JPH05345985A - 高濃度ガスを使用した被覆プロセス - Google Patents

高濃度ガスを使用した被覆プロセス

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JPH05345985A
JPH05345985A JP4333306A JP33330692A JPH05345985A JP H05345985 A JPH05345985 A JP H05345985A JP 4333306 A JP4333306 A JP 4333306A JP 33330692 A JP33330692 A JP 33330692A JP H05345985 A JPH05345985 A JP H05345985A
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JP
Japan
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substrate
coating
gas
mixture
pressure
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Application number
JP4333306A
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English (en)
Inventor
David P Jackson
デビッド・ピー・ジャクソン
Orval F Buck
オーバル・エフ・バック
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Raytheon Co
Original Assignee
Hughes Aircraft Co
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Publication date
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Publication of JPH05345985A publication Critical patent/JPH05345985A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2401/00—Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like
    • B05D2401/90—Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like at least one component of the composition being in supercritical state or close to supercritical state

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、単一の連続プロセスで、望ましく
ない溶媒を使用せずに種々の複雑な基体上およびその基
体中に種々の材料を付着することができる被覆プロセス
を提供することを目的とする。 【構成】 選択された材料が選択された高濃度ガスに可
溶性であるような選択された材料と選択された高濃度ガ
スの混合物を基体を配置した被覆室12に供給し、この混
合物を基体の全表面中に完全に浸透させるのに十分な予
め定められた時間にわたってヒータ装置14によって予め
定められた温度に加熱され、ポンプ25によって高濃度ガ
スの臨界圧力以上の圧力で被覆室12中の基体に接触さ
せ、高濃度ガスから選択された材料を溶解させ、それに
よって基体上に被覆を形成するように高濃度ガスの相を
シフトすることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は選択された材料により基
体を被覆する方法に関する。特に、本発明は高濃度ガス
の位相シフトによってこのような被覆を形成する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】種々の物品または構造の製造において、
改良された特性または動作を提供するために完成された
構造上に被覆を設けることが望まれることが多い。例え
ば、被覆は保護外層を提供するか、或は構造に色を付与
するために構造に与えられる。このような被覆を形成す
る既知の方法は、蒸気材料が基体上に付着された固体材
料を形成するように基体の存在時に反応させられる蒸着
プロセスを含む。別の既知のプロセスにおいて、溶媒中
の被覆材料の溶液は基体の表面に与えられ、その後基体
上に所望の被覆を残すように溶媒が蒸発される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】いくつかの場合におい
て、被覆材料は圧力が基体中に被覆材料を注入させるよ
うに直接与えられる静止圧力注入プロセスのように基体
中に注入される。気体、水圧またはピストンであっても
よい圧力伝達体は被覆材料と接触するが、材料に対して
キャリアまたは溶媒として機能しない。これらのプロセ
スは広範囲に使用されているが、材料適応性および能力
をそれぞれ制限している。例えば、蒸着方法は外部材料
面上に金属被覆を付着するためにしばしば使用される。
溶媒蒸発プロセスには環境に望ましくない影響を与える
溶媒の使用が必要である。静止圧力注入プロセスは基体
中またはその上に付加材料の全量を供給する。
【０００４】結果的に、広範囲の適応を有し、環境を破
壊する可能性がある望ましくない溶媒の使用を必要とし
ない被覆プロセスを提供することが現在において必要と
されている。
【０００５】本発明の目的は、単一の連続プロセスで、
望ましくない溶媒を使用せずに種々の複雑な基体上およ
びその基体中に多種の材料を付着することができる被覆
プロセスを提供することである。このプロセスは上記の
従来のプロセスの利点を有し、一方においてそれらの上
記された大きい欠点を克服する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、被覆されるべ
き基体が被覆室中に配置され、基体の全表面に混合物を
完全に浸透させるのに十分な時間期間の間高濃度ガスの
臨界圧力以上の圧力で選択された被覆材料が溶解できる
選択された高濃度ガス中の選択された被覆材料の混合物
と接触されるプロセスに基づいている。その後、高濃度
ガスの相は高濃度ガスから選択された材料を溶解させ、
それによって基体上に選択された材料の被覆を形成する
ようにシフトされる。本発明の上記および多数の別の特
徴および付加的な利点は、以下の詳細な説明および添付
図面を参照することによってさらに良く理解されるであ
ろう。
【０００７】
【実施例】本発明によると、高濃度ガスは基体上に付着
されるべき材料に対してキャリア溶媒として使用され
る。“高濃度ガス”という用語はここでは液状濃度を達
成するために超臨界または副臨界状態のいずれかに圧縮
されたガスを意味するものとして使用される。超臨界ガ
スは、大豆から油を抽出する、コーヒーからカフェイン
を取除く、吸湿体を再生するために活性炭素のような吸
湿体から吸収された材料を除去するように、望ましくな
い材料を除去するために多くの適応において溶媒として
前から使用されている。しかしながら、本発明は基体上
に望ましい材料を付着するために高濃度ガスの優れた溶
媒特性を利用する。このプロセスにおいてキャリア溶媒
として使用される高濃度ガスはそれらを理想的な浸透媒
体にする化学的および物理的特性を有する。圧力依存性
および温度依存性溶質支持能力、低い表面張力、低い粘
性、可変的な流体濃度および広範囲の溶媒パワーのよう
な高濃度流体特性は基体上または基体中に所望の材料を
急速に浸透させ付着させる。
【０００８】本発明にしたがって使用される高濃度ガス
は、超流体に変換されるか、或は処理されている基体の
物理的および化学的特性を劣化しない温度および圧力で
