JPH05335301A - シリコン酸化膜の形成方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の形成方法Info
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- JPH05335301A JPH05335301A JP14187492A JP14187492A JPH05335301A JP H05335301 A JPH05335301 A JP H05335301A JP 14187492 A JP14187492 A JP 14187492A JP 14187492 A JP14187492 A JP 14187492A JP H05335301 A JPH05335301 A JP H05335301A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化膜を形成する熱処理炉内で高温水素処理
と酸化膜の形成処理を連続して行い、シリコンウエハ上
に付着する極微細なパーティクル及び自然酸化膜を除去
する。 【構成】 シリコンウエハ上に形成されるシリコン酸化
膜の形成方法において、前記シリコンウエハを炉内へ低
温下で、窒素雰囲気で挿入し、該窒素を水素に置換し、
炉温を高めて高温水素処理を行い、前記水素を不活性ガ
スで置換し、その後、大気に晒すことなく前記炉内にお
いて連続して酸化処理を行う。
と酸化膜の形成処理を連続して行い、シリコンウエハ上
に付着する極微細なパーティクル及び自然酸化膜を除去
する。 【構成】 シリコンウエハ上に形成されるシリコン酸化
膜の形成方法において、前記シリコンウエハを炉内へ低
温下で、窒素雰囲気で挿入し、該窒素を水素に置換し、
炉温を高めて高温水素処理を行い、前記水素を不活性ガ
スで置換し、その後、大気に晒すことなく前記炉内にお
いて連続して酸化処理を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体用シリコンウエ
ハ上の単結晶シリコン又は多結晶シリコンの熱酸化（Ｓ
ｉＯ2 ）膜の形成方法に関するものである。
ハ上の単結晶シリコン又は多結晶シリコンの熱酸化（Ｓ
ｉＯ2 ）膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン酸化膜の形成は、以下の
フローに従って行なわれている。まず、シリコンウエハ
を用意し、そのシリコンウエハの酸化前洗浄を行い、乾
燥を行った後に、大気中の搬送を行い、ボートへ移載し
て、熱処理炉内へ挿入し、Ｏ2 による酸化膜の生成（ド
ライやウェットなどの方式有り）し、炉口へ引出し後、
ボートから取出し、ケースへウエハを移載する。
フローに従って行なわれている。まず、シリコンウエハ
を用意し、そのシリコンウエハの酸化前洗浄を行い、乾
燥を行った後に、大気中の搬送を行い、ボートへ移載し
て、熱処理炉内へ挿入し、Ｏ2 による酸化膜の生成（ド
ライやウェットなどの方式有り）し、炉口へ引出し後、
ボートから取出し、ケースへウエハを移載する。
【０００３】ここで、Ｏ2 による酸化膜生成の概略シー
ケンスを図２に示す。図２は一般的なシリコン酸化膜の
形成方法のシーケンスであり、温度は膜厚の均一性及び
ウエハの変形（そり）防止を目的にウエハの挿入、引出
時を低温とする。いわゆるランピング方式が採られ、こ
の時の酸化炉内雰囲気は酸素（Ｏ2 ）又は酸素と窒素
（Ｎ2 ）の混合ガスが用いられる。酸化膜を生成する高
温（挿入、引出しと同温度の場合もある）時の炉内雰囲
気は酸素（ドライ又はウェット）又は窒素＋酸素（ドラ
イ又はウェット）が用いられる。
ケンスを図２に示す。図２は一般的なシリコン酸化膜の
形成方法のシーケンスであり、温度は膜厚の均一性及び
ウエハの変形（そり）防止を目的にウエハの挿入、引出
時を低温とする。いわゆるランピング方式が採られ、こ
の時の酸化炉内雰囲気は酸素（Ｏ2 ）又は酸素と窒素
（Ｎ2 ）の混合ガスが用いられる。酸化膜を生成する高
温（挿入、引出しと同温度の場合もある）時の炉内雰囲
