JPH04323548A - ガス検知素子 - Google Patents
ガス検知素子Info
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- JPH04323548A JPH04323548A JP11932791A JP11932791A JPH04323548A JP H04323548 A JPH04323548 A JP H04323548A JP 11932791 A JP11932791 A JP 11932791A JP 11932791 A JP11932791 A JP 11932791A JP H04323548 A JPH04323548 A JP H04323548A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｈ２ （水素）ガス，
ＣＯ（一酸化炭素）ガス等の還元性ガスに対して、高い
ガス感度を長期間安定して示すガス検知素子に関するも
のである。
ＣＯ（一酸化炭素）ガス等の還元性ガスに対して、高い
ガス感度を長期間安定して示すガス検知素子に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】Ｈ２ ガス，ＣＯガス等の還元性ガスは
、引火により爆発を伴ったり、また人体や生物に対する
毒性の高いガスであるため、従来よりこれらのガスに対
して優れた感度を示す検知素子の研究が種々なされてい
る。その中で各種のガスに接触して抵抗値の変化する例
えばＳｎＯ２ 系の酸化物半導体等をガス感応体として
用いた検知素子が良く知られているが、その一例として
、当該出願人はＨ２ ガスに対して特に優れた感度を示
す検知素子として、特願平２ー５９１５８号、発明の名
称「水素ガス検知素子」を提案している。
、引火により爆発を伴ったり、また人体や生物に対する
毒性の高いガスであるため、従来よりこれらのガスに対
して優れた感度を示す検知素子の研究が種々なされてい
る。その中で各種のガスに接触して抵抗値の変化する例
えばＳｎＯ２ 系の酸化物半導体等をガス感応体として
用いた検知素子が良く知られているが、その一例として
、当該出願人はＨ２ ガスに対して特に優れた感度を示
す検知素子として、特願平２ー５９１５８号、発明の名
称「水素ガス検知素子」を提案している。
【０００３】図１２は、上記提案の構成を説明するため
の断面図（概念図）である。Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニ
ウム），ＳｉＯ２ （酸化ケイ素）等からなる絶縁基板
１１の上に、ＳｎＯ２ またはＩｎ２Ｏ３のうち少なく
とも一種を主成分とするガス感応体１２が設けられ、前
記ガス感応体１２上にはＡｕ，Ｐｔ等からなる一対の電
極１３が形成されている。更に、それらの上面には質量
膜厚が５ｎｍ以下のＰｔまたはＰｄのうち少なくとも一
種からなる触媒層１４が形成されている。また、前記絶
縁基板１１の裏面には素子の温度を所定の温度に保つた
めの発熱体１６が設けられている。
の断面図（概念図）である。Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニ
ウム），ＳｉＯ２ （酸化ケイ素）等からなる絶縁基板
１１の上に、ＳｎＯ２ またはＩｎ２Ｏ３のうち少なく
とも一種を主成分とするガス感応体１２が設けられ、前
記ガス感応体１２上にはＡｕ，Ｐｔ等からなる一対の電
極１３が形成されている。更に、それらの上面には質量
膜厚が５ｎｍ以下のＰｔまたはＰｄのうち少なくとも一
種からなる触媒層１４が形成されている。また、前記絶
縁基板１１の裏面には素子の温度を所定の温度に保つた
めの発熱体１６が設けられている。
【０００４】上記のガス検知素子は、室温程度の温度か
ら３００℃付近の広い温度範囲において、感度良くＨ２
ガスを検知することができ、また特に上記温度範囲内の
比較的低温の条件下では長期間安定して優れた特性を示
すものである。
ら３００℃付近の広い温度範囲において、感度良くＨ２
ガスを検知することができ、また特に上記温度範囲内の
比較的低温の条件下では長期間安定して優れた特性を示
すものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなガス検知素
子は、前述したように酸化物半導体の表面に各種ガスが
接触した場合に、酸化物半導体の比抵抗が変化すること
を利用したものであるが、例えば高湿度雰囲気下での使
