JP2595491B2 - 表面実装型保護回路部品 - Google Patents
表面実装型保護回路部品Info
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- JP2595491B2 JP2595491B2 JP6124895A JP12489594A JP2595491B2 JP 2595491 B2 JP2595491 B2 JP 2595491B2 JP 6124895 A JP6124895 A JP 6124895A JP 12489594 A JP12489594 A JP 12489594A JP 2595491 B2 JP2595491 B2 JP 2595491B2
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- JP
- Japan
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- protection circuit
- zener diode
- resistor
- capacitor
- output terminal
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は外部から電子機器内に静
電気が侵入して起こる誤動作や故障を防止するために、
電子機器内部に実装する保護回路部品に関する。
電気が侵入して起こる誤動作や故障を防止するために、
電子機器内部に実装する保護回路部品に関する。
【0002】
【従来技術】パーソナルコンピュータ、ワードプロセッ
サ、携帯電話機などの電子機器には集積回路や電子部品
が数多く用いられているが、これらの電子機器には機器
の筐体の隙間や電源線あるいは入出力信号線等を通じて
外部から静電気が侵入する場合がある。静電気は物体同
士の摩擦によっても発生するが、帯電した人体が電子機
器に接近したり、触れたりした場合に移ることも多い。
電子機器に蓄積された静電荷が耐圧を越えて一気に放電
すると、放電電流はパルス状となり、放電パルスの最高
電位は数KVに達する場合もある(このような静電気の
放電パルスを以下「静電気パルス」という)。そのた
め、電子機器内の集積回路や電子部品がこの静電気パル
スによって破壊されたり、破壊に至らないまでも悪影響
を受けて、電子機器の故障や誤動作の原因となる。
サ、携帯電話機などの電子機器には集積回路や電子部品
が数多く用いられているが、これらの電子機器には機器
の筐体の隙間や電源線あるいは入出力信号線等を通じて
外部から静電気が侵入する場合がある。静電気は物体同
士の摩擦によっても発生するが、帯電した人体が電子機
器に接近したり、触れたりした場合に移ることも多い。
電子機器に蓄積された静電荷が耐圧を越えて一気に放電
すると、放電電流はパルス状となり、放電パルスの最高
電位は数KVに達する場合もある(このような静電気の
放電パルスを以下「静電気パルス」という)。そのた
め、電子機器内の集積回路や電子部品がこの静電気パル
スによって破壊されたり、破壊に至らないまでも悪影響
を受けて、電子機器の故障や誤動作の原因となる。
【0003】従来、このような静電気による電子機器の
誤動作等を防止するために、放電電流を抑えるコイルや
抵抗、静電気パルスを吸収するコンデンサ、ツェナーダ
イオード等を組み合わせて、静電気パルスに対する保護
回路を作成し、電子回路に組み込むことが行われてい
た。
誤動作等を防止するために、放電電流を抑えるコイルや
抵抗、静電気パルスを吸収するコンデンサ、ツェナーダ
イオード等を組み合わせて、静電気パルスに対する保護
回路を作成し、電子回路に組み込むことが行われてい
た。
【0004】図3はこのような耐静電気パルス保護回路
21を組み込んだ電子機器本体15の一例を示してお
り、保護回路21は電子機器本体15のI/Oコネクタ
11と、I/Oコネクタ11と導電線16で接続された
CMOS集積回路13の入力ポート14との間に配置さ
れている。
21を組み込んだ電子機器本体15の一例を示してお
り、保護回路21は電子機器本体15のI/Oコネクタ
11と、I/Oコネクタ11と導電線16で接続された
CMOS集積回路13の入力ポート14との間に配置さ
れている。
【0005】図4は保護回路21の一例を示しており、
独立した電子部品としてのコイル25、抵抗26、ツェ
ナーダイオード27およびコンデンサ28を基板上にパ
ッド29で固定し、各部品を配線30で接続している。
