JPH05350B2 - - Google Patents
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- JPH05350B2 JPH05350B2 JP59194793A JP19479384A JPH05350B2 JP H05350 B2 JPH05350 B2 JP H05350B2 JP 59194793 A JP59194793 A JP 59194793A JP 19479384 A JP19479384 A JP 19479384A JP H05350 B2 JPH05350 B2 JP H05350B2
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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-
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B32/00—Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス原料を火炎加水分解反応する
ことを利用した光フアイバ用ガラス母材に関し、
特に高品質な通信用光フアイバを提供しうる長手
方向に均質でかつ低損失な光フアイバ用ガラス母
材の製造方法に関する。 〔従来の技術〕 光フアイバ用母材を大量に生産するのに適した
方法としては、火炎加水分解反応を利用する方法
があり、その代表的なものとして、VAD法
（Vapor−phase axial deposition method、気
相軸付け法）およびOVPD（Outside Vapor−
phase deposition method、外付け法）等があ
る。これ等の方法は、酸水素炎等の火炎中に
SiCl4等のガラス原料を単独もしくは添加剤と共
に導入して、純粋なもしくはGeO2等の添加物を
含有する石英からなるガラス微粒子を生成させ、
該微粒子を基材上に堆積させることにより、該微
粒子集合体からなる多孔質母材（スート母材もし
くはスート体ともいう）を作製し、該多孔質母材
を高温の雰囲気中で加熱焼結し、透明ガラス化さ
れた母材（ガラスプリフオームともいう）を得る
ものである。 VAD法は、回転する出発部材上に、回転軸と
平行にガラス微粒子を堆積させることにより、円
柱状の中実な多孔質母材を連続的に製造する方法
である（米国特許4135901号明細書等）。 一方、OVPD法は、アルミナ、石英ガラス等
からなる回転する心棒上に、回転軸に対し垂直方
向から、ガラス微粒子からなる薄層を多層に形成
し、該心棒を中心に円筒状多孔質母材を製造する
方法である（米国特許3711262、3737292、
3737293各号明細書等）。 上記の如く得られた多孔質母材は、He等の不
活性ガス雰囲気中高温にて焼結し透明ガラス化す
る。 光フアイバの実用上の問題として、伝送損失特
性の向上が要求され、特に長距離光通信で用いら
れる波長1.30μmでの使用のためには、総損失が
安定に1dB／Km以下であることが必須である。そ
のためには波長1.38μmに吸収を持ち、それによ
り1.30μmにも影響を及ぼして損失増を来す、残
留水分を極力少なくする必要がある。第１図にフ
アイバ中の残留水分量（ppm）と波長1.30μmに
おける損失増（dB／Km）の関係を示す。第１図
からも明らかな如く、損失増を0.3dB／Km以下に
するには残留水分量は0.3ppm以下とせねばなら
ない。 ここで、ガラス素材自身の持つ損失の波長
1.30μmにおける理論限界値は0.3〜0.4dB／Kmで
あるので、上記の残留水分による損失と合せれ
ば、0.6〜0.7dB／Kmの損失となる。 したがつて、総損失が安定に1dB／Km以下を確
保するには、その他の原因に由来する損失増加、
特にその中でも大きな損失増の原因となる、不純
物例えばCuやFe等の遷移金属の吸収に由来する
損失増加を極力抑える必要がある。 表１に、波長0.8μmにおける吸収損失20dB／
Kmを与える、熔融シリカ中の不純物元素量
（ppb）を示す。
ことを利用した光フアイバ用ガラス母材に関し、
特に高品質な通信用光フアイバを提供しうる長手
方向に均質でかつ低損失な光フアイバ用ガラス母
材の製造方法に関する。 〔従来の技術〕 光フアイバ用母材を大量に生産するのに適した
方法としては、火炎加水分解反応を利用する方法
があり、その代表的なものとして、VAD法
（Vapor−phase axial deposition method、気
相軸付け法）およびOVPD（Outside Vapor−
