JPH02170405A - ＭｎＢｉ垂直磁化膜の形成方法 - Google Patents
ＭｎＢｉ垂直磁化膜の形成方法Info
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- JPH02170405A JPH02170405A JP32396488A JP32396488A JPH02170405A JP H02170405 A JPH02170405 A JP H02170405A JP 32396488 A JP32396488 A JP 32396488A JP 32396488 A JP32396488 A JP 32396488A JP H02170405 A JPH02170405 A JP H02170405A
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Landscapes
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＭｎＢ１１１直磁化膜の形成方法に関する。本
発明によって形成されたＭｎＢ１１直磁化膜は、光熱磁
気メモリ媒体、高集積化磁気メモリ媒体等の高密度メモ
リ媒体に利用することができる。
発明によって形成されたＭｎＢ１１直磁化膜は、光熱磁
気メモリ媒体、高集積化磁気メモリ媒体等の高密度メモ
リ媒体に利用することができる。
［従来の技術１
磁性薄膜はコンバク１〜、廉価て゛、応答速度が速いな
どの特徴をしら、有望な高密度メモリ媒体である。中で
も、ＭＱＢ ｌ垂直磁化膜は大きなファラデー回転角、
カー回転角をもら保持力も大きいため、光熱磁気メモリ
媒体として大きな期待が寄せられてきた。このＭｎｏ
ｔ！Ｉ！直…化膜は、ガラス基板上にＢｉを蒸着し、ざ
らにＭｒｌ蒸着した後、高真空中（≦１０””Ｔｏｒｒ
）、短時間（３０分〜１時間）の熱処理によって容易に
形成できる。
どの特徴をしら、有望な高密度メモリ媒体である。中で
も、ＭＱＢ ｌ垂直磁化膜は大きなファラデー回転角、
カー回転角をもら保持力も大きいため、光熱磁気メモリ
媒体として大きな期待が寄せられてきた。このＭｎｏ
ｔ！Ｉ！直…化膜は、ガラス基板上にＢｉを蒸着し、ざ
らにＭｒｌ蒸着した後、高真空中（≦１０””Ｔｏｒｒ
）、短時間（３０分〜１時間）の熱処理によって容易に
形成できる。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上記のように形成された１ｙｌｎＢｉ垂直磁
化膜は表面構造が粗いため、高密度メモリ媒体として応
用した場合、大気中の湿気が膜内部に浸透し膜質が急速
に劣化するという問題がある。
化膜は表面構造が粗いため、高密度メモリ媒体として応
用した場合、大気中の湿気が膜内部に浸透し膜質が急速
に劣化するという問題がある。
また、読み出しに光のファラデー効果を利用することか
ら磁化膜の膜厚をｉｌ＜ （６０〜８０．ｎｍ）する必
要があり、このような薄い蒸着膜はポーラスな構造を取
り易く、通常の熱処理では構造、躾で、（の取善は困難
であった。
ら磁化膜の膜厚をｉｌ＜ （６０〜８０．ｎｍ）する必
要があり、このような薄い蒸着膜はポーラスな構造を取
り易く、通常の熱処理では構造、躾で、（の取善は困難
であった。
このため、磁化膜の表面に薄いＳｉＯ膜等をコ−トして
湿気の浸透を防ぐことが試みられているが、わずかな穴
によっても劣化は進行するため、効果的な解決手段とな
っていない。また、Ｃｕ等の微―不純物添加による膜質
の向上、キュリー点低下の試み等が現在行なわれている
。
湿気の浸透を防ぐことが試みられているが、わずかな穴
によっても劣化は進行するため、効果的な解決手段とな
