JPH053895B2 - - Google Patents
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- JPH053895B2 JPH053895B2 JP60032228A JP3222885A JPH053895B2 JP H053895 B2 JPH053895 B2 JP H053895B2 JP 60032228 A JP60032228 A JP 60032228A JP 3222885 A JP3222885 A JP 3222885A JP H053895 B2 JPH053895 B2 JP H053895B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
-
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- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Description
産業上の利用分野
本発明は、半導体特性を有するスズ酸化物薄膜
を備えたガスセンサ素子に関する。 従来技術及びその問題点 現在使用されている半導体ガスセンサは、主に
焼結により製造されている。しかしながら、焼結
による製造方法は、工程が複雑で、製品の性能を
左右する種々の変動要因を含む為、製品の信頼
性、安定性、耐久性等の点で満足すべきものと
は、言い難い。又、焼結による製品は、寸法を一
定以下とすることが出来ないので、感度が低いと
いう欠点もある。従つて、焼結製品に代わる薄膜
型の半導体センサの開発が進められているが、焼
結製品に実用上代替し得るものは、得られていな
い。 薄膜型半導体センサが実用に供し難い一つの理
由として、一般に薄膜型半導体センサは水素検知
能には極めて優れているものの、メタンはほとん
ど検知し得ないことが挙げられる。この為、例え
ば、シリコンからなる基板を酸化してSiO2から
なる絶縁膜を形成させ、その上にPtをドープし
たSnO2膜を形成する方法（特開昭5424094号公
報）、SiO2絶縁膜を形成させたシリコン基板にＰ
又はＢをドープさせる方法（特開昭57−17849号
公報）等が提案されているが、ドーパント原子が
均一にドープされ難いので、所望の効果が得られ
ていない。 問題点を解決する為の手段 本発明は、上記の如き技術の現状に鑑みて種々
実験及び研究を重ねた結果、蒸着材源としてスズ
及びスズ酸化物の少なくとも１種を使用して、物
理的蒸着法（PVD）又は化学的蒸着法（CVD）
により特定の条件下に基板上に蒸着層を形成させ
る場合には、気相と接すべき界面に対して特定の
結晶配向性を有する薄膜が形成されること、得ら
れた薄膜は、水素だけはでなく、メタン、エタ
ン、プロパン、ブタン等の炭化水素類の気相成分
のセンサとして優れた特性を発揮することを見出
した。即ち、本発明は、以下に示すガスセンサ素
子を提供するものである。 スズ酸化物薄膜ガスセンサ素子において、ガス
検知表面の結晶配向性及び結晶性をCuKを線源
としてＸ線回折した場合の最強回折線強度をI1と
し、２番目、３番目及び４番目に強い回折線強度
を夫々I2、I3及びI4とするとき、 (a) （211）面又は（110）面の線強度が最強であ
り、I2／I1≦0.6で且つI1の半値幅が0.58以上で
あるか、 (b) I1が（110）面又は（101）面の線強度で且つ
I2が（101）面又は（110）面の線強度であり、
I2／I1≧0.5、I3／I2＜0.6で且つI1の半値幅が
0.54以上であるか、 (c) I1が（110）面又は（211）面の線強度で且つ
I2が（101）面又は（110）面の線強度であり、
Ｉ２／Ｉ１≧0.5、I3/I2＜0.6で且つI1の半値幅が0.58
以上であるか、 (d) I1、I2及びI3が、それぞれ（110）面、（101）
面及び（211）面のいずれかの線強度であり
I3／I1≧0.5、I4／I3＜0.6で且つI1の半値幅が
0.61以上であるか、 (e) I1、I2、I3及びI4がそれぞれ（110）面、
（101）面、（211）面及び（301）面のいずれか
の線強度であり、I4／I1≧0.5、I5／I4＜0.6で且
つI1の半値幅が0.73以上であるか、 (f) I1が（301）面の線強度であり、I2／I1≧0.6
で且つI1の半値幅が0.60以上である ことを特徴とするスズ酸化物薄膜ガスセンサ素
子。 このスズ酸化物薄膜ガスセンサ素子は、水素及
びメタン等の炭化水素類の検知に使用される。 本発明ガスセンサの基板としては、シリコン基
板、セラミツク基板、ガラス基板等が使用され
る。シリコン基板を使用する場合には、その表面
には、常法に従つてSiO2の絶縁層を形成する。
基板上に薄膜状の半導体層としてスズ酸化物を付
与する。このスズ酸化物が半導体としての特性を