液化される任意の既知のガスを含んでいる。これらのガ
スは典型的に（１）メタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタン、ヘキサン、エチレンおよびプロピレンの
ような炭化水素；（２）テトラフロロメタン、クロロジ
フロロメタン、サルファヘキサフロライドおよびパーフ
ルオロプロパンのようなハロゲン化炭化水素；（３）二
酸化炭素、アンモニア、ヘリウム、クリプトン、アルゴ
ンおよび窒素酸化物のような無機物；並びに（４）それ
らの混合物を含んでいるが、それに限定されるものでは
ない。ここにおいて使用されている“高濃度ガス”とい
う用語はこのような高濃度ガスの混合物を含むことを意
図している。このプロセスにおいて使用される高濃度ガ
スは、それが溶解しなければならない材料のそれに類似
した可溶性の化学的性質を有するように選択される。例
えば、水素結合が付着されるべき材料の内部凝集エネル
ギ内容または安定性に大きく寄与している場合、選択さ
れる高濃度ガスは溶解が発生するために少なくとも中間
の水素結合能力を有していなければならない。いくつか
の場合おいて、所望の溶媒特性を有するために２つ以上
の高濃度ガスの混合物が利用されてもよい。選択された
高濃度ガスはまた清浄にされる基体と適合しなければな
らず、安価で高い健康等に対する安全性を有しているこ
とが好ましい。
【０００９】二酸化炭素は、安価で無害であるため本発
明の実行に使用に対して好ましい高濃度ガスである。二
酸化炭素の臨界温度は 305°Ｋ（32℃）であり、臨界圧
力は72.9気圧である。臨界点より上の圧力において、二
酸化炭素の相は 305°Ｋの臨界温度より上または下に温
度を変化することによって液相と超流体相との間でシフ
トされることができる。
【００１０】本発明にしたがって基体上に付着される選
択された材料は選択された高濃度ガス中で溶解され、続
いて所望の被覆を形成するために高濃度ガスの相を変化
することによって溶液から沈澱されることができる任意
の材料であってよい。選択された材料は気体または液体
のいずれかでよい。“被覆”という用語はここでは表面
が外側であるか、或は基体構造の間隙にある基体上に形
成された材料の層を意味するために使用されている。こ
のような被覆材料は無機物または有機物であってよく、
例えば着色剤、ダイ、発火遅延反応剤、金属、有機金
属、誘電性流体、湿潤剤、防腐剤、着臭剤、脱臭剤、可
塑剤、フィラ、殺生物剤、オキシダント、還元剤または
その他の反応物を含む。２つ以上の材料の混合物が本発
明にしたがって単一ステップで付着されていもよい。
【００１１】付着されるべき選択された材料との使用に
適している高濃度ガスは、高濃度ガスの溶媒パワーに基
づいて選択される。溶媒パワーを示す１つの方法は、文
献（Ａ．Ｆ．バートン氏、“HANDBOOK OF SOLUBILITY P
ARAMETERS AND OTHER COHESION PARAMETERS ”，Boca R
aton，CRC Press ，Inc., 8頁，1983年）において示さ
れているようにヒルデブランド可溶性パラメータ（δ）
概念の使用によるものである。液体に対する気化エネル
ギ（ΔＨl g ）は水素結合のような相互作用と有極／無
極効果の組合せられた結果を反映している。したがっ
て、類似した化合物は類似した気化エネルギを有する傾
向がある。気化エネルギは濃縮状態の化合物に対する凝
集エネルギ密度を明示した数学的な表記の基礎であり、
ヒルデブランドは以下の式にしたがってその平方根を可
溶性パラメータと呼んだ： δliquid＝［（ΔＨl g −ＲＴ）／Ｖ］1/2 ここで、Ｈ＝気化熱、 Ｒ＝気体定数 Ｔ＝温度 Ｖ＝モル体積
【００１２】可溶性パラメータに対する単位は、ｃａｌ
1/2 ｃｍ3/2 またはＭＰａ1/2 凝集圧力単位であり、こ
こで１ｃａｌ1/2 ｃｍ3/2 ＝2.05ＭＰａ1/2 である。可
溶性パラメータ技術の背景の原理は、類似した可溶性パ
ラメータを有する化合物が化学的に等しく、したがって
互いに混合可能でなければならない（すなわち、同じも
のが同じものを溶解する原理）ということである。一般
に、この方法は適切な高濃度ガスキャリア溶媒を付着さ
れるべき所望の材料と整合するために十分に正確であ
る。大きい正確度が要求された場合、もっと正確な計算
方法が知られており、例えばＡ．Ｆ．バートン氏による
上記の文献の 224頁に示されている。
【００１３】本発明によると、付着される材料は最初に
選択された高濃度ガスにおいて溶解され、その後高濃度
ガスは所望の材料が沈澱して基体上に付着されるように
超臨界状態から液体状態に、またはその逆に“相シフ
ト”される。高濃度ガスがある相から別の相にシフトさ
れたとき、高濃度ガスの凝集エネルギ密度または可溶性
パラメータにおける対応した変化が発生する。この可溶
性変化は付着されるべき材料を溶解する高濃度ガスの能
力に影響を与える。このプロセスにしたがって、この相
シフトは付着される材料の高濃度ガスにおける可溶性が
低くなり、基体上に沈澱するように選択される。相シフ
トはポンプおよびバルブ制御シーケンスを使用して高濃
度ガスの圧力を変化し、一方で高濃度ガスの臨界温度以
上である比較的一定のレベルに温度を維持することによ
って達成されることが好ましい。その代りとして、高濃
度ガスの圧力は臨界圧力またはその付近に維持され、温
度は高濃度ガスの相シフトを生じるように加熱素子によ
って加熱することにより変化されてもよい。
【００１４】本発明のプロセスを実行する時に使用され
た動作温度および圧力の値は以下のように計算される。
最初に、付着されるべき材料の凝集エネルギ値が計算さ
れるか、或は可溶値が公開されたデータから得られる。
次に、選択された高濃度ガスまたはガス混合物の臨界温
度および圧力データに基づき、ギディングズ、ヒルデブ
ランド氏他によるような気体溶媒方程式を使用して１組
の圧力／温度値が計算される。その後、可溶性パラメー
タ対温度の１組の曲線は種々の圧力の高濃度ガスに対し
て生成される。これらの曲線から、付着されるべき材料
の凝集エネルギ（または可溶性パラメータ）をブラケッ
トする選択された圧力における相シフト温度範囲が決定
される。これらの計算および解析の複雑さのために、そ
れらはコンピュータおよび関連したソフトウェアによっ
て最も良く達成される。
【００１５】本発明にしたがって所望の材料が付着され
る基体は、このプロセスにおいて使用される上昇された
温度および圧力に耐えることができるだけでなく、付着
されるべき所望の材料および選択された高濃度ガスと適
合可能な任意の材料を含む。基体は簡単なまたは複雑な
形態を有して良く、その他の既知のプロセスによって被
覆することが困難な割れ目の空間を含んでいても良い。
このプロセスで使用される高濃度ガスの優れた浸透性に
より、このプロセスは複雑な幾何学形状および狭い間隔
または接近した公差の境界部分を有する構造上に被覆を
設けるのに特に良好に適する。このプロセスにおける使
用に適した基体は例えばベアリング、セラミック構造、
リベット、ポリマー材料および金属鋳造物を含む。さら
に、種々のタイプの材料から形成された基体は本発明に
したがって単一プロセスで被覆される。
【００１６】本発明の別の実施例によると、基体上に形
成された被覆はそれを修正するように後に処理されても
よい。例えば、紫外線への露出によってポリマーに硬化
されることができる材料の被覆は上記のプロセスによっ
て基体上に形成されることができ、その後被覆は硬化さ
れたポリマーを生成するように紫外線に露出されても良
い。放射線への露出は付着およびパージが完了された後
で被覆室中で行われる。別の例として、上記されたよう
に金属含有材料がこのプロセスにしたがって基体上に付
着されてもよく、その後付着された材料は付着された材
料を金属層に変換する還元剤によって処理される。還元
剤は付着およびパージが終了した後に被覆室中に注入さ
れる。同様に、付着された材料はその組成を変化させる
ために酸化剤により処理されてもよい。