っていない。また、Ｃｕ等の微―不純物添加による膜質
の向上、キュリー点低下の試み等が現在行なわれている
。
本発明は上記１７Ｉ１Ｍに鑑みてなされたものであり、
湿気による劣化が抑Ｉｔ、ＩＩされ、（３１ｔｊて光熱
磁気メモリ媒体のみでなく、電気的書き込み読み出しに
よる高集積化垂直メモリ媒体としても利用することので
きるＭｎＢ ｉ垂直磁化膜の形成方法を提供することを
目的とする。
湿気による劣化が抑Ｉｔ、ＩＩされ、（３１ｔｊて光熱
磁気メモリ媒体のみでなく、電気的書き込み読み出しに
よる高集積化垂直メモリ媒体としても利用することので
きるＭｎＢ ｉ垂直磁化膜の形成方法を提供することを
目的とする。
［１題を解決するための手段１
本発明のＭｎ８ｉ垂直磁化膜の形成方法は、基板上に［
Ｂｉを真空蒸着してＢｉ蒸着躾を形成する第１工程と、
該Ｂｉ蒸肴躾にさらにＭｎを真空蒸着してＭｎ−５＋ｉ
着膜を形成する第２工程と、該Ｍｎ−Ｂｉ蒸看躾にイオ
ンビーム照射する第３工程とからなることを特徴とする
。
Ｂｉを真空蒸着してＢｉ蒸着躾を形成する第１工程と、
該Ｂｉ蒸肴躾にさらにＭｎを真空蒸着してＭｎ−５＋ｉ
着膜を形成する第２工程と、該Ｍｎ−Ｂｉ蒸看躾にイオ
ンビーム照射する第３工程とからなることを特徴とする
。
本発明のＭｎ３ ｉ垂直磁化膜の形成方法を構成する第
１工程は、通常の真空蒸着法（圧カニ５×１０−’ 〜
２ｘ１０−’Ｔｏｒｒ）によりＢ１を真空蒸着してＢ
ｉ蒸着膜を３０〜１１００ｎの膜厚に形成する工程であ
る。基板としては、ガラス、Ｓｉ等を使用Ｊることがで
きる。光熱磁気メモリ媒体として利用するための基板は
ガラス基板とし、また電気的書き込み読み出しによる鳥
集積化垂直メモリ媒体として利用するための基板は８１
基板とすることが好ましい。
１工程は、通常の真空蒸着法（圧カニ５×１０−’ 〜
２ｘ１０−’Ｔｏｒｒ）によりＢ１を真空蒸着してＢ
ｉ蒸着膜を３０〜１１００ｎの膜厚に形成する工程であ
る。基板としては、ガラス、Ｓｉ等を使用Ｊることがで
きる。光熱磁気メモリ媒体として利用するための基板は
ガラス基板とし、また電気的書き込み読み出しによる鳥
集積化垂直メモリ媒体として利用するための基板は８１
基板とすることが好ましい。
本発明のＭｎＢ ｉ垂直磁化膜の形成方法を構成する第
２工程は、第１工程で形成したＢｉ蒸着膜の上にざらに
Ｍｎを２０〜５０ｎｍの膜厚に蒸着してＭｎ−Ｂ ｉ蒸
着膜を形成する工程である。このＭｎ蒸着膜もＢｉ蓋着
膜と同様、通常の真空蒸着法（圧カニ５Ｘ１０−’ 〜
２ｘ１０−６Ｔｏｒｒ）により形成することができる。
２工程は、第１工程で形成したＢｉ蒸着膜の上にざらに
Ｍｎを２０〜５０ｎｍの膜厚に蒸着してＭｎ−Ｂ ｉ蒸
着膜を形成する工程である。このＭｎ蒸着膜もＢｉ蓋着
膜と同様、通常の真空蒸着法（圧カニ５Ｘ１０−’ 〜
２ｘ１０−６Ｔｏｒｒ）により形成することができる。
なお、光熱磁気メモリ媒体として利用づ゛るためにＭｎ
３ ｉ垂直磁化膜を形成する場合は、Ｂｉ蒸着躾及びＭ
ｎＭ着膜の全体の膜厚を１１００ｎ以下とすることが好
ましい。レーザ光の十分な透過強度を得るためである。
３ ｉ垂直磁化膜を形成する場合は、Ｂｉ蒸着躾及びＭ
ｎＭ着膜の全体の膜厚を１１００ｎ以下とすることが好
ましい。レーザ光の十分な透過強度を得るためである。
また、本発明の方法によって形成されるＭｎＢ１垂直磁
化躾の保磁力σは、Ｂｉの蒸ｉｔ量とＭｎの蒸＠量との
比によって！ｌＪ ｍされ、０．５〜２０ｋｏｅの範囲
で選定可能である。ＢｉとＭｎとの蒸着ｍ比γ（ｖｎ／
ｓ ｔ ＞を、原子数換篩（ａｔＯｎ／Ｃｍ２ ）で１
より大きく、又は躾厚換棒（ｎｍ）で０．３５より大き
くすれば、保磁力σを０．５ｋＯｅ＜ｃｙ＜１ｋＯｅと