用に際し、酸化物半導体表面に水分が吸着した場合、検
出感度の低い素子であると誤動作を引き起こす恐れがあ
る。従って、各種還元性ガスに対して、より検出感度の
高いガス検知素子の出現が要望される。本発明者らは前
記事情に鑑み、各種還元性ガスに対する検出感度を向上
させ、更に長期間安定して優れた特性を示すガス検知素
子を開発すべく種々探索した結果本発明に至った。
子は、前述したように酸化物半導体の表面に各種ガスが
接触した場合に、酸化物半導体の比抵抗が変化すること
を利用したものであるが、例えば高湿度雰囲気下での使
用に際し、酸化物半導体表面に水分が吸着した場合、検
出感度の低い素子であると誤動作を引き起こす恐れがあ
る。従って、各種還元性ガスに対して、より検出感度の
高いガス検知素子の出現が要望される。本発明者らは前
記事情に鑑み、各種還元性ガスに対する検出感度を向上
させ、更に長期間安定して優れた特性を示すガス検知素
子を開発すべく種々探索した結果本発明に至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち本発明によるガス検
知素子は、絶縁基板と、該基板上に設けられたＳｎＯ２
を主成分としＳｎ１００重量部に対し７００重量部以下
のＡｕを含有するガス感応体と、該ガス感応体に設けら
れた一対の電極と、前記ガス感応体表面上に設けられた
ＷＯ３からなる助触媒層と、前記ガス感応体表面上に設
けられた質量膜厚５ｎｍ以下のＰｔまたはＰｄのうち少
なくとも一種からなる触媒層とから構成されている。ま
た本発明によるガス検知素子は、絶縁基板と、該基板上
に設けられたＩｎ２Ｏ３からなるガス感応体と、該ガス
感応体に設けられた一対の電極と、前記ガス感応体表面
上に設けられたＷＯ３ からなる助触媒層と、前記ガス
感応体表面上に設けられた質量膜厚５ｎｍ以下のＰｔか
らなる触媒層とから構成されている。
知素子は、絶縁基板と、該基板上に設けられたＳｎＯ２
を主成分としＳｎ１００重量部に対し７００重量部以下
のＡｕを含有するガス感応体と、該ガス感応体に設けら
れた一対の電極と、前記ガス感応体表面上に設けられた
ＷＯ３からなる助触媒層と、前記ガス感応体表面上に設
けられた質量膜厚５ｎｍ以下のＰｔまたはＰｄのうち少
なくとも一種からなる触媒層とから構成されている。ま
た本発明によるガス検知素子は、絶縁基板と、該基板上
に設けられたＩｎ２Ｏ３からなるガス感応体と、該ガス
感応体に設けられた一対の電極と、前記ガス感応体表面
上に設けられたＷＯ３ からなる助触媒層と、前記ガス
感応体表面上に設けられた質量膜厚５ｎｍ以下のＰｔか
らなる触媒層とから構成されている。
【０００７】本発明に用いられる基板としては、例えば
Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２等の耐熱性かつ絶縁性の基板が用
いられる。
Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２等の耐熱性かつ絶縁性の基板が用
いられる。
【０００８】本発明に用いられるガス感応体としては、
ＳｎＯ２ を主成分としＳｎ１００重量部に対し７００
重量部以下のＡｕを含有するもの、あるいはＩｎ２Ｏ３
が用いられ、このガス感応体は真空蒸着法，スパッタ
リング法等により直接酸化物半導体を形成するか、Ｓｎ
またはＩｎ（インジウム）を同様に膜状に形成した後、
酸化することにより形成される。尚、ガス感応体として
Ａｕを含有したＳｎＯ２ を用いる場合、Ａｕの含有量
がＳｎ１００重量部に対し７００重量部を超えるとＳｎ
Ｏ２が半導性を保てなくなり実質的にガスの検知が不可
能となってしまう。
ＳｎＯ２ を主成分としＳｎ１００重量部に対し７００
重量部以下のＡｕを含有するもの、あるいはＩｎ２Ｏ３
が用いられ、このガス感応体は真空蒸着法，スパッタ
リング法等により直接酸化物半導体を形成するか、Ｓｎ
またはＩｎ（インジウム）を同様に膜状に形成した後、
酸化することにより形成される。尚、ガス感応体として
Ａｕを含有したＳｎＯ２ を用いる場合、Ａｕの含有量
がＳｎ１００重量部に対し７００重量部を超えるとＳｎ
Ｏ２が半導性を保てなくなり実質的にガスの検知が不可
能となってしまう。
【０００９】本発明に用いられる電極としては、例えば
Ａｕ，Ｐｔ等を用い、スクリーン印刷法，スパッタリン
グ法，真空蒸着法等により形成する。この電極はガス感
応体に接して対向して設けられ、ガス感応体と基板との
間、ガス感応体と触媒層との間どちらに設けても良い。