発揮する為には、完全酸化物から一部の酸素原子
が失なわれた、即ち格子欠陥を有する形態をとる
必要がある。この様な格子欠陥の存在は、導電率
の測定によつて確認できる。 格子欠陥を有するSnO2を例にとるならば、ガ
スの検知に関与する結晶の面配向は、（110）、
（101）、（211）及び（301）であり、面配向と被検
知ガスの選択性の関係の若干例を概略的に示せば
第１表の通りである。
を備えたガスセンサ素子に関する。 従来技術及びその問題点 現在使用されている半導体ガスセンサは、主に
焼結により製造されている。しかしながら、焼結
による製造方法は、工程が複雑で、製品の性能を
左右する種々の変動要因を含む為、製品の信頼
性、安定性、耐久性等の点で満足すべきものと
は、言い難い。又、焼結による製品は、寸法を一
定以下とすることが出来ないので、感度が低いと
いう欠点もある。従つて、焼結製品に代わる薄膜
型の半導体センサの開発が進められているが、焼
結製品に実用上代替し得るものは、得られていな
い。 薄膜型半導体センサが実用に供し難い一つの理
由として、一般に薄膜型半導体センサは水素検知
能には極めて優れているものの、メタンはほとん
ど検知し得ないことが挙げられる。この為、例え
ば、シリコンからなる基板を酸化してSiO2から
なる絶縁膜を形成させ、その上にPtをドープし
たSnO2膜を形成する方法（特開昭5424094号公
報）、SiO2絶縁膜を形成させたシリコン基板にＰ
又はＢをドープさせる方法（特開昭57−17849号
公報）等が提案されているが、ドーパント原子が
均一にドープされ難いので、所望の効果が得られ
ていない。 問題点を解決する為の手段 本発明は、上記の如き技術の現状に鑑みて種々
実験及び研究を重ねた結果、蒸着材源としてスズ
及びスズ酸化物の少なくとも１種を使用して、物
理的蒸着法（PVD）又は化学的蒸着法（CVD）
により特定の条件下に基板上に蒸着層を形成させ
る場合には、気相と接すべき界面に対して特定の
結晶配向性を有する薄膜が形成されること、得ら
れた薄膜は、水素だけはでなく、メタン、エタ
ン、プロパン、ブタン等の炭化水素類の気相成分
のセンサとして優れた特性を発揮することを見出
した。即ち、本発明は、以下に示すガスセンサ素
子を提供するものである。 スズ酸化物薄膜ガスセンサ素子において、ガス
検知表面の結晶配向性及び結晶性をCuKを線源
としてＸ線回折した場合の最強回折線強度をI1と
し、２番目、３番目及び４番目に強い回折線強度
を夫々I2、I3及びI4とするとき、 (a) （211）面又は（110）面の線強度が最強であ
り、I2／I1≦0.6で且つI1の半値幅が0.58以上で
あるか、 (b) I1が（110）面又は（101）面の線強度で且つ
I2が（101）面又は（110）面の線強度であり、
I2／I1≧0.5、I3／I2＜0.6で且つI1の半値幅が
0.54以上であるか、 (c) I1が（110）面又は（211）面の線強度で且つ
I2が（101）面又は（110）面の線強度であり、
Ｉ２／Ｉ１≧0.5、I3/I2＜0.6で且つI1の半値幅が0.58
以上であるか、 (d) I1、I2及びI3が、それぞれ（110）面、（101）
面及び（211）面のいずれかの線強度であり
I3／I1≧0.5、I4／I3＜0.6で且つI1の半値幅が
0.61以上であるか、 (e) I1、I2、I3及びI4がそれぞれ（110）面、
（101）面、（211）面及び（301）面のいずれか
の線強度であり、I4／I1≧0.5、I5／I4＜0.6で且
つI1の半値幅が0.73以上であるか、 (f) I1が（301）面の線強度であり、I2／I1≧0.6
で且つI1の半値幅が0.60以上である ことを特徴とするスズ酸化物薄膜ガスセンサ素
子。 このスズ酸化物薄膜ガスセンサ素子は、水素及
びメタン等の炭化水素類の検知に使用される。 本発明ガスセンサの基板としては、シリコン基
板、セラミツク基板、ガラス基板等が使用され
る。シリコン基板を使用する場合には、その表面
には、常法に従つてSiO2の絶縁層を形成する。
基板上に薄膜状の半導体層としてスズ酸化物を付
与する。このスズ酸化物が半導体としての特性を
発揮する為には、完全酸化物から一部の酸素原子
が失なわれた、即ち格子欠陥を有する形態をとる
必要がある。この様な格子欠陥の存在は、導電率
の測定によつて確認できる。 格子欠陥を有するSnO2を例にとるならば、ガ
スの検知に関与する結晶の面配向は、（110）、
（101）、（211）及び（301）であり、面配向と被検
知ガスの選択性の関係の若干例を概略的に示せば
第１表の通りである。
【表】
本発明センサにおける蒸着スズ酸化物薄膜半導
体層中の結晶は、CuK線を線源とするＸ線回折
スペクトラムによる最強回折線I1の半値幅が実験
値の80％以上であり、且つ面配向の数に応じて出