【００１７】本発明のプロセスを実施する時に、基体は
高濃度ガスと適合する材料および付着されるべき選択さ
れた材料から形成され、臨界温度および圧力状態または
その近くで高濃度ガスを維持するために要求される上昇
された温度および圧力に耐えることができる被覆室内に
位置される。ステンレス鋼から形成された高圧力室は市
販のこのような適切な被覆室の１つである。
【００１８】図１において、本発明の一実施例の被覆プ
ロセスのステップを示したフローチャートが示されてい
る。プロセスは上記のタイプの被覆室において実行され
る。基体は被覆室中に配置される。図１に示されている
ように、被覆室は不活性ガス、或は被覆プロセスで使用
されるガスまたはガス混合物で最初にパージされる。そ
の後、ガスまたはガス混合物に対する臨界温度より下
（副臨界）またはガスに対する臨界温度以上（超臨界）
に被覆室の温度が調節される。洗浄にされた容器は次に
選択されたガスまたはガス混合物に対して臨界圧力（Ｐ
ｃ）以上の圧力に加圧される。選択された高濃度ガスと
付着されるべき材料の混合物は付着されるべき材料を含
む室にガスを通すことによって被覆室の外側で形成され
る。この混合物の形成を容易にするために、液体被覆材
料が霧状にされてもよい。混合物状態で付着されるべき
材料の所望の濃度を与えるのに必要なガスの流動率は前
に論じられた可溶性を使用して計算によって決定され
る。その後、混合物はそれが圧縮される被覆室中に注入
される。随意に混合物は被覆室に導入される前に圧縮さ
れてもよい。その代りとして、あまり望ましいとは言え
ないが、付着されるべき材料の貯蔵器が被覆室中に配置
され、高濃度ガスだけが室中に注入されることもでき
る。高濃度ガスおよび付着されるべき材料の混合物と基
体との接触は、混合物が基体の全表面中または全表面上
に完全に浸透することを保証するのに十分なような予め
定められた時間中維持される。この混合物は基体の間隙
中に浸透するため、このプロセスはまた注入プロセスと
考えられる。次に、高濃度ガスはここにおいて前に示さ
れたように付着されるべき材料を高濃度ガス中の溶液か
ら沈澱させ、基体の表面上に被覆を形成するように相シ
フトされる。温度、圧力およびガス流動率の制御は、既
知の方法を使用してコンピュータ制御下に行われること
が最良である。基体は付着されるべき材料および高濃度
ガスの混合物の連続的なバッチに露出され、それは要求
された厚さに所望の材料を付着するために相シフトされ
る。本発明の別の実施例によると、基体上に形成された
被覆は前に示されたように被覆材料を変化するためにさ
らに処理される。被覆プロセスが終了した後、被覆室は
例えばヘリウムまたは窒素によりパージされる。その
後、室は減圧され、被覆された基体は室から取出され
る。
【００１９】本発明のプロセスを実行する例示的なシス
テムは図２に概略的に示されている。システムは高圧被
覆室または容器12を含む。基体は室12中の多数の基体に
適合する負荷ラック（示されていない）上に配置されて
いる。室12内の温度は、被覆室を包囲した冷却システム
（示されていない）と組合せて使用される電力装置16に
よって給電される内部ヒータ装置14によって制御され
る。冷却剤は冷却剤貯蔵器18から冷却剤ライン20を通し
て高圧容器12を包囲している冷却剤ジャケットまたはそ
の他適切な構造（示されていない）中に導入される。高
濃度ガスおよびソース22からの付着されるべき材料の混
合物はポンプ25によって入力ライン24を通して室12中に
注入される。ポンプ25は、使用されている特定の高濃度
ガスに対する臨界圧力以上の圧力に室12の内容を加圧す
るために使用される。この臨界圧力は一般に１平方イン
チ当り約1000乃至10,000ポンドまたは１平方センチメー
タ当り70乃至 700キログラムである。処理圧力は、要求
された相シフト範囲に応じて臨界圧力より上の 1乃至 2
72大気圧（１平方インチ当り15乃至400 ポンドまたは１
平方センチメータ当り1.03乃至281.04キログラム）であ
ることが好ましい。材料が基体上に付着される費された
混合物は排出ライン26を通して室12から除去される。し
たがって、除去された高濃度ガスはプロセスにおいてリ
サイクルされる。
【００２０】図２において概略的に示されている例示的
なシステムの動作は、メニュー駆動プロセス発生および
制御ソフトウェアを使用するコンピュータ30によってほ
とんど有効に制御される。室12の温度および圧力のよう
なアナログ入力は、矢印32で図２に表されるようにコン
ピュータ30によって受信される。コンピュータは室12内
に所望の圧力および温度を維持するために種々のバル
ブ、内部加熱および冷却システムを制御するために矢印
33で表されるようにデジタル出力を提供する。コンピュ
ータのための種々のプログラムは化学組成および洗浄さ
れている特定の基体の幾何学形状、付着される材料、使
用される特定の高濃度流動ガスまたはガス混合物、被覆
の要求される厚さを生成するために必要な時間の量に応
じて変化する。
【００２１】本発明にしたがって基体上に選択された金
属を付着する前に、被覆の品質を劣化する可能な汚染を
全て除去するために基体を正確に洗浄することが望まし
い。既知の正確な洗浄方法が使用されてもよい。しかし
ながら、米国特許第5,013,366 号明細書に示されている
ように高濃度ガスの相シフトを使用した洗浄プロセスを
使用することが特に有効である。その代りとして、洗浄
は本発明の出願人の継続米国出願07/332,124号明細書
（1989年 4月 3日）に示された高濃度流動光化学プロセ
スによって行われてもよい。これらの両洗浄プロセスは
高濃度ガスを使用するため、本発明の予備洗浄およびそ
れに続く被覆プロセスは同じ被覆室において行われても
よい。
【００２２】本発明のプロセスは多くの利点を有してい
る。高濃度ガスのキャリア媒体としての使用は付着され
るべき材料の基体の全表面中への速い浸透性を与える。
さらに、付着される材料の量および溶媒の量は圧力、温
度および高濃度ガスの組成を調節することによって制御
されることができる。結果的に良好な付着制御が達成さ
れ、均一な層が付着されることができる。このプロセス
は、無毒の溶媒が使用され、有毒の副産物が形成される
ことがなく、したがって環境に対する悪影響を回避する
という付加的な利点を有する。
【００２３】本発明のプロセスは広範囲の適用を有して
いる。例えば、ポリマー材料は静電気保護構造を提供す
る界面活性剤で被覆されるか、或はエラストマー材料が
屈曲係数、弾性、硬度、カラーまたは密度のような物理
的特性を変化する化合物で含浸されてもよい。金属層は
複雑なまたは狭い間隔を隔てられた形状を有する基体上
に形成され、或は金属が触媒を形成するように支持構造
上に付着されることができる。放射能またはダイ浸透材
料を注入されることによって構造が非破壊試験に対して
準備されてもよい。脱臭材料は、気密を提供する外部被
覆をさらに設けてもよいクロロフィル誘導化合物の含浸
によって形成されてもよい。材料は防腐剤、防水剤、発
火遅延反応剤または減摩剤の含浸によって改良される。
【００２４】以上、本発明の実施例を説明してきたが、
当業者はこれが単なる例示に過ぎず、その他種々の変
更、適合および修正が本発明の技術的範囲を逸脱するこ
となく行われることを留意すべきである。したがって、
本発明はここに示された特定の実施例に限定されず、添
付された特許請求の範囲によってのみ制限されるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による一実施例のプロセスにおけるステ
ップを示したフローチャート。
【図２】本発明にしたがって使用するための例示的なシ
ステムの概略図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 オーバル・エフ・バック アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90405、サンタ・モニカ、トゥエンテイー フィフス・ストリート 2435