なお、入力端子22および出力端子24は導電線16
(図3参照)に接続され、出力端子23は接地される。
いま、電子機器本体15(図3参照)の外部から静電気
がI/Oコネクタ11を介して侵入した場合、静電気パ
ルスは入力端子22から保護回路21内に入力し、その
電圧レベルはコイル25、抵抗26によって抑えられる
が、なお一定の値を越えている場合にはツェナーダイオ
ード27の導通によって出力端子23から大地に放流さ
れ、さらにコンデンサ28で吸収される。その結果、出
力端子24から出力される電圧はCMOS集積回路13
の耐電以下に低下される。
独立した電子部品としてのコイル25、抵抗26、ツェ
ナーダイオード27およびコンデンサ28を基板上にパ
ッド29で固定し、各部品を配線30で接続している。
なお、入力端子22および出力端子24は導電線16
(図3参照)に接続され、出力端子23は接地される。
いま、電子機器本体15(図3参照)の外部から静電気
がI/Oコネクタ11を介して侵入した場合、静電気パ
ルスは入力端子22から保護回路21内に入力し、その
電圧レベルはコイル25、抵抗26によって抑えられる
が、なお一定の値を越えている場合にはツェナーダイオ
ード27の導通によって出力端子23から大地に放流さ
れ、さらにコンデンサ28で吸収される。その結果、出
力端子24から出力される電圧はCMOS集積回路13
の耐電以下に低下される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の保
護回路21は独立した部品であるコイル25、抵抗2
6、コンデンサ28、ツェナーダイオード27をパッド
29および配線30によって接続して作成するため、い
くら小さい部品を用いたとしてもせいぜい0.5センチ
四方ぐらいまでしか小型化出来ない。電子機器全体の小
型化を図る場合、かかる保護回路も出来るだけ実装面積
が小さいことが望ましいが、従来の保護回路では、小型
化に限界があるばかりか、作成上の工程数が多いという
問題もある。
護回路21は独立した部品であるコイル25、抵抗2
6、コンデンサ28、ツェナーダイオード27をパッド
29および配線30によって接続して作成するため、い
くら小さい部品を用いたとしてもせいぜい0.5センチ
四方ぐらいまでしか小型化出来ない。電子機器全体の小
型化を図る場合、かかる保護回路も出来るだけ実装面積
が小さいことが望ましいが、従来の保護回路では、小型
化に限界があるばかりか、作成上の工程数が多いという
問題もある。
【0007】また、従来の保護回路では、各部品間に引
き回す配線の長さが長くなると外部から侵入した静電気
が他の部分に飛んでしまうこともあって、静電気パルス
を十分に吸収出来ない場合もある。
き回す配線の長さが長くなると外部から侵入した静電気
が他の部分に飛んでしまうこともあって、静電気パルス
を十分に吸収出来ない場合もある。
【0008】本発明は上記の点にかんがみてなされたも
のであり、その目的は、単品として構成され回路基板の
表面に単に実装するだけで静電気パルスを十分吸収出来
るような、実装面積をわずかしか必要としない、表面実
装型保護回路部品を提供することにある。
のであり、その目的は、単品として構成され回路基板の
表面に単に実装するだけで静電気パルスを十分吸収出来
るような、実装面積をわずかしか必要としない、表面実
装型保護回路部品を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明による表面実装型保護回路部品では、複数の静
電気吸収素子で構成され且つ入力端子と、出力端子と、
接地端子とを有する保護回路をシリコンチップ上に一体
的に形成し、全体をモールドパッケージ内に封入した。
に本発明による表面実装型保護回路部品では、複数の静
電気吸収素子で構成され且つ入力端子と、出力端子と、
接地端子とを有する保護回路をシリコンチップ上に一体
的に形成し、全体をモールドパッケージ内に封入した。
【0010】また、前記保護回路がツェナーダイオード
とコンデンサとの並列回路を有し、該ツェナーダイオー
ドのカソードが前記入力端子と出力端子との間に接続さ
れ、該ツェナーダイオードのアノードが接地端子に接続
されるようにした。
とコンデンサとの並列回路を有し、該ツェナーダイオー
ドのカソードが前記入力端子と出力端子との間に接続さ
れ、該ツェナーダイオードのアノードが接地端子に接続
されるようにした。
【0011】
【作用】本発明による表面実装型保護回路部品は、静電
気を吸収するための回路をモールドパッケージ内のシリ
