JPH0536909U - 誘電体共振器の端子構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 リフローなどのハンダ処理の過程で生ずる半
田の這い上がり現象、その結果生ずる誘電体共振器の内
導体内の銀喰われ現象を防止し、周波数の安定した誘導
体共振器を得る。 【構成】 共振孔４を有する誘電体ブロック５内面に形
成された内導体３と回路基板の電極とを接続するリード
端子１４に、その周面上を周回する形で半田に対して濡
れ性の悪い非半田付着ゾーン１６を形成する。この非半
田付着ゾーン１６は、たとえばレジスト膜からなり、リ
ード端子１４を回路基板の電極に半田付けするとき、半
田がリード端子１４に沿って這い上がるのを防止する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は高周波発振器あるいは誘導体フィルタ等の構成部品として使用される 誘電体共振器に係り、特にその端子構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

誘導体共振器は共振孔を有する誘電体ブロックの内周と外周に各々内導体と外 導体とを設けたものであり、上記共振器を一つの要素としてコンデサなどの組合 せにより高周波発振器やフィルタなどを構成するものである。以下、図面に従っ て従来技術を説明する。

【０００３】 図３（ａ）、（ｂ）は端子構造を含めた誘電体共振器を示す図である。誘電体 共振器１は誘電体ブロック５の外周面に外導体２と上記誘電体ブロック５を貫通 する共振孔４の内周面に内導体３とを備え、さらに上記外導体２と内導体３は導 体膜からなる短絡導体６によって短絡接続されている。そして、誘電体共振器１ は外部素子へ電気的に接続するために端子７が備えられており、該端子７の一端 は、例えばその先端部を折り曲げてバネ８を形成させ、上記共振孔に挿入されて いる。

【０００４】 図４は上記誘電体共振器１を基板に実装した場合の一例を示す図である。 すなわち、上記した端子７は基板９に形成された電極１０に、また外導体２側は 別に設けられた基板１１の電極１２に各々接続されている。そして、これらの接 続方法は上記２ヶ所の接続をリフロー処理で半田付けするか、あるいは基板９上 の電極１０と端子７とを予め半田こてで半田付けし、その上で上記基板１１上の 電極１２と外導体２とをリフロー処理で半田付けされる方法がなされている。な お、上記した外導体２及び内導体３は誘電体共振器１の各々の電極を形成してい るものであって、特に内導体の材質は共振器のＱを向上させるために銀の厚膜で 形成されている。

【０００５】

【考案が解決しようとしている課題】

ところで、上記した端子７の表面はリフロー処理を行うために予め半田メッキ 層が形成されているものである。しかしながら、端子と電極を接続するためにリ フロー処理などを行うと、図４に示す如く電極１０上に盛られたクリームハンダ １３が熱のために溶融して、フラックスと共に濡れ性の良好な上記端子７に沿っ て這い上がる現象が生じる。そして、さらにこの現象が続くと、上記クリームハ ンダ１３は図４の矢印の如く共振孔４内の内導体３の電極膜に達する場合がある 。この結果溶融状態にある上記クリームハンダ１３が内導体３の銀からなる電極 膜に接触すると、電極膜の一部が溶融され、それによって電極膜中の銀成分がク リームハンダ側に流れ出す、いわゆる銀喰われ現象が生ずる。その結果、内導体 ３の一部が絶縁化し、実質的な電極膜の面積が変化するため、共振周波数に変化 が生じ、フィルター等の中心周波数が変化してしまうと言う問題が生ずる。

【０００６】 上記下問題を解決するために、図５（ａ）（ｂ）に示すように、端子７のリー ド端子１４に突起部１５を設け、電極１０からの絶面距離を出来るだけ大にする と共に、上記突起部１５によってクリームハンダ１３の這い上がりを阻止する構 成が提案されている。しかし、充分な効果は得られず、しかも端子７の構造が複 雑になり、且つ強度的に弱くなるという問題があった。 本考案に上記した問題を解決するためになされたものであって、その目的とす るところは、半田処理の過程で生ずる。いわゆる銀喰われ現象を阻止し、その結 果共振周波数が変化することのない誘電体共振器の端子構造を提供することにあ る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案は上記目的を達成するために、共振孔を有する誘電体ブロックと、該誘 電体ブロックの共振孔内面に形成された内導体と、上記誘電体ブロックの外周側 に形成された外導体と、一端が上記共振孔の内導体と接し他端が外部電極と接続 されるリード端子を有する端子とを備えた誘電体共振器において、上記端子のリ ード端子に該リード端子の周面上を回周する形で半田に対して濡れ性の悪い非半 田付着エリアを形成したことを特徴とする誘電体共振器の端子構造を提供する。