すルコとができる。一方、上記蒸着ｍ比γを原子数換輝
で１より小さく、又は躾厚換拝で０．３５より小さくす
れば、保磁力σを２ ｋｏｅ ＜σ＜２０ｋＯｅとする
ことができる。なお、蒸１ｔ！ｌ比γが１より小さいと
高保磁力が得られるのは、残余Ｂｉ微結晶がＭｎＢ１微
結晶を囲み、単磁区様構造をとるためと考えられる。
化躾の保磁力σは、Ｂｉの蒸ｉｔ量とＭｎの蒸＠量との
比によって！ｌＪ ｍされ、０．５〜２０ｋｏｅの範囲
で選定可能である。ＢｉとＭｎとの蒸着ｍ比γ（ｖｎ／
ｓ ｔ ＞を、原子数換篩（ａｔＯｎ／Ｃｍ２ ）で１
より大きく、又は躾厚換棒（ｎｍ）で０．３５より大き
くすれば、保磁力σを０．５ｋＯｅ＜ｃｙ＜１ｋＯｅと
すルコとができる。一方、上記蒸着ｍ比γを原子数換輝
で１より小さく、又は躾厚換拝で０．３５より小さくす
れば、保磁力σを２ ｋｏｅ ＜σ＜２０ｋＯｅとする
ことができる。なお、蒸１ｔ！ｌ比γが１より小さいと
高保磁力が得られるのは、残余Ｂｉ微結晶がＭｎＢ１微
結晶を囲み、単磁区様構造をとるためと考えられる。
また、上２第２工程後、上記Ｍｎ−Ｂ１蒸着膜上にざら
にＡ１を薄（（５〜１０ｎｍ）！着することにより、Ｍ
ｎの酸化及びイオン照射時のＭｎスパッタリングを抑止
することができる。
にＡ１を薄（（５〜１０ｎｍ）！着することにより、Ｍ
ｎの酸化及びイオン照射時のＭｎスパッタリングを抑止
することができる。
さらに、上記第１工程と第２工程との間で、微ｍ不純物
、例えば００％ Ｔ ｌ ｇｇを蒸着により添加すれば
、 ＲＱ質及び磁気特性を一層改着することもできる。
、例えば００％ Ｔ ｌ ｇｇを蒸着により添加すれば
、 ＲＱ質及び磁気特性を一層改着することもできる。
本発明のＭｎＢ ｉ垂直磁化膜の形成方法を構成する第
３工程は、上記Ｍｎ−Ｂｉ蒸着躾をイオンビーム照射す
る工程である。光熱磁気メモリ媒体として利用するため
にＭｎＢ１！直磁化躾を形成する場合は高速イオンビー
ム照射を行い、また電気的占き込み読み出しによる高集
積化垂直メモリ媒体として利用するためにＭｎ８ｉ！ｌ
！直磁化膜を形成する場合は高速イオンビーム照１）ｌ
後、ざらに高収束イオンビーム照射を行う。この高収束
イオンビーム照ｏ４（ビームスポットサイズ：１μｍ以
下）により表面微細加工、ずなわち電気的、磁気的に微
細な回路パターンを描くことが可能となる。
３工程は、上記Ｍｎ−Ｂｉ蒸着躾をイオンビーム照射す
る工程である。光熱磁気メモリ媒体として利用するため
にＭｎＢ１！直磁化躾を形成する場合は高速イオンビー
ム照射を行い、また電気的占き込み読み出しによる高集
積化垂直メモリ媒体として利用するためにＭｎ８ｉ！ｌ
！直磁化膜を形成する場合は高速イオンビーム照１）ｌ
後、ざらに高収束イオンビーム照射を行う。この高収束
イオンビーム照ｏ４（ビームスポットサイズ：１μｍ以
下）により表面微細加工、ずなわち電気的、磁気的に微
細な回路パターンを描くことが可能となる。
上記高速イオンビーム照射は、高真空中（≦１０−６丁
ｏｒｒ）ｃ保持し、室１〜２００℃の範囲内で行うこと
が好ましい。特に、室温での照射が、Ｂｉ微結晶及び１
ｙｌｎ微結晶の基板への拡散、合金化反応を抑ａｌｌ
Ｌ、かつ照射の実施が容易となるので好ましい。照射す
るイオン種としては、Ｎｅ。
ｏｒｒ）ｃ保持し、室１〜２００℃の範囲内で行うこと
が好ましい。特に、室温での照射が、Ｂｉ微結晶及び１
ｙｌｎ微結晶の基板への拡散、合金化反応を抑ａｌｌ
Ｌ、かつ照射の実施が容易となるので好ましい。照射す
るイオン種としては、Ｎｅ。
Ａｒ、ｌ（ｒ、）（ｅ等の希ガス、又は原子ｍ９１０以
上で膜質を損わない原子のイオンとすることが好ましい
。照射する際のビーム電流は１μＡ／Ｃｍｔ以下とする