気は酸素（ドライ又はウェット）又は窒素＋酸素（ドラ
イ又はウェット）が用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来のシリコン酸化膜の形成方法では、洗浄→乾燥後
のシリコンウエハ上に、微細なパーティクルが付着し、
その後、ＳｉＯ2 膜を形成すると、パーティクルに起因
する劣化が生じる。図３は、洗浄−乾燥を行なった６イ
ンチウエハ表面の付着パーティクルをＷＩＳ−８５００
（日立製作所製）を用いて測定した１例である。横軸を
パーティクルサイズ（μｍ）、縦軸はウエハ当たりのパ
ーティクル数（５０枚の平均値）であり、この図から明
らかなように、０．２μｍ以下のパーティクルが多数付
着している。図９にその数値を示す。
た従来のシリコン酸化膜の形成方法では、洗浄→乾燥後
のシリコンウエハ上に、微細なパーティクルが付着し、
その後、ＳｉＯ2 膜を形成すると、パーティクルに起因
する劣化が生じる。図３は、洗浄−乾燥を行なった６イ
ンチウエハ表面の付着パーティクルをＷＩＳ−８５００
（日立製作所製）を用いて測定した１例である。横軸を
パーティクルサイズ（μｍ）、縦軸はウエハ当たりのパ
ーティクル数（５０枚の平均値）であり、この図から明
らかなように、０．２μｍ以下のパーティクルが多数付
着している。図９にその数値を示す。
【０００５】図４はドライＯ2 雰囲気で酸化膜を形成し
た時の酸化膜耐圧分布を示す図であり、横軸に電界（Ｍ
Ｖ／ｃｍ）、縦軸に破壊率（％）を示している。図４
（ａ）はドライＯ2 雰囲気でダイオード面積３０ｍｍ2
の酸化膜を１５（ｎｍ）形成した時の酸化膜耐圧分布、
図４（ｂ）はドライＯ2 雰囲気でダイオード面積３０ｍ
ｍ2 の酸化膜を４（ｎｍ）形成した時の酸化膜耐圧分布
を示しており、パーティクル及び自然酸化膜（通常１〜
２ｎｍ）等が原因で通常ＡモードやＢモードと呼ばれる
耐圧劣化が発生するため、歩留り低下や信頼性が低下す
るという問題点があった。
た時の酸化膜耐圧分布を示す図であり、横軸に電界（Ｍ
Ｖ／ｃｍ）、縦軸に破壊率（％）を示している。図４
（ａ）はドライＯ2 雰囲気でダイオード面積３０ｍｍ2
の酸化膜を１５（ｎｍ）形成した時の酸化膜耐圧分布、
図４（ｂ）はドライＯ2 雰囲気でダイオード面積３０ｍ
ｍ2 の酸化膜を４（ｎｍ）形成した時の酸化膜耐圧分布
を示しており、パーティクル及び自然酸化膜（通常１〜
２ｎｍ）等が原因で通常ＡモードやＢモードと呼ばれる
耐圧劣化が発生するため、歩留り低下や信頼性が低下す
るという問題点があった。
【０００６】これらの詳細の１例として、例えば、「自
然酸化膜を科学する」，ウルトラクリーンテクノロジ
ー，Ｐ．２２〜２８，森田 瑞穂 外１名、「自然酸化
膜を科学する」，ウルトラクリーンテクノロジー，Ｐ．
２９〜３４，服部 健雄などに記載されるものがあっ
た。本発明は、以上述べたシリコンウエハ上に付着する
極微細なパーティクルと自然酸化膜を除去するため、酸
化膜を形成する熱処理炉内で、高温水素処理と酸化膜の
形成処理を連続して行う、優れたシリコン酸化膜の形成
方法を提供することを目的とする。
然酸化膜を科学する」，ウルトラクリーンテクノロジ
ー，Ｐ．２２〜２８，森田 瑞穂 外１名、「自然酸化
膜を科学する」，ウルトラクリーンテクノロジー，Ｐ．
２９〜３４，服部 健雄などに記載されるものがあっ
た。本発明は、以上述べたシリコンウエハ上に付着する
極微細なパーティクルと自然酸化膜を除去するため、酸
化膜を形成する熱処理炉内で、高温水素処理と酸化膜の
形成処理を連続して行う、優れたシリコン酸化膜の形成
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、シリコンウエハ上に形成されるシリコン
酸化膜の形成方法において、前記シリコンウエハを炉内
へ低温下で、窒素雰囲気で挿入し、該窒素を水素に置換
し、炉温を高めて高温水素処理を行い、前記水素を不活
性ガスで置換し、その後、大気に晒すことなく前記炉内
において連続して酸化処理を行うようにしたものであ
る。
成するために、シリコンウエハ上に形成されるシリコン