現する複数本の回折線の間で前記(a)〜(f)のいずれ
かの条件を充足するものでなければならない。こ
れら(a)〜(f)の条件は、実験を繰り返すことにより
経験的に求めたものである。I1の半値幅が前記の
値を下回る場合には、結晶粒子径が大きくなる
為、感度が低下してセンサとして使用し得ない。 本発明のガスセンサ素子は、例えば、以下の様
にして製造される。先ず、基板としてのシリコン
等の表面に常法に従つてSiO2等の酸化物絶縁層
を形成した後、PVD又はCVDによりスズ酸化物
薄膜半導体層を形成する。蒸着操作時の条件は、
基板の材質、蒸着材料源としてのスズ及びスズ酸
化物の種類、蒸着方法等により大巾に変り得る
が、PVD法に属するスパツタリング法の場合は、
例えば基板温度０〜500℃、ターゲツトと基板と
の距離１〜500mm、Ar、He、N2等の不活性ガス
雰囲気ガス圧１×10-1〜１×10-4トル、雰囲気ガ
ス中の酸素分圧０〜１×10-3トル、印加電圧10〜
200V、高周波出力10W〜10KW程度である。特
に蒸着材料源として金属を使用する場合には、雰
囲気ガス中の酸素分圧を１×10-5〜１×10-3トル
とする。又、雰囲気ガス中の不活性ガスと酸素と
の割合は、前者10モルに対し後者１〜２モル程度
とすることが好ましい。酸素の割合が少な過ぎる
場合には、薄膜中の酸素が不足して、例えば
SnO2とならず、一方酸素の割合が多過ぎる場合
には、格子欠陥が少なくなる為、導電率が低下し
過ぎてセンサとして使用し得なくなる。基板の温
度が500℃を上回る場合には、結晶粒径が粗大と
なり、ガス検知能が低下する。尚、結晶粒の粗大
化は、半値幅の減少を生ずるので、容易にチエツ
クされる。その他の条件が上記の範囲外となる場
合には、薄膜が形成されなかつたり、特定の面配
向を有する結晶が生成されない為ガス検知能を有
しなくなつたりする。 蒸着材料源としては、スズ及びスズ酸化物が使
用される。 蒸着により形成された本発明ガスセンサ素子
は、必要ならば、更にアニーリング処理により、
その安定性及び耐久性を高めることが出来る。ア
ニーリング処理は、例えば、ドライエア雰囲気中
500℃で４時間程度保持すことにより行なわれる。 本発明素子をガスセンサとして使用する場合に
は、常法に従つて薄膜半導体層上に例えば白金電
極を形成するとともに所定のリード線を接続すれ
ば良い。 発明の効果 本発明によれば、以下の如き効果が達成され
る。 (1) ドーピング工程を要することなく、薄膜型半
導体ガスセンサが得られる。得られるガスセン
サは、水素及びメタン等の炭化水素類の検知能
を有している。又、そのガス感度は、極めて高
く、微量のガスをも検知し得る。 (2) 焼結による場合に比して、製造工程が簡単で
ある。 (3) 焼結による場合に比して、均一な性能を有す
る素子が得られる。 (4) 得られた素子は、焼結法による素子に比して
機能的強度に優れているので、長期にわたる使
用中にもセンサ特性が変化し難い。 実施例 以下、実施例により本発明の特徴とするところ
より一層明らかにする。 実施例 １ 基板としのシリコンウエハー（２mm×３mm）を
酸素及び水蒸気を含む雰囲気中で1000℃で２時間
加熱して表面にSiO2絶縁層を形成させた後、平
行平板型高周波マグネトロンスパツタリング装置
を使用し、SnO2焼結体ターゲツト材として蒸着
操作を行なつた。蒸着時の条件は、下記第２表に
示す通りである。
体層中の結晶は、CuK線を線源とするＸ線回折
スペクトラムによる最強回折線I1の半値幅が実験
値の80％以上であり、且つ面配向の数に応じて出
現する複数本の回折線の間で前記(a)〜(f)のいずれ
かの条件を充足するものでなければならない。こ
れら(a)〜(f)の条件は、実験を繰り返すことにより
経験的に求めたものである。I1の半値幅が前記の
値を下回る場合には、結晶粒子径が大きくなる
為、感度が低下してセンサとして使用し得ない。 本発明のガスセンサ素子は、例えば、以下の様
にして製造される。先ず、基板としてのシリコン
等の表面に常法に従つてSiO2等の酸化物絶縁層
を形成した後、PVD又はCVDによりスズ酸化物
薄膜半導体層を形成する。蒸着操作時の条件は、
基板の材質、蒸着材料源としてのスズ及びスズ酸
化物の種類、蒸着方法等により大巾に変り得る
が、PVD法に属するスパツタリング法の場合は、
例えば基板温度０〜500℃、ターゲツトと基板と
の距離１〜500mm、Ar、He、N2等の不活性ガス
雰囲気ガス圧１×10-1〜１×10-4トル、雰囲気ガ
ス中の酸素分圧０〜１×10-3トル、印加電圧10〜
200V、高周波出力10W〜10KW程度である。特
に蒸着材料源として金属を使用する場合には、雰
囲気ガス中の酸素分圧を１×10-5〜１×10-3トル
とする。又、雰囲気ガス中の不活性ガスと酸素と
の割合は、前者10モルに対し後者１〜２モル程度