phase deposition method、外付け法）等があ
る。これ等の方法は、酸水素炎等の火炎中に
SiCl4等のガラス原料を単独もしくは添加剤と共
に導入して、純粋なもしくはGeO2等の添加物を
含有する石英からなるガラス微粒子を生成させ、
該微粒子を基材上に堆積させることにより、該微
粒子集合体からなる多孔質母材（スート母材もし
くはスート体ともいう）を作製し、該多孔質母材
を高温の雰囲気中で加熱焼結し、透明ガラス化さ
れた母材（ガラスプリフオームともいう）を得る
ものである。 VAD法は、回転する出発部材上に、回転軸と
平行にガラス微粒子を堆積させることにより、円
柱状の中実な多孔質母材を連続的に製造する方法
である（米国特許4135901号明細書等）。 一方、OVPD法は、アルミナ、石英ガラス等
からなる回転する心棒上に、回転軸に対し垂直方
向から、ガラス微粒子からなる薄層を多層に形成
し、該心棒を中心に円筒状多孔質母材を製造する
方法である（米国特許3711262、3737292、
3737293各号明細書等）。 上記の如く得られた多孔質母材は、He等の不
活性ガス雰囲気中高温にて焼結し透明ガラス化す
る。 光フアイバの実用上の問題として、伝送損失特
性の向上が要求され、特に長距離光通信で用いら
れる波長1.30μmでの使用のためには、総損失が
安定に1dB／Km以下であることが必須である。そ
のためには波長1.38μmに吸収を持ち、それによ
り1.30μmにも影響を及ぼして損失増を来す、残
留水分を極力少なくする必要がある。第１図にフ
アイバ中の残留水分量（ppm）と波長1.30μmに
おける損失増（dB／Km）の関係を示す。第１図
からも明らかな如く、損失増を0.3dB／Km以下に
するには残留水分量は0.3ppm以下とせねばなら
ない。 ここで、ガラス素材自身の持つ損失の波長
1.30μmにおける理論限界値は0.3〜0.4dB／Kmで
あるので、上記の残留水分による損失と合せれ
ば、0.6〜0.7dB／Kmの損失となる。 したがつて、総損失が安定に1dB／Km以下を確
保するには、その他の原因に由来する損失増加、
特にその中でも大きな損失増の原因となる、不純
物例えばCuやFe等の遷移金属の吸収に由来する
損失増加を極力抑える必要がある。 表１に、波長0.8μmにおける吸収損失20dB／
Kmを与える、熔融シリカ中の不純物元素量
（ppb）を示す。
本発明は上述の如き従来技術の有する問題点を
解決し、特に長手方向において安定した屈折率分
布を有し、かつ極めて低損失で波長1.30μmにお
ける損失が1dB／Km以下のフアイバを得ることの
できる優れた光フアイバ用ガラス母材の製造方法
を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち本発明は、原料ガスを火炎加水分解反
応させることによりガラス微粒子を合成し、該ガ
ラス微粒子を基板上に堆積して、円柱状または円
筒状のスート母材を合成し、該スート母材を加熱
焼結して透明ガラス化する方法において、前記ス
ート母材を、スート母材の全長を加熱できる炉長
を有する炉内において、塩素を含んだ雰囲気に
て、少なくともスート母材の径比で20％以上収縮
することを可能とする温度および時間にて脱水処
理を行い、次いで該スート母材を純Heガス雰囲
気において一端より一部分ずつ透明ガラス化可能
な温度域へ挿入し透明ガラス化することを特徴と
する光フアイバ用母材の製造方法を提供する。 本発明における特に好ましい実施態様として
は、脱水する温度が1400℃である上記方法、母材
スート径は80mmφ以上である上記方法、脱水を施
す炉と透明ガラス化する炉が１体となつているも
のを用いる上記方法が挙げられる。 まず本発明に到達した経緯を説明する。 本発明者らの研究努力の結果前述した米国特許
第3993459号明細書に従い作成したガラス母材の
屈折率分布の不安定の原因としては、まず炉内へ
スートの１端から少しずつ挿入して脱水及び焼結
を行うこと、すなわち傾斜焼結によつているた
め、わずかなCl2流量変化や温度変化でもGeO2の
揮散量を変化させ、また揮散したGeCl4，GeO等
は、スート上に再びGeO2として堆積するため屈
折率を変化させるによる。 さらなる原因として、透明ガラス化する程の高
温において脱水していることが挙げられる。上記
のようなスート中のGeO2が熱的に揮散すること
については、GeO2を添加したSiO2スートを不活
性ガス雰囲気中にて加熱し、加熱温度とGeO2揮
散量（重量％）の関係を調べた実験がすでに行わ
れており、この結果を第２図のグラフに示す。な
