JPH0530913B2 - - Google Patents
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- JPH0530913B2 JPH0530913B2 JP59179247A JP17924784A JPH0530913B2 JP H0530913 B2 JPH0530913 B2 JP H0530913B2 JP 59179247 A JP59179247 A JP 59179247A JP 17924784 A JP17924784 A JP 17924784A JP H0530913 B2 JPH0530913 B2 JP H0530913B2
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- etching
- metal plate
- hole
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はカラー受像管に用いられるシヤドウマ
スクの製造方法に係わり、特にそのエツチング方
法に関するものである。
スクの製造方法に係わり、特にそのエツチング方
法に関するものである。
カラー受像管に用いられるシヤドウマスクは異
なる発光色の群からなる螢光面に近接対向して配
置され、規則正しく配列された多数の透孔を介し
て色選別機能を果たす重要な部材である。このシ
ヤドウマスクは通常、帯状の金属薄板からエツチ
ングにより多数の透孔が穿設されるが、その開孔
形状、特に断面形状は板厚方向に貫通している開
孔径に対して螢光面側の表面の開孔領域は大きく
（以降大孔と称す）、電子銃側の表面の開孔領域は
貫通開孔径と同程度で螢光面側のそれよりは小さ
い（以降小孔）と称す。
なる発光色の群からなる螢光面に近接対向して配
置され、規則正しく配列された多数の透孔を介し
て色選別機能を果たす重要な部材である。このシ
ヤドウマスクは通常、帯状の金属薄板からエツチ
ングにより多数の透孔が穿設されるが、その開孔
形状、特に断面形状は板厚方向に貫通している開
孔径に対して螢光面側の表面の開孔領域は大きく
（以降大孔と称す）、電子銃側の表面の開孔領域は
貫通開孔径と同程度で螢光面側のそれよりは小さ
い（以降小孔）と称す。
このような複数な断面形状を有する開孔をエツ
チングにより穿設する場合、両面側からのエツチ
ング或は両者の組み合せ等のエツチング方法があ
げられる。しかし乍らその開孔径が小さくなる程
その精度と再現性は低下し、板厚より小さい開孔
径を得ることは困難である。このような板厚より
小さい開孔径を得る方法として、特公昭57−
26345号公報では第２図及び第３図ａ乃至ｄに示
すように提案がなされている。即ち、第３図ａに
示すように金属板１のエツチングすべき大小孔部
に相当する金属面２及び３が露出し、他は耐エツ
チング性を有するレジスト膜４及び５で覆われた
金属板１の大孔Daを形成する金属面を下にし、
第２図ａのゾーンにて第３図ｂに示すように金属
板１の両面より目的とする深さ、つまり金属板残
部厚Ｈまで前段のエツチングを行なつた後、第２
図ｂのゾーンで水洗し第２図ｃのゾーンで乾燥す
る。次いで第３図ｂに示すように小孔Dbを形成
した金属板面にアスフアルト、パラフイン又は重
合プラスチツク等のエツチング液に対して抵抗性
を有する材料を第２図ｄのゾーンにてスプレー
し、第２図ｅのゾーンにて乾燥することによつて
抵抗層６を形成する。その後第３図ｃに示すよう
に大孔Da側のみから第２図ｆのゾーンにて後段
のエツチングを行ない、小孔Dbを埋めている抵
抗層６に到達し目的とする孔寸法になるまでエツ
チングを続ける。エツチング終了後、水洗、抵抗
層及びレジスト膜剥離等の次工程ｇへ送り第３図
ｄに示すように透孔が得られる。このような方法
により金属板の板厚の40％程度の孔寸法を有する
シヤドウマスクが得られるとしている。
チングにより穿設する場合、両面側からのエツチ
ング或は両者の組み合せ等のエツチング方法があ
げられる。しかし乍らその開孔径が小さくなる程
その精度と再現性は低下し、板厚より小さい開孔
径を得ることは困難である。このような板厚より
小さい開孔径を得る方法として、特公昭57−
26345号公報では第２図及び第３図ａ乃至ｄに示
すように提案がなされている。即ち、第３図ａに
示すように金属板１のエツチングすべき大小孔部
に相当する金属面２及び３が露出し、他は耐エツ
チング性を有するレジスト膜４及び５で覆われた
金属板１の大孔Daを形成する金属面を下にし、
第２図ａのゾーンにて第３図ｂに示すように金属
板１の両面より目的とする深さ、つまり金属板残
部厚Ｈまで前段のエツチングを行なつた後、第２
図ｂのゾーンで水洗し第２図ｃのゾーンで乾燥す
る。次いで第３図ｂに示すように小孔Dbを形成
した金属板面にアスフアルト、パラフイン又は重
合プラスチツク等のエツチング液に対して抵抗性
を有する材料を第２図ｄのゾーンにてスプレー
し、第２図ｅのゾーンにて乾燥することによつて
抵抗層６を形成する。その後第３図ｃに示すよう