ことがｋＩましい。これにより、ビム照射による温度上
昇を１０℃以下に抑えることができる。また、照射（る
際のビームエネルギーは５０〜５００ｋｅｙとし、照ｒ
Ａ母は３×１０１５〜ｌＸ１０１６イオン／ｃｍ２とす
ることが好ましい。なお、イオン種として高原子番号の
イオンを照ｏ４ツる場合には、高い照射エネルギーでか
つ少ない照射ハで行うことが好ましい。これは重いイオ
ンはどＭｎ−Ｂ１蒸着膜中を走る距離が知くなり、原子
混合効率が高まるためである。
上で膜質を損わない原子のイオンとすることが好ましい
。照射する際のビーム電流は１μＡ／Ｃｍｔ以下とする
ことがｋＩましい。これにより、ビム照射による温度上
昇を１０℃以下に抑えることができる。また、照射（る
際のビームエネルギーは５０〜５００ｋｅｙとし、照ｒ
Ａ母は３×１０１５〜ｌＸ１０１６イオン／ｃｍ２とす
ることが好ましい。なお、イオン種として高原子番号の
イオンを照ｏ４ツる場合には、高い照射エネルギーでか
つ少ない照射ハで行うことが好ましい。これは重いイオ
ンはどＭｎ−Ｂ１蒸着膜中を走る距離が知くなり、原子
混合効率が高まるためである。
なお、本発明によって形成したＭｎ３ ｉ垂直磁化膜を
電気的内き込み読み出しによる高集積化垂直磁気メモリ
媒体として利用するためにＢｉ基板を使用した場合には
、Ｍｎシリカサイド形成を抑υｊするために、低い温度
（室温〜１００℃）でかつ少ない照射量（５Ｘ１０’５
イオン／Ｃｍ’以下）でイオン照射することが好ましい
。
電気的内き込み読み出しによる高集積化垂直磁気メモリ
媒体として利用するためにＢｉ基板を使用した場合には
、Ｍｎシリカサイド形成を抑υｊするために、低い温度
（室温〜１００℃）でかつ少ない照射量（５Ｘ１０’５
イオン／Ｃｍ’以下）でイオン照射することが好ましい
。
［発明の作用］
本発明のＭｎＢ１１直磁化膜の形成方法においては、暴
板状にまずＢｉを真空蒸着させ、次にＭｎを真空蒸着さ
せる。このとぎまずＢ１蒸着膜が基板上に垂直にＣ＠配
向し、このＢｉ蒸看躾上に蒸着されたＭｎが優先的にＢ
ｉ配向躾中に拡散して磁化容易軸を形成する。なお、電
気的書き込み読み出しによる高集積化垂直磁気メモリ媒
体として利用するために８１基板を使用した場合には、
Ｂｉを先に蒸着さ「ることにより、ＳｌとＭｎとが反応
してＭｎシリサイドが形成するのを抑制することもでき
る。
板状にまずＢｉを真空蒸着させ、次にＭｎを真空蒸着さ
せる。このとぎまずＢ１蒸着膜が基板上に垂直にＣ＠配
向し、このＢｉ蒸看躾上に蒸着されたＭｎが優先的にＢ
ｉ配向躾中に拡散して磁化容易軸を形成する。なお、電
気的書き込み読み出しによる高集積化垂直磁気メモリ媒
体として利用するために８１基板を使用した場合には、
Ｂｉを先に蒸着さ「ることにより、ＳｌとＭｎとが反応
してＭｎシリサイドが形成するのを抑制することもでき
る。
そして、１ｙｌｎ−Ｂｉ蒸着膜を高速イオンビーム照射
することにより、蒸着膜表面から約１１００ｎの深さま
での領域において均一な原子混合が起き、緻密、安定な
表面構造を有するＭｎＢ ｉ垂直磁化膜となる。また、
高収束イオンビーム照射した場合には、さらに表面微細
加工が可能となり、微細な回路パターンを形成すること
が可能となる。
することにより、蒸着膜表面から約１１００ｎの深さま
での領域において均一な原子混合が起き、緻密、安定な
表面構造を有するＭｎＢ ｉ垂直磁化膜となる。また、
高収束イオンビーム照射した場合には、さらに表面微細
加工が可能となり、微細な回路パターンを形成すること
が可能となる。
すなわち、Ｍｎ−Ｂ１蒸着膜の必要な箇所に高速イオン
ビーム照射して磁化膜を形成後、さらに他の必要な箇所