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）選択された材料および選択された
    高濃度ガスの混合物を供給し、前記選択された材料が前
    記選択された高濃度ガスに可溶性であり、 （ｂ）被覆室に基体を配置し、 （ｃ）前記基体の全表面中に前記混合物を完全に浸透さ
    せるのに十分な予め定められた時間にわたって予め定め
    られた温度および前記高濃度ガスの臨界圧力以上の圧力
    で前記混合物を前記室中の前記基体に接触させ、 （ｄ）前記高濃度ガスから前記選択された材料を溶解さ
    せ、それによって前記基体上に前記被覆を形成するよう
    に前記高濃度ガスの相をシフトすることを特徴とする選
    択された材料により基体を被覆する方法。
  2. 【請求項２】 前記高濃度ガスは、前記高濃度ガスの臨
    界温度より下の温度に前記温度を下げるか、或は前記高
    濃度ガスの前記臨界圧力より下の圧力に前記圧力を低下
    することによって超臨界状態から液体状態にシフトされ
    る請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記高濃度ガスは液体状態から超臨界状
    態にシフトされる請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記高濃度ガスは二酸化炭素、窒素酸化
    物、アンモニア、ヘリウム、クリプトン、アルゴン、メ
    タン、エタン、プロパン、プタン、ヘタン、ヘキサン、
    エチレン、プロピレン、テトラフロロメタン、クロロジ
    フロロメタン、サルファヘキサフロライド、パーフロロ
    プロパンおよびその混合物から選択される請求項１記載
    の方法。
  5. 【請求項５】 前記被覆は前記基体の外表面上または隙
    間の表面上に形成される請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記基体の外表面上の前記被覆は紫外線
    に露光される請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 さらに特性を変化するために前記被覆を
    処理する請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記被覆を変化するために前記被覆と化
    学的に反応する選択された反応物に前記被覆を露出させ
    る請求項７記載の方法。
JP4333306A 1991-12-12 1992-12-14 高濃度ガスを使用した被覆プロセス Pending JPH05345985A (ja)

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US80575391A 1991-12-12 1991-12-12
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JP4333306A Pending JPH05345985A (ja) 1991-12-12 1992-12-14 高濃度ガスを使用した被覆プロセス

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US (1) US5403621A (ja)
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KR (1) KR930019861A (ja)
CA (1) CA2079629A1 (ja)
DE (1) DE69225299T2 (ja)
MX (1) MX9207221A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008509010A (ja) * 2004-08-05 2008-03-27 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 付着防止層を堆積する方法
JP2010532258A (ja) * 2007-06-29 2010-10-07 スヴェトリー・テクノロジーズ・アーベー 急速膨張溶液により固体上に超疎水性表面を調製する方法

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69520687T2 (de) * 1994-11-09 2001-08-23 R R Street & Co Verfahren und system zur aufbereitung von unter druck stehenden flüssigen lösungsmitteln zur reinigung von substraten
US5881577A (en) * 1996-09-09 1999-03-16 Air Liquide America Corporation Pressure-swing absorption based cleaning methods and systems
US5908510A (en) * 1996-10-16 1999-06-01 International Business Machines Corporation Residue removal by supercritical fluids
US5789027A (en) * 1996-11-12 1998-08-04 University Of Massachusetts Method of chemically depositing material onto a substrate
US6500605B1 (en) 1997-05-27 2002-12-31 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process
US6306564B1 (en) 1997-05-27 2001-10-23 Tokyo Electron Limited Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide
KR100586481B1 (ko) 1997-09-02 2006-11-30 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판을도금하는방법
JP3945872B2 (ja) * 1997-09-16 2007-07-18 株式会社荏原製作所 めっき前処理方法
US6277753B1 (en) 1998-09-28 2001-08-21 Supercritical Systems Inc. Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US7064070B2 (en) * 1998-09-28 2006-06-20 Tokyo Electron Limited Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
DK199801455A (da) 1998-11-10 2000-05-11 Fls Miljoe A S Fremgangsmåde til imprægnering eller ekstrahering af et harpiksholdigt træsubstrat
US6748960B1 (en) 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
US6689700B1 (en) * 1999-11-02 2004-02-10 University Of Massachusetts Chemical fluid deposition method for the formation of metal and metal alloy films on patterned and unpatterned substrates