に大孔Da側のみから第２図ｆのゾーンにて後段
のエツチングを行ない、小孔Dbを埋めている抵
抗層６に到達し目的とする孔寸法になるまでエツ
チングを続ける。エツチング終了後、水洗、抵抗
層及びレジスト膜剥離等の次工程ｇへ送り第３図
ｄに示すように透孔が得られる。このような方法
により金属板の板厚の40％程度の孔寸法を有する
シヤドウマスクが得られるとしている。
エツチングによつて目的とする寸法形状の透孔
を穿設する場合、金属板板厚方向にエツチングが
進行すると同時に横方向へのエツチング即ちサイ
ドエツチングも進行し、このサイドエツチングを
どの程度に制御するかが重要の問題となる。また
最終的に貫通する透孔寸法を決定する小孔部のエ
ツチングも重要である。従つて金属板の両面より
同時にエツチングを行なう両面エツチングのみで
は板厚に対応したサイドエツチングが進行し孔寸
法が大きくなり、結果として小さな寸法の透孔を
得ることは困難である。またサイドエツチング量
を加味して孔寸法を小さくする場合は、レジスト
開孔部の寸法を小さくしなければならずレジスト
膜焼付用パターン寸法を小さくする必要がある。
しかし乍らパターン寸法が小さくなる程パターン
むら品位も低下し結果的に良い品位の透孔を得る
ことは困難となる。このような観点から第２図に
示すエツチング方法は透孔寸法を決定する小孔部
を目的の寸法まで前段でエツチングし、エツチン
グ抵抗材で埋め保護するため、後段の大孔側から
のエツチング時も小孔側のサイドエツチングの進
行はない。即ち前段のサイドエツチング量が少な
い状態で寸法を固定できるためむら品位の少ない
透孔を穿設することが可能となる。
を穿設する場合、金属板板厚方向にエツチングが
進行すると同時に横方向へのエツチング即ちサイ
ドエツチングも進行し、このサイドエツチングを
どの程度に制御するかが重要の問題となる。また
最終的に貫通する透孔寸法を決定する小孔部のエ
ツチングも重要である。従つて金属板の両面より
同時にエツチングを行なう両面エツチングのみで
は板厚に対応したサイドエツチングが進行し孔寸
法が大きくなり、結果として小さな寸法の透孔を
得ることは困難である。またサイドエツチング量
を加味して孔寸法を小さくする場合は、レジスト
開孔部の寸法を小さくしなければならずレジスト
膜焼付用パターン寸法を小さくする必要がある。
しかし乍らパターン寸法が小さくなる程パターン
むら品位も低下し結果的に良い品位の透孔を得る
ことは困難となる。このような観点から第２図に
示すエツチング方法は透孔寸法を決定する小孔部
を目的の寸法まで前段でエツチングし、エツチン
グ抵抗材で埋め保護するため、後段の大孔側から
のエツチング時も小孔側のサイドエツチングの進
行はない。即ち前段のサイドエツチング量が少な
い状態で寸法を固定できるためむら品位の少ない
透孔を穿設することが可能となる。
しかし乍らシヤドウマスクの透孔は電子ビーム
が斜めに入射通過する量を確保するためにその最
小孔径部の形状が重要である。例えば、短形状の
透孔を有するシヤドウマスクは第４図に示すよう
な透孔配列を有しておりＡ−Ａ線に沿うスリツト
断面とＢ−Ｂ線に沿うブリツジ断面は極めて異な
つた形状を有している。第４図は螢光面側から見
た平面図である。この断面形状はエツチング方法
によつて大きな差異を生ずる。スリツト断面に対
しては第２図に示すエツチング法では第５図ｂに
示すように大孔３と小孔２が合致した部分の小孔
２からの高さｔが第５図ａに示す両面エツチング
の場合に比較しその部分の壁が切り立つているた
めに斜めに入射する電子ビームの通過がその分だ
け妨たげられる。ブリツジ断面に対しては第２図
に示すエツチング法では第６図ｂに示すように大
小孔の合致した部分の幅Ｗが第６図ａに示す両面
エツチングの場合に比較し大きくなるために同じ
く電子ビームの通過がその分だけ妨たげられる。
これは両面エツチングにおいては、大小孔が合致
し貫通した後貫通孔をエツチング液が通り抜ける
ので突出した大小孔合致部が削られるためであ
る。従つて第２図に示すエツチング法では小孔部
がエツチング抵抗材で埋められているためエツチ
ング液のエツチング孔内通り抜けがなく新エツチ
ング液との交換効率が悪いため大小孔合致部の削
れ速度が遅い。この結果両面エツチングに比較
し、ｔに関しては前段でエツチングされた小孔部
板厚方向の深度がそのまま残り易く大きな値を示
し且つ壁が切り立つている。ブリツヂ寸法に関し
ては、スリツト部に比較して大小孔レジストパタ
ーン開口部の配列状態の関係でエツチング液の衝
撃力が弱いことと兼ね合つてスリツト部より大小
孔合致部の削れ量が少なく太くなる。ｔが大きな
場合、特に周辺部において電子ビームが小孔金属
板面側から大小孔合致部までで形成されつ壁に衝
突しビーム欠けを起すと共に、衝突反射した散乱
電子が目的とするマスク孔以外の孔を通つて他色
の螢光体にあたるため黒しずみが悪くなりコント
ラストの低下を招く。一方ブリツヂ寸法が所望の
ものより太くなつた場合には輝度が低下するとと