おグラフの縦軸はGeO2成分揮散量（重量％／分）
の対数値であり、横軸は温度の逆数（104〓／Ｔ）
である第２図から明らかなように加熱温度の上昇
と共にGeO2揮散量は増加し、1500℃においては
1100℃における場合の約５倍にもなる〔文献：
8th Europian Conterence on Optical
Communication Ｃ−25p.629〜632（1982）〕。 またGeO2の塩素化による揮散については、そ
の温度依存性について第３図に示す関係となる。
すなわち第３図から明らかなように、GeO2揮散
量割合は、高温におけるほど大きく、本発明者等
の実験によれば、GeO2揮散量をＶとするとき、
その温度依存性は、 ここでＡ：定数、Ｒ：1987cal／mol、Ｔ：〓
と、アレニウス型の式(3)で表示でき、40Kcal／
molの活性化エネルギーを有しているとわかつ
た。 以上の結果からも、傾斜焼結法により、透明化
する程高温で脱水をも行うことは、GeO2の揮散
が激しく、長手方向に安定した屈折率分布を有す
るガラス母材の作製には適さないことが明らかで
ある。 次に前述の米国特許第4338111号明細書に従い
スート全体を炉内に挿入する場合の欠点なる気泡
発生の問題についても検討した。この原因として
は、スート外周部が先にガラス化し、中心部に占
位する未だガラス化していない空隙中に、雰囲気
ガス、GeO2より揮散したGeOもしくはGeCl4等
が閉じ込められることが考えられ、昇温速度が大
きい程、又、スート径が太い程、気泡の発生は著
しい。例えばスート径が80mmφ以上ではかなり気
泡発生が多く、120mmφ以上ではガラス母材長さ
50cm中に、少なくとも３〜８点もの、肉眼で明ら
かに確認できる程の気泡発生が必ずみられた。ス
ート径が太くなると、径方向におけるスートの嵩
密度分布がゆらぎ、又外周部と中心部ではかなり
の温度差が存在し、甚しい場合は約100℃程の温
度差となり、このために中心部が透明ガラス化す
る以前に周辺部が透明化するため、中心部に気泡
が残りやすい。 さらに本発明者らが研究を進めた結果、80mmφ
以上のスートについて傾斜焼結法を用いると、ス
ートが径方向に急激に収縮し、外周部に亀裂を生
じやすく、スートが径比にして20％程度収縮した
時点までで、この亀裂現象の殆んどが起こつてし
まい、20％を越えると、その後は最早亀裂発生は
見られないとわかつた。従つて、スートが径比に
して少なくとも20％収縮するところまでは、傾斜
焼結法によるよりも、スート全体を収縮させる方
がよい。 また脱水処理の温度については、収縮の起き始
める1100℃以上で1400℃以下が好ましい。余り高
温とすると収縮が激しくなりスートが割れやすく
なる。焼結は1500℃以上1900℃以下の温度にて
Heガス雰囲気で行うことが好ましい。1900℃を
越えるとガラスが引き伸びるため好ましくない。 脱水処理は、例えばCl2、SoCl2、CCl4、F2、
CF4等のハロゲンを含むガスを脱水剤とし、これ
を添加したHe、Ar、N2、O2等の雰囲気中にて
行えばよい。 そして、その後の透明ガラス化は、気泡発生を
抑えるように、傾斜焼結法によりスートの一端か
ら順次高温の炉内に挿入し、少しずつ透明ガラス
化を行う。この時の炉内雰囲気としては、Heガ
ス等。 〔実施例〕 以下実施例により本発明方法とその効果を具体
的に説明する。 実施例 １ VAD法により、コア部組成がGeO2６重量％−
SiO294重量％を有し、ジヤケツト部が純SiO2か
らなり、コア径／クラツド径比が10μm／125μm
であるフアイバが得られるように調整されたスー
ト母材（多孔質母材）を６本試作した。このスー
ト母材は外径90mmφ、長さ600mmであつた。該ス
ート母材の夫々（ガス流量、温度、スート母材下
降速度）を、表２のNo.１〜６に示す脱水条件およ
び透明ガラス化条件にて処理し、ガラス母材を得
た。該ガラス母材を通常の方法にてフアイバ化
し、得られたフアイバの特性を調べた。 ここでNo.１〜No.３については、比較のために、
第４図に示す炉を用いて、スート母材を一端より
徐々に（下降速度２mm／分）挿入し脱水と透明ガ
ラス化を行つたものである。なお図中１はスート
母材、２は支持棒、３は炉心管、４は発熱体、５
は炉本体、６は雰囲気ガス供給口、７は排気口で
ある。 得られたガラス母材はスート径の収縮は径比で
50％であり、又母材中には気泡の発生がみられる
と同時にNo.２については、先端部よりスパイラル
状の亀裂が全体にわたり入つていた。そして両端
部の△ｎの測定結果も表に合せて示したが、No.