に酸素又は窒素の高収束イオンビムｊ（α射することに
より、酸化物又は窒化物の絶縁層を形成することができ
る。また、イオンビーム照口・１されなかった箇所は′
１４１層どして残る。これにより、微細な電気的、磁気
的回路パターンを形成することができる。
ビーム照射して磁化膜を形成後、さらに他の必要な箇所
に酸素又は窒素の高収束イオンビムｊ（α射することに
より、酸化物又は窒化物の絶縁層を形成することができ
る。また、イオンビーム照口・１されなかった箇所は′
１４１層どして残る。これにより、微細な電気的、磁気
的回路パターンを形成することができる。
さらに、Ｍｎ−Ｂ１蒸着膜と基板との界面でも、若干の
原子混合が起きるので、磁化膜の密着性が向上Ｊる。
原子混合が起きるので、磁化膜の密着性が向上Ｊる。
［実施例］
以下、本発明の詳細な説明する。
（実メ危例１）
実施例１として、本発明の製造方法により形成したＭ
ｎ １３ ＋ ！１！直磁化膜につき、ＭｎＢ ｉが基
板上に垂直にＣ軸（磁化容易軸）配向していることを示
す。
ｎ １３ ＋ ！１！直磁化膜につき、ＭｎＢ ｉが基
板上に垂直にＣ軸（磁化容易軸）配向していることを示
す。
Ｓ ｉ ７４板上に、Ｂｉを１１６ｎｍのｙＡ厚に通常
の電子ビーム蒸着法（圧カニ８ｘ１０−’Ｔｏｒｒ）に
より真空蒸着してＢｉ蒸肴膜を形成し、さらにこのＢｉ
蒸看膜上にＭｎを４０ｎｍのＰＩＡ厚で上記と同様の電
子ビーム蒸着法により真空蒸着して、Ｍｎ−３＋蒸着膜
を形成した。そして、この１ｙｌｎ［Ｂｉ蒸着膜に４０
０ｋｅｖのビームエネルギ５Ｘ１０’ＳイＡン／ｃｍ’
の照射量、１５０°Ｃの照射温度でＸｅ＋を高速イオン
ビーム照射して、Ｍｎ［Ｂｉ垂直磁化膜を形成した。
の電子ビーム蒸着法（圧カニ８ｘ１０−’Ｔｏｒｒ）に
より真空蒸着してＢｉ蒸肴膜を形成し、さらにこのＢｉ
蒸看膜上にＭｎを４０ｎｍのＰＩＡ厚で上記と同様の電
子ビーム蒸着法により真空蒸着して、Ｍｎ−３＋蒸着膜
を形成した。そして、この１ｙｌｎ［Ｂｉ蒸着膜に４０
０ｋｅｖのビームエネルギ５Ｘ１０’ＳイＡン／ｃｍ’
の照射量、１５０°Ｃの照射温度でＸｅ＋を高速イオン
ビーム照射して、Ｍｎ［Ｂｉ垂直磁化膜を形成した。
このＭｎＢ ｉ １１！直磁化膜を試料振動型磁化測定
装置（ＶＳＭ）で外部ｔａ場を基板面に垂直又は平行に
印加したときの磁化変化量を測定した。このときの磁気
ヒステレシス曲線を第１図に示す。
装置（ＶＳＭ）で外部ｔａ場を基板面に垂直又は平行に
印加したときの磁化変化量を測定した。このときの磁気
ヒステレシス曲線を第１図に示す。
第１図からも明らかなように、印加ｍｍが垂直の場合、
１ｋＧ程度で磁化は飽和するのに対し、印加磁場が平行
の場合、１６ｋＧ印加しても磁化は飽和しない。これは
、Ｍ ｎ ３ ｉ微結晶が試料面に垂直にＣ−１慟（磁
化容易＠）配向しているためである。これにより、本発
明の方法により形成された１ｙｊｎ［Ｂｉ垂直磁化膜の
垂直磁化性が確認された。
１ｋＧ程度で磁化は飽和するのに対し、印加磁場が平行
の場合、１６ｋＧ印加しても磁化は飽和しない。これは
、Ｍ ｎ ３ ｉ微結晶が試料面に垂直にＣ−１慟（磁
化容易＠）配向しているためである。これにより、本発
明の方法により形成された１ｙｊｎ［Ｂｉ垂直磁化膜の
垂直磁化性が確認された。
（実施例２）
実施例２として、従来の短時間、熱処理法により形成し
たｆｖｌｎ３ ｉ垂直磁化膜と比較して、本発明の方法
により形成したＭｎＢ ｉ垂直磁化膜は耐劣化性に優れ
ていることを示す。
たｆｖｌｎ３ ｉ垂直磁化膜と比較して、本発明の方法
により形成したＭｎＢ ｉ垂直磁化膜は耐劣化性に優れ
ていることを示す。
ガラス基板上にＢｉを１１００ｎの膜厚に通常の電子ビ
