JPH054523U - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 サ−ジ電圧や静電気による異常電圧に強い保
護素子と可変容量ダイオ−ド素子を樹脂モ−ルドした半
導体装置である。 【構成】 可変容量ダイオ−ド素子３と放電素子４が夫
々リ−ド１，２に接着されて配線され、これらの素子を
一体に樹脂モ−ルドした半導体装置であり、放電素子４
を介してサ−ジ電圧や静電気による異常電圧を放電する
ことによって、可変容量ダイオ−ド素子を保護するもの
である。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、サ−ジ電圧或は静電気による異常電圧から可変容量ダイオ−ド素子 を保護する半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

近年、可変容量ダイオ−ド素子は、２乃至３ボルトで充分な容量可変比が得ら れるべく、ＰＮ接合の拡散深さが浅く設定されている。その結果、耐圧が約１０ ０ボルトにも達し、極めて良好な特性となった反面、１０００ボルト以上にも達 するサ−ジ電圧或は静電気等による異常電圧に対して素子面積が小さいこともあ って弱いものになっている。通常、このような異常電圧を回避する為に、保護素 子としてダイオ−ドが用いられている。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

可変容量ダイオ−ド素子に於ては、サ−ジ電圧或は静電気等の異常電圧から素 子の破壊を阻止するべく、従来行われているように可変容量ダイオード素子の電 極間に保護ダイオ−ドを付加したとすると、可変容量ダイオ−ド素子に対して並 列に容量素子が付加されることになり、電子チュ−ナのように並列容量や可変容 量の精度が要求される用途には、不要な容量が加算される為に、使用が不可能と なる問題点がある。 本考案は、可変容量ダイオ−ド素子の容量を変えることなく、サ−ジ電圧によ る素子の破壊や静電破壊から可変容量ダイオ−ド素子を保護しようとするもので ある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案は、可変容量ダイオ−ド素子の一電極が第１のリ−ドに接続され、該可 変容量ダイオ−ド素子の他の電極が第２のリ−ドに接続され、使用電圧より高い 異常電圧が印可された場合に放電を開始する放電素子が該第１と該第２のリ−ド 間に接続され、該可変容量ダイオ−ド素子と該放電素子が一体に樹脂モ−ルドさ れていることを特徴とするものであり、可変容量ダイオ−ド素子の端子間に発生 する浮遊容量を抑制するとともにサ−ジ電圧や静電気による素子の破壊を防止す る半導体装置である。

【０００５】

【実施例】

図１は、本考案の半導体装置の一実施例を示す斜視図である。１は第１のリ− ドであり、リ−ド１の先端の部分には、可変容量ダイオ−ド素子３の裏面電極（ アノ−ド）が接続されている。可変容量ダイオ−ド素子３の表面電極（カソ−ド ）には、金線５が接続され、その他端は、第２のリ−ド２に接続されている。リ −ド１の先端部には、突出部１ａが設けられ、その突出部１ａと、他のリ−ド２ の先端部間に所定の電圧で放電する放電素子４の放電電極４ａ、４ｂのリ−ドが 接続されている。配線の施された可変容量ダイオ−ド素子３と放電素子４は、図 示されていないが、樹脂モ−ルドされ、一体に成形される。

【０００６】 無論、可変容量ダイオ−ド素子以外のトランジスタ素子等も他のリ−ド、或は 上記のリ−ド１，２を共用して接続し、可変容量ダイオ−ド素子と共に一体に樹 脂モ−ルドして半導体装置を形成してもよい。

【０００７】 尚、放電素子４の接続は、リ−ド２の先端部に金線５を接続し、そのリ−ド２ の先端部に、放電素子４の電極４ａを半田６等によって接続してもよい。或は、 可変容量ダイオ−ド素子が接続されているリ−ド１，２の裏面に突起部１ａを設 けることなく放電素子４を半田等によって接続してもよい。

【０００８】 図２は、本考案の半導体素子の他の実施例を示す斜視図であり、リ−ド１の先 端には、可変容量ダイオ−ド素子３が接続されており、そのリ−ド１の側面から 延びるリ−ド１の突出部１ａと、リ−ド２の側面から延びるリ−ド２の突出部２ ａ間に放電素子４の放電電極４ａ、４ｂが接続されている。図１の実施例と同様 に可変容量ダイオ−ド素子３と放電素子４は、樹脂モ−ルドされて一体に封止さ れて成形される。

【０００９】 放電素子４は、樹脂或はガラス管４ｃに互いに対向する放電電極４ａ、４ｂが ネオンガス等の気体と共に封止されており、サ−ジ電圧或は静電気による異常電 圧が４０乃至８０ボルトに達すると放電が開始され、１０００ボルト以上にも達 するサ−ジ電圧或は静電気等の異常電圧を吸収して、可変容量ダイオ−ド素子３ の両端に異常電圧が印加されて破壊されるのを保護するものである。無論、放電 電圧は、可変容量ダイオ−ド素子の耐圧以下である必要がある。

【００１０】

【考案の効果】

本考案の半導体装置は、少なくとも可変容量ダイオ−ド素子と放電素子をリ− ドに夫々接続し、これらの素子を樹脂モ−ルドして封止し、一体化したものであ って、プリント基板に実装される部品を低減できる効果を有すると共に、可変容 量ダイオ−ド素子に対して並列に容量を発生させることなく、素子の耐圧より高 いサ−ジ電圧或は静電気による異常電圧が可変容量ダイオ−ド素子の電極間に印 加される前に、リ−ドに接続された放電素子を介して異常電圧の放電が開始され るので、可変容量ダイオ−ド素子が破壊されることがない利点がある。

【００１１】 本考案の半導体装置は、放電素子を用いて異常電圧を消滅させるもので可変容 量ダイオ−ド素子電極間に不用な浮遊容量を発生させることなく、しかも保護ダ イオ−ドのように印加電圧によってその容量が変動することがないので高い精度 が要求される電子チュ−ナ等の用途に極めて効果的である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の半導体装置の一実施例を示す斜視図で
ある。

【図２】本考案の半導体装置の他の実施例を示す斜視図
である。

【符号の説明】

１，２ リ−ド ３ 可変容量ダイオ−ド素子 ４ 放電素子 ５ 金線 ６ 半田 １ａ，２ａ 突出部 ４ａ，４ｂ 放電電極 ４ｃ ガラス管

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 可変容量ダイオ−ド素子の一電極が第１
   のリ−ドに接続され、該可変容量ダイオ−ド素子の他の
   電極が第２のリ−ドに接続され、使用電圧より高い異常
   電圧が印可された場合に放電を開始する放電素子が該第
   １と該第２のリ−ド間に接続され、該可変容量ダイオ−
   ド素子と該放電素子が一体に樹脂モ−ルドされているこ
   とを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 可変容量ダイオ−ド素子の一電極が第１
   のリ−ドに接続され、該可変容量ダイオ−ド素子の他の
   電極が第２のリ−ドに接続され、使用電圧より高い異常
   電圧が印加された場合に放電を開始する放電素子が該第
   １と該第２のリ−ドに連なる第１と第２の突出部間に接
   続され、該可変容量ダイオ−ド素子と該放電素子が一体
   に樹脂モ−ルドされていることを特徴とする半導体装
   置。