JPH0536135A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0536135A JPH0536135A JP21308291A JP21308291A JPH0536135A JP H0536135 A JPH0536135 A JP H0536135A JP 21308291 A JP21308291 A JP 21308291A JP 21308291 A JP21308291 A JP 21308291A JP H0536135 A JPH0536135 A JP H0536135A
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- Japan
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- magneto
- optical recording
- layer
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭｎＢｉ化合物を情報記録材料とする光磁気
記録媒体を、樹脂基板を使っても製造できるようにす
る。 【構成】 ポリカ―ボネ―ト基板１上に、中間層２、Ｂ
ｉ層３、Ｍｎ層４、干渉層５、反射膜６を順次積層し、
このＭｎ−Ｂｉ積層膜に集光したレーザ光を照射し、こ
の層だけを局所的に加熱することによりＭｎＢｉ化合物
を形成する。基板の温度上昇が抑えられるので、樹脂基
板を使えるようになった。
記録媒体を、樹脂基板を使っても製造できるようにす
る。 【構成】 ポリカ―ボネ―ト基板１上に、中間層２、Ｂ
ｉ層３、Ｍｎ層４、干渉層５、反射膜６を順次積層し、
このＭｎ−Ｂｉ積層膜に集光したレーザ光を照射し、こ
の層だけを局所的に加熱することによりＭｎＢｉ化合物
を形成する。基板の温度上昇が抑えられるので、樹脂基
板を使えるようになった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の製造方
法に関し、さらに詳しくは書換え可能な光磁気ディスク
等に用いられ、磁気カ―効果あるいは磁気ファラデ―効
果等の磁気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁
気記録媒体に関する。
法に関し、さらに詳しくは書換え可能な光磁気ディスク
等に用いられ、磁気カ―効果あるいは磁気ファラデ―効
果等の磁気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁
気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体の材料としては、主とし
て以下の条件が要求される。 （ａ）垂直磁化膜であること。 （ｂ）大きな保磁力を有していること。 （ｃ）カ―回転角が大きいこと。 Ｆｅ，Ｃｏ等にＴｂ，Ｇｄ等の重希士類を添加した場
合、磁気異方性が増加し垂直磁化膜となることが知られ
ている。こうしたことから、光磁気記録媒体の材料とし
てＧｄＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＣｏ，ＴｂＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ等の重希士類−３ｄ遷移金属非
晶質合金薄膜が前記の条件を満足し、かつ量産に適し、
読み出しノイズのないことから有望とされている。特に
ＴｂＦｅＣｏは、有望視され、実用材料となっている。
ディスク基板は、ガラス基板および樹脂基板の２種類に
大別される。このうち、ガラス基板は破損しやすく、高
価であるため、樹脂基板がおもに用いられている。樹脂
基板としては、量産性、価格、光学特性の点から、ポリ
カ―ボネ―ト、ポリメチルメタクリレ―ト、ポリオレフ
ィン等が用いられている。一方、光磁気記録の高密度化
の手段として短波長レ―ザを使用し、記録領域を小さく
することが検討されている。しかし、重希士類−３ｄ遷
移金属非晶質合金薄膜は、波長が短くなるにしたがって
カ―回転角が小さくなるため、短波長レ―ザにより再生
した場合、再生出力が低下する。このため、新たな短波
長用光磁気記録材料が必要になる。ＭｎＢｉ化合物は、
基板上にＢｉとＭｎを順次成膜したＭｎ−Ｂｉ積層膜を
加熱し反応させると、ＢｉのＣ軸配向性が保存されて、
Ｃ軸配向のＭｎＢｉ化合物となる。ＭｎＢｉ化合物は、
Ｃ軸に強い磁気異方性を有するために垂直磁化膜とな
る。また、ＭｎＢｉ化合物は、短波長域においてもカ―
回転角が大きいため短波長用光磁気記録材料として有望
である。基板上にＢｉとＭｎを順次成膜したＭｎ−Ｂｉ
積層膜を加熱し反応させるためには、３００℃以上の温
度雰囲気中に積層膜を保持する必要があり、一般的には
酸化防止のために真空電気炉内で反応を行っている。
て以下の条件が要求される。 （ａ）垂直磁化膜であること。 （ｂ）大きな保磁力を有していること。 （ｃ）カ―回転角が大きいこと。 Ｆｅ，Ｃｏ等にＴｂ，Ｇｄ等の重希士類を添加した場
合、磁気異方性が増加し垂直磁化膜となることが知られ
ている。こうしたことから、光磁気記録媒体の材料とし
てＧｄＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＣｏ，ＴｂＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ等の重希士類−３ｄ遷移金属非