コンチップ上に一体的に形成するので、電子機器内に実
装するための実装面積がわずかですみ、また、配線の長
さを短くすることができるので、静電気パルスを十分吸
収することができる。
気を吸収するための回路をモールドパッケージ内のシリ
コンチップ上に一体的に形成するので、電子機器内に実
装するための実装面積がわずかですみ、また、配線の長
さを短くすることができるので、静電気パルスを十分吸
収することができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明による実施例について図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【0013】図1は本発明による表面実装型保護回路部
品の回路構成を示した図である。
品の回路構成を示した図である。
【0014】本発明による表面実装部品1は、シリコン
チップ上にコイル5、抵抗6、ツェナーダイオード7、
コンデンサ8からなる静電気パルス吸収用の保護回路1
が一体的に形成され、全体がモールドパッケージ内に封
入されたものである。コイル5の一端は入力端子2に接
続され、コイル5の他端は抵抗6の一端に接続され、抵
抗6の他端は出力端子4に接続されている。また、抵抗
6の他端と出力端子4との間にツェナーダイーオード7
のカソードが接続され、ツェナーダイオード7のアノー
ドは接地端子3に接続されている。さらに、ツェナーダ
イオード7と並列にコンデンサ8が接続されている。接
地端子3は接地される。
チップ上にコイル5、抵抗6、ツェナーダイオード7、
コンデンサ8からなる静電気パルス吸収用の保護回路1
が一体的に形成され、全体がモールドパッケージ内に封
入されたものである。コイル5の一端は入力端子2に接
続され、コイル5の他端は抵抗6の一端に接続され、抵
抗6の他端は出力端子4に接続されている。また、抵抗
6の他端と出力端子4との間にツェナーダイーオード7
のカソードが接続され、ツェナーダイオード7のアノー
ドは接地端子3に接続されている。さらに、ツェナーダ
イオード7と並列にコンデンサ8が接続されている。接
地端子3は接地される。
【0015】次に、本実施例による保護回路部品の製造
方法について述べる。
方法について述べる。
【0016】シリコンウエハの表面に通常使われる薄膜
形成、リソグラフィ、エッチング、不純物注入などの加
工技術を用いて、一枚のウエハ上にコイル5、抵抗6、
ツェナーダイオード7、コンデンサ8を形成し、図1に
示した回路構成の保護回路を数十チップ分形成する。次
にウエハを各チップに分割し、個々のチップを3端子付
き表面実装モールドパッケージに収納し、製品が完成す
る。このような製造方法によれば、本発明による表面実
装型保護回路部品の大きさは3ミリメートル四方以下に
することが可能であり、また、生産効率が良く量産が可
能である。
形成、リソグラフィ、エッチング、不純物注入などの加
工技術を用いて、一枚のウエハ上にコイル5、抵抗6、
ツェナーダイオード7、コンデンサ8を形成し、図1に
示した回路構成の保護回路を数十チップ分形成する。次
にウエハを各チップに分割し、個々のチップを3端子付
き表面実装モールドパッケージに収納し、製品が完成す
る。このような製造方法によれば、本発明による表面実
装型保護回路部品の大きさは3ミリメートル四方以下に
することが可能であり、また、生産効率が良く量産が可
能である。
【0017】本実施例による保護回路部品は図3で示し
た保護回路21と同様に、電子機器本体15のI/Oコ
ネクタ11と、CMOS集積回路13の入力ポート14
との間に実装される。
た保護回路21と同様に、電子機器本体15のI/Oコ
ネクタ11と、CMOS集積回路13の入力ポート14
との間に実装される。
【0018】図3に示されるように、I/Oコネクタ1
1は電子機器本体15の外部に出ており、ここから静電
気が侵入しやすい。一方、通常CMOS集積回路13の
入力ポート14には別個に保護回路が入っている場合が
多いので、約10Vまでの過電圧ならこの保護回路によ
りCMOS集積回路13の破壊を防ぐことができる。し
かし、静電気パルスの電圧レベルは数KVに達する場合
があり、このような高電圧では入力ポート14の保護回
路で吸収することができず、CMOS集積回路13が破
壊されたり、悪影響を受ける可能性が高い。
1は電子機器本体15の外部に出ており、ここから静電
気が侵入しやすい。一方、通常CMOS集積回路13の
入力ポート14には別個に保護回路が入っている場合が
