JPH0540974A - 光磁気記録装置 - Google Patents

光磁気記録装置

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JPH0540974A
JPH0540974A JP3194344A JP19434491A JPH0540974A JP H0540974 A JPH0540974 A JP H0540974A JP 3194344 A JP3194344 A JP 3194344A JP 19434491 A JP19434491 A JP 19434491A JP H0540974 A JPH0540974 A JP H0540974A
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  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 外部磁界の反転時には記録が行われないよう
に光ビームを弱くすると共に、外部磁界の反転時以外で
は記録が行われるように光ビームを強くし、かつ、外部
磁界が反転しない期間が長いときは記録膜の昇温領域が
広がらないように外部磁界が反転しない期間が短いとき
に比べて光ビームを弱くするように制御する光磁気記録
装置。 【効果】 外部磁界の反転時に記録に必要な磁界強度よ
りも弱い外部磁界が印加されても、記録ビットの形状が
不均一にならない。また、外部磁界が反転しない期間の
長短に依らず、記録ビットの幅を均一にできる。これに
より、再生時の信号品質が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク、光磁
気カード、または、光磁気テープ等の光磁気記録媒体に
情報を記録する光磁気記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクや光磁気カード等の光磁
気記録媒体は書き換え可能な大容量光メモリーとして注
目されている。
【０００３】光磁気記録媒体への情報の記録は、磁性体
からなる記録膜にレーザー光を照射して昇温させなが
ら、外部磁界を印加することにより行われる。一方、情
報の再生は、記録膜にレーザー光を照射してその反射光
の偏光面の回転方向を検出することにより行われる。
【０００４】上記の光磁気記録は、外部磁界の向きと磁
界強度を一定にしてレーザー光の強度を情報に応じて変
調する光変調記録と、レーザー光の強度を一定にして外
部磁界の向きを情報に応じて反転させる磁界変調記録と
に大別される。
【０００５】光変調記録では、外部磁界の向きが一定で
あるので、記録を行うためには、予め、外部磁界の向き
とは逆方向に磁化を揃える消去動作が必要である。
【０００６】一方、磁界変調記録では、事前に記録され
た情報を消去しながら新たな情報を記録できるので、消
去動作を予め行う必要がなく、いわゆるオーバーライト
が可能である。これにより、記録時間を短縮できるの
で、磁界変調記録を採用した光磁気記録装置の研究は近
年活発になされている。
【０００７】磁界変調記録を行う光磁気記録装置では、
外部磁界は、通常、円柱状のフェライトコアにコイルを
巻回した電磁石によって発生される。電磁石では、コイ
ルに供給する電流の極性を切り換えることにより、発生
する磁界の向きを容易に反転できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、外部磁界の
向きは瞬時に反転するのではなく、実際には、有限の時
間をかけて反転する。すなわち、外部磁界の反転時、磁
界強度は時間の経過とともに減少し、ある時刻でゼロに
なり、そして増加していく。したがって、磁界強度がゼ