もに、例えば螢光体層間に黒色の光吸収ストライ
プ層を形成する工程でブリツヂ部での光量不足が
生じくびれ量が増え、螢光面の外観むら品位が低
下する欠点を有する。
が斜めに入射通過する量を確保するためにその最
小孔径部の形状が重要である。例えば、短形状の
透孔を有するシヤドウマスクは第４図に示すよう
な透孔配列を有しておりＡ−Ａ線に沿うスリツト
断面とＢ−Ｂ線に沿うブリツジ断面は極めて異な
つた形状を有している。第４図は螢光面側から見
た平面図である。この断面形状はエツチング方法
によつて大きな差異を生ずる。スリツト断面に対
しては第２図に示すエツチング法では第５図ｂに
示すように大孔３と小孔２が合致した部分の小孔
２からの高さｔが第５図ａに示す両面エツチング
の場合に比較しその部分の壁が切り立つているた
めに斜めに入射する電子ビームの通過がその分だ
け妨たげられる。ブリツジ断面に対しては第２図
に示すエツチング法では第６図ｂに示すように大
小孔の合致した部分の幅Ｗが第６図ａに示す両面
エツチングの場合に比較し大きくなるために同じ
く電子ビームの通過がその分だけ妨たげられる。
これは両面エツチングにおいては、大小孔が合致
し貫通した後貫通孔をエツチング液が通り抜ける
ので突出した大小孔合致部が削られるためであ
る。従つて第２図に示すエツチング法では小孔部
がエツチング抵抗材で埋められているためエツチ
ング液のエツチング孔内通り抜けがなく新エツチ
ング液との交換効率が悪いため大小孔合致部の削
れ速度が遅い。この結果両面エツチングに比較
し、ｔに関しては前段でエツチングされた小孔部
板厚方向の深度がそのまま残り易く大きな値を示
し且つ壁が切り立つている。ブリツヂ寸法に関し
ては、スリツト部に比較して大小孔レジストパタ
ーン開口部の配列状態の関係でエツチング液の衝
撃力が弱いことと兼ね合つてスリツト部より大小
孔合致部の削れ量が少なく太くなる。ｔが大きな
場合、特に周辺部において電子ビームが小孔金属
板面側から大小孔合致部までで形成されつ壁に衝
突しビーム欠けを起すと共に、衝突反射した散乱
電子が目的とするマスク孔以外の孔を通つて他色
の螢光体にあたるため黒しずみが悪くなりコント
ラストの低下を招く。一方ブリツヂ寸法が所望の
ものより太くなつた場合には輝度が低下するとと
もに、例えば螢光体層間に黒色の光吸収ストライ
プ層を形成する工程でブリツヂ部での光量不足が
生じくびれ量が増え、螢光面の外観むら品位が低
下する欠点を有する。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、金
属板板厚より小さく且つ電子ビームの通過に最適
な断面形状を有する透孔を均一に形成することを
目的とする。
属板板厚より小さく且つ電子ビームの通過に最適
な断面形状を有する透孔を均一に形成することを
目的とする。
本発明は、金属薄板の両面の所定の前記開孔領
域とすべき部分以外の部分を耐エツチングレジス
ト膜で被覆し、前記金属薄板の一方の面のみ前段
のエツチングを行なつて所定の凹部を形成し、前
記前段のエツチングで形成された凹部を含む面を
エツチング抵抗材で被覆保護し、前記金属薄板の
エツチング抵抗材を有さない他方の面のみ前段の
エツチングにより凹部に到達するまで後段のエツ
チングを行ない透孔を貫通穿設し、前記金属薄板
の開孔領域を含む両面を露出させ、再度エツチン
グを行なうことにより、目的とする孔寸法を得た
後大小孔合致部を優先的にエツチングし目的とす
る断面形状を得るものである。
域とすべき部分以外の部分を耐エツチングレジス
ト膜で被覆し、前記金属薄板の一方の面のみ前段
のエツチングを行なつて所定の凹部を形成し、前
記前段のエツチングで形成された凹部を含む面を
エツチング抵抗材で被覆保護し、前記金属薄板の
エツチング抵抗材を有さない他方の面のみ前段の
エツチングにより凹部に到達するまで後段のエツ
チングを行ない透孔を貫通穿設し、前記金属薄板
の開孔領域を含む両面を露出させ、再度エツチン
グを行なうことにより、目的とする孔寸法を得た
後大小孔合致部を優先的にエツチングし目的とす
る断面形状を得るものである。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
第７図ａ乃至ｆは本発明の実施例による工程ご
との金属板の構成図、第８図及び第１図は同じく
各工程の示す模式図である。
との金属板の構成図、第８図及び第１図は同じく
各工程の示す模式図である。
シヤドウマスク材として板厚0.13mmの平滑なア
ルミキルド低炭素鋼板１を用い、両主面に牛乳カ
ゼイン酸アルカリと重クロム酸アンモニウムから
なる感光液を塗布乾燥して約5μｍのレジスト膜
を形成する。次いで金属薄板１の一方の主面に約
80μｍの円形像を有するネガ原版を、他方の主面
の対応部位に約150μｍの円形像を有するネガ原
版をそれぞれ密着配置し、5KMの水銀ランプを
使用し１ｍの距離から30秒間露光する。その後40
℃の温水で１Kg／cm2のスプレー圧にて未露光未硬
化部のレジスト膜増を溶解除去し、小孔形成部及
び大孔形成部にあたえる金属面２，３を露出させ
