JP2006300585A - 水素センサ及び水素の検知方法 - Google Patents
水素センサ及び水素の検知方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】絶縁基板1と、絶縁基板1の上面のほぼ全面に形成された層状の半導体2と、半導体2の上面中央部に形成された水素吸収体3と、半導体2の表面上であって水素吸収体3の左右両側に形成された内側電極5,5と、半導体2の表面上であって内側電極5,5の外側に形成された外側電極6,6とから水素センサを構成する。水素吸収体3を金又は金を主成分とする金とパラジウムとの合金をもって形成する。
【選択図】図7
Description
以下、本発明に係る水素センサの第1例を図1及び図2に基づいて説明する。図1は第1実施形態に係る水素センサの断面図、図2は第1実施形態に係る水素センサの平面図である。
以下、本発明に係る水素センサの第2例を図3及び図4に基づいて説明する。図3は第2実施形態に係る水素センサの断面図、図4は第2実施形態に係る水素センサの平面図である。
水素吸収体3の材質が異なる各種の水素センサを作製し、水素ガスの検出実験を行った。以下に、試料である各種水素センサの構成と実験結果とを挙げ、本発明に係る水素センサの効果を明らかにする。
1 絶縁基板
2 半導体
3 水素吸収体
5 内側電極
6 外側電極
14 薄膜絶縁層
17 水素透過性の保護膜
Claims (9)
- 半導体と、当該半導体上に付設された金又は金を主成分とする金とパラジウムとの合金からなる水素吸収体と、当該水素吸収体の付設位置を挟んで前記半導体上の前記水素吸収体と導通しない位置に配置された少なくとも1対の電極とを備えたことを特徴とする水素センサ。
- 前記半導体として、絶縁基板上に層状に形成された半導体を用いたことを特徴とする請求項1に記載の水素センサ。
- 前記半導体として、非酸化物系の半導体を用いたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の水素センサ。
- 前記非酸化物系の半導体として、シリコン、炭化珪素、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、炭素(ダイヤモンド)のいずれかを主成分とする非酸化物系の半導体を用いたことを特徴とする請求項3に記載の水素センサ。
- 前記水素吸収体を前記半導体上に直接形成したことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の水素センサ。
- 前記半導体と前記水素吸収体との間に薄膜絶縁層を介在したことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の水素センサ。
- 前記水素吸収体の露出面を水素透過性の保護膜により覆ったことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の水素センサ。
- 前記水素透過性の保護膜が、窒化珪素又は酸化珪素若しくはポリイミドからなることを特徴とする請求項7に記載の水素センサ。
- 半導体と、当該半導体上に付設された金又は金とパラジウムとの合金からなる水素吸収体と、当該水素吸収体の付設位置を挟んで前記半導体上の前記水素吸収体と導通しない位置に配置された少なくとも1対の電極とを備えた水素センサを用い、前記少なくとも1対の電極間で計測される前記半導体の抵抗値変化から前記水素吸収体への水素吸収の有無と水素吸収量とを検出することを特徴とする水素の検知方法。
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