ロになる時刻を中心にして、記録に必要な磁界強度より
も弱い外部磁界が印加される期間が存在する。
【０００９】このため、上記の従来の構成では、この弱
い外部磁界が印加された記録膜上の記録領域では、記録
ビットの形状が不均一になって、再生時に信号品質が劣
化するという問題点を有している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録装置
は、磁性体からなる記録膜を有する光磁気記録媒体に光
ビームを照射して記録膜を昇温しながら記録信号に応じ
て反転する外部磁界を印加して情報を記録する光磁気記
録装置において、外部磁界の反転時には記録が行われな
いように光ビームを弱くすると共に、外部磁界の反転時
以外では記録が行われるように光ビームを強くし、か
つ、外部磁界が反転しない期間が長いときは記録膜の昇
温領域が広がらないように外部磁界が反転しない期間が
短いときに比べて光ビームを弱くするように制御する光
強度制御手段が備えられていることを特徴としている。
【００１１】
【作用】上記の構成により、外部磁界の反転時には記録
が行われないように光ビームを弱くすると共に、外部磁
界の反転時以外では記録が行われるように光ビームを強
くし、かつ、外部磁界が反転しない期間が長いときは記
録膜の昇温領域が広がらないように外部磁界が反転しな
い期間が短いときに比べて光ビームを弱くするように制
御する光強度制御手段を備えたので、外部磁界の反転時
に記録に必要な磁界強度よりも弱い外部磁界が印加され
ても、記録ビットの形状が不均一にならない。また、外
部磁界が反転しない期間の長短に依らず、記録ビットの
幅を均一にできる。これにより、再生時の信号品質が向
上する。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図１０
に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１３】光磁気記録装置としての光磁気ディスク装
置では、図１に示すように、光磁気ディスク１が光磁気
記録媒体として使用される。
【００１４】光磁気ディスク１は、図５に示すように、
円盤状の透光性のある基板１１上に、第１の誘電体膜１
２、磁性体からなる記録膜１３、第２の誘電体膜１４、
反射膜１５を順次積層した構成になっている。
【００１５】光磁気ディスク１の反射膜１５側には、外
部磁界印加手段としての磁気ヘッド２（図１）が配置さ
れている。磁気ヘッド２は、光磁気ディスク１上を滑走
できるスライダー２ａと一体になって設けられている。
スライダー２ａはサスペンション（図示されていない）
によって光磁気ディスク１に押圧されている。この押圧
力と、光磁気ディスク１の回転によりスライダー２ａと
光磁気ディスク１との間に生じた空気流による浮上力と
が釣り合って、光磁気ディスク１面上の所定の間隔だけ
離れた位置に磁気ヘッド２を浮上させるようになってい
る。
【００１６】一方、光磁気ディスク１の基板１１側に
は、光学ヘッド３が配置されている。
【００１７】光学ヘッド３は光源として後述するレーザ
ーダイオード３ａを備えており、レーザーダイオード３
ａから出射された光ビームを対物レンズ（図示されてい
ない）で集光し、記録膜１３に照射するようになってい
る。
【００１８】記録すべき情報を変調して得られた記録信
号はパターン検出回路４に入力される。パターン検出回
路４では、記録信号のビットパターンが検出され、ビッ
トパターンを識別するパターン検出信号がレーザーパワ
ーコントロール回路６に送出される。
【００１９】記録信号処理回路７はビット反転検出信号
に応じて極性が反転する駆動電流を磁気ヘッド２に供給
し、磁気ヘッド２から記録信号に応じて反転する外部磁
界が記録膜１３に印加される。