る（第７図ａ）。この後残存レジスト膜４，５の
耐エツチング性及び金属薄板１との付着強度を向
上させるため150℃の雰囲気で約２分間乾燥し、
200℃の雰囲気で約２分間バーニングを施こす。
次いで金属板１の上側面に位置する大孔側にポリ
エチレン・ポリプロピレン又は塩化ビニル等の保
護フイルム７をはりつけ（第７図ｂ）、金属板の
下側に位置する小孔側のみにエツチング液９を吹
きつけ目的とする凹部８が形成されるまで前段の
エツチングを行つた後（第８図ａ）水洗する（第
８図ｂ）。エツチング液は比重1.45乃至1.49、液
温50乃至70℃の第２塩化鉄溶液を用い、スプレー
圧１〜２Kg／cm2でエツチングを行なう。次いで大
孔側に保護フイルム７をつけたまま小孔側から濃
度15％、60℃の水酸化ナトリウム液をスプレーし
小孔側の残存レジスト膜のはがし（第８図ｃ）、
水洗（第８図ｄ）する。次いで金属板を反転させ
て（第７図ｃ）前段のエツチングで形成された凹
部を上側とし、この面にローラーコータにて水溶
液のエツチング抵抗材、例えば牛乳カゼイン酸ア
ルカリ、ポリビニルアルコール、エポキシ系デイ
スパージヨン樹脂、又アルキド樹脂等を塗布して
（第８図ｅ）、小孔側の凹部を完全に埋め乾燥（第
８図ｆ）することにより抵抗層６を形成する（第
７図ｄ）。水溶性のエツチング抵抗材の種類によ
り金沿板が濡れた状態では凹部８内の水との置換
が迅速に行なわれないことがあるため、このよう
な場合には残存レジスト膜剥離、水洗後乾燥して
行なうとよい。エツチング抵抗材の塗布膜厚とし
ては、凹部８外の金属板面上で５乃至10μｍとな
る範囲が適当である。この抵抗材の塗布法として
はローラーコート法以外にナイフコート法、スプ
レー法、浸漬法又はバーコーター法によつて行な
つても良い。また抵抗材としては耐エツチング性
を有することが必要で、上記以外に非水溶性のも
の、例えばパラフイン、石油ピツチ、ラツカー等
を用いる場合は小孔側の残存レジスト膜５の剥離
水洗後乾燥して抵抗層６を形成するとよい。
ルミキルド低炭素鋼板１を用い、両主面に牛乳カ
ゼイン酸アルカリと重クロム酸アンモニウムから
なる感光液を塗布乾燥して約5μｍのレジスト膜
を形成する。次いで金属薄板１の一方の主面に約
80μｍの円形像を有するネガ原版を、他方の主面
の対応部位に約150μｍの円形像を有するネガ原
版をそれぞれ密着配置し、5KMの水銀ランプを
使用し１ｍの距離から30秒間露光する。その後40
℃の温水で１Kg／cm2のスプレー圧にて未露光未硬
化部のレジスト膜増を溶解除去し、小孔形成部及
び大孔形成部にあたえる金属面２，３を露出させ
る（第７図ａ）。この後残存レジスト膜４，５の
耐エツチング性及び金属薄板１との付着強度を向
上させるため150℃の雰囲気で約２分間乾燥し、
200℃の雰囲気で約２分間バーニングを施こす。
次いで金属板１の上側面に位置する大孔側にポリ
エチレン・ポリプロピレン又は塩化ビニル等の保
護フイルム７をはりつけ（第７図ｂ）、金属板の
下側に位置する小孔側のみにエツチング液９を吹
きつけ目的とする凹部８が形成されるまで前段の
エツチングを行つた後（第８図ａ）水洗する（第
８図ｂ）。エツチング液は比重1.45乃至1.49、液
温50乃至70℃の第２塩化鉄溶液を用い、スプレー
圧１〜２Kg／cm2でエツチングを行なう。次いで大
孔側に保護フイルム７をつけたまま小孔側から濃
度15％、60℃の水酸化ナトリウム液をスプレーし
小孔側の残存レジスト膜のはがし（第８図ｃ）、
水洗（第８図ｄ）する。次いで金属板を反転させ
て（第７図ｃ）前段のエツチングで形成された凹
部を上側とし、この面にローラーコータにて水溶
液のエツチング抵抗材、例えば牛乳カゼイン酸ア
ルカリ、ポリビニルアルコール、エポキシ系デイ
スパージヨン樹脂、又アルキド樹脂等を塗布して
（第８図ｅ）、小孔側の凹部を完全に埋め乾燥（第
８図ｆ）することにより抵抗層６を形成する（第
７図ｄ）。水溶性のエツチング抵抗材の種類によ
り金沿板が濡れた状態では凹部８内の水との置換
が迅速に行なわれないことがあるため、このよう
な場合には残存レジスト膜剥離、水洗後乾燥して
行なうとよい。エツチング抵抗材の塗布膜厚とし
ては、凹部８外の金属板面上で５乃至10μｍとな
る範囲が適当である。この抵抗材の塗布法として
はローラーコート法以外にナイフコート法、スプ
レー法、浸漬法又はバーコーター法によつて行な
つても良い。また抵抗材としては耐エツチング性
を有することが必要で、上記以外に非水溶性のも
の、例えばパラフイン、石油ピツチ、ラツカー等
を用いる場合は小孔側の残存レジスト膜５の剥離
水洗後乾燥して抵抗層６を形成するとよい。
さて抵抗層６を形成した後大孔側の保護フイル
ム７をはがし、金属板の下側に位置する大孔側の
みに塩化第２鉄からなるエツチング液９を吹きつ
けて後段のエツチングを行なう（第８図ｇ）こと
により、抵抗層６に大孔側凹部が到達して目的と
する寸法のシヤドウマスク開孔を得る（第７図
ｅ）。次いで水洗（第１図ｈ）後抵抗層６及びレ