Ａｕ，Ｐｔ等を用い、スクリーン印刷法，スパッタリン
グ法，真空蒸着法等により形成する。この電極はガス感
応体に接して対向して設けられ、ガス感応体と基板との
間、ガス感応体と触媒層との間どちらに設けても良い。
【００１０】本発明に用いられる助触媒層は、ＷＯ３
からなり真空蒸着法，スパッタリング法等により形成さ
れる。
からなり真空蒸着法，スパッタリング法等により形成さ
れる。
【００１１】本発明に用いられる触媒層は、Ｐｔまたは
Ｐｄのうち少なくとも一種からなり、真空蒸着法，スパ
ッタリング法等により形成される。また、前記触媒層の
質量膜厚は５ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍを超えると素
子自体が半導性を保てなくなり、ガス検知特性が著しく
低下してしまう。
Ｐｄのうち少なくとも一種からなり、真空蒸着法，スパ
ッタリング法等により形成される。また、前記触媒層の
質量膜厚は５ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍを超えると素
子自体が半導性を保てなくなり、ガス検知特性が著しく
低下してしまう。
【００１２】尚、本発明のガス検知素子は、素子の温度
を所定の温度に保つために発熱体を設けても良い。発熱
体には、自己温度制御型（ＰＴＣ）ヒータを用いても良
い。
を所定の温度に保つために発熱体を設けても良い。発熱
体には、自己温度制御型（ＰＴＣ）ヒータを用いても良
い。
【００１３】
【作 用】上記のように構成される本発明のガス検知
素子は、ＷＯ３ からなる助触媒層をガス感応体表面上
に設けることにより、還元性ガスに対する感度を大幅に
向上させることが可能であり、また２００℃以下の比較
的低温においては特に高い感度を長期間安定して維持す
ることができる。
素子は、ＷＯ３ からなる助触媒層をガス感応体表面上
に設けることにより、還元性ガスに対する感度を大幅に
向上させることが可能であり、また２００℃以下の比較
的低温においては特に高い感度を長期間安定して維持す
ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を更に詳しく説
明する。図１は、本発明によるガス検知素子の一実施例
を示す断面図（概念図）、図２は本発明に用いられるく
し型Ａｕ電極の一例を示す平面図である。
明する。図１は、本発明によるガス検知素子の一実施例
を示す断面図（概念図）、図２は本発明に用いられるく
し型Ａｕ電極の一例を示す平面図である。
【００１５】＜実施例１＞本実施例ではまず、図１に示
す如く、絶縁基板１として縦，横及び厚さが１３×１０
×１ｍｍの石英基板を用意し、該基板上に熱処理後Ａｕ
がＳｎ１００重量部に対し７００重量部以下となるよう
に、Ａｕ及びＳｎを真空蒸着し、空気中で３０秒間熱処
理（５００℃）してガス感応体２を得た。次に、前記ガ
ス感応体上に、図２に示すような厚さ３０ｎｍのくし型
Ａｕ電極３を真空蒸着法により形成した。更に、それら
の上面にはＰｔからなる触媒層４と、ＷＯ３ からなる
助触媒層５を真空蒸着法により形成した。尚、前記触媒
層４の質量膜厚は１ｎｍ、前記助触媒層の質量膜厚は５
ｎｍとなるようにした。また、前記絶縁基板１の裏面に
は素子の温度を所定の温度に保つための発熱体６が設け
られている。
す如く、絶縁基板１として縦，横及び厚さが１３×１０
×１ｍｍの石英基板を用意し、該基板上に熱処理後Ａｕ
がＳｎ１００重量部に対し７００重量部以下となるよう
に、Ａｕ及びＳｎを真空蒸着し、空気中で３０秒間熱処
理（５００℃）してガス感応体２を得た。次に、前記ガ
ス感応体上に、図２に示すような厚さ３０ｎｍのくし型
Ａｕ電極３を真空蒸着法により形成した。更に、それら
の上面にはＰｔからなる触媒層４と、ＷＯ３ からなる
助触媒層５を真空蒸着法により形成した。尚、前記触媒
層４の質量膜厚は１ｎｍ、前記助触媒層の質量膜厚は５
ｎｍとなるようにした。また、前記絶縁基板１の裏面に
は素子の温度を所定の温度に保つための発熱体６が設け
られている。
【００１６】ここで、上述のように作製された本発明の
ガス検知素子を密閉槽内に固定し、該槽内に濃度５０，
２００，１０００ｐｐｍのＣＯガス，濃度１０００ｐｐ
ｍのＣ２Ｈ５ＯＨ（エタノール）ガス，濃度１０００ｐ
ｐｍのＣ３Ｈ８（プロパン）ガス，濃度１０００ｐｐｍ
のＨ２ガスの各種ガスを注射器で注入し、ファンで攪拌
した後、各種ガス雰囲気中における素子の電気抵抗値を
