JPH0543325U - 光デイスク - Google Patents

光デイスク

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JPH0543325U
JPH0543325U JP097819U JP9781991U JPH0543325U JP H0543325 U JPH0543325 U JP H0543325U JP 097819 U JP097819 U JP 097819U JP 9781991 U JP9781991 U JP 9781991U JP H0543325 U JPH0543325 U JP H0543325U
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JP
Japan
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substrate
resin substrate
chamfered portion
center hole
chamfered
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Pending
Application number
JP097819U
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English (en)
Inventor
俊幸 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 センターホール周縁のバリが基板表面に付着
しないようにする。 【構成】 樹脂基板1の両面のセンターホール2の周縁
となる内縁に面取り部3を設けた。 【効果】 センターホールの打ち抜きで生ずるバリが成
膜等の後工程で基板から離脱し、これが基板表面に付着
して記録再生の障害となる塗布欠陥や光記録層の腐食の
原因となることが防止される。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、CD−ROM、追記型光ディスク及び書き換え可能型光ディスク 等の光ディスク、特にその樹脂基板の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
光ディスク用の基板には樹脂基板またはガラス基板が使用されるが、ポリカー ボネートやポリメタクリル酸メチル、あるいはオレフィン系等の樹脂基板が広く 用いられている。これは樹脂基板がガラス基板に比べて価格が安く、射出成形等 の成形加工で容易に製作できるためである。このような成形の場合には樹脂を注 入するゲートは一般に中心に設けられており、成形時に生じたゲート跡を除去す るために中心部が打ち抜かれて樹脂基板の中心部にはセンターホールが形成され る。なお、このセンターホールを利用して光ディスクを駆動装置に装填するため のセンターハブが取り付けられる場合もある。
【0003】 このような樹脂基板においては、センターホールの打ち抜き時にセンターホー ルの周縁部、すなわち樹脂基板の内縁部にバリが発生し、これが成膜等の後工程 でのハンドリングの際などに離脱して基板の表面に付着することがある。しかし このような異物の付着は、例えば記録情報の読み出し性能の指標となるバイトエ ラーレートを劣化させるなど光ディスクの初期特性に悪影響を与え、更に光記録 層の腐食により信頼性を低下させる等の原因となる。これに対しては基板の成形 時に成形条件を工夫してバリの発生を回避することも考えられるが、基板の他の 特性、例えば複屈折性や微細なエンボスピットの転写性への悪影響が生じてしま うので、バリ対策として採用することは困難であった。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
この考案はこのような問題点に着目し、センターホール周縁のバリが基板表面 に付着しないようにすることを課題としてなされたものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、この考案では、樹脂基板の両面のセンターホー ル周縁となる内縁に、樹脂基板の厚さ方向及び半径方向に関してそれぞれ0.1 乃至0.3mmの大きさの面取り部を設けている。 図1は上記の面取り部の形状を例示したもので、1は樹脂基板、2はセンター ホール、3は面取り部である。この面取り部3は図1(a)のように例えば丸みを 付けたR加工部であり、曲率半径Rは0.1乃至0.3mmに選定される。また面 取り部3は(b)のようにテーパ状の斜面加工部とすることもでき、この場合には 樹脂基板1の厚さ方向及び半径方向の寸法Cがそれぞれ0.1乃至0.3mmに選 定される。更に面取り部3は(c)のような段差状の切欠き加工部であってもよく 、この場合には樹脂基板1の半径方向の寸法(段差幅)W及び厚さ方向の寸法(段 差深さ)Dはそれぞれ0.1乃至0.3mmに選定される。
【0006】
【作用】
図2は成形中と打ち抜き後の工程における成形品の要部を示したものであり、 (a)図のように面取り部3に対応した形状の凸部4を有する金型を用いて成形が 行われ、型開きの際にリング状の打ち抜きピン5でセンターホール2となる部分 2aが打ち抜かれる。このため、(b)図のように打ち抜き方向にバリ6aが生ず ると共に、打ち抜きピン5と金型とのクリアランスによるバリ6bがピン5側に 生ずる。考案者らの研究によると、これらのバリ6a,6bは面取り部3が始ま る位置から0.1mm未満の長さhで発生するので、上記のような寸法で面取り部 3が形成された場合にはバリの先端が樹脂基板1の上下両面から突出せず、これ が成膜等の後工程で離脱して基板表面に付着することが防止されるのである。