１〜No.３のいずれも50％近くの変動幅であつた。 またNo.１とNo.３より得られたフアイバーは、波
長1.30μmにおける損失特性は0.7〜1.5dB／Kmの
範囲でバラついており、残留水分量も0.4〜
0.5ppmであつた。また明らかに気泡存在に由来
するところの損失増加がみられた。No.２の母材に
ついてはフアイバ化できなかつた。 一方、No.４〜No.６については、まず第５図に示
す様な発熱長の長い炉内に800℃の温度でスート
母材を挿入し、次いでCl2、O2、Heを流しながら
3.3℃／分の昇温速度で1350℃まで昇温し、次い
でこの温度にて１時間保持した。その後、Cl2お
よびO2の供給を停止し、第５図の炉の下部に前
もつて具備しておいた、透明ガラス炉７内へ、該
スートを徐々に挿入し、Heガラス雰囲気にて傾
斜焼結法により透明ガラス化した。なお図中１〜
６は第１図の場合と同じを意味し、７は透明ガラ
ス炉、８は炉７の発熱体をあらわす。 以上により得られたガラス母材は、No.４〜No.６
のいずれとも気泡のない透明ガラス化された母材
で、スート径の収縮は35％であり、長手方向の△
ｎ（比屈折率差）は、第２表に示すように、殆ん
ど変動のない安定したものであつた。 またNo.４〜６により得られたガラス母材はいず
れもフアイバ化可能であつた。得られたフアイバ
は、いずれも波長1.30μmにおける損失特性は0.35
〜5dB／Kmと優れており、残留水分量も0.1ppm
以下であつた。 さらに表２のNo.４に示す条件において脱水温度
を1000℃として行つたところスートの収縮は５％
程度であり、1675℃で透明ガラス化する際にこの
スートはスパイラル状のひび割れを生じた（No.
７）。
解決し、特に長手方向において安定した屈折率分
布を有し、かつ極めて低損失で波長1.30μmにお
ける損失が1dB／Km以下のフアイバを得ることの
できる優れた光フアイバ用ガラス母材の製造方法
を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち本発明は、原料ガスを火炎加水分解反
応させることによりガラス微粒子を合成し、該ガ
ラス微粒子を基板上に堆積して、円柱状または円
筒状のスート母材を合成し、該スート母材を加熱
焼結して透明ガラス化する方法において、前記ス
ート母材を、スート母材の全長を加熱できる炉長
を有する炉内において、塩素を含んだ雰囲気に
て、少なくともスート母材の径比で20％以上収縮
することを可能とする温度および時間にて脱水処
理を行い、次いで該スート母材を純Heガス雰囲
気において一端より一部分ずつ透明ガラス化可能
な温度域へ挿入し透明ガラス化することを特徴と
する光フアイバ用母材の製造方法を提供する。 本発明における特に好ましい実施態様として
は、脱水する温度が1400℃である上記方法、母材
スート径は80mmφ以上である上記方法、脱水を施
す炉と透明ガラス化する炉が１体となつているも
のを用いる上記方法が挙げられる。 まず本発明に到達した経緯を説明する。 本発明者らの研究努力の結果前述した米国特許
第3993459号明細書に従い作成したガラス母材の
屈折率分布の不安定の原因としては、まず炉内へ
スートの１端から少しずつ挿入して脱水及び焼結
を行うこと、すなわち傾斜焼結によつているた
め、わずかなCl2流量変化や温度変化でもGeO2の
揮散量を変化させ、また揮散したGeCl4，GeO等
は、スート上に再びGeO2として堆積するため屈
折率を変化させるによる。 さらなる原因として、透明ガラス化する程の高
温において脱水していることが挙げられる。上記
のようなスート中のGeO2が熱的に揮散すること
については、GeO2を添加したSiO2スートを不活
性ガス雰囲気中にて加熱し、加熱温度とGeO2揮
散量（重量％）の関係を調べた実験がすでに行わ
れており、この結果を第２図のグラフに示す。な
おグラフの縦軸はGeO2成分揮散量（重量％／分）
の対数値であり、横軸は温度の逆数（104〓／Ｔ）
である第２図から明らかなように加熱温度の上昇
と共にGeO2揮散量は増加し、1500℃においては
1100℃における場合の約５倍にもなる〔文献：
8th Europian Conterence on Optical
