JP2959085B2 - 湿度センサ - Google Patents
湿度センサInfo
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- JP2959085B2 JP2959085B2 JP24965990A JP24965990A JP2959085B2 JP 2959085 B2 JP2959085 B2 JP 2959085B2 JP 24965990 A JP24965990 A JP 24965990A JP 24965990 A JP24965990 A JP 24965990A JP 2959085 B2 JP2959085 B2 JP 2959085B2
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- Japan
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- humidity sensor
- laminated
- laminated electrode
- electrode
- film
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、湿度センサに関する。更に詳しくは、耐環
境性にすぐれた積層電極を有する湿度センサに関する。
境性にすぐれた積層電極を有する湿度センサに関する。
〔従来の技術〕および〔発明が解決しようとする課題〕 湿度センサなどの各種のセンサに設けられている積層
電極では、高温条件下または高温高湿条件下で用いられ
た場合、下層金属の拡散とか、積層電極が接触するハロ
ゲン含有感湿膜による腐食とかで、抵抗値の変化が大き
くなる現象がみられるる。
電極では、高温条件下または高温高湿条件下で用いられ
た場合、下層金属の拡散とか、積層電極が接触するハロ
ゲン含有感湿膜による腐食とかで、抵抗値の変化が大き
くなる現象がみられるる。
例えば、Au/Ni積層電極では、高温になるとAu層にNi
が拡散し抵抗値が大きくなり、これをハロゲン含有感湿
膜と接触させるようにして用いると、高温では腐食を生
ずるようになる。また、Au/Mo積層電極をハロゲン含有
感湿膜に用いた場合には、通電すると腐食を生ずるよう
になる。更に、湿度センサの積層電極としてよく用いら
れているAu/Cr積層電極でも、このような使用条件下で
は、抵抗変化が大きくなる現象がみられる。
が拡散し抵抗値が大きくなり、これをハロゲン含有感湿
膜と接触させるようにして用いると、高温では腐食を生
ずるようになる。また、Au/Mo積層電極をハロゲン含有
感湿膜に用いた場合には、通電すると腐食を生ずるよう
になる。更に、湿度センサの積層電極としてよく用いら
れているAu/Cr積層電極でも、このような使用条件下で
は、抵抗変化が大きくなる現象がみられる。
本発明の目的は、高温高湿条件下において、ハロゲン
含有感湿膜と接触させて用いても抵抗変化が少なく、つ
まり耐環境性にすぐれた積層電極を有する湿度センサを
提供することにある。
含有感湿膜と接触させて用いても抵抗変化が少なく、つ
まり耐環境性にすぐれた積層電極を有する湿度センサを
提供することにある。
かかる本発明の目的は、絶縁性基板上に高融点金属上
に白金を積層させた対向くし形電極を設け、該くし形積
層電極上にハロゲン含有感湿膜を形成させてなる湿度セ
ンサによって達成される。
に白金を積層させた対向くし形電極を設け、該くし形積
層電極上にハロゲン含有感湿膜を形成させてなる湿度セ
ンサによって達成される。
積層電極の下層は、Cr、Ti、Ta、Zr、Nbなどの融点16
50℃以上の高融点金属を用い、ポジ型のフォトレジスト
パターンを形成させた絶縁性基板上に、真空蒸着法、ス
パッタリング法などにより、約100〜2000Å程度の膜厚
で形成させる。引き続き、同様にPtを用いて上層を形成
させ、リフトオフ法により積層電極を形成させる。
50℃以上の高融点金属を用い、ポジ型のフォトレジスト
パターンを形成させた絶縁性基板上に、真空蒸着法、ス
パッタリング法などにより、約100〜2000Å程度の膜厚
で形成させる。引き続き、同様にPtを用いて上層を形成
させ、リフトオフ法により積層電極を形成させる。
絶縁性基板上の導電性くし形電極上に設けられるハロ
ゲン含有感湿膜としては、先に本出願人によって提案さ
れている塩素含有高分子薄膜（特公平５−25064号公
報）、含窒素有機けい素化合物−ハロゲン化炭化水素混
合物プラズマ重合膜（同６−23712号公報）、含窒素有
機けい素化合物−ハロゲン化シラン混合物プラズマ重合
膜（同６−23713号公報）、有機アミン化合物−ハロゲ
ン化炭化水素混合物プラズマ重合膜または有機アミン化
合物−ハロゲン化シラン混合物プラズマ重合膜（同７−
104311号公報）などが用いられる。
ゲン含有感湿膜としては、先に本出願人によって提案さ
れている塩素含有高分子薄膜（特公平５−25064号公
報）、含窒素有機けい素化合物−ハロゲン化炭化水素混
合物プラズマ重合膜（同６−23712号公報）、含窒素有
機けい素化合物−ハロゲン化シラン混合物プラズマ重合
膜（同６−23713号公報）、有機アミン化合物−ハロゲ
ン化炭化水素混合物プラズマ重合膜または有機アミン化
合物−ハロゲン化シラン混合物プラズマ重合膜（同７−
104311号公報）などが用いられる。
本発明に係る積層電極およびハロゲン含有感湿膜を用
いた湿度センサは、高温高湿条件下で用いた場合におい
ても、積層電極、特にPt/Cr、Pt/Nb積層電極の場合に
は、Au/Cr積層電極として比較して抵抗変化が少なく、
すぐれた耐環境性を示している。
いた湿度センサは、高温高湿条件下で用いた場合におい
ても、積層電極、特にPt/Cr、Pt/Nb積層電極の場合に
は、Au/Cr積層電極として比較して抵抗変化が少なく、
すぐれた耐環境性を示している。
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例 ガラス基板上に、ポジ型のフォトレジストパターンを