US7356580B1 (en) 2000-03-30 2008-04-08 Lam Research Corporation Plug and play sensor integration for a process module
US6526355B1 (en) * 2000-03-30 2003-02-25 Lam Research Corporation Integrated full wavelength spectrometer for wafer processing
US7672747B2 (en) * 2000-03-30 2010-03-02 Lam Research Corporation Recipe-and-component control module and methods thereof
CN1216415C (zh) * 2000-04-25 2005-08-24 东京毅力科创株式会社 沉积金属薄膜的方法和包括超临界干燥/清洁组件的金属沉积组合工具
AU2001290171A1 (en) * 2000-07-26 2002-02-05 Tokyo Electron Limited High pressure processing chamber for semiconductor substrate
US20040011378A1 (en) * 2001-08-23 2004-01-22 Jackson David P Surface cleaning and modification processes, methods and apparatus using physicochemically modified dense fluid sprays
US20030215572A1 (en) * 2000-10-10 2003-11-20 Naoki Nojiri Process for preparing composite particles
US6427544B1 (en) * 2001-03-14 2002-08-06 United Technologies Corporation Environmentally friendly ultra-high sensitivity liquid penetrant inspection process and system
JP4047727B2 (ja) * 2001-04-10 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 流体流れを強化した半導体基板用高圧プロセスチャンバ
US7419772B2 (en) * 2001-11-21 2008-09-02 University Of Massachusetts Mesoporous materials and methods
US20040016450A1 (en) * 2002-01-25 2004-01-29 Bertram Ronald Thomas Method for reducing the formation of contaminants during supercritical carbon dioxide processes
US6924086B1 (en) * 2002-02-15 2005-08-02 Tokyo Electron Limited Developing photoresist with supercritical fluid and developer
AU2003217547A1 (en) * 2002-02-15 2003-09-09 Supercritical Systems Inc. Drying resist with a solvent bath and supercritical co2
EP1481284A4 (en) 2002-03-04 2006-10-25 Tokyo Electron Ltd METHOD FOR PASSIVATING LOW DIELECTRIC MATERIALS IN WELDING PROCESSING
US20040003828A1 (en) * 2002-03-21 2004-01-08 Jackson David P. Precision surface treatments using dense fluids and a plasma
WO2003082486A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-09 Supercritical Systems Inc. Removal of contaminants using supercritical processing
US7341947B2 (en) * 2002-03-29 2008-03-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming metal-containing films over surfaces of semiconductor substrates
US6653236B2 (en) * 2002-03-29 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Methods of forming metal-containing films over surfaces of semiconductor substrates; and semiconductor constructions
US7169540B2 (en) * 2002-04-12 2007-01-30 Tokyo Electron Limited Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning
US20040045578A1 (en) * 2002-05-03 2004-03-11 Jackson David P. Method and apparatus for selective treatment of a precision substrate surface
US20040016436A1 (en) * 2002-07-26 2004-01-29 Charles Thomas Adsorbents for smoking articles comprising a non-volatile organic compound applied using a supercritical fluid
US20040177867A1 (en) * 2002-12-16 2004-09-16 Supercritical Systems, Inc. Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040112409A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040154647A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Supercritical Systems, Inc. Method and apparatus of utilizing a coating for enhanced holding of a semiconductor substrate during high pressure processing
US6875285B2 (en) * 2003-04-24 2005-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for dampening high pressure impact on porous materials
US20040231707A1 (en) * 2003-05-20 2004-11-25 Paul Schilling Decontamination of supercritical wafer processing equipment