Communication Ｃ−25p.629〜632（1982）〕。 またGeO2の塩素化による揮散については、そ
の温度依存性について第３図に示す関係となる。
すなわち第３図から明らかなように、GeO2揮散
量割合は、高温におけるほど大きく、本発明者等
の実験によれば、GeO2揮散量をＶとするとき、
その温度依存性は、 ここでＡ：定数、Ｒ：1987cal／mol、Ｔ：〓
と、アレニウス型の式(3)で表示でき、40Kcal／
molの活性化エネルギーを有しているとわかつ
た。 以上の結果からも、傾斜焼結法により、透明化
する程高温で脱水をも行うことは、GeO2の揮散
が激しく、長手方向に安定した屈折率分布を有す
るガラス母材の作製には適さないことが明らかで
ある。 次に前述の米国特許第4338111号明細書に従い
スート全体を炉内に挿入する場合の欠点なる気泡
発生の問題についても検討した。この原因として
は、スート外周部が先にガラス化し、中心部に占
位する未だガラス化していない空隙中に、雰囲気
ガス、GeO2より揮散したGeOもしくはGeCl4等
が閉じ込められることが考えられ、昇温速度が大
きい程、又、スート径が太い程、気泡の発生は著
しい。例えばスート径が80mmφ以上ではかなり気
泡発生が多く、120mmφ以上ではガラス母材長さ
50cm中に、少なくとも３〜８点もの、肉眼で明ら
かに確認できる程の気泡発生が必ずみられた。ス
ート径が太くなると、径方向におけるスートの嵩
密度分布がゆらぎ、又外周部と中心部ではかなり
の温度差が存在し、甚しい場合は約100℃程の温
度差となり、このために中心部が透明ガラス化す
る以前に周辺部が透明化するため、中心部に気泡
が残りやすい。 さらに本発明者らが研究を進めた結果、80mmφ
以上のスートについて傾斜焼結法を用いると、ス
ートが径方向に急激に収縮し、外周部に亀裂を生
じやすく、スートが径比にして20％程度収縮した
時点までで、この亀裂現象の殆んどが起こつてし
まい、20％を越えると、その後は最早亀裂発生は
見られないとわかつた。従つて、スートが径比に
して少なくとも20％収縮するところまでは、傾斜
焼結法によるよりも、スート全体を収縮させる方
がよい。 また脱水処理の温度については、収縮の起き始
める1100℃以上で1400℃以下が好ましい。余り高
温とすると収縮が激しくなりスートが割れやすく
なる。焼結は1500℃以上1900℃以下の温度にて
Heガス雰囲気で行うことが好ましい。1900℃を
越えるとガラスが引き伸びるため好ましくない。 脱水処理は、例えばCl2、SoCl2、CCl4、F2、
CF4等のハロゲンを含むガスを脱水剤とし、これ
を添加したHe、Ar、N2、O2等の雰囲気中にて
行えばよい。 そして、その後の透明ガラス化は、気泡発生を
抑えるように、傾斜焼結法によりスートの一端か
ら順次高温の炉内に挿入し、少しずつ透明ガラス
化を行う。この時の炉内雰囲気としては、Heガ
ス等。 〔実施例〕 以下実施例により本発明方法とその効果を具体
的に説明する。 実施例 １ VAD法により、コア部組成がGeO2６重量％−
SiO294重量％を有し、ジヤケツト部が純SiO2か
らなり、コア径／クラツド径比が10μm／125μm
であるフアイバが得られるように調整されたスー
ト母材（多孔質母材）を６本試作した。このスー
ト母材は外径90mmφ、長さ600mmであつた。該ス
ート母材の夫々（ガス流量、温度、スート母材下
降速度）を、表２のNo.１〜６に示す脱水条件およ
び透明ガラス化条件にて処理し、ガラス母材を得
た。該ガラス母材を通常の方法にてフアイバ化
し、得られたフアイバの特性を調べた。 ここでNo.１〜No.３については、比較のために、
第４図に示す炉を用いて、スート母材を一端より
徐々に（下降速度２mm／分）挿入し脱水と透明ガ
ラス化を行つたものである。なお図中１はスート
母材、２は支持棒、３は炉心管、４は発熱体、５
は炉本体、６は雰囲気ガス供給口、７は排気口で
ある。 得られたガラス母材はスート径の収縮は径比で
50％であり、又母材中には気泡の発生がみられる
と同時にNo.２については、先端部よりスパイラル
状の亀裂が全体にわたり入つていた。そして両端
部の△ｎの測定結果も表に合せて示したが、No.