測定した。そして各種ガスに対する感度［空気中の抵抗
値（Ｒａｉｒ）／ガス中の抵抗値（Ｒｇａｓ）］を図３
に示した。図３から明らかなように、本発明の素子は２
００℃以下の低温域において特にＣＯガスに対して高い
感度を示している。また、図４には本発明によるガス検
知素子を（ａ）１６０℃及び（ｂ）３００℃に保持した
状態での濃度２００ｐｐｍのＣＯガスに対する感度の経
時特性を示した。感度測定時の素子温度はいずれも１６
０℃である。３００℃に保持した素子は時間の経過と共
に感度の低下が見られるが、１６０℃に保持した素子は
、長期間安定して高い感度を維持している。
ガス検知素子を密閉槽内に固定し、該槽内に濃度５０，
２００，１０００ｐｐｍのＣＯガス，濃度１０００ｐｐ
ｍのＣ２Ｈ５ＯＨ（エタノール）ガス，濃度１０００ｐ
ｐｍのＣ３Ｈ８（プロパン）ガス，濃度１０００ｐｐｍ
のＨ２ガスの各種ガスを注射器で注入し、ファンで攪拌
した後、各種ガス雰囲気中における素子の電気抵抗値を
測定した。そして各種ガスに対する感度［空気中の抵抗
値（Ｒａｉｒ）／ガス中の抵抗値（Ｒｇａｓ）］を図３
に示した。図３から明らかなように、本発明の素子は２
００℃以下の低温域において特にＣＯガスに対して高い
感度を示している。また、図４には本発明によるガス検
知素子を（ａ）１６０℃及び（ｂ）３００℃に保持した
状態での濃度２００ｐｐｍのＣＯガスに対する感度の経
時特性を示した。感度測定時の素子温度はいずれも１６
０℃である。３００℃に保持した素子は時間の経過と共
に感度の低下が見られるが、１６０℃に保持した素子は
、長期間安定して高い感度を維持している。
【００１７】＜比較例１＞実施例１において、ＷＯ３
からなる触媒層を設けない素子を作製し、濃度１０００
ｐｐｍのＣＯガスに対する感度を測定し、その結果を図
５に示した。尚、実施例１の素子の感度特性も図５に併
せて示した。これによれば、ＷＯ３ からなる助触媒層
が素子の検出感度を向上させていることがわかる。
からなる触媒層を設けない素子を作製し、濃度１０００
ｐｐｍのＣＯガスに対する感度を測定し、その結果を図
５に示した。尚、実施例１の素子の感度特性も図５に併
せて示した。これによれば、ＷＯ３ からなる助触媒層
が素子の検出感度を向上させていることがわかる。
【００１８】＜実施例２＞実施例１において、触媒層と
してＰｔに代えてＰｄを用いたガス検知素子を作製し、
濃度４００ｐｐｍのＨ２ ガス，濃度１０００ｐｐｍの
ＣＯガス，濃度１０００ｐｐｍのＣ２Ｈ５ＯＨガス，濃
度１０００ｐｐｍのＣ３Ｈ８の各種ガス雰囲気中におけ
る素子の電気抵抗を測定した。そして各種ガスに対する
感度を図６に示した。図６から明らかなように、２００
℃以下の低温域において特にＨ２ガスに対して高い感度
を示している。また、図７には本発明によるガス検知素
子を（ａ）１６０℃及び（ｂ）３００℃に保持した状態
での濃度４００ｐｐｍのＨ２ガスに対する感度の経時特
性を示した。感度測定時の素子温度は、いずれも１６０
℃である。３００℃に保持した素子は時間の経過と共に
感度の低下が見られるが、１６０℃に保持した素子は、
長期間安定して高い感度を維持している。
してＰｔに代えてＰｄを用いたガス検知素子を作製し、
濃度４００ｐｐｍのＨ２ ガス，濃度１０００ｐｐｍの
ＣＯガス，濃度１０００ｐｐｍのＣ２Ｈ５ＯＨガス，濃
度１０００ｐｐｍのＣ３Ｈ８の各種ガス雰囲気中におけ
る素子の電気抵抗を測定した。そして各種ガスに対する
感度を図６に示した。図６から明らかなように、２００
℃以下の低温域において特にＨ２ガスに対して高い感度
を示している。また、図７には本発明によるガス検知素
子を（ａ）１６０℃及び（ｂ）３００℃に保持した状態
での濃度４００ｐｐｍのＨ２ガスに対する感度の経時特
性を示した。感度測定時の素子温度は、いずれも１６０
℃である。３００℃に保持した素子は時間の経過と共に
感度の低下が見られるが、１６０℃に保持した素子は、
長期間安定して高い感度を維持している。
【００１９】＜比較例２＞実施例２において、ＷＯ３
からなる助触媒層を設けない素子を作製し、濃度４００
ｐｐｍのＨ２ ガスに対する感度を測定し、その結果を
図８に示した。尚、実施例２の素子の感度特性について
も図８に併せて示した。これによれば、ＷＯ３からなる
助触媒層が素子の検出感度を向上させていることがわか
る。
からなる助触媒層を設けない素子を作製し、濃度４００
ｐｐｍのＨ２ ガスに対する感度を測定し、その結果を
図８に示した。尚、実施例２の素子の感度特性について