US6881437B2 (en) * 2003-06-16 2005-04-19 Blue29 Llc Methods and system for processing a microelectronic topography
US7048968B2 (en) * 2003-08-22 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Methods of depositing materials over substrates, and methods of forming layers over substrates
US7250374B2 (en) * 2004-06-30 2007-07-31 Tokyo Electron Limited System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US7307019B2 (en) * 2004-09-29 2007-12-11 Tokyo Electron Limited Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films
US20060065288A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Darko Babic Supercritical fluid processing system having a coating on internal members and a method of using
US20060102590A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Tokyo Electron Limited Method for treating a substrate with a high pressure fluid using a preoxide-based process chemistry
US20060102204A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Tokyo Electron Limited Method for removing a residue from a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US20060102208A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Tokyo Electron Limited System for removing a residue from a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US20060102591A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate using a supercritical fluid
US7491036B2 (en) * 2004-11-12 2009-02-17 Tokyo Electron Limited Method and system for cooling a pump
US20060130966A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-22 Darko Babic Method and system for flowing a supercritical fluid in a high pressure processing system
US20060135047A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Alexei Sheydayi Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US7140393B2 (en) * 2004-12-22 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems
US7434590B2 (en) * 2004-12-22 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US20060180572A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 Tokyo Electron Limited Removal of post etch residue for a substrate with open metal surfaces
US7291565B2 (en) * 2005-02-15 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid
US7435447B2 (en) * 2005-02-15 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system
US20060180174A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using a peroxide-based process chemistry in conjunction with an initiator
US20060186088A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Gunilla Jacobson Etching and cleaning BPSG material using supercritical processing
US20060185693A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Richard Brown Cleaning step in supercritical processing
US7550075B2 (en) 2005-03-23 2009-06-23 Tokyo Electron Ltd. Removal of contaminants from a fluid
US7442636B2 (en) 2005-03-30 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Method of inhibiting copper corrosion during supercritical CO2 cleaning
US7399708B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-15 Tokyo Electron Limited Method of treating a composite spin-on glass/anti-reflective material prior to cleaning
US20060255012A1 (en) * 2005-05-10 2006-11-16 Gunilla Jacobson Removal of particles from substrate surfaces using supercritical processing
US7789971B2 (en) * 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide
US7524383B2 (en) * 2005-05-25 2009-04-28 Tokyo Electron Limited Method and system for passivating a processing chamber
WO2006138727A2 (en) * 2005-06-17 2006-12-28 The Regents Of The University Of Michigan Apparatus and method of producing net-shape components from alloy sheets