とすることが好ましい。酸素の割合が少な過ぎる
場合には、薄膜中の酸素が不足して、例えば
SnO2とならず、一方酸素の割合が多過ぎる場合
には、格子欠陥が少なくなる為、導電率が低下し
過ぎてセンサとして使用し得なくなる。基板の温
度が500℃を上回る場合には、結晶粒径が粗大と
なり、ガス検知能が低下する。尚、結晶粒の粗大
化は、半値幅の減少を生ずるので、容易にチエツ
クされる。その他の条件が上記の範囲外となる場
合には、薄膜が形成されなかつたり、特定の面配
向を有する結晶が生成されない為ガス検知能を有
しなくなつたりする。 蒸着材料源としては、スズ及びスズ酸化物が使
用される。 蒸着により形成された本発明ガスセンサ素子
は、必要ならば、更にアニーリング処理により、
その安定性及び耐久性を高めることが出来る。ア
ニーリング処理は、例えば、ドライエア雰囲気中
500℃で４時間程度保持すことにより行なわれる。 本発明素子をガスセンサとして使用する場合に
は、常法に従つて薄膜半導体層上に例えば白金電
極を形成するとともに所定のリード線を接続すれ
ば良い。 発明の効果 本発明によれば、以下の如き効果が達成され
る。 (1) ドーピング工程を要することなく、薄膜型半
導体ガスセンサが得られる。得られるガスセン
サは、水素及びメタン等の炭化水素類の検知能
を有している。又、そのガス感度は、極めて高
く、微量のガスをも検知し得る。 (2) 焼結による場合に比して、製造工程が簡単で
ある。 (3) 焼結による場合に比して、均一な性能を有す
る素子が得られる。 (4) 得られた素子は、焼結法による素子に比して
機能的強度に優れているので、長期にわたる使
用中にもセンサ特性が変化し難い。 実施例 以下、実施例により本発明の特徴とするところ
より一層明らかにする。 実施例 １ 基板としのシリコンウエハー（２mm×３mm）を
酸素及び水蒸気を含む雰囲気中で1000℃で２時間
加熱して表面にSiO2絶縁層を形成させた後、平
行平板型高周波マグネトロンスパツタリング装置
を使用し、SnO2焼結体ターゲツト材として蒸着
操作を行なつた。蒸着時の条件は、下記第２表に
示す通りである。
【表】
かくして得られた酸化すず薄膜（1400Å）のＸ
線回折図を第１図に示す。配向面（211）に相当
する回折線の強度が特に大きいことが明らかであ
る。 上記で得た蒸着薄膜形成物にスパツタリングに
より白金電極（厚さ約1μｍ）を形成して、第２
図に示すガスセンサ素子を得た。第２図におい
て、１はシリコンウエハー、３はSiO2絶縁層、
５は酸化すず薄膜層、７は白金電極を示す。 次いで、電気炉中のセル内に上記ガスセンサ素
子を設置し、ドライエアを流しつつ500℃で４時
間保持しアニーリングを行なつた後、(ア)ドライエ
ア、(イ)メタン含有ドライエア又は(ウ)水素含有ドラ
イエアを流して、各温度における電極間の電気抵
抗を測定した。結果は、第３図に示す通りであ
る。第３図から明らかな如く、本発明ガスセンサ
は、水素検知能を有するのみならず、400℃以上
ではメタン検知能をも有していることが明らかで
ある。 尚、第３図及び以下の各実施例の結果を示すグ
ラフにおいて、各曲線は、以下のガスについての
結果を夫々示すものである。 曲線……ドライエア、曲線……メタン0.35
％を含むドライエア、曲線……水素0.1％を含
むドライエア、曲線……水素0.35％を含むドラ
イエア、曲線……メタン0.1％を含むドライエ
ア。 実施例２〜７及び比較例１〜４ 下記第３表に示す条件下に蒸着を行なう以外は
実施例１と同様にして基板上に酸化すず薄膜を形
成し、次いでガスセンサ素子を得た。 第３表に各配向面に相当する各回折線のピーク
強度及び最高ピーク強度に対する強度比を併せて
示す。 又、得られた各酸化すず薄膜のＸ線回折図を第
４図乃至第１３図に示す。 更に又、得られた各ガスセンサの特性を第１４
図乃至第２３図に示す。
線回折図を第１図に示す。配向面（211）に相当
する回折線の強度が特に大きいことが明らかであ
る。 上記で得た蒸着薄膜形成物にスパツタリングに
より白金電極（厚さ約1μｍ）を形成して、第２
図に示すガスセンサ素子を得た。第２図におい
て、１はシリコンウエハー、３はSiO2絶縁層、
５は酸化すず薄膜層、７は白金電極を示す。 次いで、電気炉中のセル内に上記ガスセンサ素
子を設置し、ドライエアを流しつつ500℃で４時
間保持しアニーリングを行なつた後、(ア)ドライエ
ア、(イ)メタン含有ドライエア又は(ウ)水素含有ドラ
イエアを流して、各温度における電極間の電気抵
抗を測定した。結果は、第３図に示す通りであ
る。第３図から明らかな如く、本発明ガスセンサ
は、水素検知能を有するのみならず、400℃以上
ではメタン検知能をも有していることが明らかで
ある。 尚、第３図及び以下の各実施例の結果を示すグ
ラフにおいて、各曲線は、以下のガスについての