ーム蒸着法（圧カニ６Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ）により真空
蒸着してＢｉＭ肴躾金形成し、さらにこのＢｉ蒸肴膜上
にＭｎを５Ｑｎｍの膜厚で上記と同様の電子ビーム蒸着
法により真空蒸着して、Ｍｎ−Ｂ１蒸着膜を形成した。
ーム蒸着法（圧カニ６Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ）により真空
蒸着してＢｉＭ肴躾金形成し、さらにこのＢｉ蒸肴膜上
にＭｎを５Ｑｎｍの膜厚で上記と同様の電子ビーム蒸着
法により真空蒸着して、Ｍｎ−Ｂ１蒸着膜を形成した。
そして、さらにＭｎ−Ｂ１蒸着膜上にＡ１を７ｎｍの膜
厚で上記と同様の電子ビーム蒸着法により真空蒸着した
。
厚で上記と同様の電子ビーム蒸着法により真空蒸着した
。
この蒸ａｍにＸｅ＋を４００ｋｅｖのビームエネルギー
５Ｘ１０１５イＡン／ｃｍ２の照ｔＡＩ、１５０℃の
□照！）１潟度で高速イオンビーム照射して、ＭｎＢ１
！直磁化膜を形成した。なお、このＭｎ［Ｂｉ垂直磁化
膜の保磁力σの値は０．８ｋＯｅであった。
５Ｘ１０１５イＡン／ｃｍ２の照ｔＡＩ、１５０℃の
□照！）１潟度で高速イオンビーム照射して、ＭｎＢ１
！直磁化膜を形成した。なお、このＭｎ［Ｂｉ垂直磁化
膜の保磁力σの値は０．８ｋＯｅであった。
また、比較のために上記と同様に形成した蒸着膜を２５
０℃、３時間で熱処理してＭｎ３ ｉ垂直磁化膜を形成
した。
０℃、３時間で熱処理してＭｎ３ ｉ垂直磁化膜を形成
した。
これらイオンビーム照射により形成した本実施例２に係
るＭｎ１Ｂｉ垂直磁化膜と、熱処理により形成した比較
例に係るＭｎ［Ｂｉ垂直磁化膜との劣化状況を比較した
。これは、上記実施例１と同様の試料振動型磁化測定装
置により、形成直後及び４ケ月放置後のＭｎ［３１垂直
磁化躾に外部磁場を印加したときの磁化変化量を測定す
ることにより行った。第２図（ａ ） Ｇｅ１本実施例
２に係るＭｎＢ１！ｒ！直磁化膜につ動磁化膜部印加磁
場（横軸）と磁化（縦軸）との関係を示す。第２図（ｂ
）は比較例に係るＭｎＢ１１直磁化躾について、外部印
加磁場（横軸）と磁化（縦軸）との関係を示す。
るＭｎ１Ｂｉ垂直磁化膜と、熱処理により形成した比較
例に係るＭｎ［Ｂｉ垂直磁化膜との劣化状況を比較した
。これは、上記実施例１と同様の試料振動型磁化測定装
置により、形成直後及び４ケ月放置後のＭｎ［３１垂直
磁化躾に外部磁場を印加したときの磁化変化量を測定す
ることにより行った。第２図（ａ ） Ｇｅ１本実施例
２に係るＭｎＢ１！ｒ！直磁化膜につ動磁化膜部印加磁
場（横軸）と磁化（縦軸）との関係を示す。第２図（ｂ
）は比較例に係るＭｎＢ１１直磁化躾について、外部印
加磁場（横軸）と磁化（縦軸）との関係を示す。
第２図（ａ）及び第２図（ｂ）からも明らかなように、
熱処理により形成した比較例に係るＭｎＢｉ垂直磁化躾
は、４ケ月放置後の飽和磁化が形成直後の飽和磁化の１
０％に減少した。これに対し、イオンビーム照射により
形成した本実施例２に係るＭｎＢ ｉ垂直磁化膜は、４
ケ月放Ｗｌ後の飽ｆｔ′Ｉ磁化が形成直後の飽和磁化の
５５％に減少しただけであった。これは、本実施例２に
係るＭｎＢ１垂直磁化躾では、高速イオンビーム照射に
より原子混合が均一となり緻密で安定な表面構造が形成
されたため、大気中の湿気の内部浸透が防止されたため
と考えられる。また、Ｍｎ３ ｉ蒸着膜と基板との界面
でも若干の原子混合が起きて、磁化膜の密着性が向上し
ているためと考えられる。そして、本実施例２に係るＭ
ｎ８ｉ垂直磁化膜程度の劣化であれば、イオンビーム照
射後、表面に薄いＳｉＯ膜をコートすれば十分に実用化
できると考えられる。