US20070012337A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Tokyo Electron Limited In-line metrology for supercritical fluid processing
FR2891656B1 (fr) * 2005-10-03 2009-05-08 Nexans Sa Cable de transmission de donnees et/ou d'energie a revetement ignifuge et procede d'ignifugation d'un tel revetement
US7588995B2 (en) * 2005-11-14 2009-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method to create damage-free porous low-k dielectric films and structures resulting therefrom
US7565220B2 (en) * 2006-09-28 2009-07-21 Lam Research Corporation Targeted data collection architecture
US7814046B2 (en) * 2006-09-29 2010-10-12 Lam Research Corporation Dynamic component-tracking system and methods therefor
US7951723B2 (en) * 2006-10-24 2011-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated etch and supercritical CO2 process and chamber design
CN101459050B (zh) * 2007-12-14 2013-03-27 盛美半导体设备（上海）有限公司 电化学或化学沉积金属层前预浸润晶片表面的方法和装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61500210A (ja) * 1983-09-01 1986-02-06 バテ−ル　メモリアル　インステイチユ−ト 超臨界流体分子噴霧皮膜堆積および粉末形成
JPH01258770A (ja) * 1987-12-21 1989-10-16 Union Carbide Corp コーテイングの液体噴霧塗布における希釈剤としての超臨界性流体
JPH02111477A (ja) * 1988-07-14 1990-04-24 Union Carbide Corp 超臨界流体を希釈剤として用い、オリフィスから吹付けるコーティングの液体吹付け塗装
JPH02111478A (ja) * 1988-07-14 1990-04-24 Union Carbide Corp 超臨界流体を希釈剤として用い、オリフィスから吹付けるコーティングの静電液体吹付け塗装
JPH03504691A (ja) * 1989-03-22 1991-10-17 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド 接着剤の液状スプレー適用における希釈剤としての超臨界流体
JPH03504690A (ja) * 1989-03-22 1991-10-17 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド プリカーサーコーティング組成物
JPH03504689A (ja) * 1989-03-22 1991-10-17 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド エアレススプレー方法におけるスプレー巾の変化方法
JPH03504878A (ja) * 1989-03-22 1991-10-24 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド 希釈剤としての超臨界流体と共に吹付けるのに適したプリカーサーコーティング組成物
JPH03504828A (ja) * 1989-03-22 1991-10-24 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド フィッシュテイルスプレーをフェザードスプレーに変化させる方法
JPH04222662A (ja) * 1990-12-25 1992-08-12 Nippon Steel Chem Co Ltd 固体表面へのポリマー皮膜形成方法
JPH04260460A (ja) * 1990-09-21 1992-09-16 Union Carbide Chem & Plast Co Inc 超臨界流体を希釈材として含むコーティングをオリフィスからスプレーすることによって適用するための装置及び方法
JPH0568936A (ja) * 1991-09-09 1993-03-23 Mitsubishi Paper Mills Ltd 剥離用シートおよびその製造方法
JPH0596213A (ja) * 1990-08-30 1993-04-20 Nordson Corp 流体希釈剤含有の単相及び多相被覆材料の生成及び吐出方法及び装置
JPH05253517A (ja) * 1991-06-28 1993-10-05 Nordson Corp 飽和レジンリッチ相より実質的になる塗料材配合物を形成する方法及び装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2853066A1 (de) * 1978-12-08 1980-06-26 August Prof Dipl Phys D Winsel Verfahren zur abdeckung der oberflaeche von insbesondere poroesen pulvern oder poroesen koerpern mit schuetzenden oder schmueckenden schichten
US4737384A (en) * 1985-11-01 1988-04-12 Allied Corporation Deposition of thin films using supercritical fluids
DE3737455A1 (de) * 1986-11-06 1988-05-19 Westinghouse Electric Corp Einrichtung und verfahren zum erzeugen von farbmustern
US4737984A (en) * 1986-12-01 1988-04-12 Northern Telecom Limited Dial tone detector
US5013366A (en) * 1988-12-07 1991-05-07 Hughes Aircraft Company Cleaning process using phase shifting of dense phase gases
US5068040A (en) * 1989-04-03 1991-11-26 Hughes Aircraft Company Dense phase gas photochemical process for substrate treatment
FR2659870B1 (fr) * 1990-03-23 1993-03-12 Degremont Perfectionnements apportes aux filtres a membranes, pour ultra ou micro-filtration de liquides, notamment d'eau.