【0007】 また面取り部3が大き過ぎると、樹脂基板1の内縁付近に成形時の残留応力が 残りやすくなり、その結果複屈折が大きくなることが判明した。これは面取り部 3の部分の基板厚みが小さくなり、樹脂基板1の中心付近のゲートから外周方向 に流動する樹脂の流れが不均一になるためと考えられ、上記のような寸法で面取 り部3が形成された場合にはこのような問題は発生しないのである。 なおこの明細書では、面取り部なる用語を図1の(c)のような段差状の加工部 やこれに類する形状も含む意味で使用しており、面取り部は図1の形状に限定さ れるものではなく、この考案の主旨を逸脱しない範囲で類似の形状とすることが できる。また、面取り部の寸法も厳密に上記の数値に限定されるものではなく、 成形条件や基板材料などに応じてある程度変化させてもよい。
【0008】
【実施例】
次に、図1の(a)(b)(c)の各形状の実施例について説明する。 まず、図1の(a)に示すR加工部をそれぞれR=0,0.05,0.1,0. 3及び0.4の寸法で設けた5種類の基板(直径86mmのポリカーボネート製光 ディスク用基板)を用いて各種光磁気ディスクを作成した。図3はディスクの層 構成を示したものであり、基板1の読み出し面側にアクリル酸エステル系の紫外 線硬化型樹脂をスピンコートにより塗布してハードコート層11を形成する。次 いで基板1の溝面側にマグネトロンスパッタリングにより非晶質イットリウムサ イアロン層12を1,100Åの厚みで形成し、続けて非晶質GdDyFe系の 垂直磁化膜13を200Åの厚みで形成し、更に非晶質イットリウムサイアロン 層14を300Åの厚みで形成した。次いで金属アルミニウムの反射層15を8 00Åの厚みで形成した後、スピンコートによりウレタンアクリレート系の紫外 線硬化型保護樹脂層16を塗布硬化させている。
【0009】 上記のハードコート層11の形成時に基板1から離脱したバリが樹脂塗布面に 付着すると塗布欠陥となり、また各記録層形成時にバリが基板1の溝面に付着す ると膜欠陥となって垂直磁化膜13の腐食の原因となるので、塗布欠陥発生率を 調べると共に、80℃,90%RHの高温高湿試験を1000時間実施した後に おける腐食発生率を調べ、更に複屈折を調べて上記5種類の基板について評価し た。表1にその結果を示す。ここで、塗布欠陥発生率は各ディスク200枚のう ち塗布欠陥が生じた枚数を、腐食発生率は各ディスク200枚のうち腐食が生じ た枚数をそれぞれ百分率で示してあり、複屈折は各ディスク10枚について中心 から約24mm位置をエリプソメータで測定して平均したものである。
【0010】
【 表 1 】
【0011】 表1から明らかなように、R加工部の曲率半径Rが0.1mm以上であれば塗布 欠陥、腐食とも発生率が実用上許容できる1%前後の数値となっており、バリの 離脱が生じにくくなっていることが分かる。また、曲率半径Rが0.4mmになる と複屈折が大きくなり、読み出し性能が悪化する上、前述したように基板1の内 縁付近に成形時の残留応力が残りやすくなって上限値が制約されるので、曲率半 径Rとしては0.1乃至0.3mmの範囲が好ましいと考えられるのである。
【0012】 次の表2は図1の(b)の形状の実施例の評価結果であり、面取り部3の斜面加 工部の寸法をそれぞれC=0.05,0.1,0.3及び0.4とした4種類の 基板を用いた点を除いて、他は表1の実施例と同じである。この表2においても 斜面加工部の寸法が0.1mm以上であれば発生率が低くなっており、寸法Cとし ては0.1乃至0.3mmの範囲が好ましいことが理解される。 なお、面取り部3がR加工部あるいは斜面加工部の場合には、この部分に微小 なクラックが生じにくくなって基板の機械的強度が高くなり、割れにくくなると いう効果も得られる。
【0013】
【 表 2 】
【0014】 次の表3は図1の(c)の形状の実施例の評価結果であり、面取り部3の段差状 の切欠き加工部の寸法W及びDをそれぞれ0.05,0.1,0.3及び0.4 とし、これらを組み合わせた7種類の基板を用いており、他の条件は表1の実施 例と同じである。この表3においても切欠き加工部の寸法が0.1mm以上であれ ば発生率が低くなっており、寸法W及びDとしては0.1乃至0.3mmの範囲が 好ましいことが理解される。
【0015】
【 表 3 】
【0016】 表4は比較のために図1の(c)の切欠き加工部を片面のみに形成した場合を示 したものであり、いずれも数値は非常に高くなっている。これは前述したように バリが両面に発生するために片側だけでは効果がなく、両面に切欠き加工部を設 けなければならないことを示していると考えられる。なお、面取り部3が両面に 必要なことは他の形状についても同様である。
【0017】
【 表 4 】
【0018】
【考案の効果】
上述の実施例から明らかなように、この考案は、樹脂基板の両面の内縁に、樹 脂基板の厚さ方向及び半径方向に関してそれぞれ0.1乃至0.3mmの大きさの 面取り部を設けたものである。 従って、センターホールの打ち抜きで生ずるバリが記録再生の障害となる塗布 欠陥や光記録層の腐食の原因となることが防止されると共に、成形時の残留応力 による特性への悪影響も防止されるのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の面取り部の形状を例示した要部の断
面図である。
【図2】成形中と打ち抜き後の工程における成形品の要
部の断面図である。
【図3】この考案の実施例におけるディスクの層構成を
示す断面図である。
【符号の説明】
1 樹脂基板 2 センターホール 3 面取り部 5 打ち抜きピン 6a,6b バリ