結果を夫々示すものである。 曲線……ドライエア、曲線……メタン0.35
％を含むドライエア、曲線……水素0.1％を含
むドライエア、曲線……水素0.35％を含むドラ
イエア、曲線……メタン0.1％を含むドライエ
ア。 実施例２〜７及び比較例１〜４ 下記第３表に示す条件下に蒸着を行なう以外は
実施例１と同様にして基板上に酸化すず薄膜を形
成し、次いでガスセンサ素子を得た。 第３表に各配向面に相当する各回折線のピーク
強度及び最高ピーク強度に対する強度比を併せて
示す。 又、得られた各酸化すず薄膜のＸ線回折図を第
４図乃至第１３図に示す。 更に又、得られた各ガスセンサの特性を第１４
図乃至第２３図に示す。
【表】
第３図及び第１４図乃至第２３図に示す結果か
ら明らかな如く、本発明ガスセンサ素子は、メタ
ン及び水素の検知能に優れている。 比較例 ５ 比較例１に準じて基板上に酸化すず薄膜を形成
し、ガスセンサ素子を得た。得られた酸化すず薄
膜のＸ線回折図（CuK線を線源とする）は、第
２４図に示す通りであるり、（200）面に単一の強
い線強度を有している。 得られたガスセンサ素子を使用して、実施例１
と同様にして各種のガス検知テストを行なつた
が、ガスに対する感度を示さず、実用に供し得な
いことが判明した。
ら明らかな如く、本発明ガスセンサ素子は、メタ
ン及び水素の検知能に優れている。 比較例 ５ 比較例１に準じて基板上に酸化すず薄膜を形成
し、ガスセンサ素子を得た。得られた酸化すず薄
膜のＸ線回折図（CuK線を線源とする）は、第
２４図に示す通りであるり、（200）面に単一の強
い線強度を有している。 得られたガスセンサ素子を使用して、実施例１
と同様にして各種のガス検知テストを行なつた
が、ガスに対する感度を示さず、実用に供し得な
いことが判明した。
第１図及び第４図乃至第９図は、本発明実施例
により形成された酸化すず薄膜半導体層のＸ線回
折図を示し、第１０図乃至第１３図及び第２４図
は、比較例による同様のＸ線回折図を示す。第２
図は、本発明によるガスセンサ素子の一例を示す
概略断面図を示す。第３図及び第１４図乃至第１
９図は、本発明実施例によるガスセンサ素子のガ
ス検知能を示すグラフであり、第２０図乃至第２
３図は、比較例によるガスセンサのガス検知能を
示すグラフである。 １……シリコンウエハー、３……SiO2絶縁層、
５……酸化すず薄膜層、９……白金電極。
により形成された酸化すず薄膜半導体層のＸ線回
折図を示し、第１０図乃至第１３図及び第２４図
は、比較例による同様のＸ線回折図を示す。第２
図は、本発明によるガスセンサ素子の一例を示す
概略断面図を示す。第３図及び第１４図乃至第１
９図は、本発明実施例によるガスセンサ素子のガ
ス検知能を示すグラフであり、第２０図乃至第２
３図は、比較例によるガスセンサのガス検知能を
示すグラフである。 １……シリコンウエハー、３……SiO2絶縁層、
５……酸化すず薄膜層、９……白金電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スズ酸化物薄膜ガスセンサ素子において、ガ
ス検知表面の結晶配向性及び結晶性をCuKを線
源としてＸ線回折した場合の最強回折線強度をI1
とし、２番目、３番目及び４番目に強い回折線強
度を夫々I2、I3及びI4とするとき、 (a) （211）面又は（110）面の線強度が最強であ
り、I2／I1≦0.6で且つI1の半値幅が0.58以上で
あるか、 (b) I1が（110）面又は（101）面の線強度で且つ
I2が（101）面又は（110）面の線強度であり、
I2／I1≧0.5、I3／I2＜0.6で且つI1の半値幅が
0.54以上であるか、 (c) I1が（110）面又は（211）面の線強度で且つ
I2が（101）面又は（110）面の線強度であり、
I2／I1≧0.5、I3／I2＜0.6で且つI1の半値幅が
0.58以上であるか、 (d) I1、I2及びI3が、それぞれ（110）面、（101）
面及び（211）面のいずれかの線強度であり、
I3／I1≧0.5、I4／I3＜0.6で且つI1の半値幅が
0.61以上であるか、 (e) I1、I2、I3及びI4がそれぞれ（110）面、
（101）面、（211）面及び（301）面のいずれか
の線強度であり、I4／I1≧0.5、I5／I4＜0.6で且
つI1の半値幅が0.73以上であるか、 (f) I1が、（301）面の線強度であり、I2／I1≧0.6
で且つI1の半値幅が0.60以上である ことを特徴とするスズ酸化物薄膜ガスセンサ素
子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032228A JPS61191954A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | スズ酸化物薄膜ガスセンサ素子 |