晶質合金薄膜が前記の条件を満足し、かつ量産に適し、
読み出しノイズのないことから有望とされている。特に
ＴｂＦｅＣｏは、有望視され、実用材料となっている。
ディスク基板は、ガラス基板および樹脂基板の２種類に
大別される。このうち、ガラス基板は破損しやすく、高
価であるため、樹脂基板がおもに用いられている。樹脂
基板としては、量産性、価格、光学特性の点から、ポリ
カ―ボネ―ト、ポリメチルメタクリレ―ト、ポリオレフ
ィン等が用いられている。一方、光磁気記録の高密度化
の手段として短波長レ―ザを使用し、記録領域を小さく
することが検討されている。しかし、重希士類−３ｄ遷
移金属非晶質合金薄膜は、波長が短くなるにしたがって
カ―回転角が小さくなるため、短波長レ―ザにより再生
した場合、再生出力が低下する。このため、新たな短波
長用光磁気記録材料が必要になる。ＭｎＢｉ化合物は、
基板上にＢｉとＭｎを順次成膜したＭｎ−Ｂｉ積層膜を
加熱し反応させると、ＢｉのＣ軸配向性が保存されて、
Ｃ軸配向のＭｎＢｉ化合物となる。ＭｎＢｉ化合物は、
Ｃ軸に強い磁気異方性を有するために垂直磁化膜とな
る。また、ＭｎＢｉ化合物は、短波長域においてもカ―
回転角が大きいため短波長用光磁気記録材料として有望
である。基板上にＢｉとＭｎを順次成膜したＭｎ−Ｂｉ
積層膜を加熱し反応させるためには、３００℃以上の温
度雰囲気中に積層膜を保持する必要があり、一般的には
酸化防止のために真空電気炉内で反応を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭｎＢ
ｉを光磁気記録材料として用いるためには次のような問
題点がある。即ち、真空電気炉内で３００℃以上に加熱
し反応させるためには、その温度に耐える基板材料を使
う必要がある。樹脂では軟化点を完全に越えてしまうた
め、使える基板はガラス基板のみになる。ガラス基板
は、加工性が樹脂基板にくらべて悪いため高価になる。
このため、ＭｎＢｉを記録材料にした光磁気ディスクは
従来の光磁気ディスクに比べて高価になるという欠点が
あった。本発明は、このような課題を解決して、ＭｎＢ
ｉ化合物を記録材料とする光磁気記録媒体を樹脂基板を
使って製造する方法を提供することを目的とする。
ｉを光磁気記録材料として用いるためには次のような問
題点がある。即ち、真空電気炉内で３００℃以上に加熱
し反応させるためには、その温度に耐える基板材料を使
う必要がある。樹脂では軟化点を完全に越えてしまうた
め、使える基板はガラス基板のみになる。ガラス基板
は、加工性が樹脂基板にくらべて悪いため高価になる。
このため、ＭｎＢｉを記録材料にした光磁気ディスクは
従来の光磁気ディスクに比べて高価になるという欠点が
あった。本発明は、このような課題を解決して、ＭｎＢ
ｉ化合物を記録材料とする光磁気記録媒体を樹脂基板を
使って製造する方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＭｎＢｉ化合
物を情報記録材料とする光磁気記録媒体の製造方法にお
いて、基板上にＢｉとＭｎを順次成膜してＭｎ−Ｂｉ積
層膜とする工程と、該Ｍｎ−Ｂｉ積層膜に集光したレ―
ザ光を照射し、局所的に加熱することによりＭｎ−Ｂｉ
化合物を形成する工程とを少なくとも備えたことを特徴
とする光磁気記録媒体の製造方法である。
物を情報記録材料とする光磁気記録媒体の製造方法にお
いて、基板上にＢｉとＭｎを順次成膜してＭｎ−Ｂｉ積
層膜とする工程と、該Ｍｎ−Ｂｉ積層膜に集光したレ―
ザ光を照射し、局所的に加熱することによりＭｎ−Ｂｉ
化合物を形成する工程とを少なくとも備えたことを特徴
とする光磁気記録媒体の製造方法である。
【０００５】
【作用】Ｍｎ−Ｂｉ積層膜を電気炉内で加熱し反応させ
た場合の問題点は、高温が必要なＭｎ−Ｂｉ積層膜だけ
でなく、基板も高温に曝されることである。電気炉など
で記録媒体を全体的に加熱する場合、この問題を避ける
ことはできない。本発明では前記の基板の昇温を避ける
ために、Ｍｎ−Ｂｉ積層膜に集光したレ―ザ光を照射し
局所的に加熱することにより、基板に悪影響を与えるこ
となくＭｎＢｉ化合物を形成する。このため、ＭｎＢｉ
化合物を記録材料とした光磁気ディスクに安価な樹脂基
板を用いることができる。
た場合の問題点は、高温が必要なＭｎ−Ｂｉ積層膜だけ
でなく、基板も高温に曝されることである。電気炉など
で記録媒体を全体的に加熱する場合、この問題を避ける
ことはできない。本発明では前記の基板の昇温を避ける
ために、Ｍｎ−Ｂｉ積層膜に集光したレ―ザ光を照射し
局所的に加熱することにより、基板に悪影響を与えるこ
となくＭｎＢｉ化合物を形成する。このため、ＭｎＢｉ
化合物を記録材料とした光磁気ディスクに安価な樹脂基
板を用いることができる。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。図１は、加熱処理する前の光磁気記
録媒体の部分断面図である。この光磁気記録媒体は、ポ
リカ―ボネ―ト基板１上に、中間層（スパッタによる窒
化珪素膜）２を９５ｎｍの厚さに、Ｂｉ層３を蒸着で６
ｎｍの厚さに、Ｍｎ層４を蒸着で１２ｎｍの厚さに、干
渉層（スパッタによる窒化珪素膜）５を２０ｎｍの厚さ
に、反射層（スパッタによるＡｌ膜）６を３０ｎｍの厚
さに順次形成する。この光磁気記録媒体において、Ｍｎ
−Ｂｉ積層膜に集光したレ―ザ光を照射し局所的に加熱
したところ、ポリカ―ボネ―ト基板１を変形させること