１〜No.３のいずれも50％近くの変動幅であつた。 またNo.１とNo.３より得られたフアイバーは、波
長1.30μmにおける損失特性は0.7〜1.5dB／Kmの
範囲でバラついており、残留水分量も0.4〜
0.5ppmであつた。また明らかに気泡存在に由来
するところの損失増加がみられた。No.２の母材に
ついてはフアイバ化できなかつた。 一方、No.４〜No.６については、まず第５図に示
す様な発熱長の長い炉内に800℃の温度でスート
母材を挿入し、次いでCl2、O2、Heを流しながら
3.3℃／分の昇温速度で1350℃まで昇温し、次い
でこの温度にて１時間保持した。その後、Cl2お
よびO2の供給を停止し、第５図の炉の下部に前
もつて具備しておいた、透明ガラス炉７内へ、該
スートを徐々に挿入し、Heガラス雰囲気にて傾
斜焼結法により透明ガラス化した。なお図中１〜
６は第１図の場合と同じを意味し、７は透明ガラ
ス炉、８は炉７の発熱体をあらわす。 以上により得られたガラス母材は、No.４〜No.６
のいずれとも気泡のない透明ガラス化された母材
で、スート径の収縮は35％であり、長手方向の△
ｎ（比屈折率差）は、第２表に示すように、殆ん
ど変動のない安定したものであつた。 またNo.４〜６により得られたガラス母材はいず
れもフアイバ化可能であつた。得られたフアイバ
は、いずれも波長1.30μmにおける損失特性は0.35
〜5dB／Kmと優れており、残留水分量も0.1ppm
以下であつた。 さらに表２のNo.４に示す条件において脱水温度
を1000℃として行つたところスートの収縮は５％
程度であり、1675℃で透明ガラス化する際にこの
スートはスパイラル状のひび割れを生じた（No.
７）。
以上説明したところおよび実施例の結果から明
らかなように本発明の方法は、残留水分量等の少
ない非常に低損失で、その長手方向における屈折
率分布も安定した非常に優れた光フアイバを提供
しうる光フアイバ用母材の製造することができ
る。
らかなように本発明の方法は、残留水分量等の少
ない非常に低損失で、その長手方向における屈折
率分布も安定した非常に優れた光フアイバを提供
しうる光フアイバ用母材の製造することができ
る。
第１図はフアイバ中の残留水分量（ppm）と、
1.30μmにおける損失増（dB／Km）の関係を示す
グラフであり、第２図はスート中のGeO2成分の
揮散量と温度の関係を示すグラフである、第３図
はGeO2塩素化反応の温度依存性を示すグラフで
あつて、横軸は１／Ｔ×103（〓-1）、縦軸はその
温度におけるGeO2の重量損失割合を示す、第４
図は本発明の実施例に用いた脱水、焼結用装置の
一例で傾斜焼結に用いるものを説明する図、第５
図は本発明の実施例に用いた装置の別の一例で、
発熱体の長さが母材全長より長いものであり、
又、その下部には傾斜焼結用の炉を備えているも
のを説明する図である。
1.30μmにおける損失増（dB／Km）の関係を示す
グラフであり、第２図はスート中のGeO2成分の
揮散量と温度の関係を示すグラフである、第３図
はGeO2塩素化反応の温度依存性を示すグラフで
あつて、横軸は１／Ｔ×103（〓-1）、縦軸はその
温度におけるGeO2の重量損失割合を示す、第４
図は本発明の実施例に用いた脱水、焼結用装置の
一例で傾斜焼結に用いるものを説明する図、第５
図は本発明の実施例に用いた装置の別の一例で、
発熱体の長さが母材全長より長いものであり、
又、その下部には傾斜焼結用の炉を備えているも
のを説明する図である。
１ 円筒状多孔質ガラス母材の中心中空部には弗
素を含まない冷却用ガスを流し、かつ該多孔質ガ
ラス母材の外周部は第１の高温の弗素を含む雰囲
気中に保持し、これにより該多孔質ガラス母材の
半径方向における弗素添加率を変化させた後、該
多孔質ガラス母材を第１の高温より高い第２の高
温雰囲気中に保持し、これにより透明ガラス化す
ることを特徴とする光フアイバ用母材の製造方
法。 ２ 円筒状多孔質ガラス母材が、火炎加水分解反
応により生成されたガラス微粒子の集合体である
特許請求の範囲第１項に記載の光フアイバ用ガラ
ス母材の製造方法。 ３ 円筒状多孔質ガラス母材が実質的に純粋石英
微粒子よりなる特許請求の範囲第１項または第２
項に記載の光フアイバ用ガラス母材の製造方法。 ４ 冷却ガスがHeを含有してなる特許請求の範
囲第１項に記載の光フアイバ用ガラス母材の製造
方法。
素を含まない冷却用ガスを流し、かつ該多孔質ガ
ラス母材の外周部は第１の高温の弗素を含む雰囲
気中に保持し、これにより該多孔質ガラス母材の
半径方向における弗素添加率を変化させた後、該
多孔質ガラス母材を第１の高温より高い第２の高
温雰囲気中に保持し、これにより透明ガラス化す
ることを特徴とする光フアイバ用母材の製造方
法。 ２ 円筒状多孔質ガラス母材が、火炎加水分解反
応により生成されたガラス微粒子の集合体である
特許請求の範囲第１項に記載の光フアイバ用ガラ
ス母材の製造方法。 ３ 円筒状多孔質ガラス母材が実質的に純粋石英
微粒子よりなる特許請求の範囲第１項または第２
項に記載の光フアイバ用ガラス母材の製造方法。 ４ 冷却ガスがHeを含有してなる特許請求の範
囲第１項に記載の光フアイバ用ガラス母材の製造
方法。
Claims (1)
- なつた炉内にて行う特許請求の範囲の第１項に記
載される光フアイバ用母材の製造方法。
Priority Applications (8)