【０００８】

【作用】

本考案による誘電体共振器の端子構造はリフロー処理を行うために、予めハン ダメッキ層が形成されている。かかる端子を基板側に印刷された電極に接続させ るためにリフロー処理を行うと、電極側のクリーム半田はフラックスと共に濡れ 性の良い端子の半田層上に沿って這い上がり、誘電体共振器の共振孔側へ流れ込 む現象が生ずる。従って、本考案は上記端子のリード端子に、該リード端子のま わりを周回する形で半田濡れ性の悪い非半田付着エリアを形成しているため、こ れによって半田への這い上がりが防止される。この結果、クリーム半田は上記し たリード端子の途中で止まり、誘電体共振器の共振孔内に入ることはない。この 結果、溶融状態にあるクリーム半田が内導体を構成する銀膜に接触することによ って生ずるいわゆる銀喰われ現象が発生せず、それによって周波数の安定した共 振器が得られる。

【０００９】

【実施例】

本考案の一実施例を図１に示し、以下図面に従って詳細に説明する。 誘電体共振器１はその共振孔４内に端子７の一端が挿入され、誘電体共振器１ の内導体３と電気的に接続されている。一方、上記端子７の他端は基板９に形成 された電極１０に、リフロー処理によって半田付けされている。なお、図１は図 ４に対応するものであって、上記以外の構成は図４と同一であるため、説明は省 略する。 端子７のリード端子１４の一部には、該リード端子１４のまわりを周回する形 で半田に対して濡れ性の悪い非半田付着エリア１６を形成している。上記濡れ性 の悪い上記エリア１６は、半田が付着しにくい部分を形成するものであって、具 体的には、例えばレジスト膜を予め上記端子７のリード端子１４に形成させるも のである。このように端子７のリード端子に非半田付着エリアを形成することに よって、リフロー処理時に溶融されたクリーム半田１３は、上記したエリアの手 前で止まり、それ以上這い上がって共振孔４内部迄に流入することがない。

【００１０】 図２は本考案からなる他の実施例を示す図であって、端子７の側面図を示して いる。前述したように、リフロー処理によって半田付けをするに当り、予め上記 のような端子７の全体に半田メッキ層を形成させておくのが一般的である。そこ で、本考案からなる他の実施例では、図示の如く、端子の材質として予め半田に 対して濡れ性の悪い金属、例えば、ニッケルなどを用い、上記端子７全体に半田 メッキ層１７を形成させ、その後、端子７のリード端子１４の一部の上記半田メ ッキ層１７を剥し、その剥した部分を非半田付着エリア１６としている。

【００１１】 このようにすることによって、リフロー時、電極側から這い上がったクリーム 半田は端子７の半田メッキ層１７上の途中まで這い上がるが、リード端子１４の 非半田付着エリア１６の部分で半田メッキ層１７が欠落しており、しかも上記メ ッキ層１７の下地の金属は、半田に対して濡れ性の悪い金属を使用しているため 、この非半田付着エリア１６から上へのクリーム半田の這い上がりはなくなる。 このように半田に対する非付着エリアを形成することによって半田は共振孔内に 入ることがなくななる。これにより、従来、誘電体共振器を用いた回路装置の信 頼性試験（サーマルショック）を行うと、しばしば共振孔内の電極部分において マイクロクラックが生じていた問題も本考案によって解消されるようになった。

【００１２】

【考案の効果】

以上説明した通り、本考案によれば、端子のリード端子に半田に対する非付着 エリアを形成することによって、半田の這い上がり現象が解消され、それによっ て誘電体共振器の共振周波数が変化することがなくなり信頼性の高い誘電体共振 器が提供できるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例を示す誘電体共振器を、基板上
の電極に接続した時の状態を示す斜視図である。

【図２】本考案の実施例を示す端子の側面図である。

【図３】図３（ａ）は従来の誘電体共振器の正面図であ
り、同図（６）は同図（ａ）のＸ−Ｘ’の側断を示す図
である。

【図４】従来の誘電体共振器を基板に実装した時の状態
を示す斜視図である。

【図５】（ａ）、（ｂ）は共に従来の端子構造を示す斜
視図である。

【符号の説明】

２ 外導体 ３ 内導体 ４ 共振孔 ５ 誘電体ブロック ７ 端子 １３ クリーム半田 １４ リード端子 １６ 非半田付着エリア １７ 半田メッキ層

Claims (3)

【整理番号】 ００３０３３４−０１ 【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 共振孔を有する誘電体ブロックと、該誘
   電体ブロックの共振孔内面に形成された内導体と、上記
   誘電体ブロックの外周側に形成された外導体と、一端が
   上記共振孔の内導体と接し他端が外部電極と接続される
   リード端子を有する端子とを備えた誘電体共振器におい
   て、上記端子のリード端子に該リード端子の周面上を回
   周する形で半田に対して濡れ性の悪い非半田付着エリア
   を形成したことを特徴とする誘電体共振器の端子構造。
2. 【請求項２】 上記請求項１において、上記非半田付着
   エリアが端子のリード端子の周面上を回収する形でレジ
   スト膜を形成してなることを特徴とする誘電体共振器の
   端子構造。
3. 【請求項３】 上記請求項１において、上記端子に濡れ
   性の悪い金属を用い、上記端子の非半田付着エリアを除
   いた全面にわたって半田メッキを施したことを特徴とす
   る誘電体共振器の端子構造。