【００２０】レーザーオフ回路５はビット反転検出信号
を受け取ると、外部磁界の反転に必要な期間、記録膜１
３の磁化が外部磁界の影響を受けないように、光ビーム
の光強度を低下させるためのレーザーオフ信号をレーザ
ーパワーコントロール回路６に送出する。
【００２１】レーザーパワーコントロール回路６は、パ
ターン検出回路４から入力されたパターン検出信号に基
づいて、記録ビットの幅が一定になるように、光ビーム
の光強度を制御すると共に、レーザーオフ回路５からレ
ーザーオフ信号が入力されている期間、光ビームの光強
度を再生時の光ビームの光強度であるリードパワーにな
るように制御する。パターン検出回路４、レーザーオフ
回路５およびレーザーパワーコントロール回路６は光ビ
ームの光強度制御手段を構成する。
【００２２】上記の構成において、記録すべき情報を２
−７ＮＲＺＩ変調した場合を例に記録動作を説明する。
【００２３】２−７ＮＲＺＩ変調では、６種類の異なる
長さの記録ビットにより情報が記録される。情報のデー
タビット周期がＴであるとき、記録ビット長は１．５
Ｔ、２Ｔ、２．５Ｔ、３Ｔ、３．５Ｔまたは４Ｔのいず
れかの期間に対応する。
【００２４】図２には、この内、最短の記録ビット長に
対応する１．５Ｔ信号と、最長の記録ビット長に対応す
る４Ｔ信号と、中くらいの記録ビット長に対応する３Ｔ
信号とを記録する場合の光ビームの光強度の時間変化
（同図の（ａ））と、外部磁界の磁界強度および磁界方
向の時間変化（同図の（ｂ））とを示している。
【００２５】外部磁界は、記録信号に応じて反転され
る。図では、外部磁界の時間変化を便宜上、矩形波で表
現しているが、実際には、反転領域では有限の立ち上が
り時間と立ち下がり時間を有している。
【００２６】光ビームの光強度は、記録ビット長に応じ
て変えられる。すなわち、最短の記録ビット長に対応す
る１．５Ｔ信号（外部磁界が反転しない期間が短い信
号）に対しては最も強い光強度であるハイレベルＨ
3 を、最長の記録ビット長に対応する４Ｔ信号（外部磁
界が反転しない期間が長い信号）に対しては最も弱い光
強度であるハイレベルＨ1 を、中くらいの記録ビット長
に対応する３Ｔ信号（外部磁界が反転しない期間が中く
らいの信号）に対してはハイレベルＨ1 とＨ3 の中間に
位置するハイレベルＨ2 を対応させている。
【００２７】また、外部磁界の反転領域では記録が行わ
れないように、光ビームの光強度は外部磁界の反転直前
にローレベルＬになるように制御されている。
【００２８】ローレベルＬをゼロにするとフォーカス制
御やトラッキング制御を行えないので、その期間にフォ
ーカスサーボやトラッキングサーボが外れる危険性があ
る。
【００２９】このため、本実施例では、ローレベルＬは
再生時の光ビームの光強度、すなわち、リードパワーに
なるように設定されている。
【００３０】なお、図では、説明のために光ビームおよ
び外部磁界の位相を合わせて図示しているが、実際の記
録過程では、記録膜１３の昇温・冷却過程には時間的な
ずれを生じるので、最適記録が行われるように、光ビー
ムおよび外部磁界の位相を設定する。また、光ビームの
光強度を記録可能なハイレベルＨ1 〜Ｈ3 に上げる期間
をｔ1 （記録ビット長により変わる）とし、光ビームの
光強度をローレベルＬに落とす期間をｔ2 とすると、当
然のことながら、ｔ1 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）で表されるデュ
ーティー比も最適記録が行われるように設定する。な
お、デューティー比の設定は、ｔ2 を選択することによ
り行われる。
【００３１】記録ビット長は、外部磁界の反転間隔で決
定されるので、情報を任意の変調方式で変調し、得られ