多いので、約10Vまでの過電圧ならこの保護回路によ
りCMOS集積回路13の破壊を防ぐことができる。し
かし、静電気パルスの電圧レベルは数KVに達する場合
があり、このような高電圧では入力ポート14の保護回
路で吸収することができず、CMOS集積回路13が破
壊されたり、悪影響を受ける可能性が高い。
【0019】しかし、I/Oコネクタ11とCMOS集
積回路13の入力ポート14との間に本発明による保護
回路部品を実装すれば、I/Oコネクタ11から静電気
が侵入した場合、図1に示されるように、静電気パルス
は入力端子2から回路1内に入力し、その電圧レベルは
コイル5、抵抗6によって抑えられるが、なお一定の値
を越えている場合にはツェナーダイオード7の導通によ
って電荷が接地端子3から大地に放流され、さらにコン
デンサ8で吸収されるので、出力端子4から出力される
電圧はCMOS集積回路13の耐圧以下に低下される。
積回路13の入力ポート14との間に本発明による保護
回路部品を実装すれば、I/Oコネクタ11から静電気
が侵入した場合、図1に示されるように、静電気パルス
は入力端子2から回路1内に入力し、その電圧レベルは
コイル5、抵抗6によって抑えられるが、なお一定の値
を越えている場合にはツェナーダイオード7の導通によ
って電荷が接地端子3から大地に放流され、さらにコン
デンサ8で吸収されるので、出力端子4から出力される
電圧はCMOS集積回路13の耐圧以下に低下される。
【0020】なお、本発明による表面実装型保護回路部
品の回路構成は上述した構成に限られず、種々の構成が
考えられる。図2は本発明による保護回路部品の他の回
路構成を例示したものであり、図1と同一の構成部分に
は同一の参照符号を付して表している。
品の回路構成は上述した構成に限られず、種々の構成が
考えられる。図2は本発明による保護回路部品の他の回
路構成を例示したものであり、図1と同一の構成部分に
は同一の参照符号を付して表している。
【0021】例えば、図2(a)に示した回路構成で
は、入力端子2と出力端子4との間に抵抗6および抵抗
6′が接続され、さらに抵抗6と抵抗6′との間にツェ
ナーダイオード7のカソードが接続され、ツェナーダイ
オード7のアノードは接地端子3に接続され、ツェナー
ダイオード7と並列にコンデンサ8が接続されている。
接地端子3は接地される。
は、入力端子2と出力端子4との間に抵抗6および抵抗
6′が接続され、さらに抵抗6と抵抗6′との間にツェ
ナーダイオード7のカソードが接続され、ツェナーダイ
オード7のアノードは接地端子3に接続され、ツェナー
ダイオード7と並列にコンデンサ8が接続されている。
接地端子3は接地される。
【0022】また、図2(b)に示した回路構成では、
入力端子2と出力端子4との間に抵抗6が接続され、こ
の抵抗6と出力端子4との間にツェナーダイオード7の
カソードが接続され、ツェナーダイオード7のアノード
は接地端子3に接続され、ツェナーダイオード7と並列
にコンデンサ8が接続されている。接地端子3は接地さ
れる。
入力端子2と出力端子4との間に抵抗6が接続され、こ
の抵抗6と出力端子4との間にツェナーダイオード7の
カソードが接続され、ツェナーダイオード7のアノード
は接地端子3に接続され、ツェナーダイオード7と並列
にコンデンサ8が接続されている。接地端子3は接地さ
れる。
【0023】さらに、図2(c)に示した回路構成で
は、入力端子2と出力端子4との間にツェナーダイオー
ド7のカソードが接続され、ツェナーダイオード7のア
ノードは接地端子に接続され、コンデンサ8はツェナー
ダイオード7と並列に接続されている。接地端子3は接
地される。
は、入力端子2と出力端子4との間にツェナーダイオー
ド7のカソードが接続され、ツェナーダイオード7のア
ノードは接地端子に接続され、コンデンサ8はツェナー
ダイオード7と並列に接続されている。接地端子3は接
地される。
【0024】なお、本発明による保護回路部品は、図3
に示した使用方法に限られず、静電気による影響から電
子部品を保護するために、電子機器、例えば、携帯電
話、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、携帯
用テープレコーダ、携帯用テレビ等の内部の種々の場所
に実装可能である。
に示した使用方法に限られず、静電気による影響から電
子部品を保護するために、電子機器、例えば、携帯電
話、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、携帯