なくＭｎＢｉ化合物を形成することができた。このと
き、カ―回転角は、波長５００ｎｍで２度あり、ヒステ
リシスル―プの角形も良好であった。一方、この媒体を
真空電気炉内で３００℃で加熱処理したところ、ポリカ
―ボネ―ト基板１は、溶けて変形してしまった。Ｂｉ，
Ｍｎ層の成膜には、蒸着法のほか、スパッタ法、イオン
プレ―ティング法、イオンクラスタ―ビ―ム法等が可能
である。
て詳細に説明する。図１は、加熱処理する前の光磁気記
録媒体の部分断面図である。この光磁気記録媒体は、ポ
リカ―ボネ―ト基板１上に、中間層（スパッタによる窒
化珪素膜）２を９５ｎｍの厚さに、Ｂｉ層３を蒸着で６
ｎｍの厚さに、Ｍｎ層４を蒸着で１２ｎｍの厚さに、干
渉層（スパッタによる窒化珪素膜）５を２０ｎｍの厚さ
に、反射層（スパッタによるＡｌ膜）６を３０ｎｍの厚
さに順次形成する。この光磁気記録媒体において、Ｍｎ
−Ｂｉ積層膜に集光したレ―ザ光を照射し局所的に加熱
したところ、ポリカ―ボネ―ト基板１を変形させること
なくＭｎＢｉ化合物を形成することができた。このと
き、カ―回転角は、波長５００ｎｍで２度あり、ヒステ
リシスル―プの角形も良好であった。一方、この媒体を
真空電気炉内で３００℃で加熱処理したところ、ポリカ
―ボネ―ト基板１は、溶けて変形してしまった。Ｂｉ，
Ｍｎ層の成膜には、蒸着法のほか、スパッタ法、イオン
プレ―ティング法、イオンクラスタ―ビ―ム法等が可能
である。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光磁
気記録媒体の製造方法は、樹脂基板上にＭｎＢｉ化合物
の形成が可能であり、安価で高性能な光磁気記録媒体を
提供することができる。
気記録媒体の製造方法は、樹脂基板上にＭｎＢｉ化合物
の形成が可能であり、安価で高性能な光磁気記録媒体を
提供することができる。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の一例の加熱処理
前の断面図である。 １ ポリカ―ボネ―ト基板 ２ 中間層 ３ Ｂｉ層 ４ Ｍｎ層 ５ 干渉層 ６ 反射層
前の断面図である。 １ ポリカ―ボネ―ト基板 ２ 中間層 ３ Ｂｉ層 ４ Ｍｎ層 ５ 干渉層 ６ 反射層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ＭｎＢｉ化合物を情報記録材料とする光
磁気記録媒体の製造方法において、基板上にＢｉとＭｎ
を順次成膜してＭｎ−Ｂｉ積層膜とする工程と、該Ｍｎ
−Ｂｉ積層膜に集光したレ―ザ光を照射し、局所的に加
熱することによりＭｎ−Ｂｉ化合物を形成する工程とを
少なくとも備えたことを特徴とする光磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3213082A JP3022642B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3213082A JP3022642B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536135A true JPH0536135A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3022642B2 JP3022642B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=16633255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3213082A Expired - Lifetime JP3022642B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3022642B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08180479A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151856A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH02170405A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | ＭｎＢｉ垂直磁化膜の形成方法 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3213082A patent/JP3022642B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151856A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH02170405A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | ＭｎＢｉ垂直磁化膜の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08180479A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3022642B2 (ja) | 2000-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980609 |