ジツト膜４をはがして（第１図ｉ）開孔形成工程
が終了する（第７図ｆ）。
ム７をはがし、金属板の下側に位置する大孔側の
みに塩化第２鉄からなるエツチング液９を吹きつ
けて後段のエツチングを行なう（第８図ｇ）こと
により、抵抗層６に大孔側凹部が到達して目的と
する寸法のシヤドウマスク開孔を得る（第７図
ｅ）。次いで水洗（第１図ｈ）後抵抗層６及びレ
ジツト膜４をはがして（第１図ｉ）開孔形成工程
が終了する（第７図ｆ）。
ここで前段の小孔側のみのエツチング及び後段
の大孔側のみのエツチングにおけるエツチング量
はシヤドウマスクの孔寸法及び金属板板厚により
異なるが、何れにせよ大孔側のエツチング量の方
が大である。従つて両者のエツチングにおける最
適なエツチング量を得るために、前段及び後段の
エツチングチヤンバー長の比を変えるか、又はエ
ツチング液の比重や液温或はスプレー圧等を変化
させるとよい。
の大孔側のみのエツチングにおけるエツチング量
はシヤドウマスクの孔寸法及び金属板板厚により
異なるが、何れにせよ大孔側のエツチング量の方
が大である。従つて両者のエツチングにおける最
適なエツチング量を得るために、前段及び後段の
エツチングチヤンバー長の比を変えるか、又はエ
ツチング液の比重や液温或はスプレー圧等を変化
させるとよい。
この状態での透孔の断面形状は第７図ｆに示す
ように、第５図ｂと同じく大小孔合致部分は小孔
側からの高さｔに相当する壁を有している。
ように、第５図ｂと同じく大小孔合致部分は小孔
側からの高さｔに相当する壁を有している。
次に前段と後段のエツチングが終了し大小開孔
領域を含む両面が露出された金属板１は水洗（第
１図ｊ）を経て再度エツチング槽に入る（第１図
ｋ）。再度エツチング法としてはスプレー法や浸
漬法等を用いることができるが、スプレー法はエ
ツチング液の機械的当りによるエツチング効率が
良いため第５図または第６図に示すｔまたはｗの
寸法が小さくなる。しかし開孔寸法が目的よりも
大きくなり易く、且つ金属板上のエツチング液の
溜りやスプレーパターン当りの不均一等によつて
ばらつきが発生し易くあまり好ましくない。これ
に対して浸漬法はスプレー法のような問題はなく
小量エツチングに適している。しかし浸漬法の場
合エツチング面で疲労した液と新液との交換が悪
いとエツチング速度が低下するのでエツチング液
を攪拌し乍ら行なうとよい。液攪拌には超音波
法、パブリング法、攪拌子法等を用いることがで
きるが、攪拌効率の点から超音波法が好ましい。
領域を含む両面が露出された金属板１は水洗（第
１図ｊ）を経て再度エツチング槽に入る（第１図
ｋ）。再度エツチング法としてはスプレー法や浸
漬法等を用いることができるが、スプレー法はエ
ツチング液の機械的当りによるエツチング効率が
良いため第５図または第６図に示すｔまたはｗの
寸法が小さくなる。しかし開孔寸法が目的よりも
大きくなり易く、且つ金属板上のエツチング液の
溜りやスプレーパターン当りの不均一等によつて
ばらつきが発生し易くあまり好ましくない。これ
に対して浸漬法はスプレー法のような問題はなく
小量エツチングに適している。しかし浸漬法の場
合エツチング面で疲労した液と新液との交換が悪
いとエツチング速度が低下するのでエツチング液
を攪拌し乍ら行なうとよい。液攪拌には超音波
法、パブリング法、攪拌子法等を用いることがで
きるが、攪拌効率の点から超音波法が好ましい。
再度エツチング終了後金属板は水洗（第１図
ｌ）、乾燥（第１図ｍ）を経て次工程のカツテイ
ング（第１図ｎ）へ送られ、切断枠抜きによつて
目的とするフラツトマスクが得られる。尚、第１
図の再度エツチングでは金属板押えローラをエツ
チング液上に引き上げることにより通常のエツチ
ング工程と併用することができる。
ｌ）、乾燥（第１図ｍ）を経て次工程のカツテイ
ング（第１図ｎ）へ送られ、切断枠抜きによつて
目的とするフラツトマスクが得られる。尚、第１
図の再度エツチングでは金属板押えローラをエツ
チング液上に引き上げることにより通常のエツチ
ング工程と併用することができる。
第９図は本発明を矩形状の開孔を有するシヤド
ウマスクのエツチングに適用した場合に得られる
断面形状を第５図ｂ及び第６図ｂに対応して模式
的に示すもので、スリツト断面は第９図ａに示す
ように小孔側から大小孔合致部分の壁ｔが消失し
ている。一方ブリツジ断面は第９図ｂに示すよう
に大小孔合致部分の鋭角状の突出部が消失し幅ｗ
を小さくすることができた。
ウマスクのエツチングに適用した場合に得られる
断面形状を第５図ｂ及び第６図ｂに対応して模式
的に示すもので、スリツト断面は第９図ａに示す
ように小孔側から大小孔合致部分の壁ｔが消失し
ている。一方ブリツジ断面は第９図ｂに示すよう
に大小孔合致部分の鋭角状の突出部が消失し幅ｗ
を小さくすることができた。
以上のように本発明によれば、概略目的とする
寸法の開孔を得た後再度エツチングを行なうこと
により鋭角な部分を優先的にエツチングし、電子
ビームの通過に最適な断面形状を得ることができ
る。従つて板厚より小さな開孔を均一に穿設する