た記録信号に応じて外部磁界を反転させ、これと合わせ
て光ビームの光強度をハイレベルＨ1 〜Ｈ3 かローレベ
ルＬかに切り換える。このとき、ｔ2 は、記録ビット長
によって変化させる必要はなく、常に一定であること
が、本実施例の記録方法の特徴である。
【００３２】次に、パターン検出回路４とレーザーパワ
ーコントロール回路６の一具体例を図３に示す。
【００３３】パターン検出回路４は、記録信号としての
シリアルデータを８ビットのパラレルデータに変換する
シフトレジスター２１と、シフトレジスター２１から出
力された８ビットのパラレルデータが＄ＦＦ（２進数の
１１１１１１１１）であるかどうかを検出する８ビット
のコンパレーター２２と、シフトレジスター２１から出
力された８ビットのパラレルデータが＄００（２進数の
００００００００）であるかどうかを検出する８ビット
のコンパレーター２３と、インバーター２４〜２６と、
フリップフロップ２７・２８と、ＮＯＲゲート２９とか
ら構成されている。
【００３４】なお、シフトレジスター２１には、例え
ば、テキサス・インスツルメント社（以下、ＴＩ社と略
す）のＳＮ７４ＬＳ５９４を使用できる。また、コンパ
レーター２２・２３には、同じくＴＩ社のＳＮ７４ＬＳ
６８８、フリップフロップ２７・２８には、ＳＮ７４Ａ
Ｓ７４をそれぞれ使用できる。
【００３５】シフトレジスター２１に入力された記録信
号は、２つのクロック端子ＲＣＫとＳＣＫに入力されて
いるクロックに同期して取り込まれ、８ビットのパラレ
ルデータに変換されて、出力端子ＱA 〜ＱH からコンパ
レーター２２と２３の入力端子Ｐ0 〜Ｐ7 に入力され
る。
【００３６】コンパレーター２２の入力端子Ｑ0 〜Ｑ7
はハイレベル（５Ｖ）に設定されており、入力端子Ｐ0
〜Ｐ7 が＄ＦＦであるときのみ、インバーター２４にロ
ーレベルが出力される。インバーター２４の出力はフリ
ップフロップ２７のクロック端子ＣＫに入力される。フ
リップフロップ２７のデータ端子Ｄとプリセット端子Ｐ
Ｒはハイレベルに設定されており、出力端子Ｑはオープ
ンになっている。クリア端子ＣＬにはシフトレジスター
２１の出力端子ＱH が接続されており、インバーター２
４の出力がハイレベルのとき、フリップフロップ２７の
反転出力端子Ｑ’はローレベルを出力する。
【００３７】一方、コンパレーター２３の入力端子Ｑ0
〜Ｑ7 はローレベル（０Ｖ）に設定されており、入力端
子Ｐ0 〜Ｐ7 が＄００であるときのみ、インバーター２
５にローレベルが出力される。インバーター２５の出力
はフリップフロップ２８のクロック端子ＣＫに入力され
る。フリップフロップ２７のデータ端子Ｄとプリセット
端子ＰＲはハイレベルに設定されており、出力端子Ｑは
オープンになっている。クリア端子ＣＬにはシフトレジ
スター２１の出力端子ＱH がインバーター２６を介して
接続されており、インバーター２５の出力がハイレベル
のとき、フリップフロップ２８の反転出力端子Ｑ’はロ
ーレベルを出力する。
【００３８】フリップフロップ２７・２８の反転出力端
子Ｑ’はそれぞれＮＯＲゲート２９の入力端子に接続さ
れており、このＮＯＲゲート２９の出力がパターン検出
信号として、レーザーパワーコントロール回路６に送出
される。このため、パターン検出回路４は記録信号中に
“１”または“０”が８個続いたビットパターンを検出
すると、ローレベルのパターン検出信号を出力すること
になる。
【００３９】また、シフトレジスター２１の出力端子Ｑ
H はレーザーオフ回路５と記録信号処理回路７の入力端
子に接続されており、所定のタイミングで記録信号をレ
ーザーオフ回路５と記録信号処理回路７に送出するよう
になっている。
【００４０】レーザーパワーコントロール回路６は、レ
ーザーダイオード３ａの駆動電流を制御するトランジス
