主体とするNOX ガスは、自動車,航
空機等の内燃機関や家庭内の暖房設備などから排出さ
れ、それ自身または他のガスとの複合,吸着,反応によ
って人体や生物,生活環境等に多大な影響を及ぼす危険
性の高いガスである。従来では、このNOX ガスの測定
に化学発光法,赤外線吸収法,電気分解法等が用いられ
てきたが、これらの方法は大型の装置を必要としメンテ
ナンスが困難であるといった問題を抱えていた。
【0003】そこで、上記の問題を解決するため、NO
X ガスに接触して抵抗値の変化する酸化物半導体を用い
た、小型でメンテナンスフリーのNOX ガス検知素子に
ついての研究が種々なされている。例えば、特開平2−
98658号公報には、(101)面の配向率が70%
以上であるSnO2 (酸化錫)薄膜を感応膜として用い
ることを特徴とするNO2 ガス検知器が、また特開平4
−65662号公報には、耐熱絶縁基板上に、一対の電
極を接続したWO3 膜と、WO3 膜の加熱用ヒータとを
設けた、酸化性ガスのセンサが紹介されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のNOX ガス検知素子におけるガス感度を見た場
合、特開平2−98658号公報では、20ppmのN
2 ガスに対し感度が100以下、特開平4−6566
2号公報では、1ppmのNO2 ガスに対し感度が数十
と低い値を示している。窒素酸化物の環境基準値0.0
5ppm付近の値を測定するため、または、より簡単な
回路で機能できるようにするためには更に高い感度が望
まれる。そこで、ガス感度向上のために、酸化物半導体
にAu(金)等の貴金属触媒を添加することも考えられ
る。しかしこの場合は、ガス感度が向上する反面、経済
性や生産性が低下してしまうという新たな問題が発生す
る。これは、Au等の貴金属が比較的高価であること
と、素子形成時における工程の増加(触媒添加工程)に
よるものである。
【0005】尚、前述した従来の素子においては、一般
的に電極としてAuやPt(白金)等が用いられている
が、これらの貴金属は高価であることから、前述した触
媒添加の場合と同様に経済性の低下が問題となる。ま
た、電極として特にAuを用いた場合は、高温域におけ
る素子の耐久性が低下し、Ptを用いた場合は十分な感
度が得られなくなってしまう。
【0006】本発明者は前記事情に鑑み、低濃度のNO
X ガスに対して高い感度と選択性を示すガス検知素子を
開発すべく種々探索した結果本発明に至った。
【0007】
【課題を解決するための手段】即ち本発明のNOX ガス
検知素子は、絶縁基板と、該基板上に設けられたWO3
を主成分とするガス感応体と、前記ガス感応体に設けら
れた一対のNi電極とから構成されている。
【0008】本発明において使用されるガス感応体とし
ては、WO3 を主成分とするものが用いられ、このガス
感応体は真空蒸着法、スパッタリング法等により直接酸
化物半導体を形成するか、W(タングステン)を同様に
膜状に形成した後、酸化することにより形成される。ま
た、このガス感応体の膜厚は100Å以上である必要が
あり、100Åに満たない場合は連続膜を形成すること
ができない。
【0009】本発明において使用される基板としては、
例えばAl23(酸化アルミニウム)等のセラミック基
板やSiO2 (酸化珪素)等のガラス基板など耐熱性か
つ絶縁性の基板が用いられる。
【0010】本発明において使用されるNi電極は、真
空蒸着法、スクリーン印刷法、スパッタリング法等によ
り形成する。この電極は、ガス感応体に接して対向して
設けられ、ガス感応体と絶縁基板との間、あるいはガス
感応体の表面のどちらに設けても良い。また、このNi
電極の厚さは、50nm以上が好ましく、50nmに満
たない場合は耐久性に劣ってしまう。
【0011】本発明のNOX ガス検知素子は、素子温度
を所定の温度に保つために、例えば自己温度制御型(P
TC)ヒータ等の発熱体を設けても良い。
【0012】
【作用】上記のように構成された本発明のNOX ガス検
知素子は、低濃度のNOX ガスに対して高い感度と選択
性を示すとともに、耐久性に優れ経時的にも安定してお
り、経済性及び生産性にも優れたものとなる。
【0013】
【実施例】以下に本発明の実施例を比較例と併せて説明
する。まず、図1に示すように絶縁基板1として縦、横
及び厚さが13×10×1mmのアルミナ基板を用意
し、該基板上にWO3 を真空蒸着(5000Å)し、空
気中で10分間熱処理(500℃)して膜厚約5000
Åのガス感応体2を得た。次に、前記ガス感応体2上
に、図2に示すような厚さ100nmのくし型Ni電極
3を真空蒸着法により形成した。また、前記絶縁基板1
の裏面には素子の温度を所定の温度に保つために発熱体
4を設けた。
【0014】ここで、本発明の素子を密閉槽内に固定
し、それぞれ該槽内に濃度30ppmのNOガス及びN
2 ガス、濃度1000ppmのC38(プロパン)ガ