と共に電子ビームの通過に最適に断面形状とする
ことができるので、むら品位に秀れ輝度及びコン
トラストの低下の少ないシヤドウマスクを提供す
ることができる。
寸法の開孔を得た後再度エツチングを行なうこと
により鋭角な部分を優先的にエツチングし、電子
ビームの通過に最適な断面形状を得ることができ
る。従つて板厚より小さな開孔を均一に穿設する
と共に電子ビームの通過に最適に断面形状とする
ことができるので、むら品位に秀れ輝度及びコン
トラストの低下の少ないシヤドウマスクを提供す
ることができる。
第１図は本発明の実施例による各工程を示す模
式図、第２図は従来のエツチングによる各工程を
示す模式図、第３図ａ乃至ｄは第２図の各工程ご
との金属板の構成図、第４図は矩形状透孔を有す
るシヤドウマスクの部分平面図、第５図ａ及びｂ
は第４図のＡ−Ａ線に沿うスリツト断面図、第６
図ａ及びｂは第４図のＢ−Ｂ線に沿うブリツジ断
面図、第７図ａ乃至ｆは本発明は実施例による工
程ごとの金属板の構成図、第８図は同じく各工程
を示す模式図、第９図ａ及びｂは矩形孔のスリツ
ト及びブリツジ断面図である。 １……金属板、２，３……露出金属面、４，５
……レジスト膜、６……抵抗層、７……保護フイ
ルム、８……凹部、９……エツチング液。
式図、第２図は従来のエツチングによる各工程を
示す模式図、第３図ａ乃至ｄは第２図の各工程ご
との金属板の構成図、第４図は矩形状透孔を有す
るシヤドウマスクの部分平面図、第５図ａ及びｂ
は第４図のＡ−Ａ線に沿うスリツト断面図、第６
図ａ及びｂは第４図のＢ−Ｂ線に沿うブリツジ断
面図、第７図ａ乃至ｆは本発明は実施例による工
程ごとの金属板の構成図、第８図は同じく各工程
を示す模式図、第９図ａ及びｂは矩形孔のスリツ
ト及びブリツジ断面図である。 １……金属板、２，３……露出金属面、４，５
……レジスト膜、６……抵抗層、７……保護フイ
ルム、８……凹部、９……エツチング液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属薄板の一方の面の開孔領域が他方の面の
対応する開孔領域とは異なる多数の規則的に配列
された透孔を穿設するシヤドウマスクの製造方法
において、前記金属薄板の両面の所定の前記開孔
領域とすべき部分以外の部分を耐エツチングレジ
スト膜で被覆し、前記金属薄板の一方の面のみ前
段のエツチングを行なつて所定の凹部を形成し、
前記前段のエツチングで形成された凹部を含む面
をエツチング抵抗材で被覆保護し、前記金属薄板
のエツチング抵抗材を有さない他方の面のみ前段
のエツチングによる凹部に到達するまで後段のエ
ツチングを行ない透孔を貫通穿設し、前記金属薄
板の開孔領域を含む両面を露出させ、再度エツチ
ングを行なうことを特徴とするシヤドウマスクの
製造方法。 ２ 前記再度エツチングがエツチング槽への浸漬
法によることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のシヤドウマスクの製造方法。 ３ 前記再度エツチングは前記エツチング槽内の
エツチング液が攪拌され乍ら行なわれることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載のシヤドウマ
スクの製造方法。 ４ 前記攪拌が超音波によることを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載のシヤドウマスクの製造
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179247A JPS6160889A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | シヤドウマスクの製造方法 |
| KR1019850004267A KR900001497B1 (ko) | 1984-08-30 | 1985-06-14 | 새도우 마스크의 제조 방법 |
| US06/769,885 US4662984A (en) | 1984-08-30 | 1985-08-27 | Method of manufacturing shadow mask |
| EP85110891A EP0173966B1 (en) | 1984-08-30 | 1985-08-29 | Method of manufacturing shadow mask |
| DE8585110891T DE3565742D1 (en) | 1984-08-30 | 1985-08-29 | Method of manufacturing shadow mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179247A JPS6160889A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | シヤドウマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6160889A JPS6160889A (ja) | 1986-03-28 |