ターＴｒ1 ・Ｔｒ2 および定電流源３２と、トランジス
ターＴｒ1 ・Ｔｒ2 を制御するＡＮＤゲート３０・３１
およびトランジスターＴｒ3 ・Ｔｒ4と、抵抗Ｒ1 〜Ｒ
6 とから構成されている。
【００４１】なお、ＡＮＤゲート３０・３１には、例え
ば、ＴＩ社のＳＮ５５４５２Ｂを使用できる。
【００４２】ＡＮＤゲート３０には、パターン検出回路
４のＮＯＲゲート２９から出力されるパターン検出信号
と、レーザーオフ回路５から出力されるレーザーオフ信
号とが入力される。したがって、記録信号中に“１”ま
たは“０”が８個続いたビットパターンが検出される
か、または、外部磁界が反転されると、ＡＮＤゲート３
０の出力はローレベルになり、トランジスターＴｒ3 が
オフになる。これにより、トランジスターＴｒ1 もオフ
になる。
【００４３】一方、ＡＮＤゲート３１には、レーザーオ
フ回路５から出力されるレーザーオフ信号が入力されて
おり、片方の入力端子はハイレベルに設定されている。
したがって、外部磁界が反転されると、ＡＮＤゲート３
１の出力はローレベルになり、トランジスターＴｒ4 が
オフになる。これにより、トランジスターＴｒ2 もオフ
になる。
【００４４】以上により、外部磁界の反転時では、２つ
のトランジスターＴｒ1 ・Ｔｒ2 がオフになるので、レ
ーザーダイオード３ａの駆動電流は定電流源３２からの
み供給される。定電流源３２から供給される駆動電流は
光ビームがリードパワーになるように設定されているた
め、光ビームの光強度はローレベルＬになる。
【００４５】外部磁界が反転しない期間では、トランジ
スターＴｒ2 がオンになる。そして、パターン検出信号
に応じて、トランジスターＴｒ1がオン・オフする。す
なわち、パターン検出回路４が記録信号中に“１”また
は“０”が８個続いたビットパターンを検出すると、ト
ランジスターＴｒ1 がオフになり、レーザーダイオード
３ａの駆動電流には定電流源３２から供給される駆動電
流に、電圧ＶｃｃによるトランジスターＴｒ2 のコレク
ター電流が加わる。これにより、光ビームの光強度はハ
イレベルＨ3（あるいは、ハイレベルＨ2 ）になる。一
方、パターン検出回路４が記録信号中に上記のビットパ
ターンを検出していないと、トランジスターＴｒ1 がオ
ンになり、レーザーダイオード３ａの駆動電流には定電
流源３２から供給される駆動電流に、トランジスターＴ
ｒ1 およびＴｒ2 のコレクター電流が加わる。これによ
り、光ビームの光強度はハイレベルＨ1 になる。
【００４６】以上の具体例では、光ビームの光強度をロ
ーレベルＬと、２つのハイレベルＨ3 （あるいは、
Ｈ2 ）およびＨ1 とに制御する回路を示したが、次に示
す具体例では、光ビームの光強度をローレベルＬと、Ｎ
コのハイレベルＨ1 〜ＨN とに制御することができる回
路を示す。
【００４７】パターン検出回路４’は、図４に示すよう
に、Ｎ個のパターン検出回路Ｐ1 〜ＰN と、Ｎビットの
Ｄ／Ａコンバーター３４とから構成されている。各パタ
ーン検出回路Ｐ1 〜ＰN は図４のパターン検出回路４と
ほぼ同じ構成になっており、それぞれが所望のビットパ
ターンを検出できるように、各コンパレーター２２の入
力端子Ｑ0 〜Ｑ7 がビットパターンに応じてローレベル
もしくはハイレベルに設定されている。
【００４８】パターン検出回路Ｐ1 〜ＰN で検出された
パターン検出信号はＤ／Ａコンバーター３４に入力さ
れ、各ビットパターンに対応する電圧に変換される。
【００４９】レーザーパワーコントロール回路６’は、
レーザーダイオード３ａの駆動電流を制御するトランジ
スターＴｒ5 および定電流源３２と、トランジスターＴ
ｒ5 を制御するＡＮＤゲート３３およびトランジスター