酸化膜の形成方法において、前記シリコンウエハを炉内
へ低温下で、窒素雰囲気で挿入し、該窒素を水素に置換
し、炉温を高めて高温水素処理を行い、前記水素を不活
性ガスで置換し、その後、大気に晒すことなく前記炉内
において連続して酸化処理を行うようにしたものであ
る。
【０００８】
【作用】本発明によれば、上記したように、高温水素処
理によって微細なパーティクル及び自然酸化膜を除去す
るようにしたので、その後、生成するシリコン酸化膜が
極めて欠陥の少ない膜に仕上がるため、歩留まりが向上
し、高信頼性のデバイス製造を行うことができる。
理によって微細なパーティクル及び自然酸化膜を除去す
るようにしたので、その後、生成するシリコン酸化膜が
極めて欠陥の少ない膜に仕上がるため、歩留まりが向上
し、高信頼性のデバイス製造を行うことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の第１の実施例を示すシリコン酸化
膜の形成方法を示す図であり、温度プロファイルとそれ
に伴う炉内ガス雰囲気を示している。まず、シリコンウ
エハの挿入時には、ドライＮ2 雰囲気で低い温度（例え
ば、８００℃）とし、昇温時にドライＮ2 をＨ2 に置換
する。そこで、高温（例えば、１０００〜１２００℃）
下で水素処理を行い、その後、Ｈ2 を不活性ガスである
Ｎ2 に置換する。そこで、高温のまま、Ｎ2 をＯ2 へ置
換、Ｎ2 ＋Ｏ2 又はＮ 2 ＋ウェットＯ2 により、酸化処
理を行い、その後は、従来のように、降温して、低温と
し、ドライＯ2 又はＯ2 ＋Ｎ2 雰囲気でシリコンウエハ
を引き出す。
する。図１は本発明の第１の実施例を示すシリコン酸化
膜の形成方法を示す図であり、温度プロファイルとそれ
に伴う炉内ガス雰囲気を示している。まず、シリコンウ
エハの挿入時には、ドライＮ2 雰囲気で低い温度（例え
ば、８００℃）とし、昇温時にドライＮ2 をＨ2 に置換
する。そこで、高温（例えば、１０００〜１２００℃）
下で水素処理を行い、その後、Ｈ2 を不活性ガスである
Ｎ2 に置換する。そこで、高温のまま、Ｎ2 をＯ2 へ置
換、Ｎ2 ＋Ｏ2 又はＮ 2 ＋ウェットＯ2 により、酸化処
理を行い、その後は、従来のように、降温して、低温と
し、ドライＯ2 又はＯ2 ＋Ｎ2 雰囲気でシリコンウエハ
を引き出す。
【００１０】このように、この実施例の特徴は、水素処
理後、高温のまま窒素（不活性ガスなら窒素以外でも
可、例えば、Ａｒ，Ｈｅ）置換し、その後、酸化雰囲気
にして所定のＳｉＯ2 膜厚を得るようにしたものであ
る。図５は本発明の第２の実施例を示すシリコン酸化膜
の形成方法を示す図であり、温度プロファイルとそれに
伴う炉内ガス雰囲気を示している。
理後、高温のまま窒素（不活性ガスなら窒素以外でも
可、例えば、Ａｒ，Ｈｅ）置換し、その後、酸化雰囲気
にして所定のＳｉＯ2 膜厚を得るようにしたものであ
る。図５は本発明の第２の実施例を示すシリコン酸化膜
の形成方法を示す図であり、温度プロファイルとそれに
伴う炉内ガス雰囲気を示している。
【００１１】この図に示すように、まず、シリコンウエ
ハの挿入時には、ドライＮ2 雰囲気で低温とし、ドライ
Ｎ2 をＨ2 に置換し、昇温を行い、高温で水素処理を行
うと一度降温する。そこで、低温状態で、Ｈ2 をＯ2 又
はＨ2 を、Ｎ2 ＋Ｏ2 にガス置換し、その後、昇温し
て、高温状態で、Ｏ2 （ドライあるいはウェット）又は
Ｎ2 ＋Ｏ2 （ドライあるいはウェット）により、酸化処
理を行う。そこで、降温して低温下で、Ｏ2 、Ｎ2 又は
Ｎ2 ＋Ｏ2 雰囲気でシリコンウエハを引き出す。
ハの挿入時には、ドライＮ2 雰囲気で低温とし、ドライ
Ｎ2 をＨ2 に置換し、昇温を行い、高温で水素処理を行
うと一度降温する。そこで、低温状態で、Ｈ2 をＯ2 又
はＨ2 を、Ｎ2 ＋Ｏ2 にガス置換し、その後、昇温し
て、高温状態で、Ｏ2 （ドライあるいはウェット）又は
Ｎ2 ＋Ｏ2 （ドライあるいはウェット）により、酸化処
理を行う。そこで、降温して低温下で、Ｏ2 、Ｎ2 又は
Ｎ2 ＋Ｏ2 雰囲気でシリコンウエハを引き出す。