| JPH0530913B2 true JPH0530913B2 (ja) | 1993-05-11 |
Family
ID=16062505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59179247A Granted JPS6160889A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | シヤドウマスクの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4662984A (ja) |
| EP (1) | EP0173966B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6160889A (ja) |
| KR (1) | KR900001497B1 (ja) |
| DE (1) | DE3565742D1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63286588A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Toshiba Corp | シャドウマスクの製造方法 |
| JPH02103841A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Toshiba Corp | シャドウマスクの製造方法 |
| US5126005A (en) * | 1990-08-31 | 1992-06-30 | The Boeing Company | Process for eliminating pits during chemical milling |
| US5338400A (en) * | 1993-02-25 | 1994-08-16 | Ic Sensors, Inc. | Micromachining process for making perfect exterior corner in an etchable substrate |
| JPH0737492A (ja) * | 1993-07-21 | 1995-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | アパーチャーグリルの製造方法 |
| DE69422456T2 (de) * | 1993-08-25 | 2000-06-15 | Toshiba Kawasaki Kk | Farbkathodenstrahlröhre und deren Herstellungsverfahren |
| JP2764526B2 (ja) * | 1993-09-28 | 1998-06-11 | 大日本印刷株式会社 | アパーチャグリルの製造方法及びアパーチャグリル |
| US5679267A (en) * | 1994-04-04 | 1997-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Dual etching of ceramic materials with an elevated thin film |
| US5653892A (en) * | 1994-04-04 | 1997-08-05 | Texas Instruments Incorporated | Etching of ceramic materials with an elevated thin film |
| US5484074A (en) * | 1994-05-03 | 1996-01-16 | Bmc Industries, Inc. | Method for manufacturing a shadow mask |
| JPH07320652A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-08 | Toshiba Corp | カラー受像管及びシャドウマスクの製造方法 |
| TW378334B (en) * | 1994-10-14 | 2000-01-01 | Thomson Consumer Electronics | Method of forming an enhanced resolution shadow mask |
| US7294578B1 (en) * | 1995-06-02 | 2007-11-13 | Micron Technology, Inc. | Use of a plasma source to form a layer during the formation of a semiconductor device |
| US6083557A (en) * | 1997-10-28 | 2000-07-04 | Raytheon Company | System and method for making a conductive polymer coating |