用テープレコーダ、携帯用テレビ等の内部の種々の場所
に実装可能である。
【0025】
【発明の効果】本発明による保護回路部品は次に列記す
るような効果を奏する。 (1)電子機器内部に実装することにより、電子機器に
静電気が侵入した場合であっても静電気パルスを吸収
し、電子部品を静電気による破壊や悪影響から保護する
ことができる。 (2)本発明による保護回路部品の静電気を吸収するた
めの回路は表面実装モールドパッケージ内のシリコンチ
ップ上に一体的に形成するので、部品自体が小さく、独
立した電子部品を組み合わせて回路を組んでいた従来の
場合に比べて、実装面積はわずかですむ。 (3)保護回路部品内部の静電気を吸収するための回路
は表面実装モールドパッケージ内のシリコンチップ上に
一体的に形成するので、配線の長さを最大限短くするこ
とにより、静電気パルスを十分に吸収することができ
る。 (4)独立した電子部品を組み合わせて回路を組んでい
た従来の場合に比べて、電子機器を製造する場合の工程
数が少なくてすむ。 (5)本発明による保護回路部品は生産効率が良く量産
が可能であり、安価で提供することが可能である。
るような効果を奏する。 (1)電子機器内部に実装することにより、電子機器に
静電気が侵入した場合であっても静電気パルスを吸収
し、電子部品を静電気による破壊や悪影響から保護する
ことができる。 (2)本発明による保護回路部品の静電気を吸収するた
めの回路は表面実装モールドパッケージ内のシリコンチ
ップ上に一体的に形成するので、部品自体が小さく、独
立した電子部品を組み合わせて回路を組んでいた従来の
場合に比べて、実装面積はわずかですむ。 (3)保護回路部品内部の静電気を吸収するための回路
は表面実装モールドパッケージ内のシリコンチップ上に
一体的に形成するので、配線の長さを最大限短くするこ
とにより、静電気パルスを十分に吸収することができ
る。 (4)独立した電子部品を組み合わせて回路を組んでい
た従来の場合に比べて、電子機器を製造する場合の工程
数が少なくてすむ。 (5)本発明による保護回路部品は生産効率が良く量産
が可能であり、安価で提供することが可能である。
【図1】本発明による保護回路部品の一実施例の回路構
成を示す。
成を示す。
【図2】(a)、(b)、(c)は本発明による保護回
路部品の他の実施例の回路構成を示す。
路部品の他の実施例の回路構成を示す。
【図3】従来の耐静電気パルス保護回路を組み込んだ電
子機器の概略構成を示す。
子機器の概略構成を示す。
【図4】従来の耐静電気パルス保護回路を組み立てた状
態を示した図である。
態を示した図である。
1 耐静電気パルス保護回路 2 入力端子 3 第2の出力端子 4 第1の出力端子 5 コイル 6 抵抗 7 ツェナーダイオード 8 コンデンサ
Claims (6)
- 【請求項1】 複数の静電気吸収素子で構成され且つ入
力端子と、出力端子と、接地端子とを有する保護回路を
シリコンチップ上に一体的に形成し、全体をモールドパ
ッケージ内に封入したことを特徴とする表面実装型保護
回路部品。 - 【請求項2】 前記保護回路がツェナーダイオードとコ
ンデンサとの並列回路を有し、該ツェナーダイオードの
カソードが前記入力端子と出力端子との間に接続され、
該ツェナーダイオードのアノードが接地端子に接続され
た請求項1に記載の表面実装型保護回路部品。 - 【請求項3】 前記静電気吸収素子がコイル、抵抗、ツ
ェナーダイオード及びコンデンサであり、前記保護回路
が、コイルの一端が入力端子に接続され、該コイルの他
端が抵抗の一端に接続され、該抵抗の他端が出力端子に
接続され、該抵抗の他端と第1の出力端子との間にツェ
ナーダイオードのカソードが接続され、該ツェナーダイ
オードのアノードが接地端子に接続され、該ツェナーダ
イオードと並列にコンデンサが接続された回路である請
求項1に記載の表面実装型保護回路部品。 - 【請求項4】 前記静電気吸収素子が、第1の抵抗、第
2の抵抗、ツェナーダイオード及びコンデンサであり、
前記保護回路が、入力端子と出力端子との間に第1の抵
抗及び第2の抵抗が接続され、該第1の抵抗と該第2の
抵抗との間にツェナーダイオードのカソードが接続さ
れ、該ツェナーダイオードのアノードは接地端子に接続
され、該ツェナーダイオードと並列にコンデンサが接続
された回路である請求項1に記載の表面実装型保護回路
部品。 - 【請求項5】 前記静電気吸収素子が抵抗、ツェナーダ
イオード及びコンデンサであり、前記保護回路が、入力
端子と出力端子との間に抵抗が接続され、該抵抗と出力