Ｔｒ6 と、抵抗Ｒ7 〜Ｒ9 とから構成されている。
【００５０】ＡＮＤゲート３３には、レーザーオフ回路
５から出力されるレーザーオフ信号が入力されており、
片方の入力端子はハイレベルに設定されている。したが
って、外部磁界の反転時では、ＡＮＤゲート３１の出力
はローレベルになり、トランジスターＴｒ6 がオフにな
る。これにより、トランジスターＴｒ5 もオフになの
で、レーザーダイオード３ａの駆動電流は定電流源３２
からのみ供給される。定電流源３２から供給される駆動
電流は光ビームがリードパワーになるように設定されて
いるため、光ビームの光強度はローレベルＬになる。
【００５１】一方、外部磁界が反転しない期間では、ト
ランジスターＴｒ6がオンになる。
【００５２】そして、ビットパターンに応じたＤ／Ａコ
ンバーター３４の出力電圧により、トランジスターＴｒ
5 のコレクター電流が制御される。このため、レーザー
ダイオード３ａの駆動電流には定電流源３２から供給さ
れる駆動電流に、電圧ＶｃｃによるトランジスターＴｒ
5 のコレクター電流が加わる。これにより、光ビームの
光強度はハイレベルＨ1 〜ＨN のいずれかに設定され
る。
【００５３】上記の光磁気ディスク装置の性能を確かめ
るため、以下に示す光磁気ディスク１を試作してオーバ
ーライトを実際に行い、消去率を実測した。
【００５４】光磁気ディスク１の基板１１としては、外
径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．５ｍｍのポリカー
ボネイト板が用いられた。第１および第２の誘電体膜１
２と１４としては、それぞれ膜厚８０ｎｍと２５ｎｍの
ＡｌＮ膜が用いられた。また、記録膜１３としては、膜
厚２０ｎｍのＤｙＦｅＣｏ膜が用いられ、反射膜１５と
しては、膜厚３０ｎｍのＡｌ膜が用いられた。
【００５５】上記のＤｙＦｅＣｏ膜の組成はＤｙX （Ｆ
ｅY Ｃｏ(1-Y) ）(1-X) で表わされるが、本実施例で
は、Ｙを０．７８に固定し、Ｘをそれぞれ０．２１２、
０．２２５、０．２３７に設定した３種類のＤｙＦｅＣ
ｏ膜を用いて、３種類の光磁気ディスク１を準備した。
以下、これらを光磁気ディスク１ａ、１ｂ、１ｃと呼ん
で区別する。これらのＤｙＦｅＣｏ膜のキュリー温度
は、それぞれ、２２０℃、２１０℃、２０５℃であっ
た。なお、Ｘを０．２２５に設定したＤｙＦｅＣｏ膜で
は、磁気的補償温度が室温になっている。
【００５６】図６に、これらのＤｙＦｅＣｏ膜のカー回
転角の温度依存性を示す曲線４１〜４３と、保磁力の温
度依存性を示す曲線４４〜４６を示す。
【００５７】本測定に用いた光学ヘッド３は、光源とし
て波長７８０ｎｍの光ビームを出射するレーザーダイオ
ード３ａと、ＮＡ（開口数）が０．５５の対物レンズと
を備えている。また、外部磁界の磁界強度は１６０Ｏｅ
であり、外部磁界の反転に要する時間、すなわち、磁界
スイッチング時間は２０〜３０ｎｓである。なお、光磁
気ディスク１は線速度が１０ｍ／ｓになるように回転駆
動されている。
【００５８】消去率は、２−７ＮＲＺＩ変調における４
Ｔ信号を光磁気ディスク１のトラック１周に渡って記録
した後、この上に１．５Ｔ信号をオーバーライトした時
のオーバーライト前後における４Ｔ信号のキャリアレベ
ルの差として定義した。４Ｔ信号のキャリアレベルはス
ペクトラムアナライザーで実測した。
【００５９】実験では、４Ｔ信号に相当する記録周波数
を２．１ＭＨｚとし、１．５Ｔ信号に相当する記録周波
数を５．６ＭＨｚとしたので、線速度が１０ｍ／ｓの下
では、４Ｔ信号および１．５Ｔ信号に対応する記録ビッ
ト長はそれぞれ約２．４μｍと、約０．９μｍになる。
【００６０】実測された消去率のデューティー比依存性
を図７および図８に示す。