形成した後、真空蒸着法により高融点金属（Cr、Zrまた
はNb）を500Åの膜厚で蒸着し、引き続き同様にしてPt
を2000Åの膜厚で蒸着し、リフトオフ法により、一組の
対向くし形電極を形成させた。
形成した後、真空蒸着法により高融点金属（Cr、Zrまた
はNb）を500Åの膜厚で蒸着し、引き続き同様にしてPt
を2000Åの膜厚で蒸着し、リフトオフ法により、一組の
対向くし形電極を形成させた。
このくし形電極を形成させたガラス基板をプラズマ反
応容器内に入れ、容器内を真空排気した後、メチレンジ
ブロマイド（ガス状態）を0.5SCCM、テトラメチルエチ
レンジアミンを2.5SCCM導入し、内部圧力を0.06Torrに
して、有効電力26Wの高周波を15分間放電し、これらの
混合物プラズマ重合膜よりなる感湿膜を形成させた。
応容器内に入れ、容器内を真空排気した後、メチレンジ
ブロマイド（ガス状態）を0.5SCCM、テトラメチルエチ
レンジアミンを2.5SCCM導入し、内部圧力を0.06Torrに
して、有効電力26Wの高周波を15分間放電し、これらの
混合物プラズマ重合膜よりなる感湿膜を形成させた。
その後、再び真空排気し、メチルトリメトキシシラン
（ガス状態）を2.0SCCM導入し、内部圧力を0.06Torrに
して、有効電力60Wの高周波を10分間放電し、そのプラ
ズマ重合膜よりなる保護膜を形成させた。
（ガス状態）を2.0SCCM導入し、内部圧力を0.06Torrに
して、有効電力60Wの高周波を10分間放電し、そのプラ
ズマ重合膜よりなる保護膜を形成させた。
このようにして作製された湿度センサを、85℃、85％
RHの恒温恒湿槽内に設置し、1V、1KHz電圧を印加し、通
電時間毎の抵抗変化を測定した。得られた結果は、第１
図（Pt/Cr）、第２図（Pt/Zr）または第３図（Pt/Nb）
の各グラフに示される。これらの各グラフにおいて、○
と△とは一組の電極の左側と右側の抵抗を示し、また●
と▲とは線の間隔を変えて抵抗値を1.5倍となるように
したものである。
RHの恒温恒湿槽内に設置し、1V、1KHz電圧を印加し、通
電時間毎の抵抗変化を測定した。得られた結果は、第１
図（Pt/Cr）、第２図（Pt/Zr）または第３図（Pt/Nb）
の各グラフに示される。これらの各グラフにおいて、○
と△とは一組の電極の左側と右側の抵抗を示し、また●
と▲とは線の間隔を変えて抵抗値を1.5倍となるように
したものである。
なお、これらの積層電極は、110℃、85％RH、120時間
（プレッシャークッカー）、150℃、283時間（高温放
置）、1V、1KHz、８時間（結電通電）の環境下での抵抗
値の増加は、いずれも２％以下であった。
（プレッシャークッカー）、150℃、283時間（高温放
置）、1V、1KHz、８時間（結電通電）の環境下での抵抗
値の増加は、いずれも２％以下であった。
比較例 実施例において、高融点金属としてCrを用い、当該金
属上にPtの代わりにAuを用いた湿度センサを作成し、同
様の測定を行った。得られた結果は、第４図（Au/Cr）
のグラフに示される。
属上にPtの代わりにAuを用いた湿度センサを作成し、同
様の測定を行った。得られた結果は、第４図（Au/Cr）
のグラフに示される。
第１〜４図は、湿度センサに用いられた各種積層電極に
おける通電時間毎の抵抗変化率を示すグラフである。
おける通電時間毎の抵抗変化率を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板上に、高融点金属上に白金を積
層させた対向くし形電極を設け、該くし形積層電極上に
ハロゲン含有感湿膜を形成させてなる湿度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24965990A JP2959085B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24965990A JP2959085B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 湿度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04128646A JPH04128646A (ja) | 1992-04-30 |
| JP2959085B2 true JP2959085B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=17196312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24965990A Expired - Lifetime JP2959085B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 湿度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2959085B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2582343B2 (ja) * | 1993-12-04 | 1997-02-19 | エルジー電子株式会社 | 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法 |
| JP6883777B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2021-06-09 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP24965990A patent/JP2959085B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04128646A (ja) | 1992-04-30 |
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