【００１２】なお、この場合、水素処理及び酸化処理時
には、１１００〜１２００℃の高温とし、例えば、１５
ｎｍの膜厚のシリコン酸化膜を形成する。また、ここで
は、ＲＴＯ（ラピット・サーマル・オキシレーション）
により、温度の制御を容易にすることが望ましい。この
ように、この実施例の特徴は、高温水素処理後に安全性
の向上とシリコン窒化膜の生成防止を目的に、一度低温
にして窒素置換を行い、その後、酸化雰囲気にして、所
定のＳｉＯ2 膜厚（厚めの膜厚を得るのに適している）
を得るようにしたものである。
には、１１００〜１２００℃の高温とし、例えば、１５
ｎｍの膜厚のシリコン酸化膜を形成する。また、ここで
は、ＲＴＯ（ラピット・サーマル・オキシレーション）
により、温度の制御を容易にすることが望ましい。この
ように、この実施例の特徴は、高温水素処理後に安全性
の向上とシリコン窒化膜の生成防止を目的に、一度低温
にして窒素置換を行い、その後、酸化雰囲気にして、所
定のＳｉＯ2 膜厚（厚めの膜厚を得るのに適している）
を得るようにしたものである。
【００１３】図６は本発明の第３の実施例を示すシリコ
ン酸化膜の形成方法を示す図であり、温度プロファイル
とそれに伴う炉内ガス雰囲気を示している。この図に示
すように、まず、シリコンウエハの挿入時には、ドライ
Ｎ2 雰囲気で低温とし、ドライＮ2 をＨ2 に置換し、昇
温を行い、高温で水素処理を行うと一度降温する。そこ
で、低温状態で、Ｈ2 をＯ2 又はＨ2 をＮ2 ＋Ｏ2 にガ
ス置換し、その後、昇温して、高温状態で、Ｏ2 （ドラ
イあるいはウェット）又はＮ 2 ＋Ｏ2 （ドライあるいは
ウェット）により、酸化処理を行う。そこで、降温して
低温下で、Ｏ2 、Ｎ2 又はＮ2 ＋Ｏ2 雰囲気でシリコン
ウエハを引き出す。
ン酸化膜の形成方法を示す図であり、温度プロファイル
とそれに伴う炉内ガス雰囲気を示している。この図に示
すように、まず、シリコンウエハの挿入時には、ドライ
Ｎ2 雰囲気で低温とし、ドライＮ2 をＨ2 に置換し、昇
温を行い、高温で水素処理を行うと一度降温する。そこ
で、低温状態で、Ｈ2 をＯ2 又はＨ2 をＮ2 ＋Ｏ2 にガ
ス置換し、その後、昇温して、高温状態で、Ｏ2 （ドラ
イあるいはウェット）又はＮ 2 ＋Ｏ2 （ドライあるいは
ウェット）により、酸化処理を行う。そこで、降温して
低温下で、Ｏ2 、Ｎ2 又はＮ2 ＋Ｏ2 雰囲気でシリコン
ウエハを引き出す。
【００１４】図６に示すように、第３の実施例における
高温水素処理は高温、例えば１２００℃程度で行い、そ
の後、一度温度を下げ、酸化処理時に温度を上げるが、
その酸化温度は水素処理時の温度よりは少し下げる（例
えば、Ｎ2 ＋Ｏ2 雰囲気で、膜厚１５ｎｍを形成する場
合、９００℃とし、また、Ｎ2 ＋Ｏ2 雰囲気で、膜厚４
ｎｍを形成する場合、８５０℃とする）。
高温水素処理は高温、例えば１２００℃程度で行い、そ
の後、一度温度を下げ、酸化処理時に温度を上げるが、
その酸化温度は水素処理時の温度よりは少し下げる（例
えば、Ｎ2 ＋Ｏ2 雰囲気で、膜厚１５ｎｍを形成する場
合、９００℃とし、また、Ｎ2 ＋Ｏ2 雰囲気で、膜厚４
ｎｍを形成する場合、８５０℃とする）。
【００１５】このようにして、酸化雰囲気にて所定のＳ
ｉＯ2 膜厚を得ることができる。また、ここでも、ＲＴ
Ｏ（ラピット・サーマル・オキシレーション）により、
温度の制御を容易にすることが望ましい。図７は本発明
を適用したシリコン酸化膜上のパーティクルサイズとパ
ーティクル個数の関係を示す図であり、図５及び図６に
示すＡ点において、計測したものである。ここで、横軸
はパーティクルサイズ（μｍ）、縦軸はウエハ当たりの
パーティクル数（５０枚の平均値）を示している。
ｉＯ2 膜厚を得ることができる。また、ここでも、ＲＴ
Ｏ（ラピット・サーマル・オキシレーション）により、
温度の制御を容易にすることが望ましい。図７は本発明
を適用したシリコン酸化膜上のパーティクルサイズとパ
ーティクル個数の関係を示す図であり、図５及び図６に
示すＡ点において、計測したものである。ここで、横軸