も図８に併せて示した。これによれば、ＷＯ３からなる
助触媒層が素子の検出感度を向上させていることがわか
る。
【００２０】＜実施例３＞実施例１において、ＳｎＯ２
を主成分としＳｎ１００重量部に対し７００重量部以
下のＡｕを含むガス感応体に代えて、Ｉｎ２Ｏ３をガス
感応体として用いたガス検知素子を作製し、実施例１と
同様の各種ガス雰囲気中における素子の電気抵抗値を測
定した。そして各種ガスに対する感度を図９に示した。 図９から明らかなように２００℃以下の低温域において
特にＣＯガスに対して高い感度を示している。また、図
１０には本発明によるガス検知素子を（ａ）１６０℃及
び（ｂ）３００℃に保持した状態での濃度２００ｐｐｍ
のＣＯガスに対する感度の経時特性を示した。感度測定
時の素子温度は、いずれも１６０℃である。３００℃に
保持した素子は時間の経過と共に感度の低下が見られる
が、１６０℃に保持した素子は長期間安定して高い感度
を維持している。
を主成分としＳｎ１００重量部に対し７００重量部以
下のＡｕを含むガス感応体に代えて、Ｉｎ２Ｏ３をガス
感応体として用いたガス検知素子を作製し、実施例１と
同様の各種ガス雰囲気中における素子の電気抵抗値を測
定した。そして各種ガスに対する感度を図９に示した。 図９から明らかなように２００℃以下の低温域において
特にＣＯガスに対して高い感度を示している。また、図
１０には本発明によるガス検知素子を（ａ）１６０℃及
び（ｂ）３００℃に保持した状態での濃度２００ｐｐｍ
のＣＯガスに対する感度の経時特性を示した。感度測定
時の素子温度は、いずれも１６０℃である。３００℃に
保持した素子は時間の経過と共に感度の低下が見られる
が、１６０℃に保持した素子は長期間安定して高い感度
を維持している。
【００２１】＜比較例３＞実施例３において、ＷＯ３
からなる助触媒層を設けない素子を作製し、濃度１００
０ｐｐｍのＣＯガスに対する感度を測定し、その結果を
図１１に示した。尚、実施例３の素子の感度特性につい
ても図１１に併せて示した。これによれば、ＷＯ３ か
らなる助触媒層が素子の検出感度を向上させていること
がわかる。
からなる助触媒層を設けない素子を作製し、濃度１００
０ｐｐｍのＣＯガスに対する感度を測定し、その結果を
図１１に示した。尚、実施例３の素子の感度特性につい
ても図１１に併せて示した。これによれば、ＷＯ３ か
らなる助触媒層が素子の検出感度を向上させていること
がわかる。
【００２２】
【発明の効果】以上の結果からわかるように、本発明の
ガス検知素子は、絶縁基板上に設けられたＳｎＯ２ を
主成分としＳｎ１００重量部に対し７００重量部以下の
Ａｕを含有するガス感応体上に、ＰｔまたはＰｄのうち
少なくとも一種からなり質量膜厚が５ｎｍ以下の触媒層
が形成されたもの、あるいは前記ガス感応体がＩｎ２Ｏ
３からなり、前記触媒層がＰｔからなるもの、これらに
助触媒層としてＷＯ３ を添加することにより、Ｈ２
ガス，ＣＯガス等の還元性ガスに対する感度を大幅に向
上させることができ、更に、２００℃以下の比較的低温
においても高いガス感度を長期間安定して維持すること
が可能となった。
ガス検知素子は、絶縁基板上に設けられたＳｎＯ２ を
主成分としＳｎ１００重量部に対し７００重量部以下の
Ａｕを含有するガス感応体上に、ＰｔまたはＰｄのうち
少なくとも一種からなり質量膜厚が５ｎｍ以下の触媒層
が形成されたもの、あるいは前記ガス感応体がＩｎ２Ｏ
３からなり、前記触媒層がＰｔからなるもの、これらに
助触媒層としてＷＯ３ を添加することにより、Ｈ２
ガス，ＣＯガス等の還元性ガスに対する感度を大幅に向
上させることができ、更に、２００℃以下の比較的低温
においても高いガス感度を長期間安定して維持すること
が可能となった。
【図１】本発明によるガス検知素子の一実施例を示す断
面図（概念図）である。
面図（概念図）である。
【図２】本発明に用いられるくし型Ａｕ電極の一例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】本発明によるガス検知素子の各種ガスに対する
感度特性を示すグラフである。
感度特性を示すグラフである。
【図４】本発明によるガス検知素子のＣＯガスに対する
感度の経時特性を示すグラフである。
感度の経時特性を示すグラフである。
【図５】比較例として用いたガス検知素子のＣＯガスに
対する感度特性を示すグラフである。
対する感度特性を示すグラフである。
【図６】本発明によるガス検知素子の各種ガスに対する