ス、CO(一酸化炭素)ガス及びH2 (水素)ガスの各
種ガスを注射器で注入しファンで撹拌した後、各種ガス
に対する感度を測定した。図3はその感度特性を示した
グラフで、感度は[ガス中の抵抗値(RGAS )/空気中
の抵抗値(RAIR )]で表した。図3からも明らかなよ
うに、本発明の素子は数10℃から300℃付近までの
広範囲においてNOガス及びNO2 ガスに対して高い感
度と選択性を示している。
【0015】比較例1として、実施例と同様の構造で電
極としてPtを用いた素子を作製し、濃度30ppmの
NOガス及びNO2 ガスに対する感度を測定し、その結
果を図4に示した。尚、図4には実施例の素子(Ni電
極を用いたもの)の感度特性も併せて示した。これによ
れば、Ni電極を用いることによりNOX ガスに対する
素子の検出感度が向上することが良くわかる。図5は、
実施例の素子(Ni電極を用いた素子)と、上記比較例
の素子(Pt電極を用いたもの)の、素子温度220℃
におけるNOガス及びNO2 ガス濃度の変化に対する感
度特性である。これによれば、Ni電極を用いた本実施
例の素子は1ppmのNOガスに対しても400程度
の感度を示しており、Pt電極を用いた比較例の素子に
比べ、100倍以上であり低濃度での検知も可能なこと
が示唆される。
【0016】比較例2として、実施例と同様の構造で電
極としてAuを用いた素子を作製し、素子温度220℃
における濃度10ppmのNO2 ガスに対する感度の経
時変化を測定し、その結果を図6に示した。尚、図6に
は、実施例の素子の経時変化も併せて示した。これによ
れば、Ni電極を用いることにより、素子の耐久性が飛
躍的に増すことがわかる。
【0017】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、絶
縁基板上に、WO3 を主成分とするガス感応体を設け、
電極にNiを用いることにより、低濃度のNOX ガスに
対しても高い感度と選択性を示すとともに、耐久性に優
れ経時的にも安定したNOX ガス検知素子を得ることが
できる。そのため、従来に比べより簡単な回路への組み
込みが可能となり、コスト的にも安価な素子を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるNOガス検知素子の一実施例を
示す断面図(概念図)である。
【図2】本発明に用いられるくし型Ni電極の一例を示
す平面図である。
【図3】本発明によるNOX ガス検知素子の各種ガスに
対する感度特性を示すグラフである。
【図4】Pt電極を用いた素子とNi電極を用いた素子
の、NOX ガスに対する感度特性を示すグラフである。
【図5】Ni電極を用いた素子とPt電極を用いた素子
の、NOX ガス濃度の変化に対する感度特性を示すグラ
フである。
【図6】Ni電極を用いた素子とAu電極を用いた素子
の、経時変化を示すグラフである。
【符号の説明】
1 絶縁基板 2 ガス感応体 3 くし型Ni電極 4 発熱体

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板と、該基板上に設けられたWO
    3 (酸化タングステン)を主成分とするガス感応体と、
    前記ガス感応体に設けられた一対のNi(ニッケル)電
    極とから構成された窒素酸化物ガス検知素子。
JP31934792A 1992-11-04 1992-11-04 窒素酸化物ガス検知素子 Pending JPH06148113A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6113859A (en) * 1998-02-04 2000-09-05 Korea Institute Of Science And Technology Bar-type NOx gas sensor having WO3 sensing film
CN110088607A (zh) * 2016-11-21 2019-08-02 荷兰联合利华有限公司 用于检测气体组分的气体传感器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6113859A (en) * 1998-02-04 2000-09-05 Korea Institute Of Science And Technology Bar-type NOx gas sensor having WO3 sensing film
CN110088607A (zh) * 2016-11-21 2019-08-02 荷兰联合利华有限公司 用于检测气体组分的气体传感器
CN110088607B (zh) * 2016-11-21 2022-12-27 联合利华知识产权控股有限公司 用于检测气体组分的气体传感器

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