熱処理により形成した比較例に係るＭｎＢｉ垂直磁化躾
は、４ケ月放置後の飽和磁化が形成直後の飽和磁化の１
０％に減少した。これに対し、イオンビーム照射により
形成した本実施例２に係るＭｎＢ ｉ垂直磁化膜は、４
ケ月放Ｗｌ後の飽ｆｔ′Ｉ磁化が形成直後の飽和磁化の
５５％に減少しただけであった。これは、本実施例２に
係るＭｎＢ１垂直磁化躾では、高速イオンビーム照射に
より原子混合が均一となり緻密で安定な表面構造が形成
されたため、大気中の湿気の内部浸透が防止されたため
と考えられる。また、Ｍｎ３ ｉ蒸着膜と基板との界面
でも若干の原子混合が起きて、磁化膜の密着性が向上し
ているためと考えられる。そして、本実施例２に係るＭ
ｎ８ｉ垂直磁化膜程度の劣化であれば、イオンビーム照
射後、表面に薄いＳｉＯ膜をコートすれば十分に実用化
できると考えられる。
また、参考のため第３図（ａ）及び第３図（ｂ）に、本
実施例のＭｎＢ ｉ垂直磁化膜の４ケ月放置慢の表面状
態、及び比較例のＭｎＢ１１直磁化膜の４ケ月放置後の
表面状態の結晶構造を偏光顕微鏡写真でそれぞれ示す。
実施例のＭｎＢ ｉ垂直磁化膜の４ケ月放置慢の表面状
態、及び比較例のＭｎＢ１１直磁化膜の４ケ月放置後の
表面状態の結晶構造を偏光顕微鏡写真でそれぞれ示す。
これらの図からもわかるように、比較例に係るＭｎＢ１
！直磁化膜では、その表面が粗くポーラス状の構造が見
られるが、本実施例２に係るＭｎＢ１１直磁化躾では、
その表面は均一緻密な構造である。
！直磁化膜では、その表面が粗くポーラス状の構造が見
られるが、本実施例２に係るＭｎＢ１１直磁化躾では、
その表面は均一緻密な構造である。
さらに本実施例２では、Ｍｎ−Ｂ１ｆｆ１ｉ膜上にＡ１
が蒸着されている。これにより、１ｙｌｎの酸化とイオ
ン照射時のＭｎスパッタリングが抑制されていると考え
られる。
が蒸着されている。これにより、１ｙｌｎの酸化とイオ
ン照射時のＭｎスパッタリングが抑制されていると考え
られる。
［発明の効果］
上述したように、本発明のＭｎ３ ｉ垂直磁化膜の形成
方法は、基板上にＭｎ−Ｂ１蒸着膜を形成侵、イオンビ
ーム照射することにより１ｖｌｎ３ ｉ垂直磁化膜を形
成して、磁化膜の表面構造を緻密かつ安定なものとして
いる。したがって、本発明の方法により形成したＭｎ３
１垂直磁化膜を大気中に放置しても、湿気の内部浸透、
ひいては膜質の劣化を抑制することができる。また、Ｍ
ｎ−Ｂ１蒸着膜と基板との界面でも、わずかではあるが
原子混合が起きるので、磁化膜のｉ！！Ｍ性が向上する
。
方法は、基板上にＭｎ−Ｂ１蒸着膜を形成侵、イオンビ
ーム照射することにより１ｖｌｎ３ ｉ垂直磁化膜を形
成して、磁化膜の表面構造を緻密かつ安定なものとして
いる。したがって、本発明の方法により形成したＭｎ３
１垂直磁化膜を大気中に放置しても、湿気の内部浸透、
ひいては膜質の劣化を抑制することができる。また、Ｍ
ｎ−Ｂ１蒸着膜と基板との界面でも、わずかではあるが
原子混合が起きるので、磁化膜のｉ！！Ｍ性が向上する
。
第１図は本実施例１のＭｎａ ＋垂直磁化膜を試料娠＃
ＪＪ型磁化測定装置で外部磁場を基板面に垂直又は平行
に印加したときの外部印加磁場（横軸）と磁化（縦軸）
との関係を示す。第２図（ａ）は本実施例２に係る形成
直後及び４ケ月放置後のＭｎＢ１垂直磁化膜について、
外部印加！１ｆＪ１（横軸）と磁化（縦軸）との関係を
示す。第２図（ｂ）は比較例に係る形成直後及び４ケ月
放置後のＭｎＢ１垂直磁化膜について、外部印加Ｉｌ場
（横軸）と磁化（！軸）との伺係を示す。第３図（ａ）
及び第３図（ｂ）は、本実施例２に係るＭｎ３ ｉ垂直
磁化膜の４ケ月放Ｍ後の表面状態、及び比較例に係るＭ
ｎ［Ｂｉ垂直磁化膜の４ヶ月欣蔚後の表面状態の結晶構