| US6080987A (en) * | 1997-10-28 | 2000-06-27 | Raytheon Company | Infrared-sensitive conductive-polymer coating |
| JPH11260257A (ja) | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Sony Corp | 高精細度管用色選別マスクの製造方法 |
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| CN101845618B (zh) * | 2010-05-06 | 2012-09-26 | 上海纳腾仪器有限公司 | 一种x射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法 |
| JP6269110B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-01-31 | 大日本印刷株式会社 | フィルターおよびその製造方法 |
| KR102557891B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2023-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크의 제조 방법 |
| CN107877108B (zh) * | 2017-12-05 | 2019-09-03 | 扬州华盟电子有限公司 | 一种金属散热模组及其制备方法 |
| KR102109037B1 (ko) * | 2018-11-13 | 2020-05-11 | (주)애니캐스팅 | 다중배열전극을 이용한 유기 증착 마스크 제조 방법 |
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| JPS56139676A (en) * | 1980-04-02 | 1981-10-31 | Toshiba Corp | Method and apparatus for etching metal sheet |
| US4425183A (en) * | 1983-08-08 | 1984-01-10 | Ncr Corporation | Metal bevel process for multi-level metal semiconductor applications |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP59179247A patent/JPS6160889A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-14 KR KR1019850004267A patent/KR900001497B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-08-27 US US06/769,885 patent/US4662984A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-29 DE DE8585110891T patent/DE3565742D1/de not_active Expired
- 1985-08-29 EP EP85110891A patent/EP0173966B1/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57176648A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-30 | Toshiba Corp | Shadow mask electrode for color picture tube |
| JPS5968147A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-18 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0173966B1 (en) | 1988-10-19 |
| DE3565742D1 (en) | 1988-11-24 |
| EP0173966A3 (en) | 1986-12-30 |
| KR860002132A (ko) | 1986-03-26 |
| KR900001497B1 (ko) | 1990-03-12 |
| US4662984A (en) | 1987-05-05 |
| JPS6160889A (ja) | 1986-03-28 |
| EP0173966A2 (en) | 1986-03-12 |
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