| PCT/JP1986/000077 WO1986004989A1 (en) | 1985-02-20 | 1986-02-19 | Gas sensor element of tin oxide film |
| KR1019860700721A KR940002511B1 (ko) | 1985-02-20 | 1986-02-19 | 산화주석 박막 가스 센서 소자 |
| GB08624904A GB2182448B (en) | 1985-02-20 | 1986-02-19 | Tin oxide thin film gas sensor component |
| GB868625006A GB8625006D0 (en) | 1985-02-20 | 1986-10-18 | Gas sensor element of tin oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032228A JPS61191954A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | スズ酸化物薄膜ガスセンサ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191954A JPS61191954A (ja) | 1986-08-26 |
| JPH053895B2 true JPH053895B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=12353109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60032228A Granted JPS61191954A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | スズ酸化物薄膜ガスセンサ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191954A (ja) |
| KR (1) | KR940002511B1 (ja) |
| GB (2) | GB2182448B (ja) |
| WO (1) | WO1986004989A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10383177B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-08-13 | Robert Bosch Gmbh | Micro heating plate device and sensor having a micro heating plate device |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0643978B2 (ja) * | 1986-06-27 | 1994-06-08 | 大阪瓦斯株式会社 | ガスセンサ及びその製造方法 |
| GB9512929D0 (en) * | 1995-06-24 | 1995-08-30 | Sun Electric Uk Ltd | Multi-gas sensor systems for automatic emissions measurement |
| US6134944A (en) * | 1999-04-29 | 2000-10-24 | The Regents Of The University Of California | System and method for preconcentrating, identifying, and quantifying chemical and biological substances |
| JP5350593B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2013-11-27 | キャタピラー エス エー アール エル | パネルの製造方法 |
| CN104568002B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-05-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 环境检测装置 |
| CN107315034B (zh) | 2016-04-26 | 2021-06-08 | 新唐科技日本株式会社 | 气体检测装置以及氢检测方法 |
| CN107315033B (zh) | 2016-04-26 | 2021-08-06 | 新唐科技日本株式会社 | 气体检测装置以及氢检测方法 |