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|---|---|---|---|
| JP59194793A JPS6172644A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 低損失光フアイバの製造方法 |
| AU43822/85A AU574194B2 (en) | 1984-09-19 | 1985-06-19 | Opticalfibre preform manufacture |
| EP85107658A EP0175067B1 (en) | 1984-09-19 | 1985-06-20 | Method for producing glass preform for optical fiber |
| DE8585107658T DE3565249D1 (en) | 1984-09-19 | 1985-06-20 | Method for producing glass preform for optical fiber |
| US06/748,561 US4664690A (en) | 1984-09-19 | 1985-06-25 | Method for producing glass preform for optical fiber |
| KR1019850005439A KR890003707B1 (ko) | 1984-09-19 | 1985-07-29 | 저손실광파이버의 제조방법 |
| CA000487795A CA1238246A (en) | 1984-09-19 | 1985-07-30 | Method for producing glass preform for optical fiber |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59194793A JPS6172644A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 低損失光フアイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6172644A JPS6172644A (ja) | 1986-04-14 |
| JPH05350B2 true JPH05350B2 (ja) | 1993-01-05 |
Family
ID=16330348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59194793A Granted JPS6172644A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 低損失光フアイバの製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4664690A (ja) |
| EP (1) | EP0175067B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6172644A (ja) |
| KR (1) | KR890003707B1 (ja) |
| AU (1) | AU574194B2 (ja) |
| CA (1) | CA1238246A (ja) |
| DE (1) | DE3565249D1 (ja) |
| DK (1) | DK162384C (ja) |
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1984
- 1984-09-19 JP JP59194793A patent/JPS6172644A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-19 AU AU43822/85A patent/AU574194B2/en not_active Ceased
- 1985-06-20 DE DE8585107658T patent/DE3565249D1/de not_active Expired
- 1985-06-20 EP EP85107658A patent/EP0175067B1/en not_active Expired
- 1985-06-25 US US06/748,561 patent/US4664690A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-07-29 KR KR1019850005439A patent/KR890003707B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-07-30 CA CA000487795A patent/CA1238246A/en not_active Expired
- 1985-09-02 DK DK400585A patent/DK162384C/da active
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| AU574194B2 (en) | 1988-06-30 |
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