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂基板上に少なくとも光記録層を形成
    してなる光ディスクにおいて、樹脂基板の両面のセンタ
    ーホール周縁となる内縁に、樹脂基板の厚さ方向及び半
    径方向に関してそれぞれ0.1乃至0.3mmの大きさの
    面取り部を設けたことを特徴とする光ディスク。
  2. 【請求項2】 前記面取り部が丸みを付けたR加工部で
    あり、該加工部の曲率半径が0.1乃至0.3mmである
    請求項1記載の光ディスク。
  3. 【請求項3】 前記面取り部がテーパ状の斜面加工部で
    あり、該加工部が樹脂基板の厚さ方向及び半径方向に関
    してそれぞれ0.1乃至0.3mmの大きさで形成されて
    いる請求項1記載の光ディスク。
  4. 【請求項4】 前記面取り部が段差状の切欠き加工部で
    あり、該加工部が樹脂基板の厚さ方向及び半径方向に関
    してそれぞれ0.1乃至0.3mmの大きさで形成されて
    いる請求項1記載の光ディスク。
JP097819U 1991-10-31 1991-10-31 光デイスク Pending JPH0543325U (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005335378A (ja) * 2004-04-30 2005-12-08 Dainippon Printing Co Ltd プラスチック基板及びその加工方法
JP2014053067A (ja) * 2012-08-09 2014-03-20 Panasonic Corp ディスク状の情報記録媒体、ディスクカートリッジ及び情報記録再生装置
JPWO2013145523A1 (ja) * 2012-03-28 2015-12-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 ディスク

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63308743A (ja) * 1987-06-09 1988-12-16 Toppan Printing Co Ltd 光ディスク

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