【００６１】図７の消去率のデューティー比依存性は、
外部磁界の反転領域では光ビームの光強度をローレベル
Ｌにし、反転領域以外では光ビームの光強度を４Ｔ信号
に対しても、１．５Ｔ信号に対しても同一のハイレベル
Ｈにしてオーバーライトを行ったときに得られたもので
ある。
【００６２】なお、ハイレベルＨは、別に行われた再生
信号品質評価（Ｃ／Ｎ評価）で最も高いＣ／Ｎが得られ
た８ｍＷに設定されている。横軸のデューティー比は、
前述のように、ｔ1 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）であり、１．５Ｔ
信号を記録する時のｔ1 （光ビームの光強度がハイレベ
ルＨにある期間）が用いられている。
【００６３】曲線４７〜４９はそれぞれ光磁気ディスク
１ａ〜１ｃで得られた消去率であり、いずれの光磁気デ
ィスク１ａ〜１ｃにおいても、デューティー比を約４４
％以上にすれば、実用上必要とされる消去率、−３０ｄ
Ｂを確保できることが分かった。
【００６４】図８の消去率のデューティー比依存性は、
外部磁界の反転領域では光ビームの光強度をローレベル
Ｌに下げ、反転領域以外では光ビームの光強度を４Ｔ信
号に対してはハイレベルＨ1 にし、１．５Ｔ信号に対し
てはハイレベルＨ1 よりも大きいハイレベルＨ3 にし
て、オーバーライトを行ったときに得られたものであ
る。
【００６５】なお、ハイレベルＨ1 は６ｍＷに設定さ
れ、ハイレベルＨ3 は８ｍＷに設定されている。ここ
で、４Ｔ信号を８ｍＷで記録しても、６ｍＷで記録して
も、Ｃ／Ｎはほぼ同じであり、約５６ｄＢであることを
確認している。
【００６６】曲線５０は、図７で最も消去率の悪かった
光磁気ディスク１ａで得られた消去率である。曲線５０
と、図７ですでに示した曲線４７とを比較すると、デュ
ーティー比が約４４％以上のとき、曲線５０の消去率の
方が良いことが分かる。特に、デューティー比が約５５
％以上では、曲線５０の消去率は約−５０ｄＢであり、
オーバーライト前の４Ｔ信号のＣ／Ｎが約５６ｄＢであ
ることを考慮すると、ほとんど消し残りがないことを示
している。
【００６７】消去率が向上した理由は、以下のように解
釈される。すなわち、図９の（ａ）に示すように、光ビ
ームの光強度を４Ｔ信号に対しても、１．５Ｔ信号に対
しても同一のハイレベルＨにしたとき、同図の（ｂ）に
示す外部磁界を印加した場合、４Ｔ信号に対応した長い
記録ビットでは、同図の（ｃ）に示すように、終端部分
になるほど光ビーム照射により昇温する領域広くなるた
め、幅が広くなってしまう。
【００６８】このため、図１０に示すように、４Ｔ信号
の上に１．５Ｔ信号をオーバーライトした場合、４Ｔ信
号が消される幅は１．５Ｔ信号の幅Ｗの部分だけであ
り、この幅Ｗよりも外側の黒く塗った領域は、消し残り
となる。
【００６９】これに対して、光ビームの光強度を４Ｔ信
号に対してはハイレベルＨ1 にし、１．５Ｔ信号に対し
てはハイレベルＨ1 よりも大きいハイレベルＨ3 にして
オーバーライトを行ったときは、長い記録ビットの終端
部分における幅が、短い記録ビットの横Ｗとほとんど変
わらなくなるため、消去率が大きく改善されると考えら
れる。
【００７０】また、記録ビットの幅が広がらないため、
再生時、隣接トラックによるクロストークも低減され、
光磁気ディスク１における再生、記録、消去特性が向上
する。
【００７１】なお、１．５Ｔ信号と４Ｔ信号に加えて、
例えば、３Ｔ信号を記録する場合、光ビームの光強度を
３Ｔ信号に対してはハイレベルＨ1 よりも大きく、ハイ
レベルＨ3 よりも小さいハイレベルＨ2 にすればよい。
すなわち、上記の場合のように、ハイレベルＨ1 が６ｍ
Ｗ、ハイレベルＨ3 が８ｍＷであるときは、ハイレベル