造を表す偏光顕微鏡写真をそれぞれ示す。 特許出願人 株式会社豊［ＪＪ中央研究所代理人
弁理士 大川 宏 第２図（ａ） タト韻ＵＤＤ口覗 （ＫＧ） 第２図（ｂ） タト部１０の０廟 （にＧ） 第１ ダト１ｍ２１Ｏ石交り嶋１ （にＧ） 第３区（ａ） 第３区（ｂ）
ＪＪ型磁化測定装置で外部磁場を基板面に垂直又は平行
に印加したときの外部印加磁場（横軸）と磁化（縦軸）
との関係を示す。第２図（ａ）は本実施例２に係る形成
直後及び４ケ月放置後のＭｎＢ１垂直磁化膜について、
外部印加！１ｆＪ１（横軸）と磁化（縦軸）との関係を
示す。第２図（ｂ）は比較例に係る形成直後及び４ケ月
放置後のＭｎＢ１垂直磁化膜について、外部印加Ｉｌ場
（横軸）と磁化（！軸）との伺係を示す。第３図（ａ）
及び第３図（ｂ）は、本実施例２に係るＭｎ３ ｉ垂直
磁化膜の４ケ月放Ｍ後の表面状態、及び比較例に係るＭ
ｎ［Ｂｉ垂直磁化膜の４ヶ月欣蔚後の表面状態の結晶構
造を表す偏光顕微鏡写真をそれぞれ示す。 特許出願人 株式会社豊［ＪＪ中央研究所代理人
弁理士 大川 宏 第２図（ａ） タト韻ＵＤＤ口覗 （ＫＧ） 第２図（ｂ） タト部１０の０廟 （にＧ） 第１ ダト１ｍ２１Ｏ石交り嶋１ （にＧ） 第３区（ａ） 第３区（ｂ）
Claims (1)
- （１）基板上にＢｉを真空蒸着してＢｉ蒸着膜を形成す
る第１工程と、 該Ｂｉ蒸着膜にさらにＭｎを真空蒸着してＭｎ−Ｂｉ蒸
着膜を形成する第２工程と、 該Ｍｎ−Ｂ１蒸着膜にイオンビーム照射する第３工程と
からなることを特徴とするＭｎＢｉ垂直磁化膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32396488A JPH02170405A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | ＭｎＢｉ垂直磁化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32396488A JPH02170405A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | ＭｎＢｉ垂直磁化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170405A true JPH02170405A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18160596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32396488A Pending JPH02170405A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | ＭｎＢｉ垂直磁化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170405A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536135A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP32396488A patent/JPH02170405A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536135A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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