| CN106092200A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-11-09 | 南京信息工程大学 | 一种环境检测装置 |
| JP6865234B2 (ja) | 2016-12-28 | 2021-04-28 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 気体検出装置、気体センサシステム、燃料電池自動車、及び水素検出方法 |
| US11541737B2 (en) | 2016-12-28 | 2023-01-03 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Gas detection device, gas detection system, fuel cell vehicle, and gas detection method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811844A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｎｏ↓２ガス検知器及び検知方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5424094A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-23 | Fuji Electric Co Ltd | Production of gas detecting element |
| JPS5983046A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-14 | Hitachi Ltd | ガスセンサおよびその製造方法 |
| JPS5990040A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 一酸化炭素ガス検知器 |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60032228A patent/JPS61191954A/ja active Granted
-
1986
- 1986-02-19 WO PCT/JP1986/000077 patent/WO1986004989A1/ja unknown
- 1986-02-19 GB GB08624904A patent/GB2182448B/en not_active Expired
- 1986-02-19 KR KR1019860700721A patent/KR940002511B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-10-18 GB GB868625006A patent/GB8625006D0/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811844A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｎｏ↓２ガス検知器及び検知方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10383177B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-08-13 | Robert Bosch Gmbh | Micro heating plate device and sensor having a micro heating plate device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2182448B (en) | 1989-01-11 |
| GB2182448A (en) | 1987-05-13 |
| KR940002511B1 (ko) | 1994-03-25 |
| KR880700261A (ko) | 1988-02-22 |
| GB8625006D0 (en) | 1986-11-19 |
| GB8624904D0 (en) | 1986-11-19 |
| WO1986004989A1 (en) | 1986-08-28 |
| JPS61191954A (ja) | 1986-08-26 |
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Legal Events
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| R250 | Receipt of annual fees |
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