Ｈ2 を７ｍＷ前後に設定する。
【００７２】以上の実施例では、光磁気記録装置とし
て、光磁気ディスク１を使用する光磁気ディスク装置を
挙げて説明したが、光磁気カードを使用する光磁気カー
ド装置や、光磁気テープを使用する光磁気テープ装置に
も応用できる。
【００７３】
【発明の効果】本発明の光磁気記録装置は、以上のよう
に、磁性体からなる記録膜を有する光磁気記録媒体に光
ビームを照射して記録膜を昇温しながら記録信号に応じ
て反転する外部磁界を印加して情報を記録する光磁気記
録装置において、外部磁界の反転時には記録が行われな
いように光ビームを弱くすると共に、外部磁界の反転時
以外では記録が行われるように光ビームを強くし、か
つ、外部磁界が反転しない期間が長いときは記録膜の昇
温領域が広がらないように外部磁界が反転しない期間が
短いときに比べて光ビームを弱くするように制御する光
強度制御手段が備えられている構成であるので、外部磁
界の反転時に記録に必要な磁界強度よりも弱い外部磁界
が印加されても、記録ビットの形状が不均一にならな
い。また、外部磁界が反転しない期間の長短に依らず、
記録ビットの幅を均一にできる。これにより、再生時の
信号品質が向上するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録装置の概略の構成図であ
る。
【図２】（ａ）は記録時の光ビームの光強度の時間変化
を示す波形図、（ｂ）は記録時の外部磁界の時間変化を
示す波形図である。
【図３】図１のパターン検出回路とレーザーパワーコン
トロール回路の一具体例を示す回路図である。
【図４】図１のパターン検出回路とレーザーパワーコン
トロール回路の他の具体例を示す回路図である。
【図５】光磁気ディスクの概略の構成図である。
【図６】カー回転角と保磁力の温度依存性を示すグラフ
である。
【図７】消去率のデューディー比依存性を示すグラフで
ある。
【図８】消去率のデューディー比依存性を示すグラフで
ある。
【図９】（ａ）は記録時の光ビームの光強度の時間変化
を示す波形図、（ｂ）は記録時の外部磁界の時間変化を
示す波形図、（ｃ）は記録ビットの形状を示す説明図で
ある。
【図１０】オーバーライトにおける記録ビットの消し残
りを示す説明図である。
【符号の説明】
１ 光磁気ディスク ２ 磁気ヘッド ３ 光学ヘッド ４ パターン検出回路（光強度制御手段） ４’ パターン検出回路（光強度制御手段） ５ レーザーオフ回路（光強度制御手段） ６ レーザーパワーコントロール回路（光強度制御手
段） ６’ レーザーパワーコントロール回路（光強度制御手
段） ７ 記録信号処理回路 １３ 記録膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁性体からなる記録膜を有する光磁気記録
    媒体に光ビームを照射して記録膜を昇温しながら記録信
    号に応じて反転する外部磁界を印加して情報を記録する
    光磁気記録装置において、 外部磁界の反転時には記録が行われないように光ビーム
    を弱くすると共に、外部磁界の反転時以外では記録が行
    われるように光ビームを強くし、かつ、外部磁界が反転
    しない期間が長いときは記録膜の昇温領域が広がらない
    ように外部磁界が反転しない期間が短いときに比べて光
    ビームを弱くするように制御する光強度制御手段が備え
    られていることを特徴とする光磁気記録装置。
JP3194344A 1991-08-02 1991-08-02 光磁気記録装置 Expired - Lifetime JP2850966B2 (ja)

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