はパーティクルサイズ（μｍ）、縦軸はウエハ当たりの
パーティクル数（５０枚の平均値）を示している。
【００１６】図８は本発明を適用して得られたシリコン
酸化膜の耐圧分布を示す図である。この図において、横
軸に電界（ＭＶ／ｃｍ）、縦軸に破壊率（％）を示して
いる。図８（ａ）はドライＯ2 ＋Ｎ2 雰囲気で９００℃
でダイオード面積３０ｍｍ 2 の酸化膜を１５（ｎｍ）形
成した時の酸化膜耐圧分布、図８（ｂ）はドライＯ 2 ＋
Ｎ2 雰囲気で８５０℃でダイオード面積３０ｍｍ2 の酸
化膜を４（ｎｍ）形成した時の酸化膜耐圧分布を示して
いる。
酸化膜の耐圧分布を示す図である。この図において、横
軸に電界（ＭＶ／ｃｍ）、縦軸に破壊率（％）を示して
いる。図８（ａ）はドライＯ2 ＋Ｎ2 雰囲気で９００℃
でダイオード面積３０ｍｍ 2 の酸化膜を１５（ｎｍ）形
成した時の酸化膜耐圧分布、図８（ｂ）はドライＯ 2 ＋
Ｎ2 雰囲気で８５０℃でダイオード面積３０ｍｍ2 の酸
化膜を４（ｎｍ）形成した時の酸化膜耐圧分布を示して
いる。
【００１７】図７から明らかなように、従来のものに比
して、極微細なパーティクルが減少しており、また、本
発明のように、高温水素処理後、不活性ガスに置換し、
大気に晒すことなく連続して形成されたシリコン酸化膜
の耐圧を測定した結果、図８に示すように、極めて良好
な特性が得られた。なお、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形
が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもの
ではない。
して、極微細なパーティクルが減少しており、また、本
発明のように、高温水素処理後、不活性ガスに置換し、
大気に晒すことなく連続して形成されたシリコン酸化膜
の耐圧を測定した結果、図８に示すように、極めて良好
な特性が得られた。なお、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形
が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもの
ではない。
【００１８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、高温水素処理によって微細なパーティクル及び
自然酸化膜を除去するようにしたので、その後、生成す
るシリコン酸化膜が極めて欠陥の少ない膜に仕上がるた
め、歩留まりが向上し、高信頼性のデバイス製造を行う
ことができる。
よれば、高温水素処理によって微細なパーティクル及び
自然酸化膜を除去するようにしたので、その後、生成す
るシリコン酸化膜が極めて欠陥の少ない膜に仕上がるた
め、歩留まりが向上し、高信頼性のデバイス製造を行う
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すシリコン酸化膜の
形成方法を示す図である。
形成方法を示す図である。
【図２】従来のシリコン酸化膜の形成方法を示す図であ
る。
る。
【図３】従来のシリコン酸化膜上のパーティクルサイズ
とパーティクル個数の関係を示す図である。
とパーティクル個数の関係を示す図である。
【図４】従来のシリコン酸化膜の耐圧分布を示す図であ
る。
る。
【図５】本発明の第２の実施例を示すシリコン酸化膜の
形成方法を示す図である。
形成方法を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施例を示すシリコン酸化膜の
形成方法を示す図である。
形成方法を示す図である。
【図７】本発明を適用したシリコン酸化膜上のパーティ
クルサイズとパーティクル個数の関係を示す図である。
クルサイズとパーティクル個数の関係を示す図である。
【図８】本発明を適用して得られたシリコン酸化膜の耐
圧分布を示す図である。
圧分布を示す図である。
【図９】従来のシリコン酸化膜及び本発明のシリコン酸
化膜上のパーティクルサイズとパーティクル個数を示す
図である。
化膜上のパーティクルサイズとパーティクル個数を示す