端子との間にツェナーダイオードのカソードが接続さ
れ、該ツェナーダイオードのアノードは接地端子に接続
され、コンデンサが該ツェナーダイオードと平行に接続
された回路である請求項1に記載の表面実装型保護回路
部品。 - 【請求項6】 前記静電気吸収素子がツェナーダイオー
ド及びコンデンサであり、前記保護回路が、入力端子と
出力端子との間にツェナーダイオードのカソードが接続
され、該ツェナーダイオードのアノードは接地端子に接
続され、コンデンサが該ツェナーダイオードと平行に接
続された回路である請求項1に記載の表面実装型保護回
路部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6124895A JP2595491B2 (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 表面実装型保護回路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6124895A JP2595491B2 (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 表面実装型保護回路部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07335822A JPH07335822A (ja) | 1995-12-22 |
JP2595491B2 true JP2595491B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=14896765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6124895A Expired - Lifetime JP2595491B2 (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 表面実装型保護回路部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2595491B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4929860B2 (ja) * | 2006-06-12 | 2012-05-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
CN107461632A (zh) * | 2016-06-01 | 2017-12-12 | 常州星宇车灯股份有限公司 | 一种汽车车载充电便携式led手电灯 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58162085A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 保護回路 |
JPS6359348U (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-20 | ||
JPH069208B2 (ja) * | 1987-02-27 | 1994-02-02 | ロ−ム株式会社 | 半導体装置 |
FR2623018B1 (fr) * | 1987-11-06 | 1990-02-09 | Thomson Semiconducteurs | Circuit integre protege contre les decharges electrostatiques avec seuil de protection variable |
JPH02119171A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH0291357U (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-19 | ||
JPH03173446A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-06-07 JP JP6124895A patent/JP2595491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07335822A (ja) | 1995-12-22 |
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