US4970093A (en) * 1990-04-12 1990-11-13 University Of Colorado Foundation Chemical deposition methods using supercritical fluid solutions

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61500210A (ja) * 1983-09-01 1986-02-06 バテ−ル　メモリアル　インステイチユ−ト 超臨界流体分子噴霧皮膜堆積および粉末形成
JPH01258770A (ja) * 1987-12-21 1989-10-16 Union Carbide Corp コーテイングの液体噴霧塗布における希釈剤としての超臨界性流体
JPH02111477A (ja) * 1988-07-14 1990-04-24 Union Carbide Corp 超臨界流体を希釈剤として用い、オリフィスから吹付けるコーティングの液体吹付け塗装
JPH02111478A (ja) * 1988-07-14 1990-04-24 Union Carbide Corp 超臨界流体を希釈剤として用い、オリフィスから吹付けるコーティングの静電液体吹付け塗装
JPH03504689A (ja) * 1989-03-22 1991-10-17 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド エアレススプレー方法におけるスプレー巾の変化方法
JPH03504690A (ja) * 1989-03-22 1991-10-17 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド プリカーサーコーティング組成物
JPH03504691A (ja) * 1989-03-22 1991-10-17 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド 接着剤の液状スプレー適用における希釈剤としての超臨界流体
JPH03504878A (ja) * 1989-03-22 1991-10-24 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド 希釈剤としての超臨界流体と共に吹付けるのに適したプリカーサーコーティング組成物
JPH03504828A (ja) * 1989-03-22 1991-10-24 ユニオン　カーバイド　ケミカルズ　アンド　プラスティックス　カンパニー　インコーポレイテッド フィッシュテイルスプレーをフェザードスプレーに変化させる方法
JPH0596213A (ja) * 1990-08-30 1993-04-20 Nordson Corp 流体希釈剤含有の単相及び多相被覆材料の生成及び吐出方法及び装置
JPH04260460A (ja) * 1990-09-21 1992-09-16 Union Carbide Chem & Plast Co Inc 超臨界流体を希釈材として含むコーティングをオリフィスからスプレーすることによって適用するための装置及び方法
JPH04222662A (ja) * 1990-12-25 1992-08-12 Nippon Steel Chem Co Ltd 固体表面へのポリマー皮膜形成方法
JPH05253517A (ja) * 1991-06-28 1993-10-05 Nordson Corp 飽和レジンリッチ相より実質的になる塗料材配合物を形成する方法及び装置
JPH0568936A (ja) * 1991-09-09 1993-03-23 Mitsubishi Paper Mills Ltd 剥離用シートおよびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008509010A (ja) * 2004-08-05 2008-03-27 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 付着防止層を堆積する方法
JP4753383B2 (ja) * 2004-08-05 2011-08-24 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 付着防止層を堆積する方法
JP2010532258A (ja) * 2007-06-29 2010-10-07 スヴェトリー・テクノロジーズ・アーベー 急速膨張溶液により固体上に超疎水性表面を調製する方法
US8722143B2 (en) 2007-06-29 2014-05-13 Cellutech Ab Method to prepare superhydrophobic surfaces on solid bodies by rapid expansion solutions

Also Published As

Publication number Publication date
KR930019861A (ko) 1993-10-19
EP0546452A1 (en) 1993-06-16
US5403621A (en) 1995-04-04
CA2079629A1 (en) 1993-06-13
DE69225299T2 (de) 1998-12-17
MX9207221A (es) 1993-12-01
DE69225299D1 (de) 1998-06-04
EP0546452B1 (en) 1998-04-29

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