図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンウエハ上に形成されるシリコン
酸化膜の形成方法において、 （ａ）前記シリコンウエハを炉内へ低温下で、窒素雰囲
気で挿入し、 （ｂ）該窒素を水素に置換し、炉温を高めて高温水素処
理を行い、 （ｃ）前記水素を不活性ガスで置換し、 （ｄ）その後、大気に晒すことなく前記炉内において連
続して酸化処理を行うことを特徴とするシリコン酸化膜
の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のシリコン酸化膜の形成方
法において、前記高温水素処理後に炉温を下げて、ガス
置換を行い、再び高温にして酸化処理を行うことを特徴
とするシリコン酸化膜形成方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のシリコン酸化膜の形成方
法において、前記高温水素処理を前記酸化処理よりも高
温下で行うことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14187492A JPH05335301A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14187492A JPH05335301A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335301A true JPH05335301A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15302174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14187492A Withdrawn JPH05335301A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335301A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6042900A (en) * | 1996-03-12 | 2000-03-28 | Alexander Rakhimov | CVD method for forming diamond films |
| WO2006009148A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Sumco Corporation | Ｓｉｍｏｘ基板の製造方法 |
| JP2010040589A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2010080582A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2014168090A (ja) * | 2014-04-24 | 2014-09-11 | Globalwafers Japan Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
| WO2018055724A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
1992
- 1992-06-03 JP JP14187492A patent/JPH05335301A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
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| JPWO2018055724A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2019-04-25 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
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