感度特性を示すグラフである。
感度特性を示すグラフである。
【図７】本発明によるガス検知素子のＨ２ ガスに対す
る感度の経時特性を示すグラフである。
る感度の経時特性を示すグラフである。
【図８】比較例として用いたガス検知素子のＨ２ ガス
に対する感度特性を示すグラフである。
に対する感度特性を示すグラフである。
【図９】本発明によるガス検知素子の各種ガスに対する
感度特性を示すグラフである。
感度特性を示すグラフである。
【図１０】本発明によるガス検知素子のＣＯガスに対す
る感度の経時特性を示すグラフである。
る感度の経時特性を示すグラフである。
【図１１】比較例として用いたガス検知素子のＣＯガス
に対する感度特性を示すグラフである。
に対する感度特性を示すグラフである。
【図１２】従来のガス検知素子の一例を示す断面図（概
念図）である。
念図）である。
１ 絶縁基板
２ ガス感応体
３ くし型Ａｕ電極
４ 触媒層
５ 助触媒層
６ 発熱体
１１ 絶縁基板
１２ ガス感応体
１３ くし型Ａｕ電極
１４ 触媒層
１６ 発熱体
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板と、該基板上に設けられたＳ
ｎＯ２（酸化スズ）を主成分としＳｎ（スズ）１００重
量部に対し７００重量部以下のＡｕ（金）を含有するガ
ス感応体と、該ガス感応体に設けられた一対の電極と、
前記ガス感応体表面上に設けられたＷＯ３（三酸化タン
グステン）からなる助触媒層と、前記ガス感応体表面上
に設けられた質量膜厚５ｎｍ以下のＰｔ（白金）または
Ｐｄ（パラジウム）のうち少なくとも一種からなる触媒
層とから構成されたガス検知素子。 - 【請求項２】 絶縁基板と、該基板上に設けられたＩ
ｎ２Ｏ３（酸化インジウム）からなるガス感応体と、該
ガス感応体に設けられた一対の電極と、前記ガス感応体
表面上に設けられたＷＯ３ からなる助触媒層と、前記
ガス感応体表面上に設けられた質量膜厚５ｎｍ以下のＰ
ｔからなる触媒層とから構成されたガス検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11932791A JPH04323548A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11932791A JPH04323548A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | ガス検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323548A true JPH04323548A (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=14758728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11932791A Pending JPH04323548A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | ガス検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04323548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5386715A (en) * | 1993-12-06 | 1995-02-07 | Motorola, Inc. | Gas vapor sensor |
| JP2020056726A (ja) * | 2018-10-03 | 2020-04-09 | 富士電機株式会社 | ガスセンサ |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP11932791A patent/JPH04323548A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5386715A (en) * | 1993-12-06 | 1995-02-07 | Motorola, Inc. | Gas vapor sensor |
| JP2020056726A (ja) * | 2018-10-03 | 2020-04-09 | 富士電機株式会社 | ガスセンサ |
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